CN107507785B - 一种降低测试抗pid亲水性用片隔离的工艺 - Google Patents
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- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，包括以下步骤：S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。本发明工艺能够利用纯水重新浸泡测试抗PID亲水性用片硅片，再通过酸洗去除水印，有效地降低了测试抗PID亲水性用片隔离，提高了优质出品率，而且可以很明显的减少测试抗PID亲水性用片隔离返工次数，大大节约了时间、提高了工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及抗PID亲水性测试技术领域，具体为一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺。
背景技术
现有技术中，对于硅片的制造过程中，普遍采用湿法刻蚀对硅片进行刻蚀，采用湿法刻蚀的话，就需要对硅片的抗PID亲水性进行检测。
目前通常采用测试抗PID亲水性用片对硅片进行检测，但是在检测过程中，由于测试抗PID亲水性用片的高隔离，导致测试抗PID亲水性用片在使用一段时间后，就需要进行返工，非常浪费时间，而且会降低工作效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，包括以下步骤：
S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；
在步骤S1中，将测试抗PID亲水性用片沥干至无水滴自由下落；
S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；
在步骤S2中，浸泡所用的水为纯水；
S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；
S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。
优选的，在步骤S3中，酸洗所用的酸液为氢氟酸溶液。
优选的，在步骤S4中，对测试抗PID亲水性用片进行烘干时同步通入氮气。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明工艺能够利用纯水重新浸泡测试抗PID亲水性用片硅片，再通过酸洗去除水印，有效地降低了测试抗PID亲水性用片隔离，提高了优质出品率，而且可以很明显的减少测试抗PID亲水性用片隔离返工次数，大大节约了时间、提高了工作效率。
附图说明
图1为本发明工艺的系统框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：
一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，包括以下步骤：
S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；
使用测试抗PID亲水性用片对硅片进行抗PID亲水性检测，检测完成后，测试抗PID亲水性用片上会残留有水分，首先对测试抗PID亲水性用片上残留的水分进行沥干，将测试抗PID亲水性用片上的水分沥干至无水滴自由下落即可，完成沥干处理。
S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；
通过步骤S1对测试抗PID亲水性用片进行沥干处理后，使用纯水将测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，完全覆盖住扩散面后，将此测试抗PID亲水性用片放入刻蚀槽内，刻蚀槽内无需添加刻蚀液，通过加满纯水的刻蚀槽对测试抗PID亲水性用片实现用纯水重新浸泡硅片的目的。
S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；
酸液选用氢氟酸，调控氢氟酸浓度为20％、酸洗温度为30℃、酸洗时间为90s，通过氢氟酸的酸性作用，对测试抗PID亲水性用片酸洗，以达到去除水印的效果，可以有效的降低测试抗PID亲水性用片隔离。
S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干；
对酸洗后的测试抗PID亲水性用片进行热风烘干，并且同时通入氮气对测试抗PID亲水性用片进行辅助烘干，防止硅片污染。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；
在步骤S1中，将测试抗PID亲水性用片沥干至无水滴自由下落；
S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；
在步骤S2中，浸泡所用的水为纯水；
S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；
S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。
2.根据权利要求1所述的一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于：在步骤S3中，酸洗所用的酸液为氢氟酸溶液。
3.根据权利要求1所述的一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于：在步骤S4中，对测试抗PID亲水性用片进行烘干时同步通入氮气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710689654.3A CN107507785B (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种降低测试抗pid亲水性用片隔离的工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710689654.3A CN107507785B (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种降低测试抗pid亲水性用片隔离的工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107507785A CN107507785A (zh) | 2017-12-22 |
| CN107507785B true CN107507785B (zh) | 2019-08-23 |
Family
ID=60690884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710689654.3A Active CN107507785B (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种降低测试抗pid亲水性用片隔离的工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107507785B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105245187A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-01-13 | 常州天合光能有限公司 | 一种监控太阳电池片抗pid性能的方法及其测试装置 |
| CN106299023A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-04 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014200985A2 (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-18 | Specmat, Inc. | Chemical compositions for semiconductor manufacturing processes and/or methods, apparatus made with same, and semiconductor structures with reduced potential induced degradation |
-
2017
- 2017-08-14 CN CN201710689654.3A patent/CN107507785B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105245187A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-01-13 | 常州天合光能有限公司 | 一种监控太阳电池片抗pid性能的方法及其测试装置 |
| CN106299023A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-04 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107507785A (zh) | 2017-12-22 |
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| PB01 | Publication | ||
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