CN107507572B - Oled驱动薄膜晶体管的参数获取方法 - Google Patents

Oled驱动薄膜晶体管的参数获取方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法。该方法利用数据线提供互不相同的第一、第二、第三、第四栅极电压，利用感测单元在第二薄膜晶体管的栅极分别写入第一、第二、第三、第四栅极电压，且第二薄膜晶体管的源极经由导通的第三薄膜晶体管、导线、及关闭的开关与参考电压相连时，侦测流过第二、第三薄膜晶管的驱动电流，依据流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流计算第三薄膜晶体管的漏源极跨压，结合导线的分压，获得与第一、第二、第三、第四栅极电压对应且更精确的第二薄膜晶体管的源极电压，从而获得精确的驱动薄膜晶体管的参数，以此为依据对OLED面板进行补偿，能够提高画面的补偿均匀度。

Description

OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。
如图1所示，为一种现有的AMOLED像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第一电容C10、第二电容C20、有机发光二极管D10、及开关S10。具体地，所述第一薄膜晶体管T10的栅极接入扫描信号Scan，源极电性连接数据线100，漏极电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极；所述第二薄膜晶体管T20的漏极接入电源电压VDD，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极；所述第三薄膜晶体管T30的栅极接入感测信号Sen，源极电性经导线300连接开关S10的一端，漏极电性连接第二薄膜晶体管T20的源极；所述第一电容C10的一端电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极；所述第二电容C20的一端电性连接有机发光二极管D10的阳极，另一端电性连接有机发光二极管D10的阴极；所述有机发光二极管D10的阴极电性连接接地端；所述开关S10的另一端接入参考电压Vref；感测单元200与第三薄膜晶体T30的源极电性连接，开关S10的一端与第三薄膜晶体管T3的源极之间的导线300具有等效电阻，同时该导线300与接地端之间形成有寄生电容。所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管，该AMOLED像素驱动电路在工作时，流过有机发光二极管D10的电流满足：
I＝k×(Vgs-Vth)a；
其中，I为流过有机发光二极管D10的电流，k为第二薄膜晶体管T20的本征导电因子，Vgs为第二薄膜晶体管T20栅源极电压差，Vth为第二薄膜晶体管T20的阈值电压，a为第二薄膜晶体管T20的驱动曲线指数，可见流过有机发光二极管D10的电流与驱动薄膜晶体管也即第二薄膜晶体管T20的本征导电因子、阈值电压、驱动曲线指数相关，因此需要对驱动薄膜晶体管的包括本征导电因子、阈值电压、驱动曲线指数在内的参数进行量测。
为获取驱动薄膜晶体管也即第二薄膜晶体管T20的本征导电因子、阈值电压、驱动曲线指数，需要进行如下操作：首先，扫描信号Scan及感测信号Sen提供高电位，分别将第一薄膜晶体管T10和第三薄膜晶体管T30导通，同时使开关S10闭合，参考电压Vref经导通的第三薄膜晶体管T10写入第二薄膜晶体管T20的源极，数据线100提供一预设栅极电压经第一薄膜晶体管T10写入第二薄膜晶体管T20的栅极；之后，扫描信号Scan提供低电位，第一薄膜晶体管T10关闭，感测信号Sen提供高电位，第三薄膜晶体管T30保持导通，同时使开关S10断开，由于第一电容C10和第二电容C20的作用第二薄膜晶体管T20的栅源极电压差保持不变，恒定的电流流过第二薄膜晶体管T20及第三薄膜晶体管T30为导线300与接地端之间的寄生电容进行充电；感测单元200感测一预设时间内第三薄膜晶体管T30的源极的电压变化值也即寄生电容存储的电压的变化值，根据公式ΔV＝Ids×t/C，其中ΔV为在预设时间内第三薄膜晶体管T30的源极的电压的变化值，t为预设时间，C为寄生电容的电容值，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流，即可求得流过第二薄膜晶体管T20的驱动电流，进而结合第二薄膜晶体管T20即驱动薄膜晶体管的栅源极电压差来获取驱动薄膜晶体管的参数。通常认为与该驱动电流对应的第二薄膜晶体管T20栅源极电压差为预设栅极电压与参考电压Vref的差值，但实际上，当开关S10闭合时，由于导线300的等效电阻及第三薄膜晶体管T30漏源极的跨压的存在，使第二薄膜晶体管T20的源极电压大于参考电压Vref，也即第二薄膜晶体管T20的栅源极电压差并不等于预设栅极电压与参考电压Vref的差值，因此获得的驱动薄膜晶体管的参数会出现较大的偏差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，能够获得精确的驱动薄膜晶体管的参数。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，包括如下步骤：
步骤S100、提供OLED像素驱动系统，包括：子像素驱动电路、及与子像素驱动电路电性连接的感测单元；所述子像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一电容、第二电容、有机发光二极管、及开关；所述第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极电性连接数据线，漏极电性连接第二薄膜晶体管的栅极；所述第二薄膜晶体管的漏极接入电源电压，源极电性连接有机发光二极管的阳极；所述第三薄膜晶体管的栅极接入感测信号，漏极电性连接第二薄膜晶体管的源极，源极经由一导线电性连接开关的一端；所述第一电容的两端分别电性连接第二薄膜晶体管的栅极与源极；所述第二电容的两端分别电性连接有机发光二极管的阳极与阴极；所述有机发光二极管的阴极电性连接接地端；所述开关的另一端接入参考电压；所述导线与接地端之间形成寄生电容；所述感测单元电性连接第三薄膜晶体管的源极；
步骤S200、数据线提供互不相等的第一、第二、第三、第四栅极电压，感测单元侦测当第三薄膜晶体管导通且开关关闭时，在第二薄膜晶体管的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后对应流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流；
步骤S300、根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流、以及预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式或者预先获得的第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表，获取当第三薄膜晶体管导通且开关关闭时，在第二薄膜晶体管的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管对应的漏源极跨压；
步骤S400、根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的第三薄膜晶体管的漏源极跨压、以及预设的第二薄膜晶体管源极电压公式，获得当第三薄膜晶体管导通且开关关闭时，在第二薄膜晶体管的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第二薄膜晶体管对应的源极电压；
步骤S500、根据第一、第二、第三、第四栅极电压、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的第二薄膜晶体管的源极电压、以及预设的第二薄膜晶体管驱动曲线公式，获得第二薄膜晶体管的驱动曲线指数、本征导电因子、及阈值电压。
所述预设的第二薄膜晶体管源极电压公式为：
Vs＝Vref+Ids×R+Vds’；
其中，Vs为第二薄膜晶体管的源极电压，Vref为参考电压，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流，R为导线的等效电阻，Vds’为第三薄膜晶体管的漏源极跨压。
所述步骤S300中，根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流、以及预先获得的第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表，获取当第三薄膜晶体管导通且开关关闭时，在第二薄膜晶体管的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管对应的漏源极跨压。
所述第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表的获得方法为：对第三薄膜晶体管进行仿真分析，获得流过第三薄膜晶体管的驱动电流与第三薄膜晶体管的漏源极跨压的对应关系，形成第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表。
所述步骤S300中，根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流、以及预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式，获取当第三薄膜晶体管导通且开关关闭时，在第二薄膜晶体管的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管对应的漏源极跨压。
所述预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式为：
Ids＝k’[(Vgs’-Vth’)×Vds’-Vds’a’/2]；
其中，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流，k’为第三薄膜晶体管的本征导电因子，Vgs’为第三薄膜晶体管的栅源极电压差，Vth’为第三薄膜晶体管的阈值电压，Vds’为第三薄膜晶体管的漏源极跨压，a’为第三薄膜晶体管的驱动曲线指数。
所述步骤S200具体包括：
步骤S201、数据线提供第一栅极电压，扫描信号和感测信号分别控制第一、第三薄膜晶体管导通，第一栅极电压写入第二薄膜晶体管的栅极，开关关闭，之后扫描信号控制第一薄膜晶体管截止，感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关断开，感测单元侦测一预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第一栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流；
步骤S202、数据线提供第二栅极电压，扫描信号和感测信号分别控制第一、第三薄膜晶体管导通，第二栅极电压写入第二薄膜晶体管的栅极，开关关闭，之后扫描信号控制第一薄膜晶体管截止，感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关断开，感测单元侦测一预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第二栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流；
步骤S203、数据线提供第三栅极电压，扫描信号和感测信号分别控制第一、第三薄膜晶体管导通，第三栅极电压写入第二薄膜晶体管的栅极，开关关闭，之后扫描信号控制第一薄膜晶体管截止，感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关断开，感测单元侦测一预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第三栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流；
步骤S204、数据线提供第四栅极电压，扫描信号和感测信号分别控制第一、第三薄膜晶体管导通，第四栅极电压写入第二薄膜晶体管的栅极，开关关闭，之后扫描信号控制第一薄膜晶体管截止，感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关断开，感测单元侦测一预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流。
所述预设的驱动电流计算公式为：
ΔV＝Ids×t/C；
其中ΔV为在预设时间内第三薄膜晶体管的源极的电压变化值，t为预设时间，C为导线与接地端间寄生电容的电容值，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流。
所述预设的第二薄膜晶体管驱动曲线公式为：
Ids＝k×(Vg-Vs-Vth)a；
其中，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流，k为第二薄膜晶体管的本征导电因子，Vg为第二薄膜晶体管的栅极电压，Vs为第二薄膜晶体管的源极电压，Vth为第二薄膜晶体管的阈值电压，a为第二薄膜晶体管的驱动曲线指数。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，利用数据线提供互不相同的第一、第二、第三、第四栅极电压，利用感测单元在第二薄膜晶体管的栅极分别写入第一、第二、第三、第四栅极电压，且第二薄膜晶体管的源极经由导通的第三薄膜晶体管、导线、及关闭的开关与参考电压相连时，侦测流过第二、第三薄膜晶管的驱动电流，依据流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流计算第三薄膜晶体管的漏源极跨压，结合导线的分压，获得与第一、第二、第三、第四栅极电压对应且更精确的第二薄膜晶体管的源极电压，从而获得精确的驱动薄膜晶体管的参数，以此为依据对OLED面板进行补偿，能够提高画面的补偿均匀度。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为本发明的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法的流程图；
图3为本发明的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法的步骤S100的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，包括如下步骤：
步骤S100、请参阅图3，提供OLED像素驱动系统，包括：子像素驱动电路10、及与子像素驱动电路10电性连接的感测单元20；所述子像素驱动电路10包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第一电容C1、第二电容C2、有机发光二极管D1、及开关S1；所述第一薄膜晶体管T1的栅极接入扫描信号Scan，源极电性连接数据线30，漏极电性连接第二薄膜晶体管T2的栅极；所述第二薄膜晶体管T2的漏极接入电源电压VDD，源极电性连接有机发光二极管D1的阳极；所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入感测信号Sen，漏极电性连接第二薄膜晶体管T2的源极，源极经由一导线40电性连接开关S1的一端；所述第一电容C1的两端分别电性连接第二薄膜晶体管T2的栅极与源极；所述第二电容C2的两端分别电性连接有机发光二极管D1的阳极与阴极；所述有机发光二极管D1的阴极电性连接接地端；所述开关S1的另一端接入参考电压Vref；所述导线40与接地端之间形成寄生电容；所述感测单元20电性连接第三薄膜晶体管T3的源极。
具体地，所述第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管。
步骤S200、数据线30提供互不相等的第一、第二、第三、第四栅极电压，感测单元20侦测当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后对应流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流。
具体地，所述步骤S200具体包括：
步骤S201、数据线30提供第一栅极电压，扫描信号Scan和感测信号Sen分别控制第一、第三薄膜晶体管T1、T3导通，第一栅极电压写入第二薄膜晶体管T2的栅极，开关S1关闭，之后扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T1截止，感测Sen信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关S1断开，感测单元20侦测一预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第一栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流；
步骤S202、数据线30提供第二栅极电压，扫描信号Scan和感测信号Sen分别控制第一、第三薄膜晶体管T1、T3导通，第二栅极电压写入第二薄膜晶体管T2的栅极，开关S1关闭，之后扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T1截止，感测Sen信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关S1断开，感测单元20侦测一预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第二栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流；
步骤S203、数据线30提供第三栅极电压，扫描信号Scan和感测信号Sen分别控制第一、第三薄膜晶体管T1、T3导通，第三栅极电压写入第二薄膜晶体管T2的栅极，开关S1关闭，之后扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T1截止，感测Sen信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关S1断开，感测单元20侦测一预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第三栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流；
步骤S204、数据线30提供第四栅极电压，扫描信号Scan和感测信号Sen分别控制第一、第三薄膜晶体管T1、T3导通，第四栅极电压写入第二薄膜晶体管T2的栅极，开关S1关闭，之后扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T1截止，感测Sen信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关S1断开，感测单元20侦测一预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流。
具体地，所述预设的驱动电流计算公式为：
ΔV＝Ids×t/C；
其中ΔV为在预设时间内第三薄膜晶体管T3的源极的电压变化值，t为预设时间，C为导线40与接地端间寄生电容的电容值，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流。
步骤S300、根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流、以及预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式或者预先获得的第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表(Look-Up-Table，LUT)，获取当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管T3对应的漏源极跨压。
可选地，在本发明的一实施例中，所述步骤S300中，根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流、以及预先获得的第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表，获取当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管T3对应的漏源极跨压。
具体地，所述第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表的获得方法为：对第三薄膜晶体管T3进行仿真分析，获得流过第三薄膜晶体管T3的驱动电流与第三薄膜晶体管T3的漏源极跨压的对应关系，形成第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表。
可选地，在本发明的另一实施例中，所述步骤S300中，根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流、以及预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式，获取当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管T3对应的漏源极跨压。
具体地，所述预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式为：
Ids＝k’[(Vgs’-Vth’)×Vds’-Vds’a’/2]；
其中，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流，k’为第三薄膜晶体管T3的本征导电因子，Vgs’为第三薄膜晶体管T3的栅源极电压差，Vth’为第三薄膜晶体管T3的阈值电压，Vds’为第三薄膜晶体管T3的漏源极跨压，a’为第三薄膜晶体管T3的驱动曲线指数。
需要说明的是，第三薄膜晶体管T3的本征导电因子、阈值电压、驱动曲线指数均为可预先获得的第三薄膜晶体管T3的特性参数，而在第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，第三薄膜晶体管T3的栅极电压即为此时感测信号Sen的电压值，而第三薄膜晶体管T3的源极电压为参考电压Vref与导线40的等效电阻分压之和，也即为一与流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流相关的值，因此通过分别将与对应第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流代入该预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式，即可得到当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管T3对应的漏源极跨压。
步骤S400、根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的第三薄膜晶体管T3的漏源极跨压、以及预设的第二薄膜晶体管源极电压公式，获得当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第二薄膜晶体管T2对应的源极电压。
具体地，所述预设的第二薄膜晶体管源极电压公式为：
Vs＝Vref+Ids×R+Vds’；
其中，Vs为第二薄膜晶体管T2的源极电压，Vref为参考电压，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流，R为导线40的等效电阻，Vds’为第三薄膜晶体管T3的漏源极跨压。
需要说明的是，由于参考电压Vref、导线40的等效电阻均已知，因此分别将与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流及第三薄膜晶体管T3的漏源极跨压代入所述预设的第二薄膜晶体管源极电压公式内，即可获得当第三薄膜晶体管T3导通且开关S1关闭时，在第二薄膜晶体管T2的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第二薄膜晶体管T2对应的源极电压。
步骤S500、根据第一、第二、第三、第四栅极电压、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的第二薄膜晶体管T2的源极电压、以及预设的第二薄膜晶体管驱动曲线公式，获得第二薄膜晶体管T2的驱动曲线指数、本征导电因子、及阈值电压。
具体地，所述预设的第二薄膜晶体管驱动曲线公式为：
Ids＝k×(Vg-Vs-Vth)a；
其中，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流，k为第二薄膜晶体管T2的本征导电因子，Vg为第二薄膜晶体管T2的栅极电压，Vs为第二薄膜晶体管T2的源极电压，Vth为第二薄膜晶体管T2的阈值电压，a为第二薄膜晶体管T2的驱动曲线指数。
需要说明的是，所述步骤S500中，分别将第一栅极电压及与第一栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流和第二薄膜晶体管T2的源极电压、第二栅极电压及与第二栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流和第二薄膜晶体管T2的源极电压、第三栅极电压及与第三栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流和第二薄膜晶体管T2的源极电压、第四栅极电压及与第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管T2、T3的驱动电流和第二薄膜晶体管T2的源极电压代入所述第二薄膜晶体管驱动曲线公式中，能够获得四个等式，对该四个等式进行求解后，即可获得第二薄膜晶体管T2的驱动曲线指数、本征导电因子、及阈值电压，相较于现有技术将参考电压视为第二薄膜晶体管的源极电压，本发明由于第二薄膜晶体管T2的源极电压是通过对参考电压Vref、第三薄膜晶体管T3的漏源极跨压、及导线40的等效电阻分压求和而得，电压值更为精确，由此计算得到的第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的驱动曲线指数、本征导电因子、及阈值电压精确度更高，以此为依据对OLED面板进行补偿，能够更好的提高画面的补偿均匀度。
综上所述，本发明的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，利用数据线提供互不相同的第一、第二、第三、第四栅极电压，利用感测单元在第二薄膜晶体管的栅极分别写入第一、第二、第三、第四栅极电压，且第二薄膜晶体管的源极经由导通的第三薄膜晶体管、导线、及关闭的开关与参考电压相连时，侦测流过第二、第三薄膜晶管的驱动电流，依据流过第二、第三薄膜晶体管的驱动电流计算第三薄膜晶体管的漏源极跨压，结合导线的分压，获得与第一、第二、第三、第四栅极电压对应且更精确的第二薄膜晶体管的源极电压，从而获得精确的驱动薄膜晶体管的参数，以此为依据对OLED面板进行补偿，能够提高画面的补偿均匀度。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，包括步骤S100、提供OLED像素驱动系统，包括：子像素驱动电路(10)、及与子像素驱动电路(10)电性连接的感测单元(20)；所述子像素驱动电路(10)包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第一电容(C1)、有机发光二极管(D1)、及开关(S1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极电性连接数据线(30)，漏极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的栅极；所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极接入电源电压(VDD)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入感测信号(Sen)，漏极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的源极；所述第一电容(C1)的两端分别电性连接第二薄膜晶体管(T2)的栅极与源极；所述有机发光二极管(D1)的阴极电性连接接地端；所述感测单元(20)电性连接第三薄膜晶体管(T3)的源极；
其特征在于，所述步骤S100中，所述子像素驱动电路(10)还包括第二电容(C2)；所述第三薄膜晶体管(T3)的源极经由一导线(40)电性连接开关(S1)的一端；所述第二电容(C2)的两端分别电性连接有机发光二极管(D1)的阳极与阴极；所述开关(S1)的另一端接入参考电压(Vref)；所述导线(40)与接地端之间形成寄生电容；
所述OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，还包括如下步骤：
步骤S200、数据线(30)提供互不相等的第一、第二、第三、第四栅极电压，感测单元(20)侦测当第三薄膜晶体管(T3)导通且开关(S1)关闭时，在第二薄膜晶体管(T2)的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后对应流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流；
步骤S300、根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流、以及预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式或者预先获得的第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表，获取当第三薄膜晶体管(T3)导通且开关(S1)关闭时，在第二薄膜晶体管(T2)的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管(T3)对应的漏源极跨压；
步骤S400、根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的第三薄膜晶体管(T3)的漏源极跨压、以及预设的第二薄膜晶体管源极电压公式，获得当第三薄膜晶体管(T3)导通且开关(S1)关闭时，在第二薄膜晶体管(T2)的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第二薄膜晶体管(T2)对应的源极电压；
步骤S500、根据第一、第二、第三、第四栅极电压、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流、分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的第二薄膜晶体管(T2)的源极电压、以及预设的第二薄膜晶体管驱动曲线公式，获得第二薄膜晶体管(T2)的驱动曲线指数、本征导电因子、及阈值电压；
所述预设的第二薄膜晶体管源极电压公式为：
Vs＝Vref+Ids×R+Vds’；
其中，Vs为第二薄膜晶体管(T2)的源极电压，Vref为参考电压，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管(T2)的驱动电流，R为导线(40)的等效电阻，Vds’为第三薄膜晶体管(T3)的漏源极跨压；
所述预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式为：
Ids＝k’[(Vgs’-Vth’)×Vds’-Vds’a’/2]；
其中，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流，k’为第三薄膜晶体管(T3)的本征导电因子，Vgs’为第三薄膜晶体管(T3)的栅源极电压差，Vth’为第三薄膜晶体管(T3)的阈值电压，Vds’为第三薄膜晶体管(T3)的漏源极跨压，a’为第三薄膜晶体管(T3)的驱动曲线指数。
2.如权利要求1所述的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，其特征在于，所述步骤S300中，根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流、以及预先获得的第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表，获取当第三薄膜晶体管(T3)导通且开关(S1)关闭时，在第二薄膜晶体管(T2)的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管(T3)对应的漏源极跨压。
3.如权利要求2所述的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，其特征在于，所述第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表的获得方法为：对第三薄膜晶体管(T3)进行仿真分析，获得流过第三薄膜晶体管(T3)的驱动电流与第三薄膜晶体管(T3)的漏源极跨压的对应关系，形成第三薄膜晶体管驱动电流与漏源极跨压关系查找表。
4.如权利要求1所述的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，其特征在于，所述步骤S300中，根据分别与第一、第二、第三、第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流、以及预设的第三薄膜晶体管漏源极跨压公式，获取当第三薄膜晶体管(T3)导通且开关(S1)关闭时，在第二薄膜晶体管(T2)的栅极分别接入第一、第二、第三、第四栅极电压后第三薄膜晶体管(T3)对应的漏源极跨压。
5.如权利要求1所述的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，其特征在于，所述步骤S200具体包括：
步骤S201、数据线(30)提供第一栅极电压，扫描信号(Scan)和感测信号(Sen)分别控制第一、第三薄膜晶体管(T1、T3)导通，第一栅极电压写入第二薄膜晶体管(T2)的栅极，开关(S1)关闭，之后扫描信号(Scan)控制第一薄膜晶体管(T1)截止，感测(Sen)信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(S1)断开，感测单元(20)侦测一预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第一栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流；
步骤S202、数据线(30)提供第二栅极电压，扫描信号(Scan)和感测信号(Sen)分别控制第一、第三薄膜晶体管(T1、T3)导通，第二栅极电压写入第二薄膜晶体管(T2)的栅极，开关(S1)关闭，之后扫描信号(Scan)控制第一薄膜晶体管(T1)截止，感测(Sen)信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(S2)断开，感测单元(20)侦测一预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第二栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流；
步骤S203、数据线(30)提供第三栅极电压，扫描信号(Scan)和感测信号(Sen)分别控制第一、第三薄膜晶体管(T1、T3)导通，第三栅极电压写入第二薄膜晶体管(T2)的栅极，开关(S1)关闭，之后扫描信号(Scan)控制第一薄膜晶体管(T1)截止，感测(Sen)信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(S2)断开，感测单元(20)侦测一预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第三栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流；
步骤S204、数据线(30)提供第四栅极电压，扫描信号(Scan)和感测信号(Sen)分别控制第一、第三薄膜晶体管(T1、T3)导通，第四栅极电压写入第二薄膜晶体管(T2)的栅极，开关(S1)关闭，之后扫描信号(Scan)控制第一薄膜晶体管(T1)截止，感测(Sen)信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(S2)断开，感测单元(20)侦测一预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值，根据预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值、预设时间、及一预设的驱动电流计算公式，获取与第四栅极电压对应的流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流。
6.如权利要求5所述的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，其特征在于，所述预设的驱动电流计算公式为：
ΔV＝Ids×t/C；
其中ΔV为在预设时间内第三薄膜晶体管(T3)的源极的电压变化值，t为预设时间，C为导线(40)与接地端间寄生电容的电容值，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流。
7.如权利要求1所述的OLED驱动薄膜晶体管的参数获取方法，其特征在于，所述预设的第二薄膜晶体管驱动曲线公式为：
Ids＝k×(Vg-Vs-Vth)a；
其中，Ids为流过第二、第三薄膜晶体管(T2、T3)的驱动电流，k为第二薄膜晶体管(T2)的本征导电因子，Vg为第二薄膜晶体管(T2)的栅极电压，Vs为第二薄膜晶体管(T2)的源极电压，Vth为第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压，a为第二薄膜晶体管(T2)的驱动曲线指数。
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