CN107490754A - 一种检测交流110v‑led芯片的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种交流110V‑LED芯片亮度的检测方法，包括步骤：A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X，将该差值作为后续判断芯片质量是否合格的阈值标准，准确方便，有效筛选出了存在小电流漏电的芯片。

Description

一种检测交流110V-LED芯片的方法
技术领域
本发明涉及芯片亮度检测的技术领域，特别地，涉及一种检测交流110V-LED芯片的方法。
背景技术
面对愈来愈烈的LED芯片行业竞争与市场竞争，提升芯片产品的竞争力则是所有芯片厂的当务之急。而现有正装芯片产品的竞争日趋激烈，利润空间已经很小。而一些特色产品的利润空间仍然很大，如高压芯片、倒装芯片、交流芯片等。交流110V-LED芯片的开发目旨在避开普通照明芯片的激烈竞争，价格大战，独辟蹊径开发特殊客户群体，提升产品效益和竞争力。然而因为差异化产品属于全新的领域，交流芯片与正常的正装芯片存在很大差异，测试方法也无法通用，由于测试方法的欠缺，在开发的过程中不可避免的会出现一些不可控的情况，特别是个别单胞的小电流漏电情况对ACLED的可靠性影响非常大，但是现有的芯片检测方法又不能将小电流漏电的情况检测出来，业内也没有固定的测试标准。
在芯片端无法有效的筛选出存在小电流漏电的芯片，客户在使用过程中通过串并联的方式使用后又会将异常的比例放大，造成产品质量问题。
业内急需一种有效筛选小漏电芯片的新型技术。
发明内容
本发明目的在于提供一种检测交流110V-LED芯片的方法，以解决小电流漏电芯片的情况不能及时筛选出来的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种交流110V-LED芯片亮度的检测方法，包括步骤：
A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；
B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；
C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X。
优选的，在步骤A之前包括：
用正常使用的电流正反测试芯片电压、亮度、波长、漏电等参数，采用普通正装芯片的通用测试方法，对芯片进行初步筛选。
优选的，在步骤C之后包括：
在点测机台上设定低电流亮度差的卡值X，作为芯片筛选的亮度差阈值。
优选的，不同差值段的区分方法为：以亮度差值的最大值和最小值为区域极点，每隔10％～30％列为一个插值段。
本发明具有以下有益效果：
本发明通过先取得待测芯片的电流正反向测试亮度的差值，然后根据差值数值将芯片分为多个组，反复验证每一个组段的发光情况，并确定存在漏电风险的芯片亮度差值，将该差值作为后续判断芯片质量是否合格的阈值标准。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将对本发明作进一步详细的说明。
具体实施方式
以下对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本申请提供一种有效的检测ACLED小电流漏电的方法，以解决下游客户端交流110V-LED芯片小电流强度不一、明暗不一、常规电流驱动短时间内易死灯的情况，具体技术方案如下：
A、先用正常使用的电流正反测试其电压、亮度、波长、漏电等参数，测试方法与普通正装芯片测试方法类似，用以对芯片进行初步筛选；
B、模拟下游客户端的检验方法(下游客户端一般是制作成灯具之后用低电压进行正反测试，通过带墨镜用眼睛看的方式来辨别是否有死灯等不良情况)，将电压转换成电流，用低电流正反测试芯片的亮度，并取差值，用以对ACLED进行二次筛选提供依据；
C、将低电流下不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察其每个单胞的发光情况，确定单胞死灯的区间，并进行重复验证；
D、通过批量的验证得出差值大于X的芯片存在漏电风险，用以对此款ACLED进行可靠性筛选；
E、在点测机台上设定低电流亮度差的卡值，用于筛选不良的芯片。
实施例：AC-110v芯片
模拟客户的测试方法，用低电流(客户测试时用的是电压，需换算一下)正反测试芯片的亮度，确定一个差值即可。
1、正常品的测试电压为101v，对应的电流为0.1mA，所以就选用0.1mA进行测试；
2、测试结果：正常品的差值在0.01-0.33mw之间，分为0.01-0.1mw、0.1-0.15mw、0.15-0.33mw差值的三组芯粒进行光型测试；
3、最终0.1-0.15mw中有部分单胞出现不亮的情况，0.15-0.33mw的不亮的情况更多，最终定为大于0.1mw的为不良品。
4、最终客户的验证结果页显示本方法确实有效的控制了死灯和明暗不一的情况。
5、本次测试正常品方片共计662ea，其中差值大于0.1mw的9ea。
原理上来说，芯片在低电流测试时如果存在小漏电情况必将对其亮度产生影响，而客户是通过低电压测试，用肉眼来判断亮度差必定没有点测机测试的差值精确。模拟客户的测试方法，用低电流需用电压换算一下，正反测试芯片的亮度，卡一个差值，然后用光型仪进行对校，必定比客户肉眼判断的精确，而实际新增小电流测试筛选方法后，客户验证出来的可靠性比市场上最好的AC LED检测设备结果的可靠性更高，确保了出货品质，降低了客诉风险。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种交流110V-LED芯片亮度的检测方法，其特征在于，包括步骤：
A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；
B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；
C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤A之前包括：
用正常使用的电流正反测试芯片电压、亮度、波长、漏电等参数，采用普通正装芯片的通用测试方法，对芯片进行初步筛选。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤C之后包括：
在点测机台上设定低电流亮度差的卡值X，作为芯片筛选的亮度差阈值。
4.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，不同差值段的区分方法为：以亮度差值的最大值和最小值为区域极点，每隔10％～30％列为一个插值段。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110470217A (zh) * 2019-08-09 2019-11-19 无锡先导智能装备股份有限公司 电芯收尾状态的检测方法
CN112233998A (zh) * 2020-09-27 2021-01-15 佛山市国星半导体技术有限公司 一种led芯片的分档方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102183718A (zh) * 2011-02-25 2011-09-14 致茂电子(苏州)有限公司 测试发光二极管晶粒的方法
JP5626341B2 (ja) * 2010-05-07 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 発光デバイス検査装置、および発光デバイス検査方法
CN104568965A (zh) * 2014-12-20 2015-04-29 佛山市多谱光电科技有限公司 一种led光源芯片缺陷检测方法及其装置
CN104730409A (zh) * 2015-03-03 2015-06-24 青岛海信信芯科技有限公司 一种检测显示芯片漏电的方法及装置
CN104849683A (zh) * 2015-04-14 2015-08-19 山西南烨立碁光电有限公司 一种led芯片测量设备校准方法
CN107167718A (zh) * 2017-03-30 2017-09-15 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5626341B2 (ja) * 2010-05-07 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 発光デバイス検査装置、および発光デバイス検査方法
CN102183718A (zh) * 2011-02-25 2011-09-14 致茂电子(苏州)有限公司 测试发光二极管晶粒的方法
CN104568965A (zh) * 2014-12-20 2015-04-29 佛山市多谱光电科技有限公司 一种led光源芯片缺陷检测方法及其装置
CN104730409A (zh) * 2015-03-03 2015-06-24 青岛海信信芯科技有限公司 一种检测显示芯片漏电的方法及装置
CN104849683A (zh) * 2015-04-14 2015-08-19 山西南烨立碁光电有限公司 一种led芯片测量设备校准方法
CN107167718A (zh) * 2017-03-30 2017-09-15 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110470217A (zh) * 2019-08-09 2019-11-19 无锡先导智能装备股份有限公司 电芯收尾状态的检测方法
CN112233998A (zh) * 2020-09-27 2021-01-15 佛山市国星半导体技术有限公司 一种led芯片的分档方法
CN112233998B (zh) * 2020-09-27 2024-05-31 佛山市国星半导体技术有限公司 一种led芯片的分档方法

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