CN107479778A - G+g结构四线电阻式触摸屏 - Google Patents

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李望平
胡应河
石清波
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HUANGSHI RUISHI PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本发明公开一种G+G结构四线电阻式触摸屏，其包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃，所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起，其中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶，其外围银线线路之间印刷有导电银点胶，所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。通过将原有的上层ITO导电薄膜更换为上层ITO导电玻璃，利用上层ITO导电玻璃具有较好的弹性和韧性，以及良好的平整性，从而使上层ITO导电玻璃上的ITO镀层较薄且电阻均匀性好，同时所述ITO导电玻璃相较ITO导电薄膜硬度高，耐磨，不易被划伤，使用寿命长，且透光率高。

Description

G+G结构四线电阻式触摸屏
技术领域
本发明涉及触摸屏制造领域，具体涉及一种G+G结构四线电阻式触摸屏。
背景技术
普通F+G结构的四线电阻式触摸屏由上层ITO导电薄膜和下层ITO导电玻璃组成，由于ITO导电薄膜有较好弹性和韧性，通过触摸ITO导电薄膜的触摸面(非ITO面)使其ITO导电线路与ITO玻璃的ITO导电线路连通，实现触摸屏的触摸功能。但是这种结构的触摸屏寿命低，不能满足工业控制、医疗和军事等高端装备领域的要求，原因是该触摸屏使用的ITO导电薄膜有以下缺点：
(1)ITO导电薄膜上的ITO镀层很薄，镀层厚度只有300埃且电阻均匀性差；
(2)ITO不耐磨，极易被划伤；
(3)ITO导电薄膜易老化；
(4)ITO导电薄膜透光率一般在86％-90％。
为此，需要选用一种替代ITO导电薄膜的材料，并进行产品设计来解决上述问题。
发明内容
本发明针对现有技术存在的问题，提出一种能够解决目前ITO导电薄膜存在的PET老化快和透光率相对较低、ITO不耐磨和ITO镀层方阻相对差等诸多问题的电阻式触摸屏。
为达到上述技术目的，本发明的技术方案提供一种G+G结构四线电阻式触摸屏，其包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃，所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起形成电阻式触摸屏，所述电阻式触摸屏的中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶，其外围银线线路之间印刷有导电银点胶，所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。
优选的，所述边框胶中设有填充颗粒。
优选的，所述导电银点胶的厚度大于支撑点胶的厚度，所述支撑点胶的厚度大于填充颗粒的厚度。
优选的，所述上层ITO导电玻璃的厚度为0.2mm-0.25mm。
优选的，所述上层ITO导电玻璃的上表面贴有防爆膜。
本发明所述G+G结构四线电阻式触摸屏，其通过将原有的上层ITO导电薄膜更换为上层ITO导电玻璃，利用上层ITO导电玻璃具有较好的弹性和韧性，以及良好的平整性，从而使上层ITO导电玻璃上的ITO镀层较薄且电阻均匀性好，同时所述ITO导电玻璃相较ITO导电薄膜硬度高，耐磨，不易被划伤，使用寿命长，且透光率高，本发明所述G+G结构四线电阻式触摸屏具有高可靠性、长寿命、无牛顿环、高透光率的优点，加上其与电容式触摸屏相比抗干扰能力强，广泛应用于工业控制、医疗、军事等高端装备领域，是先进装备和自动化领域目前最先进的智能人机界面。
附图说明
图1为本发明所述G+G结构四线电阻式触摸屏的剖视图；
图2为本发明所述上层ITO导电玻璃的结构示意图；
图3为本发明所述下层ITO导电玻璃的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种G+G结构四线电阻式触摸屏，如图1至图3所示，其包括上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20，所述上层ITO导电玻璃10与下层ITO导电玻璃20的四周边缘采用边框胶30粘合在一起形成电阻式触摸屏；所述上层ITO导电玻璃10与下层ITO导电玻璃20的中间ITO导电区11、21之间均匀分布有支撑点胶40，所述支撑点胶40用于防止上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20之间发生短路；所述上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20的外围银线线路12、22之间印刷有导电银点胶50，具体的，所述导电银点胶50设置在上层ITO导电玻璃10和下层ITO导电玻璃20的底端外围银线线路12、22之间，所述上层ITO导电玻璃10的外围银线线路12、22通过导电银点胶50与下层ITO导电玻璃20的外围银线线路12、22之间形成电路连接；所述下层ITO导电玻璃20的银线线路与柔性电路板60连接。
其中，所述边框胶30中设有大小一致的填充颗粒，从而确保上、下层ITO导电玻璃20的平面相对平行设置。同时，由于导电银点胶50只有在压爆的情况下才能实现导电，因此为保证导电银点胶50在上、下层ITO导电玻璃20进行粘合的过程中能够被压爆，则设置所述导电银点胶50的厚度大于支撑点胶40的厚度，则在上、下层ITO导电玻璃20进行粘合的过程中，由于导电银点胶50收到压合力的作用被压爆，实现上、下层ITO导电玻璃20的银线线路之间形成电路连接。
同时为了避免出现牛顿环，则需要使上层ITO导电玻璃10与下层ITO导电玻璃20的中间ITO导电区形成鼓包，即设置所述支撑点胶40的厚度大于填充颗粒的厚度，因此，所述触摸屏的中间ITO导电区的高度高于其粘合的四边高度。
进一步的，所述上层ITO导电玻璃10的上表面贴有防爆膜70，以防止上层ITO导电玻璃10受外力作用而损坏。优选的，所述上层ITO导电玻璃10的厚度为0.2mm-0.25mm，其透光率高达95％以上。
本发明所述G+G结构四线电阻式触摸屏，其通过将原有的上层ITO导电薄膜更换为上层ITO导电玻璃10，利用上层ITO导电玻璃10具有较好的弹性和韧性，以及良好的平整性，从而使上层ITO导电玻璃10上的ITO镀层较薄且电阻均匀性好，同时所述ITO导电玻璃相较ITO导电薄膜硬度高，耐磨，不易被划伤，使用寿命长，且透光率高，本发明所述G+G结构四线电阻式触摸屏具有高可靠性、长寿命、无牛顿环、高透光率的优点，加上其与电容式触摸屏相比抗干扰能力强，广泛应用于工业控制、医疗、军事等高端装备领域，是先进装备和自动化领域目前最先进的智能人机界面。
以上所述本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (5)

1.一种G+G结构四线电阻式触摸屏，其特征在于，包括上层ITO导电玻璃和下层ITO导电玻璃，所述上层ITO导电玻璃与下层ITO导电玻璃的四周边缘采用边框胶粘合在一起形成电阻式触摸屏，所述电阻式触摸屏的中间ITO导电区之间均匀分布有支撑点胶，其外围银线线路之间印刷有导电银点胶，所述下层ITO导电玻璃的银线线路与柔性电路板连接。
2.根据权利要求1所述G+G结构四线电阻式触摸屏，其特征在于，所述边框胶中设有填充颗粒。
3.根据权利要求2所述G+G结构四线电阻式触摸屏，其特征在于，所述导电银点胶的厚度大于支撑点胶的厚度，所述支撑点胶的厚度大于填充颗粒的厚度。
4.根据权利要求1所述G+G结构四线电阻式触摸屏，其特征在于，所述上层ITO导电玻璃的厚度为0.2mm-0.25mm。
5.根据权利要求1所述G+G结构四线电阻式触摸屏，其特征在于，所述上层ITO导电玻璃的上表面贴有防爆膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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