CN107465391A - 用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于测试界面电阻的器件，其包括器件主体，第一电极，位于器件主体的一侧；以及第二电极，位于器件主体的另一侧；器件主体包括：晶体硅片，第一本征层，位于晶体硅片靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层，位于第一本征层靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。
Description
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种用于测试界面电阻的器件、界面电阻测试方式及应用。
背景技术
异质结太阳能电池是一种典型的高效太阳能电池，其具有温度系数低，无光致衰减效应(LID)，无电势诱发衰减效应(PID)、以及可以双面发电等特点。太阳能电池的实际发电量可以比同标称功率的多晶硅电池高出15％～30％，尤其适合分布式发电市场的应用。
异质结太阳能电池的界面电阻也是直接影响填充因子(FF)因素之一。但是，对于界面电阻目前尚无有效的测试方法。
发明内容
基于此，有必要针对现有的异质结太阳能电池中界面电阻尚无有效测试方法的问题，提供一种可用于测试异质结太阳能电池的界面电阻的器件。
一种用于测试界面电阻的器件，包括：
器件主体，
第一电极，位于所述器件主体的一侧；
以及第二电极，位于所述器件主体的另一侧；
所述器件主体包括：
晶体硅片，
第一本征层，位于所述晶体硅片靠近所述第一电极的一侧；
第一掺杂非晶硅层，位于所述第一本征层靠近所述第一电极的一侧；所述第一掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。
在其中一个实施例中，所述器件主体为对称结构。
在其中一个实施例中，所述器件主体还包括第二本征层以及第二掺杂非晶硅层；所述第二本征层和所述第二掺杂非晶硅层均位于所述晶体硅片与所述第二电极之间；所述第二本征层靠近所述晶体硅片，所述第二掺杂非晶硅层靠近所述第二电极；
所述第二掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
在其中一个实施例中，所述器件主体还包括位于所述第一电极与所述第一掺杂非晶硅层之间的第一透明导电层、以及位于所述第二电极与所述第二掺杂非晶硅层之间的第二透明导电层。
在其中一个实施例中，所述器件主体还包括位于所述晶体硅片与所述第二电极之间的重掺杂层；所述重掺杂层与所述晶体硅片同型。
在其中一个实施例中，所述重掺杂层通过对晶体硅基底重掺杂形成。
在其中一个实施例中，所述晶体硅片为N型。
在其中一个实施例中，所述晶体硅片为P型。
本发明还提供了一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式。
一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，其特征在于，包括如下步骤：
制备本发明所提供的器件；所述器件的工艺参数与待测试电池的对应的工艺参数相同；
测试所述器件在光照下的J-V曲线，并得到所述器件的总电阻；
根据所述总电阻，计算得出界面电阻。
上述异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，通过模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况的器件，通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以定量测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且不会对异质结太阳能电池产生损害，即该测试为无损测试。
本发明还提供了一种本发明所提供的器件的应用。
一种本发明所提供的器件在界面电阻监控中的应用。
上述应用，可以监控工艺参数对实际界面电阻产生的影响，进而可以优化工艺，从而可以进一步提高异质结太阳能电池的性能。
附图说明
图1为本发明一实施方式的器件的截面结构示意图。
图2为本发明另一实施方式的器件的截面结构示意图。
图3为本发明又一实施方式的器件的截面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
对于硅异质结太阳能电池而言，一般地，其串联电阻(Rs)由电极电阻(Relectrode)、电极与透明导电薄膜(Rc,TCO)的接触电阻、透明导电薄膜的方块电阻(RTCO)、掺杂非晶硅层的体电阻(Ra-Si)、晶体硅片电阻(RSi)、以及界面电阻组成。界面电阻可分为p侧的界面电阻(Rinterface resistance，p side)、以及n侧的界面电阻(Rinterface resistance，n side)。其中，p侧的界面电阻(Rinterface resistance，p side)包括晶体硅片与P型掺杂非晶硅之间的界面电阻(Rc-Si/a-Si:H，p side)以及透明导电薄膜与P型掺杂非晶硅层之间的界面电阻(RTCO/p-a-Si:H)。n侧的界面电阻(Rinterface resistance，n side)包括晶体硅与N型掺杂非晶硅之间的界面电阻(Rc-Si/a-Si:H，n side)及透明导电薄膜与N型掺杂非晶硅之间的界面电阻(RTCO/n-a-Si:H)。对于其它结构的异质结太阳能电池其串联电阻(Rs)的构成，原理与上述原理相同，只是具体构成参数种类不同。
本发明的发明人通过研究发现，界面电阻只与界面两侧的物质性质的影响因素(例如非晶硅沉积工艺、TCO沉积工艺及电池的热历史等)有关，而与非直接与界面接触的部件无关。例如电极的具体制备工艺无关。除界面电阻外，其它各部分电阻均有成熟的测试手段。RSi(Ra-Si)可通过测试硅基底(非晶硅薄膜)的电阻率和他们的厚度计算得到；Relectrode可通过测试电极的电阻，并结合电极的几何图案计算得到；Rc,TCO可通过测试TCO和电极的接触电阻，并结合电极的几何图案计算得到；RTCO可通过测试TCO的方块电阻，并结合电极的几何图案计算得到。
使用相同的非晶硅沉积工艺和TCO沉积工艺，可使得Rc,TCO、RTCO、Ra-Si对于待测电池和界面电阻测试器件而言都相同；Rinterface resistance，p side对于待测电池和P型晶体硅片的界面电阻测试器件相同；Rinterface resistance，n side对于待测电池和N型晶体硅片的界面电阻器件相同。通过测试相同工艺参数的测试器件总电阻，再减去其它电阻，进而获得测试器件的界面电阻，也即获得待测试异质结太阳能电池的界面电阻。
参见图1，本发明第一实施例的用于测试界面电阻的器件100，其包括器件主体、位于器件主体一侧(图1中的上侧)的第一电极161、以及位于器件主体另一侧(图1中的下侧)的第二电极162。其中，器件主体包括晶体硅片110、依次位于晶体硅片110的一侧(图1中的上侧)上的第一本征层121、第一掺杂非晶硅层131、及第一透明导电层151；以及依次位于晶体硅片110的另一侧(图1中的下侧)的第二本征层122、第二掺杂非晶硅层132、第二透明导电层152。
在本实施例中，晶体硅片110、第一掺杂非晶硅层131以及第二掺杂非晶硅层132为同型。由于不含异型半导体，故而不存在PN结，也即该器件100不能产生光生电流现象。该器件是一个与待测试异质结太阳能电池的一侧界面电阻相同对应的电阻器件而已。
在本实施例中，器件主体为对称结构。也即器件100包括两个相同的界面电阻单元。具体地，第一本征层121、第一掺杂非晶硅层131、第一透明导电层151构成第一界面电阻单元。第二本征层122、第二掺杂非晶硅层132、第二透明导电层152构成第二界面电阻单元。
当然，可以理解的是，本发明的器件100也可以不设置第一透明导电层151与第二透明导电层152，这样第一本征层121与第一掺杂非晶硅层131构成第一界面电阻单元。第二本征层122与第二掺杂非晶硅层132构成第二界面电阻单元。此时可用于测试不含第一导电透明层的异质结太阳能电池。
在本实施例中，晶体硅片110、第一掺杂非晶硅层131以及第二掺杂非晶硅层132均为N型。这样可用于测试n侧界面电阻。也即，在本实施例中，器件100的总电阻中包括两个n侧界面电阻。
当然，还可以是理解的是，还可以是晶体硅片110、第一掺杂非晶硅层131以及第二掺杂非晶硅层132均为P型。这样可用于测试p侧界面电阻。
具体地，晶体硅片110可以是单晶硅片或多晶硅片。在本实施例中，晶体硅片110为N型单晶硅片。
其中，第一电极161与第二电极162，本领域技术人员可以根据实际情况独立设置。本发明对此没有特殊限制，在此不再赘述。
参见图2，本发明第二实施例的用于测试界面电阻的器件100，其包括器件主体、位于器件主体一侧(图2中的上侧)的第一电极161、以及位于器件主体另一侧(图2中的下侧)的第二电极162。其中，器件主体包括晶体硅片110、依次位于晶体硅片110的一侧(图1中的上侧)上的第一本征层121、第一掺杂非晶硅层131、及第一透明导电层151；以及依次位于晶体硅片110的另一侧(图1中的下侧)的重掺杂层170；重掺杂层170与晶体硅片110同型。
在本实施例中，重掺杂层170通过对晶体硅基底重掺杂形成。
在本实施例中，器件主体为非对称结构。也即器件100只包括一个界面电阻单元。具体地，第一本征层121、第一掺杂非晶硅层131、第一透明导电层151构成界面电阻单元。
当然，可以理解的是，本发明的器件100也可以不设置第一透明导电层151，这样第一本征层121与第一掺杂非晶硅层131构成第一界面电阻单元。此时可用于测试不含第一导电透明层的异质结太阳能电池。
在本实施例中，晶体硅片110、第一掺杂非晶硅层131均为N型。这样可用于测试n侧界面电阻。
当然，还可以是理解的是，还可以是晶体硅片110、第一掺杂非晶硅层131均为P型。这样可用于测试p侧界面电阻。
具体地，晶体硅片110可以是单晶硅片或多晶硅片。在本实施例中，晶体硅片110为N型单晶硅片。
在本实施例中，第一电极、第二电极均为格栅电极。当然，可以理解的是，本发明并不局限于此，还可以是其它形式。例如第一电极为格栅电极，第二电极为整面电极(如图3所示)。
上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。
本发明还提供了一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式。
一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，包括如下步骤：
S1、制备本发明所提供的器件；该器件的工艺参数与待测试电池的对应的工艺参数相同；
步骤S1的目的是，制备出与待测试电池界面电阻相同的电阻器件。可以理解的是，器件的工艺参数与待测试电池的对应的工艺参数相同，是指影响界面电阻的工艺参数相同，不影响界面电阻的工艺参数可以不同。
S2、测试器件在光照下的J-V曲线，并得到器件的总电阻R总。
在步骤S2中，J-V曲线的测试可以采用本领域技术人员公知的方法，在此不再赘述。
S3、根据总电阻R总，计算得出界面电阻。
步骤S3中，器件的其它电阻(例如体电阻、方块电阻、接触电阻等)，均可以采用本领域技术人员公知的方法获得，在此不再赘述。
例如：对于P型晶体硅片的界面电阻器件(具体结构如图1):
2Rinterface resistance，p side＝R总-RSi-Ra-Si-Rc,TCO-RTCO-Relectrode
又例如：对于N型晶体硅片的界面电阻器件(具体结构如图1):
2Rinterface resistance，n side＝R总-RSi-Ra-Si-Rc,TCO-RTCO-Relectrode
上述异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，通过模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况的器件，通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以定量测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且不会对异质结太阳能电池产生损害，即该测试为无损测试。
本发明还提供了一种本发明所提供的器件的应用。
一种本发明所提供的器件在界面电阻监控中的应用。
通过改变一项工艺参数，制备不同的器件，然后通过计算不同器件的界面电阻，故而可以检测该工艺参数对界面电阻的影响。
例如在不同的透明导电薄膜层的沉积工艺下，制备P型晶体硅片的异质结太阳能电池所对应的器件的J-V曲线。这样既可以直观的看到不同的透明导电薄膜层的沉积工艺对界面电阻的影响。
上述应用，可以监控工艺参数对实际界面电阻产生的影响，进而可以优化工艺，从而可以进一步提高异质结太阳能电池的性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种用于测试界面电阻的器件，其特征在于，包括：
器件主体，
第一电极，位于所述器件主体的一侧；
以及第二电极，位于所述器件主体的另一侧；
所述器件主体包括：
晶体硅片，
第一本征层，位于所述晶体硅片靠近所述第一电极的一侧；
第一掺杂非晶硅层，位于所述第一本征层靠近所述第一电极的一侧；所述第一掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
2.根据权利要求1所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体为对称结构。
3.根据权利要求2所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体还包括第二本征层以及第二掺杂非晶硅层；所述第二本征层和所述第二掺杂非晶硅层均位于所述晶体硅片与所述第二电极之间；所述第二本征层靠近所述晶体硅片，所述第二掺杂非晶硅层靠近所述第二电极；
所述第二掺杂非晶硅层与所述晶体硅片同型。
4.根据权利要求3所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体还包括位于所述第一电极与所述第一掺杂非晶硅层之间的第一透明导电层、以及位于所述第二电极与所述第二掺杂非晶硅层之间的第二透明导电层。
5.根据权利要求1所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述器件主体还包括位于所述晶体硅片与所述第二电极之间的重掺杂层；所述重掺杂层与所述晶体硅片同型。
6.根据权利要求5所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述重掺杂层通过对晶体硅基底重掺杂形成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述晶体硅片为N型。
8.根据权利要求1-6任一项所述的用于测试界面电阻的器件，其特征在于，所述晶体硅片为P型。
9.一种异质结太阳能电池的界面电阻测试方式，其特征在于，包括如下步骤：
制备权利要求1～8任一项所述的器件；所述器件的工艺参数与待测试电池的对应的工艺参数相同；
测试所述器件在光照下的J-V曲线，并得到所述器件的总电阻；
根据所述总电阻，计算得出界面电阻。
10.一种权利要求1～8任一项所述的器件在界面电阻监控中的应用。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102243274A (zh) * | 2011-05-05 | 2011-11-16 | 昆明理工大学 | 一种测算Pb-Sn-Al层状复合材料界面电阻率的方法 |
| CN104007319A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-08-27 | 湖北工业大学 | 一种多结聚光太阳能电池的等效并联电阻值的测量方法 |
| CN104977470A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 日置电机株式会社 | 测定装置及测定方法 |
| EP2966124A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-13 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive paste with characteristic weight loss for low temperature application |
| CN205609535U (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-28 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 异质结太阳能电池 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102243274A (zh) * | 2011-05-05 | 2011-11-16 | 昆明理工大学 | 一种测算Pb-Sn-Al层状复合材料界面电阻率的方法 |
| CN104977470A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 日置电机株式会社 | 测定装置及测定方法 |
| CN104007319A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-08-27 | 湖北工业大学 | 一种多结聚光太阳能电池的等效并联电阻值的测量方法 |
| EP2966124A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-13 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive paste with characteristic weight loss for low temperature application |
| CN205609535U (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-28 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 异质结太阳能电池 |
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