CN107465358A - 单相五电平变换器及其采用的调制方法 - Google Patents

单相五电平变换器及其采用的调制方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种单相五电平变换器，包括16个低压MOSFET、2个高压MOSFET、2个飞跨电容和1个BUS电容；16个低压MOSFET均分为两组，每组的8个低压MOSFET通过源极和漏极相串联而构成一条桥臂，并在两条桥臂中分别形成A1节点、A2节点、A3节点、A4节点、A5节点以及B1节点、B2节点、B3节点、B4节点、B5节点，两条桥臂均连接于新能源发电装置所连接的直流母线的两端；两个高压MOSFET分别连接于A1节点和B5节点之间、B1节点和A5节点之间；两个飞跨电容分别连接于A2节点和A4节点之间、B2节点和B4节点之间；BUS电容连接于新能源发电装置所连接的直流母线的两端；A3节点和B3节点与电网相连接。本发明还涉及其调制方法。本发明能够提升变换效率，降低系统复杂程度，提高系统可靠性。

Description

单相五电平变换器及其采用的调制方法
技术领域
本发明属于电力电子技术领域，涉及一种五电平变换器及其调制技术，可以应用于太阳能发电、风力发电等新能源发电行业。
背景技术
目前应用于太阳能发电中的光伏逆变器，普遍采用由高压器件(如600V、1200V等)组成的拓扑，主要有H4、H5、H6、HERIC、三相半桥、T型三电平等。此类拓扑应用较为成熟，由于现有的开关器件特性的限制，利用这些拓扑提升逆变器功率密度的空间变得有限。
提升变换器功率密度的一个方向是拓扑的多电平技术，通过该技术可以等效提升变换器的开关频率、降低滤波电感两端压降，从而减小电感的体积和重量。传统的多电平拓扑主要有二极管钳位型、飞跨电容型、H桥级联型等。上述传统的多电平拓扑往往需要较多的钳位二极管、飞跨电容，会造成多电平变换器内部电流回路较长，寄生电感较大，同时也需要考虑更多器件的均压，实现较为困难，导致变换器可靠性降低。其中的H桥级联型多电平拓扑还需要独立的DC源，这种方案增加了系统成本，效率较低。而有源中点钳位(activeneutral point clamped,ANPC)型多电平拓扑(如申请号为201710069674.0的发明专利图1所示)，其BUS电容须串联从而引出中点进行钳位，需要采取特殊措施维持电容均压，使用低压MOSFET开关管时系统所需的开关管往往较多。申请号为201510133812.8的专利图42所示拓扑，每个桥臂需要两个飞跨电容，则一个单相变换器共需要4个飞跨电容，不仅增加了成本，也增大了电容电压平衡控制的难度。
因此，传统的多电平拓扑方案导致设备复杂程度变高，实现难度较大。
发明内容
本发明的目的是提供一种较为简单、实现难度较小且能够提升变换效率和可靠性、提升功率密度的单相五电平变换器。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种单相五电平变换器，用于连接新能源发电装置和电网，包括16个低压MOSFET、2个高压MOSFET、2个飞跨电容和1个BUS电容；
16个所述低压MOSFET均分为两组，每组的8个所述低压MOSFET通过源极和漏极相串联而构成一条桥臂，两条桥臂均连接于所述新能源发电装置所连接的直流母线的两端；
第1条所述桥臂中：第2个所述低压MOSFET与第3个所述低压MOSFET之间构成A1节点，第3个所述低压MOSFET和第4个所述低压MOSFET之间构成A2节点，第4个所述低压MOSFET与第5个所述低压MOSFET之间构成A3节点，第5个所述低压MOSFET与第6个所述低压MOSFET之间构成A4节点，第6个所述低压MOSFET与第7个所述低压MOSFET之间构成A5节点；
第2条所述桥臂中：第2个所述低压MOSFET与第3个所述低压MOSFET之间构成B1节点，第3个所述低压MOSFET和第4个所述低压MOSFET之间构成B2节点，第4个所述低压MOSFET与第5个所述低压MOSFET之间构成B3节点，第5个所述低压MOSFET与第6个所述低压MOSFET之间构成B4节点，第6个所述低压MOSFET与第7个所述低压MOSFET之间构成B5节点；
一个所述高压MOSFET连接于所述A1节点和所述B5节点之间，另一个所述高压MOSFET连接于所述B1节点和所述A5节点之间；
一个所述飞跨电容连接于所述A2节点和所述A4节点之间，另一个所述飞跨电容连接于所述B2节点和所述B4节点之间；
所述BUS电容连接于所述新能源发电装置所连接的直流母线的两端；
所述A3节点和所述B3节点构成所述单相五电平变换器的输出端而与所述电网相连接。
优选的，所述高压MOSFET为600V电压等级的MOSFET，所述低压MOSFET为150V电压等级的MOSFET。
优选的，每个所述高压MOSFET由多个中压MOSFET串联构成。
优选的，所述中压MOSFET为300V电压等级的MOSFET。
优选的，所述A3节点和所述B3节点分别经电感而与所述电网相连接。
本发明还提供了一种配合上述单相五电平变换器采用的调制方法，该调制方法为：第1条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET、第2个所述低压MOSFET、第7个所述低压MOSFET、第8个所述低压MOSFET以及第2条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET、第2个所述低压MOSFET、第7个所述低压MOSFET、第8个所述低压MOSFET、两个所述高压MOSFET作为工频管；第1条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET、第4个所述低压MOSFET、第5个所述低压MOSFET、第6个所述低压MOSFET以及第2条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET、第4个所述低压MOSFET、第5个所述低压MOSFET、第6个所述低压MOSFET作为高频管；
各所述高频管的调制波为：
其中，V＝Umsin(ωt)，Um为正弦调制波的幅值，Up为载波幅值；
第1条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET和第2个所述低压MOSFET、第2条所述桥臂中的第7个所述低压MOSFET和第8个所述所述低压MOSFET以及连接于所述B1节点和所述A5节点之间的所述高压MOSFET采用相同的第一驱动波形，第1条所述桥臂中的第7个所述低压MOSFET和第8个所述低压MOSFET、第2条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET和第2个所述所述低压MOSFET以及连接于所述A1节点和所述B5节点之间的所述高压MOSFET采用相同的第二驱动波形，所述第一驱动波形和所述第二驱动波形互补。
优选的，各所述高频管基于所述调制波和载波而生成一系列PWM脉冲，使得该一系列PWM脉冲为：第1条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第6个所述低压MOSFET均生成第一PWM脉冲；第1条所述桥臂中的第6个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET均生成第二PWM脉冲；第1条所述桥臂中的第4个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第5个所述低压MOSFET均生成第三PWM脉冲；第1条所述桥臂中的第5个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第4个所述低压MOSFET均生成第四PWM脉冲；所述第二PWM脉冲与所述第一PWM脉冲互补，所述第三PWM脉冲相对所述第一PWM脉冲延时Tsw/2，所述第四PWM脉冲与所述第三PWM脉冲互补，其中Tsw为载波周期。
优选的，通过延时或载波移相方法实现所述第三PWM脉冲和所述第四PWM脉冲的延时。
优选的，所述工频管的工作频率为50/60Hz，所述高频管的工作频率大于所述工频管的工作频率的50倍。
优选的，当每个所述高压MOSFET由多个中压MOSFET串联构成时，对应同一所述高压MOSFET同一回路的各所述中压MOSFET均采用相同的驱动信号。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明能够有充分利用器件的特性，可以有效降低器件的损耗，从而提升变换效率。由于只有两个飞跨电容，不仅可以减少变换器体积，还可以减少拓扑中的电流回路，降低回路中的杂散电感。本发明仅需考虑两个飞跨电容的均压，且不需BUS电容串联进行中点钳位，降低了系统复杂程度，提高了系统可靠性，降低了系统成本。
附图说明
附图1为本发明的单相五电平变换器的实施例一的原理图。
附图2为本发明的单相五电平变换器的实施例二的原理图。
附图3为各调制驱动信号的波形图。
附图4为脉冲分配图。
附图5为本发明的单相五电平变换器输出波形图。
附图6为本发明的单相五电平变换器的实例输出波形图。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明作进一步描述。
实施例一：参见附图1所示，一种用于连接新能源发电装置和电网的单相五电平变换器，包括16个低压MOSFET、2个高压MOSFET、2个飞跨电容和1个BUS电容。16个低压MOSFET分别为MOS1A、MOS2A、MOS3A、MOS4A、MOS4B、MOS3B、MOS2B、MOS1B、MOS1C、MOS2C、MOS3C、MOS4C、MOS4D、MOS3D、MOS2D、MOS1D，这些低压MOSFET为150V电压等级的MOSFET。2个高压MOSFET分别为MOSA、MOSB，采用600V电压等级的MOSFET。2个飞跨电容分别为C1、C2。BUS电容为Cdc。本实施例中，新能源发电装置采用组串式光伏发电系统。
16个低压MOSFET均分为两组，每组8个低压MOSFET，则本实施例中，MOS1A、MOS2A、MOS3A、MOS4A、MOS4B、MOS3B、MOS2B、MOS1B构成一组，而MOS1C、MOS2C、MOS3C、MOS4C、MOS4D、MOS3D、MOS2D、MOS1D构成另一组。每组中的8个低压MOSFET通过源极和漏极相串联而构成一条桥臂，从而每组充的各个低压MOSFET按其串联顺序而按序排号。对于第一组，MOS1A、MOS2A、MOS3A、MOS4A、MOS4B、MOS3B、MOS2B、MOS1B的源极和漏极依次相连，即MOS1A的源极与MOS2A的漏极相连接，MOS2A的源极与MOS3A的漏极相连接，MOS3A的源极与MOS4A的漏极相连接，MOS4A的源极与MOS4B的漏极相连接，MOS4B的源极与MOS3B的漏极相连接，MOS3B的源极与MOS2B的漏极相连接，MOS2B的源极与MOS1B的漏极相连接，从而构成了第1条桥臂，MOS1A的漏极和MOS1B源极构成该第1条桥臂的两端。对于第二组，MOS1C、MOS2C、MOS3C、MOS4C、MOS4D、MOS3D、MOS2D、MOS1D的源极和漏极依次相连，即MOS1C的源极与MOS2C的漏极相连接，MOS2C的源极与MOS3C的漏极相连接，MOS3C的源极与MOS4C的漏极相连接，MOS4C的源极与MOS4D的漏极相连接，MOS4D的源极与MOS3D的漏极相连接，MOS3D的源极与MOS2D的漏极相连接，MOS2D的源极与MOS1D的漏极相连接，从而构成了第2条桥臂，MOS1C的漏极和MOS1D源极构成该第2条桥臂的两端。这两条桥臂均连接于新能源发电装置所连接的直流母线的两端，即并接于Udc的两端。
在第1条桥臂中：MOS2A(第2个低压MOSFET)与MOS3A(第3个低压MOSFET)之间构成A1节点，MOS3A(第3个低压MOSFET)和MOS4A(第4个低压MOSFET)之间构成A2节点，MOS4A(第4个低压MOSFET)与MOS4B(第5个低压MOSFET)之间构成A3节点，MOS4B(第5个低压MOSFET)与MOS3B(第6个低压MOSFET)之间构成A4节点，MOS3B(第6个低压MOSFET)与MOS2B(第7个低压MOSFET)之间构成A5节点。
第2条桥臂中：MOS2C(第2个低压MOSFET)与MOS3C(第3个低压MOSFET)之间构成B1节点，MOS3C(第3个低压MOSFET)和MOS4C(第4个低压MOSFET)之间构成B2节点，MOS4C(第4个低压MOSFET)与MOS4D(第5个低压MOSFET)之间构成B3节点，MOS4D(第5个低压MOSFET)与MOS3D(第6个低压MOSFET)之间构成B4节点，MOS3D(第6个低压MOSFET)与MOS2D(第7个低压MOSFET)之间构成B5节点。
则：一个高压MOSFET——MOSB连接于A1节点和B5节点之间，另一个高压MOSFET——MOSA连接于B1节点和A5节点之间，即MOSB的漏极与A1节点相连接，MOSB的源极与B5节点相连接，MOSA的漏极与B1节点相连接，MOSA的源极与A5节点相连接；一个飞跨电容C1连接于A2节点和A4节点之间，另一个飞跨电容C2连接于B2节点和B4节点之间。
BUS电容连接于新能源发电装置所连接的直流母线的两端，即连接于Udc的两端，飞跨电容C1的端电压为UC1，飞跨电容C2的端电压为UC2，且UC1＝UC2＝Udc/4。A3节点和B3节点构成单相五电平变换器的输出端，并分别通过电感L_l、L_n而与交流电网Uac相连接，Ua为A3节点的电压，Ub为B3节点的电压。
上述单相五电平变换器中：第1条桥臂中的第1个低压MOSFET——MOS1A、第2个低压MOSFET——MOS2A、第7个低压MOSFET——MOS2B、第8个低压MOSFET——MOS1B以及第2条桥臂中的第1个低压MOSFET——MOS1C、第2个低压MOSFET——MOS2C、第7个低压MOSFET——MOS2D、第8个低压MOSFET——MOS1D、两个高压MOSFET——MOSA和MOSB作为工频管(50/60Hz)；第1条桥臂中的第3个低压MOSFET——MOS3A、第4个低压MOSFET——MOS4A、第5个低压MOSFET——MOS4B、第6个低压MOSFET——MOS3B以及第2条桥臂中的第3个低压MOSFET——MOS3C、第4个低压MOSFET——MOS4C、第5个低压MOSFET——MOS4D、第6个低压MOSFET——MOS3D作为高频管(大于50倍工频)。
传统的高频管的正弦调制波为：
V＝Umsin(ωt)
其中，Um为正弦调制波的幅值。
令载波幅值为Up，则附图1中各高频管的调制波为：
第1条桥臂中的工频管MOS1A和MOS2A、第二条桥臂中的工频管MOS2D和MOS1D以及一个高压MOSFET——MOSA的驱动波形为Vg_A(第一驱动波形)，第1条桥臂中的工频管MOS2B和MOS1B、第2条桥臂中的工频管MOS1C和MOS2C以及一个高压MOSFET——MOSB的驱动波形为Vg_B(第二驱动波形)，Vg_A与Vg_B互补。
附图3为上述V、Vm、Vg_A和Vg_B的波形图。
各高频管基于调制波和载波而生成一系列PWM脉冲，使得该一系列PWM脉冲为：第1条桥臂中的MOS3A(第3个低压MOSFET)与第2条桥臂中的MOS3D(第6个低压MOSFET)均生成第一PWM脉冲；第1条桥臂中的MOS3B(第6个低压MOSFET)与第2条桥臂中的MOS3C(第3个低压MOSFET)均生成第二PWM脉冲；第1条桥臂中的MOS4A(第4个低压MOSFET)与第2条桥臂中MOS4D(的第5个低压MOSFET)均生成第三PWM脉冲；第1条桥臂中的MOS4B(第5个低压MOSFET)与第2条桥臂中的MOS4C(第4个低压MOSFET)均生成第四PWM脉冲；第二PWM脉冲与第一PWM脉冲互补，第三PWM脉冲相对第一PWM脉冲延时Tsw/2，第四PWM脉冲与第三PWM脉冲互补，载波频率即PWM开关频率为fsw，则载波周期Tsw＝1/fsw。可以通过延时或载波移相方法实现第三PWM脉冲和第四PWM脉冲的延时。上述脉冲分配如附图4所示。
上述单相五电平变换器，通过工频管换相，最终使得其输出的Uab(Uab＝Ua-Ub)输出五电平，且等效开关频率为2倍的fsw，如附图5所示。附图6为上述单相五电平变换器的实例输出波形图。
实施例二：如附图2所示，将附图1中的每个高压MOSFET替换为多个(如两个)串联的中压MOSFET，即将MOSA替换为MOSA1和MOSA2，使得MOSA1的漏极与B1节点相连接，MOSA1的源极与MOSA2的漏极相连接，MOSA2的源极与A5节点相连接，将MOSB替换为MOSB1和MOSB2，使得MOSB1的漏极与A1节点相连接，MOSB1的源极与MOSB2的漏极相连接，MOSB2的源极与B5节点相连接。上述各中压MOSFET为300V电压等级的MOSFET。当每个高压MOSFET采用上述多个中压MOSFET串联构成的方案时，对应同一高压MOSFET同一回路的各中压MOSFET均采用相同的驱动信号，即MOSA1和MOSA2分别采用与附图1中MOSA相同的驱动信号，MOSB1和MOSB2分别采用与附图1中MOSB相同的驱动信号。
本发明的技术方案中，采用低电压等级(150V)的MOSFET，利用器件良好的特性，可有效降低器件损耗，提升变换器效率。本发明的变换器除了BUS电容Cdc外，仅有C1、C2作为飞跨电容，减少了飞跨电容的数量，不仅可以减少变换器体积，而且减少了拓扑中的电流回路，降低了回路中的杂散电感。相比于有源中点钳位型五电平变换器，本发明仅需考虑两个电容C1、C2的均压，而不需考虑串联的BUS电容的均压问题，降低了变换器的复杂程度，提高了变换器的可靠性。变换器中工频管与高频管均匀分布，可使变换器散热均匀，便于散热器优化设计。变换器输出五电平，输出等效开关频率为2倍的fsw，可以降低输出滤波电感，从而降低整机重量，提升变换器功率密度，降低成本。
采用本发明的调制方法，变换器具有较好的共模电压输出特性，可以降低变换器的漏电流，减少变换器二次回路的干扰，提升变换器的可靠性。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种单相五电平变换器，用于连接新能源发电装置和电网，其特征在于：所述单相五电平变换器包括16个低压MOSFET、2个高压MOSFET、2个飞跨电容和1个BUS电容；
16个所述低压MOSFET均分为两组，每组的8个所述低压MOSFET通过源极和漏极相串联而构成一条桥臂，两条桥臂均连接于所述新能源发电装置所连接的直流母线的两端；
第1条所述桥臂中：第2个所述低压MOSFET与第3个所述低压MOSFET之间构成A1节点，第3个所述低压MOSFET和第4个所述低压MOSFET之间构成A2节点，第4个所述低压MOSFET与第5个所述低压MOSFET之间构成A3节点，第5个所述低压MOSFET与第6个所述低压MOSFET之间构成A4节点，第6个所述低压MOSFET与第7个所述低压MOSFET之间构成A5节点；
第2条所述桥臂中：第2个所述低压MOSFET与第3个所述低压MOSFET之间构成B1节点，第3个所述低压MOSFET和第4个所述低压MOSFET之间构成B2节点，第4个所述低压MOSFET与第5个所述低压MOSFET之间构成B3节点，第5个所述低压MOSFET与第6个所述低压MOSFET之间构成B4节点，第6个所述低压MOSFET与第7个所述低压MOSFET之间构成B5节点；
一个所述高压MOSFET连接于所述A1节点和所述B5节点之间，另一个所述高压MOSFET连接于所述B1节点和所述A5节点之间；
一个所述飞跨电容连接于所述A2节点和所述A4节点之间，另一个所述飞跨电容连接于所述B2节点和所述B4节点之间；
所述BUS电容连接于所述新能源发电装置所连接的直流母线的两端；
所述A3节点和所述B3节点构成所述单相五电平变换器的输出端而与所述电网相连接。
2.根据权利要求1所述的单相五电平变换器，其特征在于：所述高压MOSFET为600V电压等级的MOSFET，所述低压MOSFET为150V电压等级的MOSFET。
3.根据权利要求1所述的单相五电平变换器，其特征在于：每个所述高压MOSFET由多个中压MOSFET串联构成。
4.根据权利要求2所述的单相五电平变换器，其特征在于：所述中压MOSFET为300V电压等级的MOSFET。
5.根据权利要求1所述的单相五电平变换器，其特征在于：所述A3节点和所述B3节点分别经电感而与所述电网相连接。
6.一种如权利要求1所述的单相五电平变换器采用的调制方法：其特征在于：所述调制方法为：第1条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET、第2个所述低压MOSFET、第7个所述低压MOSFET、第8个所述低压MOSFET以及第2条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET、第2个所述低压MOSFET、第7个所述低压MOSFET、第8个所述低压MOSFET、两个所述高压MOSFET作为工频管；第1条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET、第4个所述低压MOSFET、第5个所述低压MOSFET、第6个所述低压MOSFET以及第2条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET、第4个所述低压MOSFET、第5个所述低压MOSFET、第6个所述低压MOSFET作为高频管；
各所述高频管的调制波为：
<mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>m</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfenced open = "{" close = ""> <mtable> <mtr> <mtd> <mrow> <msub> <mi>U</mi> <mi>m</mi> </msub> <mi>s</mi> <mi>i</mi> <mi>n</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>&amp;omega;</mi> <mi>t</mi> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mtd> <mtd> <mrow> <mo>(</mo> <mi>V</mi> <mo>&amp;GreaterEqual;</mo> <mn>0</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <mrow> <msub> <mi>U</mi> <mi>m</mi> </msub> <mi>sin</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>&amp;omega;</mi> <mi>t</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>+</mo> <msub> <mi>U</mi> <mi>p</mi> </msub> </mrow> </mtd> <mtd> <mrow> <mo>(</mo> <mi>V</mi> <mo>&lt;</mo> <mn>0</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> </mtable> </mfenced> </mrow>
其中，V＝Umsin(ωt)，Um为正弦调制波的幅值，Up为载波幅值；
第1条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET和第2个所述低压MOSFET、第2条所述桥臂中的第7个所述低压MOSFET和第8个所述所述低压MOSFET以及连接于所述B1节点和所述A5节点之间的所述高压MOSFET采用相同的第一驱动波形，第1条所述桥臂中的第7个所述低压MOSFET和第8个所述低压MOSFET、第2条所述桥臂中的第1个所述低压MOSFET和第2个所述所述低压MOSFET以及连接于所述A1节点和所述B5节点之间的所述高压MOSFET采用相同的第二驱动波形，所述第一驱动波形和所述第二驱动波形互补。
7.根据权利要求6所述的调制方法，其特征在于：各所述高频管基于所述调制波和载波而生成一系列PWM脉冲，使得该一系列PWM脉冲为：第1条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第6个所述低压MOSFET均生成第一PWM脉冲；第1条所述桥臂中的第6个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第3个所述低压MOSFET均生成第二PWM脉冲；第1条所述桥臂中的第4个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第5个所述低压MOSFET均生成第三PWM脉冲；第1条所述桥臂中的第5个所述低压MOSFET与第2条所述桥臂中的第4个所述低压MOSFET均生成第四PWM脉冲；所述第二PWM脉冲与所述第一PWM脉冲互补，所述第三PWM脉冲相对所述第一PWM脉冲延时Tsw/2，所述第四PWM脉冲与所述第三PWM脉冲互补，其中Tsw为载波周期。
8.根据权利要求7所述的调制方法，其特征在于：通过延时或载波移相方法实现所述第三PWM脉冲和所述第四PWM脉冲的延时。
9.根据权利要求6所述的调制方法，其特征在于：所述工频管的工作频率为50/60Hz，所述高频管的工作频率大于所述工频管的工作频率的50倍。
10.根据权利要求6所述的调制方法，其特征在于：当每个所述高压MOSFET由多个中压MOSFET串联构成时，对应同一所述高压MOSFET同一回路的各所述中压MOSFET均采用相同的驱动信号。
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