CN107452858A - 一种含有三色荧光粉的紫外激发白光led及其制备方法 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 33
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 siloxanes Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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Abstract
本发明公开了一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED及其制备方法，所述白光LED包括UVLED芯片，红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉与荧光粉胶混合形成的三色荧光粉胶体，三色荧光粉胶体涂覆于UVLED芯片上，所述三色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂，所述三色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1：2~3。所述白光LED以UVLED芯片为基体，用紫外光激发红、蓝、绿三色荧光胶体，所用胶体不易被紫外光和臭氧所分解，无双键存在，在高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂，胶体固化后呈无色透明胶状体，对PPA及金属有一定的粘附和密封性良好，具有优异的电气绝缘性能和良好的密封性，适合于作大功率LED荧光粉混合调胶。
Description
技术领域
本发明属于白光LED技术领域，具体涉及一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED及其制备方法。
背景技术
GaN 是一种宽带隙化合物半导体材料，具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一。使得它在蓝光和紫外光电子学技术领域占有重要地位，也是制作高温、大功率半导体器件的理想材料。
目前，氮化镓基LED获得白光主要方法有：蓝光LED+黄色荧光粉、三色LED合成白光、紫光LED+三色荧光粉3种办法。
目前已经商用的白光LED是利用发射450-470纳米蓝光的GaN基质LED芯片和表面涂覆的蓝光激发黄光发射的荧光粉，主要是铈掺杂的铝酸钇荧光粉。这种商用的荧光粉也存在一些缺点，主要是较差的色饱和度和色温的不稳定性。色饱和度较差是由于白光中缺少红光部分，色温的不稳定性是由于长时间使用使LED和荧光粉性能退化导致的。
对于白光LED，目前国内主要存在如下专利文献：
公开号为106876544A的中国专利公开了一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法，其中制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、二氧化硅薄膜。利用光刻技术沿蓝宝石衬底[1-100]和[11-20]晶向在所述的SiO2薄膜上进行刻蚀，制备SiO2掩膜。在二氧化硅掩膜层上依次生长N型GaN、InGaN/GaN量子阱、P型GaN、透明导电层以及制备N型和P型电极。本发明兼顾目前的常用的半导体器件生产工艺流程，可以实现在无荧光粉的条件下出射白光，避免了荧光粉对白光LED的衰减作用的影响。
发明内容
为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED及其制备方法，所述白光LED以UVLED芯片为基体，用紫外光激发红、蓝、绿三色荧光胶体，所用胶体不易被紫外光和臭氧所分解，无双键存在，在高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂，胶体固化后呈无色透明胶状体，对PPA及金属有一定的粘附和密封性良好，具有优异的电气绝缘性能和良好的密封性，适合于作大功率LED荧光粉混合调胶。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，所述白光LED包括UVLED芯片，红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉与荧光粉胶混合形成的三色荧光粉胶体，三色荧光粉胶体涂覆于UVLED芯片上，所述三色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂，所述三色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1：2~3。
进一步，所述绿色荧光粉、蓝色荧光粉之间的质量比为1：1~2：1~2。
优选地，所述荧光粉胶的胶材为硅胶，包括A胶和B胶，A胶和B胶的质量比为1：1~2。
优选地，所述A胶和B胶的质量比为1：1。
优选地，所述A胶在25℃下粘度为8000mPa·s，B胶在25℃下粘度为3500mPa·s。
优选地，所述固化剂为硅氧烷。
同时，本发明还提供一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)取容器，加入A胶和B胶，在40~50转/分的转速下混合搅拌10~15分钟，真空脱泡5~10分钟，得荧光粉胶；2)按配比加入红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉及固化剂，在50~60转/分的转速下搅拌20~30分钟，得三色荧光粉胶体；3)固化：在70~80℃下烘烤三色荧光粉胶体40~60分钟，再升温到100~120℃烘烤1.5~2.5小时；4)将步骤3)固化后的三色荧光粉胶体注射涂覆于UVLED芯片表面，即得所述含有三色荧光粉的紫外激发白光LED。
进一步，混合后所得荧光粉胶在25℃下粘度为5000mPa·s。
进一步，所述步骤3)固化后的三色荧光粉胶体25℃下折射率为1.52。
本发明具有如下优点：
所述白光LED以UVLED芯片为基体，用紫外光激发红、蓝、绿三色荧光胶体，所用胶体不易被紫外光和臭氧所分解，无双键存在，在高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂，胶体固化后呈无色透明胶状体，对PPA及金属有一定的粘附和密封性良好，具有优异的电气绝缘性能和良好的密封性，适合于作大功率LED荧光粉混合调胶。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明做进一步的说明，但实施例并不限制本发明的保护范围。
本发明所提供的一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，所述白光LED包括UVLED芯片，红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉与荧光粉胶混合形成的三色荧光粉胶体，三色荧光粉胶体涂覆于UVLED芯片上，所述三色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂，所述三色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1：2~3。
进一步，所述绿色荧光粉、蓝色荧光粉之间的质量比为1：1~2：1~2。
优选地，所述荧光粉胶的胶材为硅胶，包括A胶和B胶，A胶和B胶的质量比为1：1~2。
优选地，所述A胶和B胶的质量比为1：1。
优选地，所述A胶在25℃下粘度为8000mPa·s，B胶在25℃下粘度为3500mPa·s。
优选地，所述固化剂为硅氧烷。
同时，本发明还提供一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)取容器，加入A胶和B胶，在40~50转/分的转速下混合搅拌10~15分钟，真空脱泡5~10分钟，得荧光粉胶；2)按配比加入红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉及固化剂，在50~60转/分的转速下搅拌20~30分钟，得三色荧光粉胶体；3)固化：在70~80℃下烘烤三色荧光粉胶体40~60分钟，再升温到100~120℃烘烤1.5~2.5小时；4)将步骤3)固化后的三色荧光粉胶体注射涂覆于UVLED芯片表面，即得所述含有三色荧光粉的紫外激发白光LED。
进一步，混合后所得荧光粉胶在25℃下粘度为5000mPa·s。
进一步，所述步骤3)固化后的三色荧光粉胶体25℃下折射率为1.52。
需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
Claims (9)
1.一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，其特征在于，所述白光LED包括UVLED芯片，红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉与荧光粉胶混合形成的三色荧光粉胶体，三色荧光粉胶体涂覆于UVLED芯片上，所述三色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂，所述三色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1：2~3。
2.根据权利要求1所述的含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，其特征在于，所述绿色荧光粉、蓝色荧光粉之间的质量比为1：1~2：1~2。
3.根据权利要求1所述的含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，其特征在于，所述荧光粉胶的胶材为硅胶，包括A胶和B胶，A胶和B胶的质量比为1：1~2。
4.根据权利要求3所述的含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，其特征在于，所述A胶和B胶的质量比为1：1。
5.根据权利要求3所述的含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，其特征在于，所述A胶在25℃下粘度为8000mPa·s，B胶在25℃下粘度为3500mPa·s。
6.根据权利要求1所述的含有三色荧光粉的紫外激发白光LED，其特征在于，所述固化剂为硅氧烷。
7.一种如权利要求1~6中任一项所述的含有三色荧光粉的紫外激发白光LED的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1)取容器，加入A胶和B胶，在40~50转/分的转速下混合搅拌10~15分钟，真空脱泡5~10分钟，得荧光粉胶；2)按配比加入红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉及固化剂，在50~60转/分的转速下搅拌20~30分钟，得三色荧光粉胶体；3)固化：在70~80℃下烘烤三色荧光粉胶体40~60分钟，再升温到100~120℃烘烤1.5~2.5小时；4)将步骤3)固化后的三色荧光粉胶体注射涂覆于UVLED芯片表面，即得所述含有三色荧光粉的紫外激发白光LED。
8.根据权利要求7所述的一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED的制备方法，其特征在于，混合后所得荧光粉胶在25℃下粘度为5000mPa·s。
9.根据权利要求7所述的一种含有三色荧光粉的紫外激发白光LED的制备方法，其特征在于，所述步骤3)固化后的三色荧光粉胶体25℃下折射率为1.52。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710696238.6A CN107452858A (zh) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | 一种含有三色荧光粉的紫外激发白光led及其制备方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710696238.6A CN107452858A (zh) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | 一种含有三色荧光粉的紫外激发白光led及其制备方法 |
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|---|---|
| CN107452858A true CN107452858A (zh) | 2017-12-08 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN (1) | CN107452858A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171208 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |