CN107404834B

CN107404834B - 电磁波吸收结构及其制作方法

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Publication number: CN107404834B
Application number: CN201710753880.3A
Authority: CN
Inventors: 周云; 罗明辉; 成堂东; 吴尚亮; 邵仁锦; 王勤兴; 陈林森
Original assignee: Suzhou University; SVG Tech Group Co Ltd
Current assignee: Suzhou University; SVG Tech Group Co Ltd
Priority date: 2017-08-29
Filing date: 2017-08-29
Publication date: 2023-05-30
Anticipated expiration: 2037-08-29
Also published as: CN107404834A

Abstract

一种电磁波吸收结构，包括基底层、纳米阵列单元、第一金属层、第一介质层和第二金属层，纳米阵列单元设置在基底层上；第一金属层设置在纳米阵列单元上；第一介质层设置在第一金属层上；第二金属层设置在第一介质层上。本发明的电磁波吸收结构能实现正向可见光宽波段高效率的吸收，而且可以实现反向较高效率吸收。本发明还涉及一种电磁波吸收结构的制作方法。

Description

电磁波吸收结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及电磁波吸收技术领域，特别涉及一种电磁波吸收结构及其制作方法。

背景技术

2008年美国波士顿学院Landy等首次提出超材料完美吸波器，能够使入射的特定频带的电磁波100％吸收。近十年，随着研究的不断深入，新型吸波结构不断被提出，由最初的单频、窄带、不可调、偏振敏感、角度敏感吸波向多频、宽频、可调、偏振无关、广角吸波的方向快速发展。目前，相关研究主要针对微波和太赫兹波段，应用于隐身、光电探测器、测辐射热仪、传感器等领域。由于超材料吸波器的单元尺寸要远远小于入射电磁波的波长，现有的制备工艺限制了其在高频段的实际应用。随着微纳米加工以及近场表征探测技术的迅速发展，人们开始探索完美吸波在光波段的应用。光波段宽带完美吸波结构的设计与制备，在太阳能电池、纳米结构色、光显示、热辐射和无油墨印刷等领域具有潜在应用，是未来超材料完美吸波器研究的热点之一。

2014年，Tun Cao等人在Scientific Reports上发表一篇可见光宽波段偏振不敏感完美吸收器，在基底上面覆盖Au和Ge₂Sb₂Te₅连续膜层，Au方块阵列位于膜层之上，实现可见光宽波段的近完美吸收,其最高吸收效率达到96.8％；申请号为201410810447.5的中国专利申请公开了一种宽波段光全吸收器及其制备方法,该吸收器由金属膜层、介质膜层、金属纳米颗粒膜层共三层结构组成。上述两种结构可实现宽光波段单向完美吸收，即一侧入射的宽波段光被完美吸收，而另外一侧不能被吸收，导致光能量被浪费。为了改善上述问题，申请号201510915402.9的中国专利公开了一种可见光双向吸收体结构，包括二维纳米结构单元和在结构单元上依次镀有金属层和介质层，在整个300nm～800nm波段正向平均吸收率为89.1％，反向平均吸收率为67.4％。该结构克服了现有单向吸波的缺陷，实现了双向吸波，但是吸收效率低于90％，吸收效率仍有待进一步提高。

发明内容

本发明的目的在于，提供了一种电磁波吸收结构，能实现正向可见光宽波段高效率的吸收，而且可以实现反向较高效率吸收。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

一种电磁波吸收结构，包括基底层、纳米阵列单元、第一金属层、第一介质层和第二金属层，纳米阵列单元设置在基底层上；第一金属层设置在纳米阵列单元上；第一介质层设置在第一金属层上；第二金属层设置在第一介质层上。

在本发明的较佳实施例中，上述纳米阵列单元的周期为200～450nm。

在本发明的较佳实施例中，上述第一金属层的厚度为5～80nm。

在本发明的较佳实施例中，上述第一介质层的厚度为5～100nm。

在本发明的较佳实施例中，上述第二金属层的厚度为5～50nm。

在本发明的较佳实施例中，上述基底层包括基底和第二介质层，第二介质层设置在基底上，纳米阵列单元设置在第二介质层上。

在本发明的较佳实施例中，上述基底的折射率为1.4～1.7。

在本发明的较佳实施例中，上述基底由石英制成。

在本发明的较佳实施例中，上述纳米阵列单元的占空比为0.1～0.6。

在本发明的较佳实施例中，上述纳米阵列单元的高度为50～250nm。

本发明的另一目的在于，提供了一种电磁波吸收结构的制作方法，能实现正向可见光宽波段高效率的吸收，而且可以实现反向较高效率吸收。

一种电磁波吸收结构的制作方法，包括上述的电磁波吸收结构,该制作方法的步骤包括：

提供基底层；

在基底层上制作纳米阵列单元；

在纳米阵列单元上制作第一金属层；

在第一金属层上制作第一介质层；以及

在第一介质层上制作第二金属层。

在本发明的较佳实施例中，采用光刻工艺或全息拍摄方式在基底层上制作该纳米阵列单元；

采用蒸镀工艺或溅射工艺在纳米阵列单元上制作第一金属层；

采用蒸镀工艺或溅射工艺在第一金属层上制作第一介质层；

采用蒸镀工艺或溅射工艺在第一介质层上制作第二金属层。

本发明的电磁波吸收结构的纳米阵列单元设置在基底层上；第一金属层覆盖在纳米阵列单元上；第一介质层覆盖在第一金属层上；第二金属层覆盖在第一介质层上。本发明的电磁波吸收结构不仅可以实现正向可见光宽波段高效率的吸收(平均吸收效率>92％)，而且可以实现反向较高效率吸收(平均吸收效率>70％)。而且，本发明的电磁波吸收结构具有角度不敏感特性，在宽角度入射时，依然具有宽带双向高效率吸收特性。此外，本发明的电磁波吸收结构具有偏振不敏感特性，在不同偏振角度入射情况下，具有相同高效率吸收特性。还有，本发明的电磁波吸收结构制备容易，结合现有压印、光刻及镀膜技术，可以大批量制备，方便迅速量产，投入市场。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。

附图说明

图1是本发明的电磁波吸收结构的结构示意图。

图2是本发明的电磁波吸收结构对正向入射的光吸收效率与波长的关系坐标图。

图3是本发明电磁波吸收结构对正向入射的光角度与吸收率的关系坐标图。

图4是本发明电磁波吸收结构对反向入射的光角度与吸收率的关系坐标图。

图5是本发明的纳米阵列单元的周期与正向入射的光吸收率关系坐标图。

图6是本发明的纳米阵列单元的占空比与正向入射的光吸收率关系坐标图。

图7是本发明的纳米阵列单元的高度与正向入射的光吸收率关系坐标图。

图8是本发明的第一金属层的厚度与正向入射的光吸收率关系坐标图。

图9是本发明的第一介质层的厚度与正向入射的光吸收率关系坐标图。

图10是本发明的第二金属层的厚度与正向入射的光吸收率关系坐标图。

图11是本发明的电磁波吸收结构的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的电磁波吸收结构及电磁波吸收结构的制作方法的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下:

有关本发明的前述及其它技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。

图1是本发明的电磁波吸收结构的结构示意图。如图1所示，在本实施例中，电磁波吸收结构10包括基底层12、纳米阵列单元13、第一金属层14、第一介质层15和第二金属层16。

如图1所示，基底层12包括基底122和第二介质层123。第二介质层123设置在基底122上，纳米阵列单元13设置在第二介质层123上。在本实施例中，基底122的折射率为1.4～1.7；基底122可采用石英、PMMA、PET、PC、UV胶等透明材料制成，但并不以此为限。第二介质层123的厚度h2为0～100nm，优选为10nm；第二介质层123可采用无定型硅(a-Si)制成，但并不以此为限。

纳米阵列单元13设置在第二介质层123上。纳米阵列单元13的折射率在1.4～1.7。纳米阵列单元13可采用石英、PMMA、PET、PC、UV胶等透明材料制成，但并不以此为限。纳米阵列单元13的形状可以为圆柱型、方型、三棱锥型等。纳米阵列单元13的周期P为200～450nm，优选为250、350nm；纳米阵列单元13的占空比f为0.1～0.6，优选为0.15、0.2、0.3、0.4、0.5；纳米阵列单元13的高度h3为50～250nm，优选为90、100、150、200nm。

第一金属层14设置在纳米阵列单元13上。第一金属层14可采用镍、锗、铬等金属材料制成，但并不以此为限。第一金属层14的厚度h4为5～80nm，优选为10、20、30、35、40nm。

第一介质层15设置在第一金属层14上。第一介质层15的折射率在1.4～1.7。第一介质层15可采用石英、PMMA、PET、PC、UV胶等透明材料制成，但并不以此为限。第一介质层15的厚度h5为5～100nm，优选为10、20、30、40nm。

第二金属层16设置在第一介质层15上。第二金属层16可采用镍、锗、铬等金属材料制成，但并不以此为限。第二金属层16的厚度h6为5～50nm，优选为10、20、30、40nm。

本发明的电磁波吸收结构10不仅对正向入射的可见光具有较高的吸收率，而且对反向入射的可见光具有较高的吸收率。在本发明的一较佳的实施例中，电磁波吸收结构10的基底122采用石英制成；第二介质层123采用硅(a-Si)制成、厚度h2为10nm；纳米阵列单元13的周期P为250nm、占空比f为0.15、高度h3为90nm；第一金属层14的厚度h4为35nm；第一介质层15的厚度h5为20nm；第二金属层16的厚度h6为20nm。以该电磁波吸收结构10检测对正向入射的可见光吸收率影响以及宽容性影响。

图2是本发明的电磁波吸收结构对正向入射的光吸收效率与波长的关系坐标图。如图2所示，本发明的电磁波吸收结构10在整个可见光波段可实现超过90％的吸收率，其中波长在570nm～580nm(0.57um～0.58um)波段可实现完美吸收(吸收率大于99％)；本发明的电磁波吸收结构10对整个可见光波段的反射率和透射率低于10％。因此，本发明的电磁波吸收结构10可实现可见光波段宽带高效率吸收。

图3是本发明电磁波吸收结构对正向入射的光角度与吸收率的关系坐标图。图4是本发明电磁波吸收结构对反向入射的光角度与吸收率的关系坐标图。如图3和图4所示，对于正向入射的可见光，入射角度由0°逐渐增大至60°的过程中，电磁波吸收结构10的吸收率仍然保持在80％以上。对于反向入射的可见光，入射角度由0°逐渐增大至60°的过程中，电磁波吸收结构10对光线的吸收率整体逐渐增大，甚至达到100％。因此，本发明的电磁波吸收结构10在不同角度入射时，仍然具有较优的宽波段吸收特性。

本发明的电磁波吸收结构10的各结构层的尺寸对可见光的吸收率具有较大的影响，例如纳米阵列单元13的周期P、占空比f、高度h3以及第一金属层14、第一介质层15、第二金属层16的厚度均对可见光的吸收率产生较大影响。

图5是本发明的纳米阵列单元的周期与正向入射的光吸收率关系坐标图。如图5所示，图中列出了纳米阵列单元13的周期P分别为150nm、250nm、350nm、450nm时，其对不同波段的可见光的吸收率具有较大影响。

其中，周期P为150nm的纳米阵列单元13，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

周期P为250nm的纳米阵列单元13，可见光波长在400nm与600nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，且平均吸收率在95％左右；可见光波长大于600nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

周期P为350nm的纳米阵列单元13，可见光波长在400nm与500nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，且平均吸收率在95％以上；可见光波长大于500nm时，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

周期P为450nm的纳米阵列单元13，可见光波长在400nm与450nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低，且平均吸收低于75％；可见光波长在450nm与500nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率急速上升，最高时的吸收率接近95％；可见光波长大于500nm时，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

图6是本发明的纳米阵列单元的占空比f与正向入射的光吸收率关系坐标图。如图6所示，图中列出了纳米阵列单元13的占空比f分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6时，其对不同波段的可见光的吸收率具有较大影响。

其中，占空比f为0.1的纳米阵列单元13，可见光波长在400nm与550nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，且平均吸收率在95％以上；可见光波长大于550nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低，但整体的吸收率在90％以上。

占空比f为0.2的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于85％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，并在波长为600nm时电磁波吸收结构10的吸收率大于95％；在可见光波长大于650nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

占空比f为0.3的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于80％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，并在波长为700nm时，电磁波吸收结构10的吸收率接近90％。

占空比f为0.4的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于80％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

占空比f为0.5的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于70％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

占空比f为0.6的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于65％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

图7是本发明的纳米阵列单元的高度与正向入射的光吸收率关系坐标图。如图7所示，图中列出了纳米阵列单元13的高度h3分别为0、50nm、100nm、150nm、200nm、250nm时，其对不同波段的可见光的吸收率具有较大影响。

其中，高度h3为0的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于65％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

高度h3为50nm的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于90％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

高度h3为100nm的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于85％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，并在可见光波长为650nm时，电磁波吸收结构10的吸收率接近99％。

高度h3为150nm的纳米阵列单元13，可见光波长在400nm与500nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低，且平均吸收率低于80％；可见光波长大于500nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升；可见光波长为700nm时，电磁波吸收结构10的吸收率接近90％。

高度h3为200nm的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于85％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

高度h3为250nm的纳米阵列单元13，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于90％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

图8是本发明的第一金属层的厚度与正向入射的光吸收率关系坐标图。如图8所示，图中列出了第一金属层14的厚度h4分别为0、10nm、20nm、30nm、40nm时，其对不同波段的可见光的吸收率具有较大影响。

其中，厚度h4为0的第一金属层14，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于90％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

厚度h4为10nm的第一金属层14，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于95％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

厚度h4为20nm的第一金属层14，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于95％；可见光波长在400nm与500nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升；可见光波长大于500nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

厚度h4为30nm的第一金属层14，可见光波长在400nm与550nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率从95％增大至99％左右；可见光波长大于550nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低；在可见光波长为700nm时，电磁波吸收结构10的吸收率仍大于90％。

厚度h4为40nm的第一金属层14，可见光波长在400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于90％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升；在可见光波长为600nm时，电磁波吸收结构10的吸收率超过95％；在可见光波长大于600nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低；在可见光波长为700nm时，电磁波吸收结构10的吸收率仍大于90％。

图9是本发明的第一介质层的厚度与正向入射的光吸收率关系坐标图。如图9所示，图中列出了第一介质层15的厚度h5分别为0、10nm、20nm、30nm、40nm时，其对不同波段的可见光的吸收率具有较大影响。

其中，厚度h5为0的第一介质层15，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率接近100％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

厚度h5为10nm的第一介质层15，可见光波长在400nm与500nm之间时，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率高于95％；可见光波长大于550nm时，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

厚度h5为20nm的第一介质层15，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于90％，随着可见光波长的增加至600nm，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升，其吸收率接近99％；可见光波长大于600nm时，电磁波吸收结构10的吸收率逐渐降低，且整体吸收率仍大于90％。

厚度h5为30nm的第一介质层15，在可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率大于80％；随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升；在可见光波长为700nm时，电磁波吸收结构10的吸收率超过90％。

厚度h5为40nm的第一介质层15，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于80％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

图10是本发明的第二金属层的厚度与正向入射的光吸收率关系坐标图。如图10所示，图中列出了第二金属层16的厚度h6分别为0、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm时，其对不同波段的可见光的吸收率具有较大影响。

其中，厚度h6为0的第二金属层16，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于90％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

厚度h6为10nm的第二金属层16，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率接近99％；可见光波长为500nm时，电磁波吸收结构10的吸收率降低至95％左右；可见光波长大于550nm时，电磁波吸收结构10的吸收率急速降低。

厚度h6为20nm的第二金属层16，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于90％，随着可见光波长增加至600nm，电磁波吸收结构10的吸收率上升至99％左右；可见光波长大于650nm时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

厚度h6为30nm的第二金属层16，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率高于80％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升；可见光波长为650nm时，电磁波吸收结构10的吸收率超过90％。

厚度h6为40nm的第二金属层16，可见光波长在400nm与500nm之间时，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低，且平均吸收率低于75％；可见光波长大于550nm时，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓上升。

厚度h6为50nm的第二金属层16，可见光波长为400nm时，电磁波吸收结构10的吸收率低于75％，随着可见光波长的增加，电磁波吸收结构10的吸收率平缓降低。

图11是本发明的电磁波吸收结构的制作方法的流程示意图。如图1和图11所示，本发明的电磁波吸收结构10的制作方法的步骤包括：

步骤S1，提供基底层12；其中，基底层12包括基底122和第二介质层123，第二介质层123设置在基底122上，纳米阵列单元13设置在第二介质层123上。基底122的折射率为1.4～1.7；基底122可采用石英、PMMA、PET、PC、UV胶等透明材料制成，但并不以此为限。第二介质层123的厚度h2为0～100nm，优选为10nm；第二介质层123可采用无定型硅(a-Si)制成，但并不以此为限。

步骤S2，在基底层12上制作纳米阵列单元13，纳米阵列单元13的周期P为200～450nm；具体地，采用光刻工艺或全息拍摄方式在基底层12上制作纳米阵列单元13；纳米阵列单元13可采用石英、PMMA、PET、PC、UV胶等透明材料；纳米阵列单元13的周期P优选为250nm；纳米阵列单元13的占空比f为0.1～0.6，优选为0.15；纳米阵列单元13的高度h3为50～250nm，优选为90nm。

步骤S3，在纳米阵列单元13上制作第一金属层14，第一金属层14的厚度h4为5～80nm；具体地，采用蒸镀工艺或溅射工艺在纳米阵列单元13上制作第一金属层14；第一金属层14可采用镍、锗、铬等金属材料，但并不以此为限。第一金属层14的厚度h4优选为35nm。

步骤S4，在第一金属层14上制作第一介质层15，第一介质层15的厚度h5为5～100nm；具体地，采用蒸镀工艺或溅射工艺在第一金属层14上制作第一介质层15；第一介质层15的折射率在1.4～1.7；第一介质层15可采用石英、PMMA、PET、PC、UV胶等透明材料，但并不以此为限。第一介质层15的厚度h5优选为20nm。

步骤S5，在第一介质层15上制作第二金属层16，第二金属层16的厚度h6为5～50nm；具体地，采用蒸镀工艺或溅射工艺在第一介质层15上制作第二金属层16；第二金属层16可采用镍、锗、铬等金属材料，但并不以此为限。第二金属层16的厚度h6优选为20nm。

本发明的电磁波吸收结构10的纳米阵列单元13设置在基底层12上，纳米阵列单元13的周期P为200～450nm；第一金属层14覆盖在纳米阵列单元13上，第一金属层14的厚度h4为5～80nm；第一介质层15覆盖在第一金属层14上，第一介质层15的厚度h5为5～100nm；第二金属层16覆盖在第一介质层15上，第二金属层16的厚度h6为5～50nm。本发明的电磁波吸收结构10不仅可以实现正向可见光宽波段高效率的吸收(平均吸收效率>92％)，而且可以实现反向较高效率吸收(平均吸收效率>70％)。而且，本发明的电磁波吸收结构10具有角度不敏感特性，在宽角度入射时，依然具有宽带双向高效率吸收特性。此外，本发明的电磁波吸收结构10具有偏振不敏感特性，在不同偏振角度入射情况下，具有相同高效率吸收特性。还有，本发明的电磁波吸收结构10制备容易，结合现有压印、光刻及镀膜技术，可以大批量制备，方便迅速量产，投入市场。

值得一提的是，本发明的电磁波吸收结构10可应用众多光电领域，例如太阳能电池、热光伏、隐身等方面，也可以为无油墨印刷实现黑色提供解决方案。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过仍何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

Claims

1.一种电磁波吸收结构，其特征在于，包括：

基底层(12)；

纳米阵列单元(13)，设置在该基底层(12)上；

第一金属层(14)，设置在该纳米阵列单元(13)上；

第一介质层(15)，设置在该第一金属层(14)上；以及

第二金属层(16)，设置在该第一介质层(15)上；

该基底层(12)包括基底(122)和第二介质层(123)，该第二介质层(123)设置在该基底(122)上，该纳米阵列单元(13)设置在该第二介质层(123)上；该第二介质层(123)的材料为无定型硅；该第二介质层(123)的厚度大于0，且小于或等于10nm。

2.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该纳米阵列单元(13)的周期为200～450nm。

3.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该第一金属层(14)的厚度为5～80nm。

4.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该第一介质层(15)的厚度为5～100nm。

5.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该第二金属层(16)的厚度为5～50nm。

6.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该基底(122)的折射率为1.4～1.7。

7.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该基底(122)由石英制成。

8.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该纳米阵列单元(13)的占空比为0.1～0.6。

9.如权利要求1所述的电磁波吸收结构，其特征在于，该纳米阵列单元(13)的高度为50～250nm。

10.一种电磁波吸收结构的制作方法，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的电磁波吸收结构,该制作方法的步骤包括：

提供基底层(12)；

在该基底层(12)上制作纳米阵列单元(13)；

在该纳米阵列单元(13)上制作第一金属层(14)；

在该第一金属层(14)上制作第一介质层(15)；以及

在该第一介质层(15)上制作第二金属层(16)。

11.如权利要求10所述的电磁波吸收结构的制作方法，其特征在于，

采用光刻工艺或全息拍摄方式在该基底层(12)上制作该纳米阵列单元(13)；

采用蒸镀工艺或溅射工艺在该纳米阵列单元(13)上制作该第一金属层(14)；

采用蒸镀工艺或溅射工艺在该第一金属层(14)上制作该第一介质层(15)；

采用蒸镀工艺或溅射工艺在该第一介质层(15)上制作该第二金属层(16)。