CN107369776A - Oled器件的封装结构和oled器件 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域，具体涉及OLED器件的封装结构和OLED器件。该OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性。该OLED器件的封装结构，通过在有机密封层之前、紧邻有机密封层设置牺牲保护层，有机密封层用于覆盖OLED器件制程中产生的颗粒，减少因颗粒杂质导致的封装缺陷；牺牲保护层设置在有机密封层之上，避免因后续工艺制成中高能粒子对有机密封层的轰击造成的表面受损或碳化。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及OLED器件的封装结构和OLED器件。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)因具有较多的优点，在显示领域有着光明的前景。但是，OLED器件中用于形成金属阴极的活泼金属对空气中的水汽和氧气非常敏感，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入。另外，渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应，这些反应是引起OLED器件性能下降、OLED器件寿命缩短的主要因素。因此，封装技术对OLED器件非常重要。
另外，柔性OLED封装结构中，在薄膜封装工艺(Thin Film Encapsulation，简称TFE)的多层有机密封层和无机阻隔层交替堆叠的封装工艺中，无机阻隔层采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)沉积时，粒子能量高达100ev以上，会对下方的有机密封层的表面造成破坏，使原本稳定的化学价键结构出现缺陷，此缺陷会影响密封效果，导致水氧的加速侵入，造成OLED器件的寿命降低。
因此，改善OLED器件封装结构以获得较佳的OLED器件的封装效果成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种OLED器件的封装结构和OLED器件，该OLED器件的封装结构能获得较佳的OLED器件的封装效果。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性。
优选的是，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层和第二无机阻隔层；
所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述有机密封层、所述牺牲保护层和所述第二无机阻隔层。
优选的是，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层、第二无机阻隔层和第三无机阻隔层，所述有机密封层包括分离设置的第一有机密封层和第二有机密封层，所述牺牲保护层包括分离设置的第一牺牲保护层和第二牺牲保护层；
所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述第一有机密封层、所述第一牺牲保护层、所述第二无机阻隔层、所述第二牺牲保护层和所述第三无机阻隔层。
优选的是，所述牺牲保护层采用有机材料形成，所述有机材料包括六甲基二甲硅醚，通过等离子体增强化学气相沉积法形成所述牺牲保护层。
优选的是，所述牺牲保护层采用有机材料形成，所述有机材料包括亚克力或环氧树脂，通过喷墨打印方式形成所述牺牲保护层。
优选的是，所述牺牲保护层的长和宽比与其紧邻的所述有机密封层的长和宽分别大10-50微米，所述牺牲保护层的厚度范围为1-4微米。
优选的是，所述无机阻隔层采用氧化铝或氧化锆中的任一种，通过原子层沉积法形成。
优选的是，所述无机阻隔层采用SiNx、SiON或SiO2中的任一种材料，通过等离子体增强化学气相沉积法形成。
优选的是，所述有机密封层采用亚克力材料，通过喷墨打印工艺形成。
一种OLED器件，包括OLED发光结构，所述OLED发光结构的外围设置有上述的OLED器件的封装结构。
本发明的有益效果是：该OLED器件的封装结构，通过在有机密封层之前、紧邻有机密封层设置牺牲保护层，有机密封层用于覆盖OLED器件制程中产生的颗粒，减少因颗粒杂质导致的封装缺陷；牺牲保护层设置在有机密封层之上，避免因后续工艺制成中高能粒子对有机密封层的轰击造成的表面受损或碳化。
附图说明
图1为本发明实施例1中OLED器件的结构示意图；
图2为本发明实施例2中OLED器件的结构示意图；
附图标识中：
1-基板，2-OLED发光结构，31-第一无机阻隔层，32-第二无机阻隔层，33-第三无机阻隔层，4-有机密封层，41-第一有机密封层，42-第二有机密封层，5-牺牲保护层，51-第一牺牲保护层，52-第二牺牲保护层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明OLED器件的封装结构和OLED器件作进一步详细描述。
该OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，还包括紧邻有机密封层设置的牺牲保护层，牺牲保护层相对与其紧邻的有机密封层更远离OLED发光结构，牺牲保护层的致密性大于有机密封层的致密性。其中，有机密封层用于覆盖OLED器件制程中产生的颗粒(particle)，从而减少颗粒杂质导致的缺陷；牺牲保护层采用有机材料形成，并设置在有机密封层之上，避免后续工艺制成中有机密封层在高能粒子(plasma)的轰击下表面受损或碳化。
实施例1：
本实施例提供一种OLED器件的封装结构，该OLED器件封装结构具有较佳的OLED器件的封装效果。
如图1所示，该OLED器件的封装结构中，无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层31和第二无机阻隔层32；OLED器件的封装结构为依次层叠设置的第一无机阻隔层31、有机密封层4、牺牲保护层5和第二无机阻隔层32。
优选的是，牺牲保护层5采用六甲基二甲硅醚(HMDSO)或亚克力或环氧树脂形成。HMDSO材料可以采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，简称PECVD)成膜，从而获得2微米以下的薄膜，降低封装层的厚度，提高显示器件产品的弯折性能。亚克力或环氧树脂可以采用喷墨打印方式形成，以与有机密封层4的制备方式保持一致，节省设备投资，降低生产成本。
优选的是，牺牲保护层5的长和宽比与其紧邻的有机密封层4大，即牺牲保护层5的长和宽比位于其内部的有机密封层4的长和宽分别大10-50微米，牺牲保护层5的厚度范围为1-4微米。通常情况下，牺牲保护层5设计为尽可能小，以避免显示器件产品的边框增大。
该OLED器件的封装结构中，第一无机阻隔层31、第二无机阻隔层32采用SiNx、SiON或SiO2中的任一种材料，通过等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，简称PECVD)形成。当然，第一无机阻隔层31、第二无机阻隔层32也可以采用金属氧化物形成，例如可以通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，简称ALD)沉积氧化铝、氧化锆之类的金属氧化物形成无机阻隔层。
该OLED器件的封装结构中，有机密封层4采用亚克力材料，通过喷墨打印工艺形成。有机密封层4具有良好的弯折性、透过率并富有弹性，还具有稳定的化学性能和工艺性能。
本实施例还提供一种OLED器件，包括OLED发光结构2，该OLED发光结构2的外围设置有上述的OLED器件的封装结构。
由此，在OLED器件的制备过程中，可执行如下工艺流程：
S1)：形成OLED发光结构2。
在制备好控制元件薄膜晶体管的基板1上方依次沉积发光层(Emitting Layer，简称EL)、阴极层、盖板层(Capping Layer，简称CPL)层等，其中的盖板层采用氟化锂(LiF)形成，用于调解微腔结构以增强发光层的出光。
S2)：形成第一无机阻隔层31。
通过PECVD工艺，采用SiNx、SiON、SiO2中的一种或多种材料，形成第一无机阻隔层31。
S3)：形成有机密封层4。
通过喷墨(Inkjet)打印工艺，采用亚克力材料，形成有机密封层4，有机密封层4的厚度范围为4-10微米。有机密封层4较厚，用于覆盖OLED器件制程中产生的颗粒，减少因颗粒杂质导致的封装缺陷。
S4)：形成牺牲保护层5。
该牺牲保护层5的平面尺寸不小于有机密封层4的平面尺寸，例如牺牲保护层5的长或宽相应的比有机密封层4的长或宽大10-50微米，牺牲保护层5的厚度范围为1-4微米。
该牺牲保护层5的材料可以和有机密封层4的材料相同或不同，优选的是，通过等离子体增强化学气相沉积法或喷墨打印工艺，采用HMDSO、亚克力或环氧树脂任一种材料形成牺牲保护层5。
S5)：形成第二无机阻隔层32。
通过等离子体增强化学气相沉积法，采用SiNx、SiON、SiO2等材料，形成第二无机阻隔层32。
至此，完成OLED发光结构2的封装，形成OLED器件。
本实施例的OLED器件封装结构，在有机密封层之后制作对有机密封层用于保护的牺牲保护层，使有机密封层免受后续等离子体增强化学气相沉积法中高能粒子对它的伤害，从而提高了薄膜封装的密封效果。
实施例2：
本实施例提供一种OLED器件的封装结构，该OLED器件封装结构具有较佳的OLED器件的封装效果。
与实施例1的OLED器件的封装结构相比，本实施例的OLED器件的封装结构中各功能膜层的分层更细致，密封效果更佳。如图2所示，该OLED器件的封装结构中，无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层31、第二无机阻隔层32和第三无机阻隔层33，有机密封层4包括分离设置的第一有机密封层41和第二有机密封层42，牺牲保护层包括分离设置的第一牺牲保护层51和第二牺牲保护层52；OLED器件的封装结构为依次层叠设置的第一无机阻隔层31、第一有机密封层41、第一牺牲保护层51、第二无机阻隔层32、第二牺牲保护层52和第三无机阻隔层33。
优选的是，第一牺牲保护层51和第二牺牲保护层52采用六甲基二甲硅醚(HMDSO)或亚克力或环氧树脂形成。HMDSO材料可以采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)成膜，从而获得2微米以下的薄膜，降低封装层的厚度，提高显示器件产品的弯折性能。亚克力或环氧树脂可以采用喷墨打印方式形成，以与有机密封层4的制备方式保持一致，节省设备投资，降低生产成本。
优选的是，第一牺牲保护层51和第二牺牲保护层52的长和宽比与其紧邻的有机密封层大，即牺牲保护层的长和宽比位于其内部的有机密封层的长和宽分别大10-50微米，牺牲保护层的厚度范围为1-4微米。通常情况下，牺牲保护层设计为尽可能小，以避免显示器件产品的边框增大。
该OLED器件的封装结构中，第一无机阻隔层31、第二无机阻隔层32和第三无机阻隔层33采用SiNx、SiON或SiO2中的任一种材料，通过等离子体增强化学气相沉积法形成(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)形成。当然，第一无机阻隔层31、第二无机阻隔层32和第三无机阻隔层33也可以采用金属氧化物形成，例如可以通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，简称ALD)沉积氧化铝、氧化锆之类的金属氧化物形成无机阻隔层。
该OLED器件的封装结构中，第一有机密封层41和第二有机密封层42采用亚克力材料，通过喷墨打印工艺形成。第一有机密封层41和第二有机密封层42具有良好的弯折性、透过率并富有弹性，还具有稳定的化学性能和工艺性能。
本实施例还提供一种OLED器件，包括OLED发光结构2，该OLED发光结构2的外围设置有上述的OLED器件的封装结构。
由此，在OLED器件的制备过程中，可执行如下工艺流程：
S1)：形成OLED发光结构2。
在制备好控制元件薄膜晶体管的基板1上方依次沉积发光层(Emitting Layer，简称EL)、阴极层、盖板层(Capping Layer，简称CPL)层等，其中的盖板层采用氟化锂(LiF)形成，用于调解微腔结构以增强发光层的出光。
S2)：形成第一无机阻隔层31。
通过等离子体增强化学气相沉积法，采用SiNx、SiON、SiO2中的一种或多种材料，形成第一无机阻隔层31。
S3)：形成第一有机密封层41。
通过喷墨(Inkjet)打印工艺，采用亚克力材料，形成第一有机密封层41，第一有机密封层41的厚度范围为4-10微米。
S4)：形成第一牺牲保护层51。
该第一牺牲保护层51的平面尺寸不小于第一有机密封层41的平面尺寸，例如第一牺牲保护层51的长或宽相应的比第一有机密封层41的长或宽大10-50微米，第一牺牲保护层51的厚度范围为1-4微米。
该第一牺牲保护层51的材料可以和第一有机密封层41的材料相同或不同，优选的是，通过等离子体增强化学气相沉积法或喷墨打印工艺，采用HMDSO、亚克力或环氧树脂任一种材料形成第一牺牲保护层51。
S5)：形成第二无机阻隔层32。
通过等离子体增强化学气相沉积法，采用SiNx、SiON、SiO2等材料，形成第二无机阻隔层32。
S6)：形成第二有机密封层42。
通过喷墨(Inkjet)打印工艺，采用亚克力材料，形成第二有机密封层42，第二有机密封层42的厚度范围为4-10微米。
S7)：形成第二牺牲保护层52。
该第二牺牲保护层52的平面尺寸不小于第二有机密封层42的平面尺寸，例如第二牺牲保护层52的长或宽相应的比第二有机密封层42的长或宽大10-50微米，第二牺牲保护层52的厚度范围为1-4微米。
该第二牺牲保护层52的材料可以和第二有机密封层42的材料相同或不同，优选的是，通过等离子体增强化学气相沉积法或喷墨打印工艺，采用HMDSO、亚克力或环氧树脂任一种材料形成第二牺牲保护层52。
S8)：形成第三无机阻隔层33。
通过等离子体增强化学气相沉积法，采用SiNx、SiON、SiO2等材料，形成第三无机阻隔层33。
至此，完成OLED发光结构2的封装，形成OLED器件。
本实施例的OLED器件封装结构，在第一有机密封层、第二有机密封层之后分别制作对有机密封层用于保护的牺牲保护层，使第一有机密封层、第二有机密封层免受后续等离子体增强化学气相沉积法中高能粒子对它的伤害，从而提高了薄膜封装的密封效果。
实施例3：
本实施例提供一种OLED器件，该OLED器件包括OLED发光结构，OLED发光结构的外围设置有实施例1或实施例2任一的OLED器件的封装结构。
该OLED器件可以为：台式电脑、平板电脑、笔记本电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、电视机、显示器、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，可应用于公共显示和虚幻显示等多个领域。
本发明的OLED器件的封装结构，通过在有机密封层之前、紧邻有机密封层设置牺牲保护层，通过在制成工艺中对有机密封层进行保护的牺牲保护层，让高能粒子层积在牺牲保护层上，即使牺牲保护层在受外力作用下受损，也能有效保护有机密封层材料的化学价键结构的完整稳定，从而避免了其对有机密封层的破坏，提升OLED器件的封装效果。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，其特征在于，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层和第二无机阻隔层；
所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述有机密封层、所述牺牲保护层和所述第二无机阻隔层。
3.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层、第二无机阻隔层和第三无机阻隔层，所述有机密封层包括分离设置的第一有机密封层和第二有机密封层，所述牺牲保护层包括分离设置的第一牺牲保护层和第二牺牲保护层；
所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述第一有机密封层、所述第一牺牲保护层、所述第二无机阻隔层、所述第二牺牲保护层和所述第三无机阻隔层。
4.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述牺牲保护层采用有机材料形成，所述有机材料包括六甲基二甲硅醚，通过等离子体增强化学气相沉积法形成所述牺牲保护层。
5.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述牺牲保护层采用有机材料形成，所述有机材料包括亚克力或环氧树脂，通过喷墨打印方式形成所述牺牲保护层。
6.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述牺牲保护层的长和宽比与其紧邻的所述有机密封层的长和宽分别大10-50微米，所述牺牲保护层的厚度范围为1-4微米。
7.根据权利要求1-6任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层采用氧化铝或氧化锆中的任一种，通过原子层沉积法形成。
8.根据权利要求1-6任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层采用SiNx、SiON或SiO2中的任一种材料，通过等离子体增强化学气相沉积法形成。
9.根据权利要求1-6任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述有机密封层采用亚克力材料，通过喷墨打印工艺形成。
10.一种OLED器件，包括OLED发光结构，其特征在于，所述OLED发光结构的外围设置有权利要求1-9任一所述的OLED器件的封装结构。
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