CN107368220B - 电子元件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Aluminum Tin Oxide Chemical compound 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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Abstract
一种电子元件包括基板、信号线、第一绝缘层、第一电极、第二绝缘层以及第二电极。信号线位于基板上。第一绝缘层位于信号线上。第一电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于第一电极以及第一绝缘层上。第二电极位于第二绝缘层上。第二绝缘层具有第一通孔，且第一绝缘层以及第二绝缘层共同具有第二通孔。信号线以及第一电极藉由第一通孔、第二通孔以及第二电极电性连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种元件，且特别涉及一种电子元件。
背景技术
近年来，为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的，许多信息产品已由传统的键盘或鼠标等输入设备，转变为使用触控面板作为输入设备，其中同时具有触控与显示功能的触控显示设备更是成为现今最流行的产品之一。依照结构及制造方式的不同，触控显示设备大致上可区分为外贴式(out-cell)、整合式(on-cell)与内嵌式(in-cell)三种。
在内嵌式触控显示设备的制造过程中，需通过蚀刻制程以形成通孔(throughhole)。然而，于现有的通孔设计中，可能因为横向蚀刻而导致底切(undercut)的现象发生，进而造成膜层剥离(peeling)的风险，或是因为蚀刻不足(under-etching)而使膜层间所产生的气体无法排出，进而造成膜层间产生气泡(bubble)。如此一来，可能造成短路或断路的状况，最终造成良率过低及产品可靠度不佳问题。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
本发明的至少一实施例提供一种电子元件，具有较佳的可靠度。
本发明的至少一实施例提供一种电子元件，包括基板、信号线、第一绝缘层、第一电极、第二绝缘层以及第二电极。信号线位于基板上。第一绝缘层位于信号线上。第一电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于第一电极以及第一绝缘层上。第二电极位于第二绝缘层上，其中第二绝缘层具有第一通孔，且第一绝缘层以及第二绝缘层共同具有第二通孔，信号线以及第一电极藉由第一通孔、第二通孔以及第二电极电性连接。
本发明的至少一实施例提供一种电子元件，包括信号线、第一电极以及第二电极。第一电极具有主体部以及与主体部相连接的延伸部。主体部与信号线不重叠，延伸部与信号线重叠。信号线以及第一电极藉由第一通孔、第二通孔以及第二电极电性连接。第二通孔实质上不与延伸部重叠。第二通孔的尺寸大于延伸部的宽度。
在本发明的至少一实施例提供的电子元件，在电子元件的制造过程中，降低了膜层剥离的风险。
在本发明的至少一实施例提供的电子元件，在电子元件的制造过程中，可使膜层间所产生的气体较易排出。
在本发明的至少一实施例提供的电子元件的制造过程，可有效提升产品良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的精神或范围。
在附图中，为了清楚起见，放大了各元件等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“约”、“实质上”、或“近似”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的电子元件的俯视示意图。
图2是图1中区域R的放大图。
图3是图2的电子元件沿剖面线A-A’的剖面示意图。
图4是图1的电子元件沿剖面线B-B’的剖面示意图。
图5是依照本发明的另一实施例的电子元件的俯视示意图。
图6是图5的电子元件沿剖面线C-C’的剖面示意图。
图7是依照本发明的又一实施例的电子元件的俯视示意图。
图8是图7的电子元件沿剖面线D-D’的剖面示意图。
图9是依照本发明的再一实施例的电子元件的俯视示意图。
图10是图9的电子元件沿剖面线E-E’的剖面示意图。
其中，附图标记说明如下：
100、200、300、400：电子元件
110：基板
120：信号线
120c：导线侧壁
122：第一部份
122a：第二上表面
124：第二部份
130：第一绝缘层
140：第一电极
142：主体部
144：延伸部
144a：第一延伸部
140a1：第一上表面
144b：第二延伸部
144b1：第三上表面
144d：第一宽度
146：连接垫
150：第二绝缘层
160：第二电极
170、270、370、470：第一通孔
170a：第一侧壁
170b：第一尺寸
172：第一辅助通孔
172a：第三侧壁
180、280：第二通孔
180a：第二侧壁
180b：第二尺寸
190：第三通孔
190a：第四侧壁
d：水平间距
PE：像素电极
T、T’：主动元件
GE、GE’：闸极
GI：闸极绝缘层
CH、CH’：通道层
SE、SE’：源极
DE、DE’：汲极
DEa：第四上表面
SL：扫描线
DL、DL’：资料线
R：区域
具体实施方式
图1是依照本发明的一实施例的电子元件的俯视示意图。图2是图1中区域R的放大图。图3是图2的电子元件沿剖面线A-A’的剖面示意图。图4是图1的电子元件沿剖面线B-B’的剖面示意图。为求清楚表示与便于说明，图1以及图2省略绘示部分的膜层。以下，将藉由图1至图4来详细描述本发明的一实施例。
请同时参照图1至图4，电子元件100包括基板110、信号线120、第一绝缘层130、第一电极140、第二绝缘层150以及第二电极160。信号线120位于基板110上。第一绝缘层130位于信号线120上。第一电极140位于第一绝缘层130上。第二绝缘层150位于第一电极140以及第一绝缘层130上。第二电极160位于第二绝缘层150上。第二绝缘层150具有第一通孔170。第一绝缘层130以及第二绝缘层150共同具有第二通孔180。信号线120以及第一电极140藉由第一通孔170、第二通孔180以及第二电极160彼此电性连接。
基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是其它可适用的材料。第一电极140以及第二电极160的材质举例为包括金属氧化物或是其它适合的透明导电材料，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、铝锡氧化物(Aluminum Tin Oxide，ATO)、铝锌氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)、或其它适合的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。第一绝缘层130以及第二绝缘层150的材料包含无机材料，无机材料例如为氧化硅(Silicon oxide)、氮化硅(Silicon nitride)、氮氧化硅(Silicon oxynitride)、其它适合的材料、或上述至少二种材料的堆栈层，第一绝缘层130以及第二绝缘层150的材料亦可包含有机材料、其它适合的材料或上述的组合。在本实施例中，第一绝缘层130可以是有机平坦层，以提供较佳平整度。此外，基于导电性的考虑，信号线120一般是使用金属材料，但本发明不限于此。值得注意的是，在本实施例中，第二电极160位于第一电极140上，为了方便观察及说明，在图1与图2中，仍绘示出第一电极140的轮廓，以便清楚表示第一电极140与第二电极160的位置的相对应关系。
第一电极140具有主体部142以及与主体部142相连接的延伸部144。第一电极140的主体部142与信号线120不重叠，且第一电极140的延伸部144与信号线120重叠。在本实施例中，第一电极140的延伸部144为具有第一延伸部144a与第二延伸部144b的分段式电极。第一延伸部144a上方形成有第一通孔170。第一通孔170贯穿第一延伸部144a上方的第二绝缘层150，且第二电极160覆盖于第一通孔170的第一侧壁170a以及其所对应的第一延伸部144a的第一上表面144a1的一部分，如此一来，可使第二电极160与第一电极140藉由第一通孔170彼此电性连接。
信号线120具有第一部份122以及与第一部份122相连接的第二部份124。信号线120的第一部份122与第一电极140不重叠，且信号线120的第二部份124与第一电极140的延伸部144重叠。第一部份122上方形成有第二通孔180。第二通孔180贯穿第一部份122上方的第一绝缘层130以及第二绝缘层150，且第二电极160覆盖于第二通孔180的第二侧壁180a以及其所对应的信号线120的第一部份122的第二上表面122a之一部分。如此一来，可使第二电极160与信号线120藉由第二通孔180彼此电性连接，而使信号线120以及第一电极140藉由第一通孔170、第二通孔180以及第二电极160彼此电性连接。
就制程上而言，第一通孔170以及第二通孔180可以是藉由类似的方法所形成。举例来说，可藉由蚀刻制程(etching process)或其他类似的制程于第二绝缘层150中形成贯穿第二绝缘层150的第一通孔170以及第二通孔180。位于第一电极140的第一延伸部144a上方的第一通孔170贯穿第二绝缘层150。位于信号线120的第一部份122上方的第二通孔180贯穿第二绝缘层150，且贯穿第一绝缘层130。举例来说，贯穿第二绝缘层150的第一通孔170是以第一电极140作为蚀刻停止层(etching stop layer)，而贯穿第二绝缘层150与第一绝缘层130的第二通孔180是以信号线120作为蚀刻停止层。如此一来，可以减少底切现象的发生，而降低了膜层剥离的风险。除此之外，也可以藉由第一通孔170及/或第二通孔180来增加后续制程中的排气(outgassing)空间或效率，以使膜层间所产生的气体可以较易排出，而降低了膜层间产生气泡。
接着，再于第一通孔170及/或第二通孔180中填入导电物质，以使第二电极160藉由第一通孔170与第一电极140电性连接，且使第二电极160藉由第二通孔180与信号线120电性连接。在本实施例中，于第一通孔170及/或第二通孔180中所填入的导电物质可以类似于第二电极160的材质或是第二电极160本身的一部份，但本发明不限于此。在本实施例中，第一通孔170以及第二通孔180可以藉由类似的制程形成，故能简化制程上的流程而提高制作效率与良率。
在本实施例中，第二通孔180对应于第二绝缘层150上方的开口区域(open area)的长度或宽度定义为第二尺寸180b，第一通孔170对应于第二绝缘层150上方的开口区域的长度或宽度定义为第一尺寸170b，第一尺寸170b与第二尺寸180b举例系具有相同的延伸方向，第一尺寸170b与第二尺寸180b的延伸方向举例为垂直于信号线120的延伸方向，或是第一尺寸170b与第二尺寸180b的延伸方向举例为平行于扫描线SL的延伸方向，第二尺寸180b大于第一尺寸170b，但本发明不限于此。
在本实施例中，第一通孔170与第二通孔180彼此连接。第一电极140的延伸部144在与第二电极160重叠的部分可具有较大的宽度，以形成连接垫(landing pad)146，且第一通孔170位于连接垫146上。除此之外，由于第二绝缘层150覆盖紧邻或邻近于第二通孔180的部分连接垫146，因此可以降低第一电极140及/或后续形成于第一电极140上的膜层(如：第二绝缘层150及/或第二电极160)因为底切现象而造成膜层剥离的风险。前述连接垫146的形状例如是圆形、椭圆形或多边形，但本发明并不限于此。
在本实施例中，延伸部144远离于第一通孔170的一端具有第一宽度144d，且第二通孔180的第二尺寸180b大于延伸部144的第一宽度144d。如此一来，在电子元件的制造过程中，可以使膜层间所产生的气体或液体藉由第一通孔170及第二通孔180排出，而降低了膜层间产生气泡。
在本实施例中，第二延伸部144b上方形成有第一辅助通孔172。第一辅助通孔172与第二通孔180连接，且第二通孔180位于第一通孔170与第一辅助通孔172之间。第一辅助通孔172贯穿第二延伸部144b上方的第二绝缘层150，且第二电极160覆盖于第一辅助通孔172的第三侧壁172a以及其所对应的第二延伸部144b的第三上表面144b1的一部分。第一辅助通孔172可以是藉由类似于第一通孔170的方法所形成，故在此就不再赘述。在本实施例中，第一电极140与信号线120可以藉由第一电极140的第一延伸部144a、第一通孔170、第二电极160、第二通孔180彼此电性连接，及/或藉由第一电极140第二延伸部144b、第一辅助通孔172、第二电极160、第二通孔180彼此电性连接。举例来说，第一电极140与信号线120可以藉由不同的电流路径(current path)彼此电性连接。如此一来，可以降低断路的风险，以提升良率及产品可靠度。
在一些实施例中，电子元件100例如为显示元件，且电子元件100包括像素电极PE、主动元件T、扫描线SL以及数据线DL。像素电极PE位于第二绝缘层150上，且像素电极PE与第一电极140重叠。主动元件T例如是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，其包括闸极GE、源极SE、汲极DE以及通道层CH，其中第一绝缘层130覆盖主动元件T，第一电极140的主体部142与主动元件T重叠，汲极DE与像素电极PE电性连接。扫描线SL与闸极GE电性连接。数据线DL与源极SE电性连接。
闸极GE与扫描线SL举例为连续的导电图案，此表示闸极GE与扫描线SL彼此电性连接。在本实施例中，扫描线SL的部分区域是作为闸极GE。源极SE与资料线DL举例为连续的导电图案，此表示源极SE与数据线DL彼此电性连接。
通道层CH位于闸极GE的上方。源极SE以及汲极DE位于通道层CH的上方。在本实施例中，源极SE、汲极DE以及信号线120属于同一膜层。也就是说，在本实施例中，主动元件T是以底部闸极型薄膜晶体管(bottom gate TFT)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，主动元件T也可以是顶部闸极型薄膜晶体管(top gate TFT)。
在本实施例中，主动元件T的闸极GE上方更覆盖有闸极绝缘层GI。闸极绝缘层GI的材质可为无机材料、有机材料或其组合，无机材料例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层，有机材料例如为聚酰亚胺(Polyimide，PI)树脂、环氧(Epoxy)树脂或压克力(Acrylic)树脂等高分子材料。
像素电极PE与主动元件T的汲极DE电性连接，且像素电极PE以及第二电极160彼此分离。在本实施例中，像素电极PE以及第二电极160属于同一膜层，且像素电极PE的材质例如是类似于第一电极140或第二电极160的透明导电材料，但本发明不限于此。另外，在本实施例中，像素电极PE可以包括多个条状电极图案。在本实施例中，像素电极PE位于第一电极140上，为了方便观察及说明，在图1中，仍绘示出第一电极140的轮廓，以便清楚表示第一电极140与像素电极PE的位置的相对应关系。
在本实施例中，像素电极PE是藉由第三通孔190而与汲极DE电性连接。第三通孔190贯穿第一绝缘层130以及第二绝缘层150，且像素电极PE实质上覆盖于第三通孔190的第四侧壁190a以及其所对应的汲极DE的第四上表面DEa的一部份，以使汲极DE以及像素电极PE藉由第三通孔190彼此电性连接。第三通孔190可以是藉由类似于形成第二通孔180的方法所形成，故在此就不再赘述。
在一些实施例中，电子元件100包括多条扫描线SL以及多条数据线DL。扫描线SL与数据线DL彼此交错，且像素电极PE的至少一部份以及信号线120实质上位于相邻的两个数据线DL之间(如后述图5、图7或图9所绘示的实施例)。
在一些实施例中，电子元件100例如为触控显示元件，且信号线120可以为前述触控显示元件的触控电极。举例来说，第二电极160以及信号线120可以电性连接至控制系统(Control System)，且控制系统可以传送时序信号，以使电子元件100在第一时间周期时具有显示功能，且在第二时间周期时具有触控功能，第一时间周期和第二时间周期举例为交替排列。
图5是依照本发明的另一实施例的电子元件的俯视示意图，图6是图5的电子元件沿剖面线C-C’的剖面示意图。为求清楚表示与便于说明，图5省略绘示部分的膜层。在此必须说明的是，图5至图6的实施例沿用图1至图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明，关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请同时参照图5至图6，本实施例的电子元件200与图1至图4的实施例的电子元件100相似，两者的差异在于：第一通孔270与第二通孔280彼此分离且具有一水平间距d，第一通孔270与第二通孔280之间的水平间距d为3微米(micrometer，μm)至6微米，但本发明不限于此。第一电极140的延伸部144与第一通孔270相接触的区域远离于第一电极140的边缘，且第二通孔280远离于第一电极140的边缘。举例来说，第一通孔270与第二通孔280不与延伸部144的边缘重叠。如此一来，由于第二绝缘层150覆盖邻近于第一通孔270的第一电极140，因此可以降低第一电极140及/或后续形成于第一电极140上的膜层因为底切现象而造成膜层剥离的风险。值得注意的是，在本实施例中，第二电极160位于第一电极140上，为了方便观察及说明，在图5中，仍绘示出第一电极140的轮廓，以便清楚表示第一电极140与第二电极160及像素电极PE的位置的相对应关系。
在本实施例中，第一通孔270位于信号线120上。举例来说，第一通孔270与信号线120重叠，就制程上而言，由于至少部分的第一电极140位于第二绝缘层150与信号线120之间，因此藉由蚀刻或其他类似的制程于第二绝缘层150中形成贯穿第二绝缘层150的第一通孔270是以第一电极140作为蚀刻停止层，以使蚀刻制程能终止于第一电极140而不会继续对位于第一电极140下的信号线120进行蚀刻。然而，本发明不限于此，在其他变化例中，可以将第一通孔270形成于其他元件上或其他适合的位置，以增加后续制程中的排气空间或效率，而使膜层间所产生的气体可以较易排出，以降低了膜层间产生气泡。
在本实施例中，电子元件200包括多条扫描线SL以及多条数据线DL、DL’，为方便说明，图5仅示例性地绘示出一条扫描线SL，扫描线SL与数据线DL、DL’彼此交错。各子像素包括对应的主动元件T、T’。主动元件T包括对应的闸极GE、源极SE、汲极DE以及通道层CH，且与对应的数据线DL以及扫描线SL电性连接。主动元件T’包括对应的闸极GE’、源极SE’、汲极DE’以及通道层CH’，且与对应的数据线DL’以及扫描线SL电性连接。主动元件T’与主动元件T类似，于此不再重复赘述。像素电极PE的至少一部份以及信号线120实质上位于数据线DL与相邻数据线DL’之间。
图7是依照本发明的又一实施例的电子元件的俯视示意图。图8是图7的电子元件沿剖面线D-D’的剖面示意图。为求清楚表示与便于说明，图7省略绘示部分的膜层。在此必须说明的是，图7至图8的实施例沿用图5至图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请同时参照图7至图8，本实施例的电子元件300与图5至图6的实施例的电子元件200相似，两者的差异在于：第一通孔370位于主动元件T’上。举例来说，第一通孔370与主动元件T’重叠。就制程上而言，由于部分的第一电极140位于第二绝缘层150与主动元件T’之间，因此藉由蚀刻或其他类似的制程于第二绝缘层150中形成贯穿第二绝缘层150的第一通孔370是以第一电极140作为蚀刻停止层，以使蚀刻制程能终止于第一电极140而不会继续对位于第一电极140下的主动元件T’进行蚀刻。在本实施例中，第二电极160及像素电极PE位于第一电极140上，为了方便观察及说明，在图7中，仍绘示出第一电极140的轮廓，以便清楚表示第一电极140与第二电极160及像素电极PE的位置的相对应关系。
在本实施例中，第一通孔370与主动元件T’的源极SE’重叠，但本发明不限于此。在其他的实施例中，第一通孔370也可以与主动元件T’的汲极DE’重叠。在其他的实施例中，第一通孔370也可以与通道层CH’重叠。在其他的实施例中，第一通孔370也可以位于主动元件T’的源极SE’以及汲极DE’之间。在其他的实施例中，第一通孔370也可以与数据线DL、DL’或扫描线SL重叠。
图9是依照本发明的再一实施例的电子元件的俯视示意图。图10是图9的电子元件沿剖面线E-E’的剖面示意图。为求清楚表示与便于说明，图9省略绘示部分的膜层。在此必须说明的是，图9至图10的实施例沿用图5至图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请同时参照图9至图10，本实施例的电子元件400与图5至图6的实施例的电子元件200相似，两者的差异在于：第一通孔470位于部分的信号线120上。举例来说，第一通孔470与部分的信号线120重叠，第一通孔470的一部分系不与信号线120重叠。就制程上而言，由于至少部分的第一电极140位于第二绝缘层150与信号线120之间，且部分的第一电极140与信号线120的导线侧壁120c重叠。因此藉由蚀刻或其他类似的制程于第二绝缘层150中形成贯穿第二绝缘层150的第一通孔470是以第一电极140作为蚀刻停止层，以使蚀刻制程能终止于第一电极140而不会继续对位于第一电极140下的信号线120进行蚀刻。值得注意的是，在本实施例中，第二电极160及像素电极PE位于第一电极140上，为了方便观察及说明，在图9中，仍绘示出第一电极140的轮廓，以便清楚表示第一电极140与第二电极160及像素电极PE的位置的相对应关系。
综上所述，本发明的至少一实施例的电子元件通过第一通孔、第二通孔与第二电极，以使信号线以及第一电极彼此电性连接。因此，在本发明的至少一实施例的电子元件的制造过程中，降低了膜层剥离的风险，及/或可使膜层间所产生的气体较易排出，藉以有效提升产品良率。在一实施例中，第一通孔以及第二通孔也可以藉由类似的制程形成，故能简化制程上的流程而提高制作效率与良率。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (15)
1.一种电子元件，包括：
一基板；
一信号线，位于该基板上；
一第一绝缘层，位于该信号线上；
一第一电极，位于该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，位于该第一电极以及该第一绝缘层上；以及
一第二电极，位于该第二绝缘层上，其中该第二绝缘层具有一第一通孔，且该第一绝缘层以及该第二绝缘层共同具有一第二通孔，该信号线以及该第一电极藉由该第一通孔、该第二通孔以及该第二电极电性连接，其中该第一通孔与该第二通孔彼此连接且彼此重叠，该第一电极具有一主体部以及与该主体部相连接的一延伸部，该主体部与该信号线不重叠，该延伸部与该信号线重叠，该第一电极的该延伸部在与该第二电极重叠的部分形成连接垫，且该第一通孔位于该连接垫上，该第二绝缘层覆盖紧邻或邻近于该第二通孔的部分连接垫，该延伸部远离于该第一通孔的一端具有第一宽度，且该第二通孔的第二尺寸大于该延伸部的第一宽度。
2.如权利要求1所述的电子元件，其中该第二通孔的尺寸大于该第一通孔的尺寸。
3.如权利要求1所述的电子元件，其中该第二绝缘层还具有一与该第二通孔连接的第一辅助通孔，其中该第二通孔位于该第一通孔与该第一辅助通孔之间，该信号线以及该第一电极藉由该第一通孔、该第二通孔、该第一辅助通孔以及该第二电极电性连接。
4.如权利要求1所述的电子元件，其中该第一通孔与该第二通孔彼此分离且其间的水平距离为3微米至6微米。
5.如权利要求1所述的电子元件，其中该第二电极完全覆盖该第一通孔的通孔侧壁。
6.如权利要求5所述的电子元件，其中该第二电极完全覆盖该第二通孔的通孔侧壁。
7.如权利要求1所述的电子元件，其中该电子元件还包括：
一像素电极，位于该第二绝缘层上，且该像素电极与该第一电极重叠；
一主动元件，包括一闸极、一源极以及一汲极，其中该第一绝缘层覆盖该主动元件，该第一电极与该主动元件重叠，该汲极与该像素电极电性连接；
一扫描线，与该闸极连接；以及
一数据线，与该源极连接。
8.如权利要求7所述的电子元件，其中该源极、该汲极以及该信号线为同一图案化导电层。
9.如权利要求8所述的电子元件，其中该像素电极的至少一部份以及该信号线实质上位于该数据线以及另一数据线之间。
10.如权利要求7所述的电子元件，其中该像素电极以及该第二电极为同一图案化导电层。
11.如权利要求7所述的电子元件，其中该第一绝缘层以及该第二绝缘层还共同具有一第三通孔，其中该像素电极覆盖该第三通孔，以使该汲极以及该像素电极藉由该第三通孔电性连接。
12.如权利要求7所述的电子元件，其中该第一通孔与另一主动元件重叠。
13.如权利要求1所述的电子元件，其中该第一通孔与该信号线重叠。
14.一种电子元件，包括：
一信号线；
一第一电极，具有一主体部以及与该主体部相连接的一延伸部，该主体部与该信号线不重叠，该延伸部与该信号线重叠；以及
一第二电极，该信号线以及该第一电极藉由一第一通孔、一第二通孔以及该第二电极电性连接，该第二通孔实质上不与该延伸部重叠，该第一电极的该延伸部在与该第二电极重叠的部分形成连接垫，且该第一通孔位于该连接垫上，第二绝缘层覆盖紧邻或邻近于该第二通孔的部分连接垫，该延伸部远离于该第一通孔的一端具有第一宽度，其中该第二通孔的尺寸大于该延伸部的宽度，其中该第一通孔与该第二通孔彼此连接且彼此重叠。
15.如权利要求14所述的电子元件，该第二通孔的尺寸大于该第一通孔的尺寸。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106118096A TWI619057B (zh) | 2017-06-01 | 2017-06-01 | 顯示元件 |
| TW106118096 | 2017-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107368220A CN107368220A (zh) | 2017-11-21 |
| CN107368220B true CN107368220B (zh) | 2020-03-27 |
Family
ID=60308278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710576473.XA Expired - Fee Related CN107368220B (zh) | 2017-06-01 | 2017-07-14 | 电子元件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107368220B (zh) |
| TW (1) | TWI619057B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI744678B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 電子裝置及其製作方法 |
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| CN205787504U (zh) * | 2016-05-31 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8217913B2 (en) * | 2009-02-02 | 2012-07-10 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
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-
2017
- 2017-06-01 TW TW106118096A patent/TWI619057B/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-07-14 CN CN201710576473.XA patent/CN107368220B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN205787504U (zh) * | 2016-05-31 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107368220A (zh) | 2017-11-21 |
| TW201903571A (zh) | 2019-01-16 |
| TWI619057B (zh) | 2018-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200327 Termination date: 20210714 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |