CN107346859A - 一种白光光源的制备方法 - Google Patents

一种白光光源的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107346859A
CN107346859A CN201710620904.8A CN201710620904A CN107346859A CN 107346859 A CN107346859 A CN 107346859A CN 201710620904 A CN201710620904 A CN 201710620904A CN 107346859 A CN107346859 A CN 107346859A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
electrode
layer
white light
high resistant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710620904.8A
Other languages
English (en)
Inventor
陆羽
张海成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGSU SUR LIGHTING CO Ltd
Original Assignee
JIANGSU SUR LIGHTING CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGSU SUR LIGHTING CO Ltd filed Critical JIANGSU SUR LIGHTING CO Ltd
Priority to CN201710620904.8A priority Critical patent/CN107346859A/zh
Publication of CN107346859A publication Critical patent/CN107346859A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种白光光源的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上外延激光器结构；掩膜光刻刻蚀掉有源区以外的多量子阱区；沉积一层介质膜，利用光刻掩膜开光栅窗口，干法刻蚀多量子阱层；利用激光束全息曝光形成光栅；外延上波导层、生长p型层；光刻成单脊条形；光刻点隔离区域，沉积介质膜材料，利用离子注入技术形成高阻区；溅射P面电极和N面电极，实现上下电极结构；将激光器烧结在热沉和基板上，封装到管壳上；将红、黄荧光粉与硅胶混合并在一定温度下烘烤固化在光学仪器上；利用激光激发荧光粉，然后混合成白光。利用本发明方法，不但可以制备高效率、长寿命的激光白光光源，而且色温和显色指数可以调节。

Description

一种白光光源的制备方法
技术领域
本发明涉及白光光源的制备方法。
背景技术
目前在半导体照明领域，白光光源一般由两种方式得到，一种是：采用发光二极管(蓝光、紫外)作为光源，在发光二极管上覆盖荧光粉材料。利用发光二极管辐射出来的光激发荧光粉，荧光粉产生的光与发光二极管的光进行混合，形成白光；另外一种是采用红、绿、蓝三色发光二极管直接混色形成白光。发光二极管形成的白光光源，虽然在发光效率、寿命以及维护等方面优于传统的照明光源(白炽灯、日光灯等)，但是发光二极管也存在在大电流工作条件下功率衰退的现象，发光效率对散热工程的依赖较大。激光激发白光效率高，较发光二极管节能50％以上。目前激光白光主要以蓝光或紫外光激光器激发红、黄光荧光粉合成白光，另外一种方式是红色、蓝色以及绿色激光器三色混合白光。目前激光激发白光光源显色指数较低，色温不可调，这对于进一步发展激光白光照明是个瓶颈。因此本发明采用蓝光或紫外光激光器，结合波长可调的特性，激发荧光粉制备激光白光光源，实现色温可调。
发明内容
针对上述现有技术的不足之处，本发明解决的问题为：提供一种波长可调的激光白光光源，实现白光色温以及显色指数可调的制备方法。
为解决上述问题，本发明采取的技术方案如下：
一种白光光源的制备方法，包括步骤如下：
a、制备激光器芯片：
a1、选取衬底，在衬底向上外延源区结构，源区结构从下而上依次设置n型氮化镓层、下波导层、下非掺杂氮化镓层、多量子阱层；
a2、在多量子阱层表面溅射介质膜，掩膜光刻，利用干法刻蚀方法对多量子阱层进行刻蚀，使下非掺杂氮化镓层和多量子阱层形成台阶结构；
a3、在下非掺杂氮化镓层上掩膜光刻出光栅区窗口，在光栅区窗口利用激光全息曝光技术制备光栅区；
a4、在下非掺杂氮化镓层的光栅区上外延覆盖铟镓氮层；
a5、清洗多量子阱层表面的介质膜，在铟镓氮层上方依次外延上非掺杂氮化镓层、上波导层、p型氮化镓接触层；
a6、在衬底上方掩膜光刻出单脊条形结构，利用干法刻蚀法在单脊条形的上端形成高阻隔离区，高阻隔离区为凹槽结构；溅射介质膜，腐蚀掉高阻隔离区的介质膜，利用离子注入方法在高阻隔离区形成高阻；在单脊条形上端高阻隔离区的两侧开出p型电极窗口，在p型电极窗口上溅射p面电极；高阻隔离区一侧为p面电极的有源区电极，另一侧为p面电极的波长调谐区电极；
a7、从衬底上加工出激光器芯片；对激光器芯片底部，即n型氮化镓层底部溅射n面电极；沿着半导体晶体材料解理面对激光器芯片进行解理，制备出整个激光器芯片；
b、将制备好的激光器芯片利用金属共晶焊技术置于高散热的基板上，将基板固定在激光器管壳上；
c、将激光器发出的点光源通过光学仪器组件进行扩散至面光源，然后激发荧光粉形成白光，通过对注入到p面电极为波长调谐区电极进行改变，实现白光色温和显色指数的调整。
进一步，所述的步骤a1中的衬底为蓝宝石、碳化硅、硅其中一种。
进一步，采用蓝宝石作为衬底时，利用激光剥离技术把激光器芯片进行分离；采用n型碳化硅或硅作为衬底时，利用物理减薄工艺得到激光器芯片。
进一步，所述的步骤a6中的p面电极上端形成一个高阻隔离区；高阻隔离区一侧为p面电极为有源区电极，高阻隔离区另一侧为p面电极为波长调谐区电极。
进一步，所述的步骤a6中的p面电极上端形成两个高阻隔离区；两个高阻隔离区的中间为有源区电极，两个高阻隔离区的外侧为波长调谐区电极。
进一步，所述有源区电极长度300～1000μm，波长调谐区电极的长度100～250μm，高阻隔离区长度30～50μm；单脊条形宽度5μm。
进一步，所述的介质膜为二氧化硅或氮化硅。
进一步，所述的步骤b基板由铝或铜金属材料制成。
进一步，所述步骤a4中的铟镓氮层的厚度30～80nm，禁带宽度大于多量子阱层的禁带宽度。
进一步，所述步骤a3光栅区窗口长度为100～300μm。
本发明的有益效果
1、本发明的制备方法集成有源区电极和波长调谐区电极，可将p面电极分2个区域，一个电极区域提供有源区足够的增益，一个电极区域提供波长的连续可调，利用激射波长的连续可调，可以调节激射波长，使得激发荧光粉的光谱效率发生偏移，从而调节白光光源的色温以及显色指数，同时增加了波导耦合系数，提高了器件的性能和成品率。激光器与荧光粉通过光学器件形成非成像光学系统，激发荧光粉形成白光。
2、激光器与固化荧光粉非直接接触，避免激光束能量集中导致的荧光粉受热。
3、半导体激光器的响应速度快，可以快速调节到所需的色温以及显色指数。
附图说明
图1为本发明步骤a1的结构示意图。
图2为本发明步骤a2的结构示意图。
图3为本发明步骤a3的结构示意图。
图4为本发明步骤a4的结构示意图。
图5为本发明步骤a5的结构示意图。
图6为本发明步骤a6的结构示意图。
图7为本发明步骤c的结构示意图。
图8为本发明p面电极实施例3的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明内容作进一步详细说明。
实施例1
一种白光光源的制备方法，如图1至7所示，包括步骤如下：a、制备激光器芯片：a1、选取衬底1，衬底为蓝宝石，在衬底1向上外延源区结构，源区结构从下而上依次设置n型氮化镓层2、下波导层3、下非掺杂氮化镓层4、多量子阱层5；a2、在多量子阱层5表面溅射介质膜6，介质膜6为二氧化硅或氮化硅，掩膜光刻，利用干法刻蚀方法对多量子阱层5进行刻蚀，使下非掺杂氮化镓层4和多量子阱层5形成台阶结构；a3、在下非掺杂氮化镓层4上掩膜光刻出光栅区窗口，光栅区窗口长度为100～300μm，在光栅区窗口利用激光全息曝光技术制备光栅区7；a4、在下非掺杂氮化镓层4的光栅区7上外延覆盖铟镓氮层8；铟镓氮层8的厚度30～80nm，禁带宽度大于多量子阱层5的禁带宽度；a5、清洗多量子阱层5表面的介质膜6，在铟镓氮层8上方依次外延上非掺杂氮化镓层9、上波导层10、p型氮化镓接触层11；a6、在衬底1上方掩膜光刻出单脊条形结构，利用干法刻蚀法在单脊条形的上端形成高阻隔离区12，高阻隔离区12为凹槽结构；溅射介质膜13，腐蚀掉高阻隔离区12的介质膜13，利用离子注入方法在高阻隔离区12形成高阻；在单脊条形上端高阻隔离区12的两侧开出p型电极窗口，在p型电极窗口上溅射p面电极；高阻隔离区12一侧为p面电极的有源区电极14，另一侧为p面电极的波长调谐区电极15；本实施例p面电极上端形成一个高阻隔离区12；高阻隔离区12一侧为p面电极为有源区电极14，高阻隔离区12另一侧为p面电极为波长调谐区电极15；有源区电极14长度300～1000μm，波长调谐区电极15的长度100～250μm，高阻隔离区12长度30～50μm；单脊条形宽度5μm；a7、从衬底1上加工出激光器芯片，具体可利用激光剥离技术把激光器芯片进行分离；对激光器芯片底部，即n型氮化镓层2底部溅射n面电极16；沿着半导体晶体材料解理面对激光器芯片进行解理，制备出整个激光器芯片；b、将制备好的激光器芯片利用金属共晶焊技术置于高散热的基板17上，基板17由铝或铜金属材料制成，将基板17固定在激光器管壳上；c、将激光器发出的点光源通过光学仪器组件18进行扩散至面光源，然后激发荧光粉19形成白光，通过对注入到p面电极为波长调谐区电极15进行改变，实现白光色温和显色指数的调整。本发明的激光器为半导体激光器，为蓝光或者紫外激光器。
实施例2
一种白光光源的制备方法，如图1至7所示，包括步骤如下：a、制备激光器芯片：a1、选取衬底1，衬底1为n型碳化硅或硅，在衬底1向上外延源区结构，源区结构从下而上依次设置n型氮化镓层2、下波导层3、下非掺杂氮化镓层4、多量子阱层5；a2、在多量子阱层5表面溅射介质膜6，介质膜6为二氧化硅或氮化硅，掩膜光刻，利用干法刻蚀方法对多量子阱层5进行刻蚀，使下非掺杂氮化镓层4和多量子阱层5形成台阶结构；a3、在下非掺杂氮化镓层4上掩膜光刻出光栅区窗口，光栅区窗口长度为100～300μm，在光栅区窗口利用激光全息曝光技术制备光栅区7；a4、在下非掺杂氮化镓层4的光栅区7上外延覆盖铟镓氮层8；铟镓氮层8的厚度30～80nm，禁带宽度大于多量子阱层5的禁带宽度；a5、清洗多量子阱层5表面的介质膜，在铟镓氮层8上方依次外延上非掺杂氮化镓层9、上波导层10、p型氮化镓接触层11；a6、在衬底1上方掩膜光刻出单脊条形结构，利用干法刻蚀法在单脊条形的上端形成高阻隔离区，高阻隔离区为凹槽结构；溅射介质膜，腐蚀掉高阻隔离区12的介质膜，利用离子注入方法在高阻隔离区12形成高阻；在单脊条形上端高阻隔离区12的两侧开出p型电极窗口，在p型电极窗口上溅射p面电极；高阻隔离区一侧为p面电极的有源区电极14，另一侧为p面电极的波长调谐区电极15；本实施例p面电极上端形成一个高阻隔离区12；高阻隔离区12一侧为p面电极为有源区电极14，高阻隔离区另一侧为p面电极为波长调谐区电极15；有源区电极14长度300～1000μm，波长调谐区电极15的长度100～250μm，高阻隔离区12长度30～50μm；单脊条形宽度5μm；a7、从衬底1上加工出激光器芯片，具体可利用物理减薄工艺得到激光器芯片；对激光器芯片底部，即n型氮化镓层2底部溅射n面电极16；沿着半导体晶体材料解理面对激光器芯片进行解理，制备出整个激光器芯片；b、将制备好的激光器芯片利用金属共晶焊技术置于高散热的基板17上，基板17由铝或铜金属材料制成，将基板17固定在激光器管壳上；c、将激光器发出的点光源通过光学仪器组件18进行扩散至面光源，然后激发荧光粉19形成白光，通过对注入到p面电极为波长调谐区电极15进行改变，实现白光色温和显色指数的调整。本发明的激光器为半导体激光器，为蓝光或者紫外激光器。
实施例3
一种白光光源的制备方法，如图1至8所示，包括步骤如下：a、制备激光器芯片：a1、选取衬底1，衬底1为n型碳化硅或硅，在衬底1向上外延源区结构，源区结构从下而上依次设置n型氮化镓层2、下波导层3、下非掺杂氮化镓层4、多量子阱层5；a2、在多量子阱层5表面溅射介质膜6，介质膜6为二氧化硅或氮化硅，掩膜光刻，利用干法刻蚀方法对多量子阱层5进行刻蚀，使下非掺杂氮化镓层4和多量子阱层5形成台阶结构；a3、在下非掺杂氮化镓层4上掩膜光刻出光栅区窗口，光栅区窗口长度为100～300μm，在光栅区窗口利用激光全息曝光技术制备光栅区7；a4、在下非掺杂氮化镓层4的光栅区7上外延覆盖铟镓氮层8；铟镓氮层8的厚度30～80nm，禁带宽度大于多量子阱层5的禁带宽度；a5、清洗多量子阱层5表面的介质膜，在铟镓氮层8上方依次外延上非掺杂氮化镓层9、上波导层10、p型氮化镓接触层11；a6、在衬底1上方掩膜光刻出单脊条形结构，利用干法刻蚀法在单脊条形的上端形成高阻隔离区12，高阻隔离区12为凹槽结构；溅射介质膜13，腐蚀掉高阻隔离区12的介质膜13，利用离子注入方法在高阻隔离区12形成高阻；在单脊条形上端高阻隔离区12的两侧开出p型电极窗口，在p型电极窗口上溅射p面电极；高阻隔离区12一侧为p面电极的有源区电极14，另一侧为p面电极的波长调谐区电极15；如图8所示，本实施例p面电极上端形成两个高阻隔离区12；两个高阻隔离区12的中间为有源区电极14，两个高阻隔离区的外侧为波长调谐区电极15；有源区电极14长度300～1000μm，波长调谐区电极15的长度100～250μm，高阻隔离区12长度30～50μm；单脊条形宽度5μm；a7、从衬底1上加工出激光器芯片，具体可利用物理减薄工艺得到激光器芯片；对激光器芯片底部，即n型氮化镓层2底部溅射n面电极16；沿着半导体晶体材料解理面对激光器芯片进行解理，制备出整个激光器芯片；b、将制备好的激光器芯片利用金属共晶焊技术置于高散热的基板17上，基板17由铝或铜金属材料制成，将基板17固定在激光器管壳上；c、将激光器发出的点光源通过光学仪器组件18进行扩散至面光源，然后激发荧光粉19形成白光，通过对注入到p面电极为波长调谐区电极15进行改变，实现白光色温和显色指数的调整。本发明的激光器为半导体激光器，为蓝光或者紫外激光器。
本发明的制备方法集成有源区电极和波长调谐区电极，可将p面电极分2个区域，一个电极区域提供有源区足够的增益，一个电极区域提供波长的连续可调，利用激射波长的连续可调，可以调节激射波长，使得激发荧光粉的光谱效率发生偏移，从而调节白光光源的色温以及显色指数，同时增加了波导耦合系数，提高了器件的性能和成品率。激光器与荧光粉通过光学器件形成非成像光学系统，激发荧光粉形成白光。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种白光光源的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：
a、制备激光器芯片：
a1、选取衬底(1)，在衬底(1)向上外延源区结构，源区结构从下而上依次设置n型氮化镓层(2)、下波导层(3)、下非掺杂氮化镓层(4)、多量子阱层(5)；
a2、在多量子阱层(5)表面溅射介质膜(6)，掩膜光刻，利用干法刻蚀方法对多量子阱层(5)进行刻蚀，使下非掺杂氮化镓层(4)和多量子阱层(5)形成台阶结构；
a3、在下非掺杂氮化镓层(4)上掩膜光刻出光栅区窗口，在光栅区窗口利用激光全息曝光技术制备光栅区(7)；
a4、在下非掺杂氮化镓层(4)的光栅区(7)上外延覆盖铟镓氮层(8)；
a5、清洗多量子阱层(5)表面的介质膜(6)，在铟镓氮层(8)上方依次外延上非掺杂氮化镓层(9)、上波导层(10)、p型氮化镓接触层(11)；
a6、在衬底(1)上方掩膜光刻出单脊条形结构，利用干法刻蚀法在单脊条形的上端形成高阻隔离区(12)，高阻隔离区(12)为凹槽结构；溅射介质膜(13)，腐蚀掉高阻隔离区(12)的介质膜(13)，利用离子注入方法在高阻隔离区(12)形成高阻；在单脊条形上端高阻隔离区(12)的两侧开出p型电极窗口，在p型电极窗口上溅射p面电极；高阻隔离区(12)一侧为p面电极的有源区电极(14)，另一侧为p面电极的波长调谐区电极(15)；
a7、从衬底(1)上加工出激光器芯片；对激光器芯片底部，即n型氮化镓层(2)底部溅射n面电极(16)；沿着半导体晶体材料解理面对激光器芯片进行解理，制备出整个激光器芯片；
b、将制备好的激光器芯片利用金属共晶焊技术置于高散热的基板(17)上，将基板(17)固定在激光器管壳上；
c、将激光器发出的点光源通过光学仪器组件(18)进行扩散至面光源，然后激发荧光粉(19)形成白光，通过对注入到p面电极为波长调谐区电极(15)进行改变，实现白光色温和显色指数的调整。
2.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述的步骤a1中的衬底(1)为蓝宝石、碳化硅、硅其中一种。
3.根据权利要求2所述的白光光源的制备方法，其特征在于，采用蓝宝石作为衬底(1)时，利用激光剥离技术把激光器芯片进行分离；采用n型碳化硅或硅作为衬底(1)时，利用物理减薄工艺得到激光器芯片。
4.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述的步骤a6中的p面电极上端形成一个高阻隔离区(12)；高阻隔离区(12)一侧为p面电极为有源区电极(14)，高阻隔离区(12)另一侧为p面电极为波长调谐区电极(15)。
5.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述的步骤a6中的p面电极上端形成两个高阻隔离区(12)；两个高阻隔离区(12)的中间为有源区电极(14)，两个高阻隔离区(12)的外侧为波长调谐区电极(15)。
6.根据权利要求4或5所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述有源区电极(14)长度300～1000μm，波长调谐区电极(15)的长度100～250μm，高阻隔离区(12)长度30～50μm；单脊条形宽度5μm。
7.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述的介质膜为二氧化硅或氮化硅。
8.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述的步骤b基板(17)由铝或铜金属材料制成。
9.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述步骤a4中的铟镓氮层(8)的厚度30～80nm，禁带宽度大于多量子阱层(5)的禁带宽度。
10.根据权利要求1所述的白光光源的制备方法，其特征在于，所述步骤a3光栅区窗口长度为100～300μm。
CN201710620904.8A 2017-07-26 2017-07-26 一种白光光源的制备方法 Pending CN107346859A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710620904.8A CN107346859A (zh) 2017-07-26 2017-07-26 一种白光光源的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710620904.8A CN107346859A (zh) 2017-07-26 2017-07-26 一种白光光源的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107346859A true CN107346859A (zh) 2017-11-14

Family

ID=60257761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710620904.8A Pending CN107346859A (zh) 2017-07-26 2017-07-26 一种白光光源的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107346859A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020085601A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Arima Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
CN1527447A (zh) * 2003-03-03 2004-09-08 中国科学院半导体研究所 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法
CN1747264A (zh) * 2004-09-06 2006-03-15 中国科学院半导体研究所 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法
CN1973355A (zh) * 2004-04-15 2007-05-30 泽斯吸气剂公司 用于真空或者不活泼气体封装的led的集成的吸气剂
CN102434794A (zh) * 2011-10-06 2012-05-02 广东华燚光电科技有限公司 高显色指数的白光led灯及其制造方法
CN104103742A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 弘大贸易股份有限公司 制作白光发光元件的方法
CN105870304A (zh) * 2016-04-22 2016-08-17 江苏脉锐光电科技有限公司 一种波长可调led光源

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020085601A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Arima Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
CN1527447A (zh) * 2003-03-03 2004-09-08 中国科学院半导体研究所 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法
CN1973355A (zh) * 2004-04-15 2007-05-30 泽斯吸气剂公司 用于真空或者不活泼气体封装的led的集成的吸气剂
CN1747264A (zh) * 2004-09-06 2006-03-15 中国科学院半导体研究所 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法
CN102434794A (zh) * 2011-10-06 2012-05-02 广东华燚光电科技有限公司 高显色指数的白光led灯及其制造方法
CN104103742A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 弘大贸易股份有限公司 制作白光发光元件的方法
CN105870304A (zh) * 2016-04-22 2016-08-17 江苏脉锐光电科技有限公司 一种波长可调led光源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6329676B1 (en) Flat panel solid state light source
US7329907B2 (en) Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
Su et al. Recent progress in quantum dot based white light-emitting devices
RU2451366C2 (ru) Осветительное устройство, в частности, с люминесцентной керамикой
JP2009081379A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
DE112009002311T5 (de) Farbabstimmbare Halbleiter-Breitbandlichtquellen und Vollfarbmikrodisplays
KR20100128297A (ko) 백색 광 출력을 제공하기 위한 광대역 발광 장치 램프들
US20140264260A1 (en) Light emitting structure
CN102347408B (zh) GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法
JP6890556B2 (ja) 波長変換発光デバイス
JP2008071805A (ja) 複数種の蛍光体を２種類以上の半導体発光素子上に塗布した多波長発光装置。
JP2005085888A (ja) 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及びこれを用いたＧａＮ系半導体発光素子並びにＧａＮ系半導体白色発光素子
JP2005101230A (ja) 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及びこれを用いたＧａＮ系半導体発光素子並びにＧａＮ系半導体白色発光素子
CN107346859A (zh) 一种白光光源的制备方法
KR20170102957A (ko) 파장 변환 발광 디바이스
US11923484B2 (en) Method of manufacturing a white light emitting device comprising multiple photoluminescence materials
CN104241492A (zh) 具有金属介质组合光栅结构的led芯片
KR100339518B1 (ko) 질화물 반도체 백색 발광소자
CN109755363A (zh) 一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法
JP5263881B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR100552333B1 (ko) 백색 발광장치
JP2003332631A (ja) 白色発光素子
CN102709418A (zh) 一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构
CN108511583B (zh) 一种白光led及其制备方法
CN211789076U (zh) 一种发光二极体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171114