CN107342337A - 一种人民币防伪检测传感器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种人民币防伪检测传感器及其制备方法，包括：单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管；提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定紫外发光二极管的位置；在所述沟槽内逐层形成缓冲层、N型外延层及P型外延层；在所述衬底及所述P型外延层表面形成第一保护层；采用离子注入方式在所述衬底中形成掺杂区，所述掺杂区与所述衬底形成光敏二极管；分别制作各器件的接触电极，并在光敏二极管的表面分别形成蓝光滤光膜和绿光滤光膜。本发明将紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管集成于同一衬底上，大大减小了人民币防伪检测传感器的体积和生产成本，扩大了人民币防伪检测传感器的应用面。

Description

一种人民币防伪检测传感器及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种人民币防伪检测传感器及其制备方法。
背景技术
随着我国国民经济的发展，各种经济活动日趋频繁，市场上纸币现金流通量不断增加，流通的周期也越来越短，纸币作为主要的流通货币在人们的生活中承担着重要角色。然而一些不法分子通过制造假币从中获取利益，使得假币出现在流通各领域的各个环节，假币的泛滥不仅会对人民群众的财产安全带来威胁，而且会严重干扰货币流通的各个环节，造成国家金融秩序的混乱，甚至波及政治领域，造成经济和社会危机。因此，对纸币的真伪进行有效鉴别是金融防假，反假工作中必不可少的重要环节。
目前人民币上普遍采用的防伪特征有：安全线、红外图像、隐形面额数字、水印、紫外图像、阴阳互补对印图案、变造拼接痕迹识别、光变油墨识别等。可以通过多种方法对人民币上的防伪特征进行鉴别，目前比较常用的鉴别方法是采用荧光防伪检测的传感器，点钞机中都安装了荧光防伪检测的传感器，其包括一颗产生荧光的LED灯，以及接收荧光的感应装置，通过封装或者模块的方式装在一起，一般其体积比较大，应用面也受到很大的局限。
因此，如何减小人民币防伪检测传感器的体积，降低生产成本，扩大人民币防伪检测传感器的应用面，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种人民币防伪检测传感器及其制备方法，用于解决现有技术中人民币防伪检测传感器体积大、成本高、应用面受限等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种人民币防伪检测传感器，所述人民币防伪检测传感器至少包括：
单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管；
所述紫外发光二极管包括位于衬底上的缓冲层，位于所述缓冲层上的N型外延层以及位于所述N型外延层上的P型外延层，所述紫外发光二极管发出紫外光；
所述蓝光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的蓝光滤光膜，所述蓝光光敏二极管用于检测蓝光；
所述绿光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的绿光滤光膜，所述绿光光敏二极管用于检测绿光。
优选地，所述衬底为P型衬底，所述掺杂区为N型掺杂。
优选地，所述缓冲层的材质为AlN，所述P型外延层和所述N型外延层的材质为GaN。
优选地，所述紫外发光二极管、所述蓝光光敏二极管、所述绿光光敏二极管之间通过隔离层阻隔。
优选地，所述保护层包括位于下层的SiN保护层和位于上层的SiO2保护层。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种上述人民币防伪检测传感器的制备方法，所述人民币防伪检测传感器的制备方法至少包括：
步骤S1：提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定紫外发光二极管的位置；
步骤S2：在所述沟槽内逐层形成缓冲层、N型外延层及P型外延层；
步骤S3：在所述衬底及所述P型外延层表面形成第一保护层；
步骤S4：采用离子注入方式在所述衬底中形成掺杂区，所述掺杂区与所述衬底形成光敏二极管；
步骤S5：分别制作各器件的接触电极，并在光敏二极管的表面分别形成蓝光滤光膜和绿光滤光膜。
优选地，步骤S2中，在所述沟槽内形成外延结构的同时，所述沟槽外形成多晶层，在执行步骤S3前去除所述多晶层。
优选地，在步骤S4之前，根据设计布局刻蚀所述第一保护层及所述衬底形成隔离区，并在所述隔离区中形成隔离层，所述隔离层将所述紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管阻隔开。
优选地，在步骤S5之前在所述第一保护层表面形成第二保护层。
优选地，所述蓝光滤光膜透射蓝光，反射光紫外光和绿光；所述绿光滤光膜透射绿光，反射光紫外光和蓝光。
如上所述，本发明的人民币防伪检测传感器及其制备方法，具有以下有益效果：
本发明的人民币防伪检测传感器及其制备方法将紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管集成于同一衬底上，大大减小了人民币防伪检测传感器的体积和生产成本，扩大了人民币防伪检测传感器的应用面。
附图说明
图1显示为本发明的人民币防伪检测传感器的俯视示意图。
图2显示为本发明的人民币防伪检测传感器的剖视示意图。
图3～图10显示为本发明的人民币防伪检测传感器的制备方法的流程示意图。
元件标号说明
1 人民币防伪检测传感器
11 衬底
12 紫外发光二极管
121 缓冲层
122 N型外延层
123 P型外延层
13 蓝光光敏二极管
131 蓝光滤光膜
14 绿光光敏二极管
141 绿光滤光膜
15 保护层
151 第一保护层
152 第二保护层
16 隔离层
17 N型掺杂区
18 P型重掺杂区
19 接触电极
S1～S5 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1～图2所示，本发明提供一种人民币防伪检测传感器1，所述人民币防伪检测传感器1至少包括：
单片集成于一衬底11上的紫外发光二极管12、蓝光光敏二极管13及绿光光敏二极管14。
如图2所示，所述衬底11位于底层，在本实施例中，所述衬底11为P型Si衬底。
如图2所示，所述紫外发光二极管12包括位于所述衬底11上的缓冲层121，位于所述缓冲层121上的N型外延层122以及位于所述N型外延层122上的P型外延层123，所述紫外发光二极管12发出紫外光。
具体地，如图2所示，在本实施例中，所述缓冲层121的材质为AlN，所述N型外延层122和所述P型外延层123的材质为GaN。所述缓冲层121用于降低外延层材料GaN和衬底材料Si之间的晶格失配，所述N型外延层122和所述P型外延层123形成PN结，通过外部施加电压发出紫外光。
如图2所示，所述蓝光光敏二极管13包括位于所述衬底11上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层15以及位于所述保护层15上的蓝光滤光膜131，所述蓝光光敏二极管13用于检测蓝光。
具体地，如图2所示，在本实施例中，所述掺杂区为N型掺杂17，所述N型掺杂区17与P型衬底形成PN结。所述蓝光滤光膜131反射紫外光和绿光，只透射460nm附近的光，因此所述蓝光滤光膜131下方的PN结仅对460nm附近的蓝光进行响应。所述保护层15包括位于下层的SiN保护层和位于上层的SiO2保护层。
如图2所示，所述绿光光敏二极管14包括位于所述衬底11上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层15以及位于所述保护层15上的绿光滤光膜141，所述绿光光敏二极管14用于检测绿光。
具体地，如图2所示，在本实施例中，所述掺杂区为N型掺杂区17，所述N型掺杂区17与P型衬底形成PN结。所述绿光滤光膜141反射紫外光和蓝光，只透射550nm附近的光，因此所述绿光滤光膜141下方的PN结仅对550nm附近的绿光进行响应。
如图2所示，所述紫外发光二极管12、所述蓝光光敏二极管13、所绿光光敏二极管14之间通过隔离层16阻隔，以减小电子运动的影响，提高检测准确性。
如图2所示，所述人民币防伪检测传感器1还包括位于所述衬底11中的P型重掺杂区18，用于作为衬底接触。
所述人民币防伪检测传感器1的工作原理如下：
所述紫外发光二极管12发出紫外光，照射到人民币表面，真钞中的油墨会发出波长在550nm附近的绿色荧光，而伪钞票面则会发出波长在460nm附近的蓝光，所述蓝光光敏二极管13及所绿光光敏二极管14分别对反射回来的光进行响应，利用二者荧光波长的不同，来区分真伪钞票。
如图3～图10所示，所述人民币防伪检测传感器1的制备方法如下：
步骤S1：提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定紫外发光二极管的位置。
具体地，如图3所示，提供一衬底11，在本实施例中，所述衬底11为P型Si衬底，所述衬底11的材质不限于本实施例所列举的Si，任何现有技术中可作为基底的材料均适用。在所述衬底11上刻蚀沟槽111，所述沟槽111中用于制备所述紫外发光二极管12。
步骤S2：在所述沟槽内逐层形成缓冲层121、N型外延层122及P型外延层123。
具体地，如图4所示，外延生长紫外发光二极管的材料，经过生长，在所述沟槽11内生长出高质量的GaN外延结构，在所述沟槽111外的衬底表面形成多晶GaN层124。在本实施例中，在所述沟槽11内分别形成缓冲层121，所述缓冲层121的材质为AlN；N型外延层122，所述N型外延层122的材质为GaN；P型外延层123，所述P型外延层123的材质为GaN。其中所述缓冲层121用于降低外延层材料GaN和衬底材料Si之间的晶格失配，所述N型外延层122和所述P型外延层123形成PN结。
具体地，如图5所示，通过刻蚀或研磨的方法去除所述衬底11表面的多晶GaN层124。
步骤S3：在所述衬底11及所述P型外延层123表面形成第一保护层151。
具体地，如图6所示，在本实施例中，采用化学气相沉积形成所述第一保护层151，所述第一保护层151的材质为SiN。
为了减少器件之间的相互影响，还包括用LOCOS(Local Oxidation of Silicon，硅的局部氧化)工艺进行各个器件的隔离，具体步骤如下：如图7所示，根据设计布局刻蚀所述第一保护层151及所述衬底11形成隔离区，并在所述隔离区中通过热氧化生长SiO2形成隔离层16，所述隔离层16将所述紫外发光二极管12、所述蓝光光敏二极管13及所述绿光光敏二极管14阻隔开，大大提高检测的准确性。
步骤S4：采用离子注入方式在所述衬底11中形成掺杂区，所述掺杂区与所述衬底11形成光敏二极管。
具体地，如图7所示，通过离子注入方式形成N型掺杂区17和P型重掺杂区18，其中N型掺杂区17与P型衬底11形成PN结，P型重掺杂区18作为衬底接触。
具体地，如图7所示，在所述第一保护层151及所述隔离层16上沉积SiO2作为第二保护层152，用于对光敏二极管的表面进行保护。
步骤S5：分别制作各器件的接触电极19，并在光敏二极管的表面分别形成蓝光滤光膜和绿光滤光膜。
具体地，如图8所示，通过刻蚀所述第一保护层151和所述第二保护层152，在N型掺杂区17和P型重掺杂区18的表面形成刻蚀槽，以部分露出N型掺杂区17和P型重掺杂区18。同样地，通过刻蚀所述第一保护层151和所述第二保护层152在所述P型外延层123的表面形成刻蚀槽，以部分露出所述P型外延层123；通过刻蚀所述第一保护层151、所述第二保护层152和所述P型外延层123，在所述N型外延层122的表面形成刻蚀槽，以部分露出所述N型外延层122。
具体地，如图9所示，在各刻蚀槽中填充金属，形成各器件及衬底接触的接触电极19。
具体地，如图10所示，在N型掺杂区17上方的所述第二保护层152表面蒸镀光学介质膜，分别为蓝光滤光膜131和绿光滤光膜141，以与下方的光敏二极管结合形成蓝光光敏二极管13和绿光光敏二极管14。其中，所述蓝光滤光膜131反射紫外光和绿光，只透射460nm附近的光，因此所述蓝光光敏二极管13仅对蓝光进行响应；所述绿光滤光膜141反射紫外光和蓝光，只透射550nm附近的光，因此所述绿光光敏二极管14仅对绿光进行响应。
在本实施例中采用P型衬底，N型掺杂区，P型重掺杂区来实现本申请的人民币防伪检测传感器，本领域的技术人员再此基础上，可采用N型衬底，P型掺杂区，N型重掺杂区来实现本申请的人民币防伪检测传感器，不以本实施例为限。
本发明在硅片上单片集成紫外发光二极管，460nm响应的蓝光光敏二极管和550nm响应的绿光光敏二极管，紫外光照射人民币后，通过分析两颗光敏二极管的信号便可分辨出钞票的真伪。
如上所述，本发明的人民币防伪检测传感器及其制备方法，具有以下有益效果：
本发明的人民币防伪检测传感器及其制备方法将紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管集成于同一衬底上，大大减小了人民币防伪检测传感器的体积和生产成本，扩大了人民币防伪检测传感器的应用面。
综上所述，本发明提供一种人民币防伪检测传感器，包括：单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管；所述紫外发光二极管包括位于衬底上的缓冲层，位于所述缓冲层上的N型外延层以及位于所述N型外延层上的P型外延层，所述紫外发光二极管发出紫外光；所述蓝光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的蓝光滤光膜，所述蓝光光敏二极管用于检测蓝光；所述绿光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的绿光滤光膜，所述绿光光敏二极管用于检测绿光。还提供一种人民币防伪检测传感器的制备方法，包括：提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定紫外发光二极管的位置；在所述沟槽内逐层形成缓冲层、N型外延层及P型外延层；在所述衬底及所述P型外延层表面形成第一保护层；采用离子注入方式在所述衬底中形成掺杂区，所述掺杂区与所述衬底形成光敏二极管；分别制作各器件的接触电极，并在光敏二极管的表面分别形成蓝光滤光膜和绿光滤光膜。本发明的人民币防伪检测传感器及其制备方法将紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管集成于同一衬底上，大大减小了人民币防伪检测传感器的体积和生产成本，扩大了人民币防伪检测传感器的应用面。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种人民币防伪检测传感器，其特征在于，所述人民币防伪检测传感器至少包括：
单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管；
所述紫外发光二极管包括位于衬底上的缓冲层，位于所述缓冲层上的N型外延层以及位于所述N型外延层上的P型外延层，所述紫外发光二极管发出紫外光；
所述蓝光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的蓝光滤光膜，所述蓝光光敏二极管用于检测蓝光；
所述绿光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区，位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的绿光滤光膜，所述绿光光敏二极管用于检测绿光。
2.根据权利要求1所述的人民币防伪检测传感器，其特征在于：所述衬底为P型衬底，所述掺杂区为N型掺杂。
3.根据权利要求1所述的人民币防伪检测传感器，其特征在于：所述缓冲层的材质为AlN，所述P型外延层和所述N型外延层的材质为GaN。
4.根据权利要求1所述的人民币防伪检测传感器，其特征在于：所述紫外发光二极管、所述蓝光光敏二极管、所述绿光光敏二极管之间通过隔离层阻隔。
5.根据权利要求1所述的人民币防伪检测传感器，其特征在于：所述保护层包括位于下层的SiN保护层和位于上层的SiO2保护层。
6.一种如权利要求1～5任意一项所述的人民币防伪检测传感器的制备方法，其特征在于，所述人民币防伪检测传感器的制备方法至少包括：
步骤S1：提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定紫外发光二极管的位置；
步骤S2：在所述沟槽内逐层形成缓冲层、N型外延层及P型外延层；
步骤S3：在所述衬底及所述P型外延层表面形成第一保护层；
步骤S4：采用离子注入方式在所述衬底中形成掺杂区，所述掺杂区与所述衬底形成光敏二极管；
步骤S5：分别制作各器件的接触电极，并在光敏二极管的表面分别形成蓝光滤光膜和绿光滤光膜。
7.根据权利要求6所述的人民币防伪检测传感器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，在所述沟槽内形成外延结构的同时，所述沟槽外形成多晶层，在执行步骤S3前去除所述多晶层。
8.根据权利要求6所述的人民币防伪检测传感器的制备方法，其特征在于：在步骤S4之前，根据设计布局刻蚀所述第一保护层及所述衬底形成隔离区，并在所述隔离区中形成隔离层，所述隔离层将所述紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管阻隔开。
9.根据权利要求6所述的人民币防伪检测传感器的制备方法，其特征在于：在步骤S5之前在所述第一保护层表面形成第二保护层。
10.根据权利要求6所述的人民币防伪检测传感器的制备方法，其特征在于：所述蓝光滤光膜透射蓝光，反射光紫外光和绿光；所述绿光滤光膜透射绿光，反射光紫外光和蓝光。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2116249U (zh) * 1991-08-21 1992-09-16 沈阳市信达仪器仪表研究所 伪币自动鉴别装置
CN1189245A (zh) * 1995-06-30 1998-07-29 西门子元器件公司 单片线性光耦合器
CN101075360A (zh) * 2007-06-01 2007-11-21 天津大学 用于金融票证真伪鉴别的可见近红外接发光电子集成器件
CN202339592U (zh) * 2011-11-30 2012-07-18 冯易乐 一种可识别纸币荧光标识的装置
CN102980044A (zh) * 2012-12-23 2013-03-20 昆山市圣光新能源科技有限公司 一种带验钞功能的太阳能手电筒
US20140084308A1 (en) * 2012-09-27 2014-03-27 Stmicroelectronics Pte Ltd. Overmold with single attachment using optical film
CN104541380A (zh) * 2012-08-23 2015-04-22 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子装置
CN104584238A (zh) * 2012-08-30 2015-04-29 京瓷株式会社 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置
CN205193930U (zh) * 2015-10-30 2016-04-27 湖南丰汇银佳科技股份有限公司 钞票光变色油墨的检测装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2116249U (zh) * 1991-08-21 1992-09-16 沈阳市信达仪器仪表研究所 伪币自动鉴别装置
CN1189245A (zh) * 1995-06-30 1998-07-29 西门子元器件公司 单片线性光耦合器
CN101075360A (zh) * 2007-06-01 2007-11-21 天津大学 用于金融票证真伪鉴别的可见近红外接发光电子集成器件
CN202339592U (zh) * 2011-11-30 2012-07-18 冯易乐 一种可识别纸币荧光标识的装置
CN104541380A (zh) * 2012-08-23 2015-04-22 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子装置
CN104584238A (zh) * 2012-08-30 2015-04-29 京瓷株式会社 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置
US20140084308A1 (en) * 2012-09-27 2014-03-27 Stmicroelectronics Pte Ltd. Overmold with single attachment using optical film
CN102980044A (zh) * 2012-12-23 2013-03-20 昆山市圣光新能源科技有限公司 一种带验钞功能的太阳能手电筒
CN205193930U (zh) * 2015-10-30 2016-04-27 湖南丰汇银佳科技股份有限公司 钞票光变色油墨的检测装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陆瑶: "《新编出版实务》", 31 March 2015 *

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