边缘电场液晶显示面板
技术领域
本发明属于液晶显示面板技术领域,具体涉及一种边缘电场液晶显示面板。
技术背景
如图1所示,FFS(全称为“边缘场开关技术”,Fringe Field Switching,简称FFS)像素结构包括具有狭缝的第一电极10、以及与第一电极之间间隔绝缘层的第二电极20,垂直狭缝的电场产生在第一电极10和第二电极20之间。FFS像素结构主要藉垂直狭缝的电场(如图1所示的X方向电场)转动液晶,使光透过。液晶显示面板受外力按压,造成液晶排列混乱,当外力消失而液晶要恢复原排列时,此时受狭缝边缘平行狭缝电场阻碍(如图1所示的Y方向电场),导致恢复较慢或无法恢复,产生所谓trace mura(mura是指显示器亮度不均匀,造成各种痕迹的现象)的目视效果。
为了改善trace mura,一般在第一电极10的狭缝边缘加上弯角设计(如图2),使平行狭缝的电场偏离主要狭缝区,在外力按压后,液晶较快恢复原排列,产生的trace mura亦较轻微。虽然在FFS像素结构的狭缝边缘加上弯角设计虽可改善受按压后的液晶恢复速度,但目视仍可看到trace mura拖尾现象,即液晶恢复速度仍需进一步加强。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善受按压产生的trace mura现象的边缘电场液晶显示面板。
本发明提供一种边缘电场液晶显示面板,包括相对设置的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶,所述第二基板包括多个第一电极、第二电极、以及设置在多个第一电极和第二电极之间的绝缘层,;所述第一基板设有黑色矩阵、以及位于黑色矩阵之间的色层;所述第一基板和第二基板之间的预设盒厚为D;每个第一电极包括多个长狭缝、与对应的长狭缝至少一连接的多个短狭缝、连接多个短狭缝的狭缝末端,长狭缝与对应短狭缝之间具有夹角;所述短狭缝和狭缝末端均位于所述黑色矩阵所对应的位置,所述第一基板和第二基板在短狭缝和狭缝末端处的盒厚为d1,其余位置仍为预设盒厚D,其中,d1小于D。
本发明又提供一种边缘电场液晶显示面板,包括相对设置的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶,所述第二基板包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的绝缘层,所述第一基板和第二基板之间的预设盒厚为D;每个第一电极包括多个长狭缝、与对应的长狭缝至少一连接的多个短狭缝、连接多个短狭缝的狭缝末端,长狭缝与对应短狭缝之间具有夹角;所述绝缘层在位于所述长狭缝所在区域处设有开槽,所述第一基板和第二基板在开槽处的盒厚为预设D,其余位置盒厚为d2,其中,d2小于D。
本发明又提供一种边缘电场液晶显示面板,包括相对设置的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶,所述第二基板包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的绝缘层,所述第一基板和第二基板之间的预设盒厚为D;每个第一电极包括多个长狭缝、与对应的长狭缝至少一连接的多个短狭缝、连接多个短狭缝的狭缝末端,长狭缝与对应短狭缝之间具有夹角;所述绝缘层在位于狭缝末端区域设有开槽,所述第一基板和第二基板在狭缝末端处的盒厚为d3,其余位置仍为预设盒厚D,其中,d3大于D。
本发明通过多种改变局部像素区域盒厚,加强控制液晶恢复排列的电场,或减少阻碍液晶恢复的电场,改善液晶显示面板受按压产生的trace mura现象。
附图说明
图1为现有FFS像素结构的垂直狭缝的电场的结构示意图;
图2为现有FFS像素结构的狭缝边缘呈弯曲状的结构示意图;
图3为本发明边缘电场液晶显示面板的结构示意图;
图4和图5为图3所示边缘电场液晶显示面板的像素结构为双畴的结构示意图;
图6为图3所示边缘电场液晶显示面板的像素结构为单畴的结构示意图;
图7为图6在A-A`方向的剖视图;
图8为图3所示边缘电场液晶显示面板的像素结构第二实施例的示意图;
图9为图8在A-A`方向的剖视第一实施例的剖视图;
图10为图8在A-A`方向的剖视第二实施例的剖视图;
图11为图3所示边缘电场液晶显示面板的像素结构第三实施例的示意图;
图12为图11在A-A`方向的剖视第一实施例的剖视图;
图13为图11在A-A`方向的剖视第二实施例的剖视图。
具体实施方式
如图3至图5所示为本发明第一实施例的结构示意图。
如图3所示,本发明边缘电场液晶显示面板,包括相对设置的第一基板1和第二基板2、以及夹设在第一基板1和第二基板2之间的液晶3,其中,第一基板1和第二基板2之间的盒厚为D。
第二基板2包括:第一绝缘层21、位于第一绝缘层21上的第二电极22、位于第二电极22上的第二绝缘层23、以及位于第二绝缘层23上的第一电极24。
其中,在本实施例中,第一电极位于第二电极上方,第一电极24为像素电极。在其他实施例中,第一电极位于第二电极上方,第一电极为公共电极。
如图4所示,当像素电极24为双畴时,每个第一电极包括多个第一长狭缝241、与对应第一长狭缝241呈对称状态的多个第二长狭缝242、与对应第一长狭缝241一端连接的第一短狭缝243、连接第一短狭缝243的第一狭缝末端245、与对应第一长狭缝241另一端连接的第三短狭缝247、与对应第二长狭缝242一端连接的第二短狭缝244、连接第二短狭缝244的第二狭缝末端246、以及与对应第二长狭缝242另一端连接的第四短狭缝248。
其中,第三短狭缝247和第四短狭缝248相互连接且呈对称状态。第一长狭缝241分别与第一短狭缝243和第三短狭缝247之间具有夹角,第二长狭缝242分别与第二短狭缝244和第四短狭缝248之间具有夹角,即使得狭缝在靠近狭缝末端处呈弯折状。
其中,第一绝缘层21和第二绝缘层23为有机绝缘层、或无机绝缘层、或有机绝缘层和无机绝缘层的组合绝缘层。
当第一电极21为像素电极时,第二电极23为公共电极;当第一电极21为公共电极时,第二电极23为像素电极。
第一基板1设有黑色矩阵11、以及位于黑色矩阵之间的色层。
如图5所示,其中,第一短狭缝243、第一狭缝末端245、第二短狭缝244、第二狭缝末端246、第三短狭缝247和第四短狭缝248均位于第一基板1的黑色矩阵11所对应的位置,所述第一基板和第二基板在第一短狭缝243、第一狭缝末端245、第二短狭缝244、第二狭缝末端246、第三短狭缝247和第四短狭缝248的盒厚为d1,其余位置仍为预设盒厚D,其中,d1小于D。
如图6所示,当像素电极为单畴时,每个第一电极包括多个长狭缝241、与对应的长狭缝241一端连接的多个第一短狭缝242、与对应的长狭缝另一端连接的多个第二短狭缝243、连接多个第一短狭缝242的第一狭缝末端244、以及连接多个第二短狭缝243的第二狭缝末端245,长狭缝241分别与第一短狭缝242和第二短狭缝243之间具有夹角,即使得狭缝在靠近狭缝末端处呈弯折状。
如图7所示,所述第一基板和第二基板在、第一短狭缝、第一狭缝末端、第二短狭缝、第二狭缝末端、第三短狭缝和第四短狭缝处的盒厚也为d1。
本发明达到加强弯角处电场抑制Y方向电场的能力,减少液晶恢复的阻力。
图8至图9所示为本发明第二实施例的结构示意图。
如图8和图9所示,第一绝缘层21和第二绝缘层23均在位于第一电极24的非狭缝末端和非短狭缝所在区域设有开槽,即:第一绝缘层21和第二绝缘层23均在位于第一电极24的长狭缝所在区域设有开槽,使得第一绝缘层21和第二绝缘层23均呈台阶状,使得狭缝末端和短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚小于非狭缝末端所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚,即:狭缝末端和短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚为d2,非狭缝末端和非短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚仍为预设盒厚D。通过狭缝弯角处亦为较低盒厚区达到加强弯角处电场抑制Y方向电场的能力,减少液晶恢复的阻力。
如图8和图10所示,第一绝缘层21或第二绝缘层23均在位于第一电极24的非狭缝末端和非短狭缝区域设有开槽,即第一绝缘层21或第二绝缘层23均在位于第一电极24的第一长狭缝区域和第二长狭缝设有开槽,使得第一绝缘层21和第二绝缘层23均呈台阶状,使得狭缝末端和短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚小于非狭缝末端和非短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚,即:狭缝末端和短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚为d2,非狭缝末端和非短狭缝所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚仍为预设盒厚D。通过狭缝弯角处亦为较低盒厚区达到加强弯角处电场抑制Y方向电场的能力,减少液晶恢复的阻力。
图11至图13所示为本发明第三实施例的结构示意图。
如图11和图12所示,第一绝缘层21和第二绝缘层23均在位于第一电极24的狭缝末端244区域设有开槽,使得第一绝缘层21和第二绝缘层23均呈台阶状,使得狭缝末端244所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚大于非狭缝末端所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚,即:狭缝末端244所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚为d3,非狭缝末端所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚仍为预设盒厚D。通过狭缝末端处亦为较高盒厚区达到减弱Y方向电场的控制能力,可减少液晶恢复的阻力。
如图11和图13所示,第一绝缘层21或第二绝缘层23均在位于第一电极24的狭缝末端244区域设有开槽,使得第一绝缘层21和第二绝缘层23均呈台阶状,使得狭缝末端241所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚大于非狭缝末端所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚,即:狭缝末端244所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚为d3,非狭缝末端所在位置的第一基板1和第二基板2之间的盒厚仍为预设盒厚D。通过狭缝末端处亦为较高盒厚区达到减弱Y方向电场的控制能力,可减少液晶恢复的阻力。
本发明通过多种改变局部像素区域盒厚,加强控制液晶恢复排列的电场,或减少阻碍液晶恢复的电场,改善液晶显示面板受按压产生的trace mura现象;本发明内容适用于试用半导体层为非晶硅(a-Si)、金属氧化物(IGZO)、低温多晶硅(LTPS)等半导体材料的FFS显示模式。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种等同变换,这些等同变换均属于本发明的保护范围。