CN107282547A - 电子元件的清洗方法 - Google Patents

电子元件的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107282547A
CN107282547A CN201610191260.0A CN201610191260A CN107282547A CN 107282547 A CN107282547 A CN 107282547A CN 201610191260 A CN201610191260 A CN 201610191260A CN 107282547 A CN107282547 A CN 107282547A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
cleaning
passed
hydrogen
cleaning method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610191260.0A
Other languages
English (en)
Inventor
周廷涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Original Assignee
SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd filed Critical SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Priority to CN201610191260.0A priority Critical patent/CN107282547A/zh
Publication of CN107282547A publication Critical patent/CN107282547A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明的电子元件的清洗方法，包括：将电子元件置于清洗腔；调节所述清洗腔内的真空度为预定值；向所述清洗腔通入氩气并控制射频频率为10～20MHz以产生激发态氩；以及向所述清洗腔通入氢气并控制温度为2000～2400K以产生激发态氢。本发明能高效清洗电子元件表面上的碳污染物，且避免清洗对电子元件产生不利影响。

Description

电子元件的清洗方法
技术领域
本发明涉及电子元件清洗领域，尤其涉及一种有碳污染的电子元件的清洗方法。
背景技术
在半导体领域(例如集成电路)的极紫外(EUV)光刻技术中，在EUV光辐照下，系统中的碳氢化合物会裂解产生游离碳，游离碳会被吸附沉积到集成电路的电子元件的表面，形成碳污染。这种碳污染会影响电路电子元件的性能，因此须及时清洗电子元件表面的碳沉积污染。
传统的表面处理方法是通过高温加热裂解氢气产生高温的氢原子，高温氢原子会使多层膜结构发生变化，具有一定动能的氢原子轰击电子元件表面从而清洗电子元件表面的碳物质。然而，由于氢原子活跃的化学性质使氢原子相互碰撞或与金属材料接触时极易重新结合为氢气分子，因此此种清洗方法的清洗效率低下。
故此，亟需一种改进电子元件的清洗方法以克服上述的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子元件的清洗方法，其能高效清洗电子元件表面上的碳污染物，且避免清洗对电子元件产生不利影响。
为实现上述目的，本发明的电子元件的清洗方法，包括：
将电子元件置于清洗腔；
调节所述清洗腔内的真空度为预定值；
向所述清洗腔通入氩气并控制射频频率为10～20MHz以产生激发态氩；以及
向所述清洗腔通入氢气并控制温度为2000～2400K以产生激发态氢。
较佳地，还包括控制所述氩气的通入方向不与电子元件的表面对准。
较佳地，通入所述氩气和所述氢气的流量控制为1～2sccm。
较佳地，所述预定值大于500Pa。
较佳地，还包括抽出所述清洗腔内的挥发性气体。
与现有技术相比，本发明电子元件的清洗方法利用激发态氩与激发态氢在局部真空环境下结合形成激发态配合物ArH，将激发态配合物ArH应用于电子元件表面碳污染的清洗，保持粒子活性，避免氢原子重新结合为分子，提高清洗源粒子浓度，从而提高清洗效率而且该清洗方法以化学反应为主，避免了氢原子对电子元件表面的直接轰击，减少物理反应的发生，从而避免对电子元件产生不良影响。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明电子元件的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明电子元件的清洗方法尤其适用于受到碳污染的电子元件，但并不因此受限。本发明的一个实施例包括以下步骤：
将电子元件置于清洗腔；
调节所述清洗腔内的真空度为预定值；
向所述清洗腔通入氩气并控制射频频率为10～20MHz以产生激发态氩；
向所述清洗腔通入氢气并控制温度为2000～2400K以产生激发态氢。
具体地，该清洗腔连接真空泵、等离子体发射器以及氢原子发射器，电子元件被置于清洗腔内进行清洗。
作为一个优选方案，调节清洗腔内的真空度在500Pa以上，以保证清洗腔内的局部真空环境。以流量为1～2sccm通入氩气，并启动射频等离子体发射器，控制射频频率为10～20MHz，例如在实施例为13～14MHz，在此环境下氩气被裂解为激发态氩粒子。较佳地，控制氩气的通入方向不与电子元件的表面对准，从而防止电子元件的表面被氩等离子体直接轰击而造成电子元件表面损伤。
继而，以流量为1～2sccm通入氩气，启动氢原子发射器，并控制加热温度至2000-2400K以产生氢原子与腔内的氩粒子结合为激发态配合物ArH，该配合物ArH充满清洗腔内，避免氢原子因与清洗腔内表面接触而重新结合为分子。由此，配合物ArH与电子元件上的碳或含碳化合物充分发生化学反应，产生挥发性碳氢化合物，从而清洗电子元件上的碳污染物。在本步骤中，还可延长氢原子到达电子元件的实际距离，将有助于降低氢原子温度从而避免对电子元件产生不良影响。
更佳地，还可包括利用真空泵将挥发性碳氢化合物和恢复到基态的氩气抽出。
综上，本发明电子元件的清洗方法利用激发态氩与激发态氢在局部真空环境下结合形成激发态配合物ArH，将激发态配合物ArH应用于电子元件表面碳污染的清洗，保持粒子活性，避免氢原子重新结合为分子，提高清洗源粒子浓度，从而提高清洗效率。而且该清洗方法以化学反应为主，避免了氢原子对电子元件表面的直接轰击，减少物理反应的发生，从而避免对电子元件产生不良影响。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (5)

1.一种电子元件的清洗方法，包括：
将电子元件置于清洗腔；
调节所述清洗腔内的真空度为预定值；
向所述清洗腔通入氩气并控制射频频率为10～20MHz以产生激发态氩；
向所述清洗腔通入氢气并控制温度为2000～2400K以产生激发态氢。
2.如权利要求1所述的电子元件的清洗方法，其特征在于：还包括控制所述氩气的通入方向不与电子元件的表面对准。
3.如权利要求1所述的电子元件的清洗方法，其特征在于：通入所述氩气和所述氢气的流量控制为1～2sccm。
4.如权利要求1所述的电子元件的清洗方法，其特征在于：所述预定值大于500Pa。
5.如权利要求1所述的电子元件的清洗方法，其特征在于：还包括抽出所述清洗腔内的挥发性气体。
CN201610191260.0A 2016-03-30 2016-03-30 电子元件的清洗方法 Pending CN107282547A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610191260.0A CN107282547A (zh) 2016-03-30 2016-03-30 电子元件的清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610191260.0A CN107282547A (zh) 2016-03-30 2016-03-30 电子元件的清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107282547A true CN107282547A (zh) 2017-10-24

Family

ID=60088035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610191260.0A Pending CN107282547A (zh) 2016-03-30 2016-03-30 电子元件的清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107282547A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020092541A1 (en) * 2001-01-16 2002-07-18 Kenetsu Yokogawa Dry cleaning method
CN101054657A (zh) * 2001-12-12 2007-10-17 株式会社半导体能源研究所 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法
CN101775580A (zh) * 2010-01-05 2010-07-14 青岛科技大学 一种氮化铝薄膜的微波等离子体制备方法
CN104865700A (zh) * 2015-04-29 2015-08-26 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光学元件表面碳污染的ArH清洗方法
CN105018896A (zh) * 2014-04-22 2015-11-04 常州二维碳素科技股份有限公司 石墨烯薄膜、其制备方法及用途

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020092541A1 (en) * 2001-01-16 2002-07-18 Kenetsu Yokogawa Dry cleaning method
CN101054657A (zh) * 2001-12-12 2007-10-17 株式会社半导体能源研究所 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法
CN101775580A (zh) * 2010-01-05 2010-07-14 青岛科技大学 一种氮化铝薄膜的微波等离子体制备方法
CN105018896A (zh) * 2014-04-22 2015-11-04 常州二维碳素科技股份有限公司 石墨烯薄膜、其制备方法及用途
CN104865700A (zh) * 2015-04-29 2015-08-26 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光学元件表面碳污染的ArH清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9443701B2 (en) Etching method
CN1296977C (zh) 绝缘膜刻蚀装置
JP6290544B2 (ja) 二酸化珪素フィルムを付着させる方法
US20140106571A1 (en) Biasing system for a plasma processing apparatus
TW200629336A (en) Semiconductor plasma-processing apparatus and method
CN106548918A (zh) 一种射频和直流混合驱动的磁化容性耦合等离子体源
JP7358301B2 (ja) ウエハガス放出のためのプラズマエンハンストアニールチャンバ
KR102392557B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 성막 장치
JP6328882B2 (ja) プラズマアニール方法及びその装置
EP2665091A2 (en) Equipment for substrate surface treatment
JP6640608B2 (ja) 基板処理装置
Tsai et al. Feasibility study of atmospheric-pressure dielectric barrier discharge treatment on CH3NH3PbI3 films for inverted planar perovskite solar cells
Tsai et al. DC-pulse atmospheric-pressure plasma jet and dielectric barrier discharge surface treatments on fluorine-doped tin oxide for perovskite solar cell application
CN106683969B (zh) 一种等离子处理装置运行方法
CN101764044B (zh) 等离子装置工艺腔预处理的方法
CN100388418C (zh) 基板处理装置用部件及其制造方法
CN105586566B (zh) 一种反应腔室及半导体加工设备
CN107282547A (zh) 电子元件的清洗方法
CN104282518A (zh) 等离子体处理装置的清洁方法
KR101041177B1 (ko) 표면 세정 공정을 이용한 박막형 삼중수소 고체선원의 제조장치 및 그의 제조방법
CN103311104A (zh) 一种石墨烯的制备方法
CN104576305A (zh) 自清洁真空处理腔室
JP2008075122A (ja) プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法
CN108496246B (zh) 狭缝阀门涂层及用于清洁狭缝阀门的方法
CN104865700B (zh) 光学元件表面碳污染的ArH清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20171024

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication