CN107240601A - 像素阵列及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素阵列及其制造方法，包括多个像素单元。各像素单元至少包括第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第N颜色子像素，其中N为整数且N≧3。第一颜色子像素包括第一堆迭发光层、第二颜色子像素包括第二堆迭发光层，且第N颜色子像素包括第N堆迭发光层。第一堆迭发光层、第二堆迭发光层以及第N堆迭发光层各自包括主发光层以及附属发光层。第一颜色子像素的主发光层与第二颜色子像素的附属发光层为同一材料层。第N颜色子像素的主发光层与第一颜色子像素的附属发光层为同一材料层。

Description

像素阵列及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种像素阵列，且特别是有关于一种能够提高解析度的像素阵列及其制造方法，具体的讲是一种像素阵列及其制造方法。
背景技术
传统上，有机发光二极管的面板制作是利用精细金属遮罩(fine metal mask；FMM)隔开不同子像素，并透过蒸镀达成红光、绿光及蓝光的排列方式。然而，精细金属遮罩(FMM)的尺寸具有一定限制，以目前制作工艺来说，其开口大小最多只能缩小至约30微米。基于遮罩的制作工艺限制，要增加面板的像素密度及解析度的难度也随的增加。就现有技术而言，一般是透过不同的像素排列方式来达到更高的像素密度及解析度。然而，透过改变像素排列的方式来提高像素密度的程度有限，且每一子像素仍然是维持相同大小。基于上述，如何在符合现有精细金属遮罩的限制下制作出更高像素密度及解析度的像素阵列为目前积极研究的重要课题之一。
发明内容
本发明提供一种像素阵列及其制造方法，可用以提高面板的像素密度及解析度。
本发明的像素阵列包括多个像素单元。各像素单元至少包括第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第N颜色子像素，其中N为整数且N≧3。第一颜色子像素包括第一堆迭发光层、第二颜色子像素包括第二堆迭发光层，且第N颜色子像素包括第N堆迭发光层。第一堆迭发光层、第二堆迭发光层以及第N堆迭发光层各自包括主发光层以及附属发光层。主发光层与附属发光层为不同颜色的发光层，其中第一颜色子像素的附属发光层堆迭在主发光层上方，第二颜色子像素的主发光层堆迭在附属发光层上方，且第N颜色子像素的主发光层堆迭在附属发光层上方。第一颜色子像素的主发光层与第二颜色子像素的附属发光层为同一材料层，且第N颜色子像素的主发光层与第一颜色子像素的附属发光层为同一材料层。
本发明的像素阵列的制造方法如下。提供基板，所述基板包括预计形成第一颜色子像素的第一区、预计形成第二颜色子像素的第二区以及预计形成第三颜色子像素的第三区。提供第一遮罩结构，所述第一遮罩结构具有第一开口图案以及第一遮蔽图案。将第一遮罩结构的第一遮蔽图案对应第三区设置，且将第一开口图案对应第一区以及第二区设置。进行第一颜色发光材料蒸镀，以于第一开口图案所对应的第一区以及第二区上分别形成第一颜色发光层。提供第二遮罩结构，所述第二遮罩结构具有第二开口图案以及第二遮蔽图案。将第二遮罩结构的第二遮蔽图案对应第一区设置，且将第二开口图案对应第二区以及第三区设置。进行第二颜色发光材料蒸镀，以于第二开口图案所对应的第二区以及第三区上分别形成第二颜色发光层，其中第二颜色发光层于第二区中堆迭于第一颜色发光层上方以构成第二颜色子像素的第二堆迭发光层。提供第三遮罩结构，所述第三遮罩结构具有第三开口图案以及第三遮蔽图案。将第三遮罩结构的第三遮蔽图案对应第二区设置，且将第三开口图案对应第一区以及第三区设置。进行第三颜色发光材料蒸镀，以于第三开口图案所对应的第一区以及第三区上分别形成第三颜色发光层，其中第三颜色发光层于第一区中堆迭于第一颜色发光层上方以构成第一颜色子像素的第一堆迭发光层，且第三颜色发光层于第三区中堆迭于第二颜色发光层上方以构成第三颜色子像素的第三堆迭发光层。
本发明另提供一种像素阵列包括多个像素单元。各像素单元包括N个不同颜色子像素相邻排列，分别为第一、第二至第N颜色子像素，其中N为整数且N≧3。第一颜色发光层设置于第一颜色子像素和第二颜色子像素中。第二颜色发光层设置于第二颜色子像素和第三颜色子像素中，且于第二颜色子像素处，第二颜色发光层设置在第一颜色发光层上。第N颜色发光层设置于第N颜色子像素和第一颜色子像素中，且于第N颜色子像素处，第N颜色发光层设置在第N-1颜色发光层上，且于该第一颜色子像素处，第N颜色发光层设置在第一颜色发光层上。
基于上述，本发明像素阵列的制造方法中，遮罩结构的开口图案至少是对应两种颜色子像素的区域来进行蒸镀。因此，藉由此方法所制造出的像素阵列的子像素各自包括具有主发光层以及附属发光层的堆迭发光层。进而，每一像素单元的尺寸能够缩小，以制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
附图说明
图1为本发明一实施例中像素阵列的剖面示意图。
图2A至图2D为本发明一实施例中进行第一颜色发光材料蒸镀的步骤流程图。
图3A至图3D为本发明一实施例中进行第二颜色发光材料蒸镀的步骤流程图。
图4A至图4D为本发明一实施例中进行第三颜色发光材料蒸镀的步骤流程图。
图5为本发明另一实施例中像素阵列的剖面示意图。
图6为本发明一实施例中像素阵列的发光机制示意图。
图7A为本发明一实施例中红色子像素的发光机制示意图。
图7B为本发明一实施例中红色子像素的光谱图。
图8A为本发明一实施例中绿色子像素的发光机制示意图。
图8B为本发明一实施例中绿色子像素的光谱图。
图9A为本发明一实施例中蓝色子像素的发光机制示意图。
图9B为本发明一实施例中蓝色子像素的光谱图。
符号说明：
10、10’：像素阵列
100、100’：像素单元
100A：第一颜色子像素
100B：第二颜色子像素
100C：第三颜色子像素
100D：第四颜色子像素
102：基板
104：第一堆迭发光层
104A、106A、108A、110A：主发光层
104B、106B、108B、110B：附属发光层
105R：红色发光层
105G：绿色发光层
105B：蓝色发光层
105Y：黄色发光层
106：第二堆迭发光层
108：第三堆迭发光层
110：第四堆迭发光层
202：第一遮罩结构
202A：第一遮蔽图案
202B：第一开口图案
204：第二遮罩结构
204A：第二遮蔽图案
204B：第二开口图案
206：第三遮罩结构
206A：第三遮蔽图案
206B：第三开口图案
300A、300B、300C：蒸镀源
402：第一电极层
404：第二电极层
406：电洞注入层
408：电洞传输层
410：电子传输层
412：电子注入层
500：结合区
L1：红光
L2：绿光
L3：蓝光
L4：黄光
R1：第一区
R2：第二区
R3：第三区
T1、T2、T3：厚度
W1、W2、W3：宽度尺寸
具体实施方式
图1为本发明一实施例中像素阵列的剖面示意图。图1的像素阵列10包括多个像素单元100。多个像素单元100例如是形成在基板102之上。基板102的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板102上覆盖一层绝缘层(未绘示)，以避免短路问题。另外，基板102上设置有多个像素电极101以及将每个像素电极101隔离开来的坡提103。像素电极101例如是可以连接至对应的开关元件(未绘示)。
在图1的实施例中，每一像素单元100至少包括第一颜色子像素100A、第二颜色子像素100B以及第三颜色子像素100C。特别是，第一颜色子像素100A包括第一堆迭发光层104、第二颜色子像素100B包括第二堆迭发光层106，且第三颜色子像素100C包括第三堆迭发光层108。在本实施例中，第一堆迭发光层104、第二堆迭发光层106以及第三堆迭发光层108各自包括主发光层(104A、106A、108A)以及附属发光层(104B、106B、108B)，且主发光层(104A、106A、108A)与附属发光层(104B、106B、108B)为不同颜色的发光层。此外，第一颜色子像素100A的附属发光层104B堆迭在主发光层104A上方，第二颜色子像素100B的主发光层106A堆迭在附属发光层106B上方，且第三颜色子像素100C的主发光层108A堆迭在附属发光层108B上方。再者，第一颜色子像素100A的主发光层104A与第二颜色子像素100B的附属发光层106B为同一材料层(例如，同为红色发光材料)，且第二颜色子像素100B的主发光层106A与第三颜色子像素100C的附属发光层108B为同一材料层(例如，同为绿色发光材料)，且第三颜色子像素100C的主发光层108A与第一颜色子像素100A的附属发光层104B为同一材料层(例如，同为蓝色发光材料)。
参考图1的实施例，第一堆迭发光层104、第二堆迭发光层106以及第三堆迭发光层108中的主发光层(104A、106A、108A)会单独发光，而附属发光层不发光(104B、106B、108B)。详细来说，在本实施例中，第一颜色子像素100A为红色子像素，且第一颜色子像素100A的主发光层104A为红色发光层105R而附属发光层104B为蓝色发光层105B(或另一颜色发光层)，其中，附属发光层104B不发光，因此会使第一颜色子像素100A发出红光L1。第二颜色子像素100B为绿色子像素，且第二颜色子像素100B的主发光层106A为绿色发光层105G而附属发光层106B为红色发光层105R(或另一颜色发光层)，其中，附属发光层106B不发光，因此会使以使第二颜色子像素100B发出绿光L2。第三颜色子像素100C为蓝色子像素，且第三颜色子像素100C的主发光层108A为蓝色发光层105B而附属发光层108B为绿色发光层105G(或另一颜色发光层)，其中，附属发光层108B不发光，因此会使第三颜色子像素100C发出蓝光L3。
在图1的实施例中，由于第一颜色子像素100A、第二颜色子像素100B以及第三颜色子像素100C是藉由堆迭的发光层所构成，因此，能够克服制作工艺限制而降低传统子像素的大小，形成更高像素密度及解析度的像素阵列。另外，在本实施例中，虽然是以主发光层(104A、106A、108A)会单独发光，而附属发光层(104B、106B、108B)不发光的方式进行说明，但本发明不限于此。在另一实施例中，第一堆迭发光层104、第二堆迭发光层106以及第三堆迭发光层108中的附属发光层(104B、106B、108B)会单独发光，而主发光层(104A、106A、108A)不发光。也就是说，只要其中一个发光层(主或附属)会发光，另一发光层(主或附属)不会发光即可。藉由在发光层中掺杂不同的主体材料以及会发出荧光或磷光的客发光体，能够使堆迭发光层(104、106、108)中的其中一个发光层单独发光。在后续的段落中，将再对发光层(主/附属)的发光机制进行说明。
以下将先针对形成如图1所示的像素阵列10的制造方法进行说明。
图2A至图2D为本发明一实施例中进行第一颜色发光材料蒸镀的步骤流程图。首先，请参考图2A及图2B进行说明，图2A为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构剖面图。图2B为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构上视示意图，且图2A为图2B延剖线A-A’的剖面图。如图2A及图2B所示，本发明像素阵列10的制造方法中先提供有基板102。基板102上设置有多个像素电极101以及将每个像素电极101隔离开来的坡提103。像素电极101例如是可以连接至对应的开关元件(未绘示)。基板102包括预计形成第一颜色子像素100A的第一区R1、预计形成第二颜色子像素100B的第二区R2以及预计形成第三颜色子像素100C的第三区R3。如图2A及图2B所示，提供第一遮罩结构202，第一遮罩结构202具有第一开口图案202B以及第一遮蔽图案202A。在本实施例中，是将第一遮罩结构202的第一遮蔽图案202A对应第三区R3设置，且将第一开口图案202B对应第一区R1以及第二区R2设置，并且利用蒸镀源300A于第一开口图案202B的位置进行第一颜色的材料的蒸镀。
接着，请参考图2C及图2D进行说明，图2C为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构剖面图。图2D为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构上视示意图，且图2C为图2D延剖线B-B’的剖面图。如图2C及图2D所示，当执行第一颜色的材料的蒸镀之后，是于第一区R1以及第二区R2上形成第一颜色发光层105R。由于第三区R3被第一遮罩结构202的第一遮蔽图案202A所遮蔽，因此，第三区R3上不会形成第一颜色发光层105R。此外，在本实施例中，第一颜色发光层105R例如为红色发光层105R，但本发明不限于此。在其它实施例中，也可以先进行其它颜色的材料的蒸镀步骤，以形成其它颜色的发光层。
值得注意的是，在本实施例中，第一颜色的材料的蒸镀范围基本上是与第一遮罩结构202的第一开口图案202B的开口范围相同。然而，由于设置坡提103和像素电极101的关系，因此，第一颜色发光层105R所对应的范围实际上不会占第一开口图案202B的全部范围，而是如图2D所示仅对应第一开口图案202B的部分范围。在后续步骤中，针对其它颜色材料的蒸镀范围亦会产生相同现象，因此不予赘述。另外，在本发明实施例像素阵列10的制造方法中，像素是以条状(stripe)排列的方式进行呈现，然而本发明不限于此。在其它的实施例中，像素也可以采用其它的排列方式，例如马赛克(mosaic)排列和三角形(delta)排列等。
图3A至图3D为本发明一实施例中进行第二颜色发光材料蒸镀的步骤流程图。在进行如图2A至图2D所示的第一颜色发光材料蒸镀的步骤之后，是接着进行第二颜色发光材料蒸镀的步骤。首先，请参考图3A及图3B进行说明，图3A为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构剖面图。图3B为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构上视示意图，且图3A为图3B延剖线C-C’的剖面图。如图3A及图3B所示，提供第二遮罩结构204，第二遮罩结构204具有第二开口图案204B以及第二遮蔽图案204A。在本实施例中，是将第二遮罩结构204的第二遮蔽图案204A对应第一区R1设置，且将第二开口图案204B对应第二区R2以及第三区R3设置，并且利用蒸镀源300B于第二开口图案204B的位置进行第二颜色的材料的蒸镀。
接着，请参考图3C及图3D进行说明，图3C为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构剖面图。图3D为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构上视示意图，且图3C为图3D延剖线D-D’的剖面图。如图3C及图3D所示，当执行第二颜色的材料的蒸镀之后，是于第二区R2以及第三区R3上形成第二颜色发光层105G，其中第二颜色发光层105G于第二区R2中堆迭于第一颜色发光层105R上方以构成第二颜色子像素100B的第二堆迭发光层106。由于第一区R1被第二遮罩结构204的第二遮蔽图案204A所遮蔽，因此，第一区R1上不会形成第二颜色发光层105G。此外，在本实施例中，第二颜色发光层105G例如为绿色发光层105G，但本发明不限于此。在其它实施例中，也可以先进行其它颜色的材料的蒸镀步骤，以形成其它颜色的发光层。
图4A至图4D为本发明一实施例中进行第三颜色发光材料蒸镀的步骤流程图。在进行如图3A至图3D所示的第二颜色发光材料蒸镀的步骤之后，是接着进行第三颜色发光材料蒸镀的步骤。首先，请参考图4A及图4B进行说明，图4A为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构剖面图。图4B为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构上视示意图，且图4A为图4B延剖线E-E’的剖面图。如图4A及图4B所示，提供第三遮罩结构206，第三遮罩结构206具有第三开口图案206B以及第三遮蔽图案206A。在本实施例中，是将第三遮罩结构206的第三遮蔽图案206A对应第二区R2设置，且将第三开口图案206B对应第一区R1以及第三区R3设置，并且利用蒸镀源300C于第三开口图案206B的位置进行第三颜色的材料的蒸镀。
接着，请参考图4C及图4D进行说明，图4C为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构剖面图。图4D为本发明实施例像素阵列10的制造方法中的一阶段的结构上视示意图，且图4C为图4D延剖线F-F’的剖面图。如图4C及图4D所示，当执行第三颜色的材料的蒸镀之后，是于第一区R1以及第三区R3上形成第三颜色发光层105B，其中第三颜色发光层105B于第一区R1中堆迭于第一颜色发光层105R上方以构成第一颜色子像素100A的第一堆迭发光层104，且第三颜色发光层105B于第三区R3中堆迭于第二颜色发光层105G上方以构成第三颜色子像素100C的第三堆迭发光层108。此外，在本实施例中，第三颜色发光层105B例如为蓝色发光层105B，且为最后形成的发光层，但本发明不限于此。在其它实施例中，也可以先形成蓝色发光层105B，最后再进行其它颜色材料的蒸镀步骤。
藉由上述的第一颜色材料蒸镀、第二颜色材料蒸镀以及第三颜色材料蒸镀步骤，可形成如图1所示的像素阵列10。在上述的实施例中，第一遮罩结构202的第一开口图案202B的宽度尺寸W1、第二遮罩结构204的第二开口图案204B的宽度尺寸W2以及第三遮罩结构206的第三开口图案206B的宽度尺寸W3各自相同，然本发明不以此为限，于其它实施例中可视像素布局的需要而调整。一般而言，在传统的蒸镀方法中，遮罩的每一开口仅会对应一个子像素。然而在本实施例中，在进行蒸镀步骤时，上述每一开口图案(202B、204B、206B)则是至少对应两种颜色子像素的区域进行蒸镀。也就是说，当现有精细金属遮罩(FMM)所能做到的尺寸极限为30微米，若采用传统遮罩设计和制作工艺方法，子像素的尺寸极限亦会约为30微米。相较之下，若采用本发明实施例的方法，藉由形成适当的堆迭的发光层，能够有效地缩小每一像素单元的尺寸，例如，于此实施例中子像素的尺寸的极限可变为约15微米，制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
另外，在上述的实施例中，皆是以形成三种颜色的发光层为例来进行说明，但本发明不限于此。在其它的实施例中，可藉由图2A至图2D、图3A至图3D以及图4A至图4D的方法来形成四种或多种颜色的发光层所堆迭而成的像素阵列。以下，将以形成四种颜色的发光层为例来进行说明。
图5为本发明另一实施例中像素阵列的剖面示意图。图5的像素阵列10’与图1的像素阵列10类似，因此，相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图5的实施例与图1的实施例的差异在于，图5的像素阵列10’更包括于像素单元100’中形成第四颜色子像素100D。第四颜色子像素100D包括有第四堆迭发光层110，而第四堆迭发光层110包括主发光层110A以及附属发光层110B，其中第四堆迭发光层110的主发光层110A堆迭在附属发光层110B上方，且第四颜色子像素100D的主发光层110A与第一颜色子像素100A的附属发光层104B为同一材料层。在图5的实施例中，第四堆迭发光层110的主发光层110A例如为黄色发光层105Y，而附属发光层110B为蓝色发光层105B(或另一颜色发光层)，其中，附属发光层110B不发光，因此会使第四颜色子像素100D发出黄光L4。然而，本发明不限于此，依据上述的实施例可以得知的是，本发明的发光层的颜色或是数量没有特别限制，只要是能够达成预期的发光效果即可。
举例来说，在一实施例中，本发明的像素阵列可包括多个像素单元。各像素单元包括N个不同颜色子像素相邻排列，分别为第一、第二至第N颜色子像素，其中N≧3。也就是说，各像素单元至少包括三个不同颜色子像素相邻排列，但不同颜色子像素的数量仍可大于3个，且可为4个或5个，以此类推。就图1的实施例来说，N为3(三)，亦即有三种不同颜色的子像素，而以图5的实施例来说，N为4(四)，亦即有四种不同颜色的子像素。此外，在图1及图5的像素阵列(10或10’)中，第一颜色发光层105R设置于第一颜色子像素100A和第二颜色子像素100B中，第二颜色发光层105G设置于第二颜色子像素100B和第三颜色子像素100C中，且于第二颜色子像素100B处，第二颜色发光层105G设置在第一颜色发光层105R上。另外，第N颜色发光层(未绘示)设置于第N颜色子像素(未绘示)和第一颜色子像素100A中，且于第N颜色子像素处，第N颜色发光层设置在第N-1颜色发光层(未绘示)上，且于第一颜色子像素100A处，第N颜色发光层设置在第一颜色发光层100A上。基于上述，应当可理解的是，在进行多种颜色子像素的蒸镀步骤时，其各自对应的开口图案仍是至少对应两种颜色子像素的区域进行蒸镀。也就是说，藉由形成堆迭的发光层能够克服制作工艺限制而有效地缩小每一像素单元的尺寸，并且制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
图6为本发明一实施例中像素阵列的发光机制示意图。参考图6的实施例，像素阵列10更包括第一电极层402、第二电极层404、电洞注入层406、电洞传输层408、电子传输层410以及电子注入层412。如图6所示，第一电极层402形成在基板102上，例如包含各子像素的复数个像素电极。电洞注入层406形成在第一电极层402上。电洞传输层408形成在电洞注入层406上。第一颜色子像素100A、第二颜色子像素100B、第三颜色子像素100C的第一堆迭发光层104、第二堆迭发光层106以及第三堆迭发光层108分别是形成在电洞传输层408上。电子传输层410是形成在第一颜色子像素100A、第二颜色子像素100B、第三颜色子像素100C的第一堆迭发光层104、第二堆迭发光层106以及第三堆迭发光层108上。电子注入层412是形成在电子传输层410上，且第二电极层404是形成在电子注入层412上。
更详细来说，在本实施例中，电洞注入层406是位于第一堆迭发光层104、第二堆迭发光层106、第三堆迭发光层108与第一电极层402之间，且电洞注入层406的厚度会随着对应第一颜色子像素100A、对应第二颜色子像素100B或是对应第三颜色子像素100C而具有不同厚度。特别是，在本实施例中，第一颜色子像素100A为红色子像素，且对应红色子像素的电洞注入层406具有第一厚度T1，第二颜色子像素100B为绿色子像素，且对应绿色子像素的电洞注入层406具有第二厚度T2，第三颜色子像素100C为蓝色子像素，且对应蓝色子像素的电洞注入层406具有第三厚度T3，于此实施例中，第一厚度T1大于第二厚度T2，且第二厚度T2大于第三厚度T3，然本发明不以此为限。在图6的实施例，藉由在每一发光层中(如红色发光层105R、绿色发光层105G或蓝色发光层105B中)掺杂不同的主体材料以及会发出荧光或磷光的客发光体，能够使堆迭发光层(104、106、108)中的其中一个发光层单独发光。然本发明不以此为限，于其他实施例中，亦可以藉由调整不同颜色的第一电极层402、电洞传输层408的厚度，来达到此目的。接下来，将对各颜色子像素的发光机制进行说明。
图7A为本发明一实施例中红色子像素的发光机制示意图。图7B为本发明一实施例中红色子像素的光谱图。于图7A及图7B中，与上述实施例相同的元件标号将省略说明，或是可参考图6的内容进行说明。在图7A及图7B的实施例，第一颜色子像素100A例如为红色子像素，且第一堆迭发光层104的主发光层104A是位于附属发光层104B的下方。主发光层104A例如为红色发光层105R，其包括特定的主体材料以及会发出红色荧光或磷光的客发光体。附属发光层104B例如为蓝色发光层105B，其包括特定的主体材料以及会发出蓝色荧光或磷光的客发光体。在本实施例中，蓝色发光层105B的主体材料的电子传输速度较红色发光层105R的主体材料的电洞传输速度快，因此，电子与电洞的再结合区500会坐落在红色发光层105R，以使红色发光层105R发出红光，而蓝色发光层105B不发光。
参考图7B的光谱图可以得知的是，只会有一个强度较强的波长，其波锋位于620nm至680nm之间。也就是说，从频谱仅可观察到高色纯度的红光，此红光与运用混色设计的方式所达到的红光完全不同。另外，在本发明实施例中所运用的红色发光层105R或是蓝色发光层105B的主体材料并没有特别限制，只要是能够达成上述电子/电洞的传输速度，使结合区500坐落在红色发光层105R即可。由于本发明像素阵列藉由控制结合区500在单一发光层中，因此，能够使堆迭的发光层之中，其中一层发光而另一层不发光。进而，达到高色纯度的光线，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
图8A为本发明一实施例中绿色子像素的发光机制示意图。图8B为本发明一实施例中绿色子像素的光谱图。于图8A及图8B中，与上述实施例相同的元件标号将省略说明，或是可参考图6的内容进行说明。在图8A及图8B的实施例，第二颜色子像素100B例如为绿色子像素，且第二堆迭发光层106的主发光层106A是位于附属发光层106B的上方。主发光层106A例如为绿色发光层105G，其包括特定的主体材料以及会发出绿色荧光或磷光的客发光体。附属发光层106B例如为红色发光层105R，其包括特定的主体材料以及会发出红色荧光或磷光的客发光体。在本实施例中，红色发光层105R的主体材料的电洞传输速度较绿色发光层105G的主体材料的电子传输速度快，因此，电子与电洞的再结合区500会坐落在绿色发光层105G，以使绿色发光层105G发出绿光，而红色发光层105R不发光。
参考图8B的光谱图可以得知的是，只会有一个强度较强的波长，其波锋位于500nm至570nm之间。也就是说，从频谱仅可观察到高色纯度的绿光，此绿光与运用混色设计的方式所达到的绿光完全不同。另外，在本发明实施例中所运用的绿色发光层105G或是红色发光层105R的主体材料并没有特别限制，只要是能够达成上述电子/电洞的传输速度，使结合区500坐落在绿色发光层105G即可。由于本发明像素阵列藉由控制结合区500在单一发光层中，因此，能够使堆迭的发光层之中，其中一层发光而另一层不发光。进而，达到高色纯度的光线，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
图9A为本发明一实施例中蓝色子像素的发光机制示意图。图9B为本发明一实施例中蓝色子像素的光谱图。于图9A及图9B中，与上述实施例相同的元件标号将省略说明，或是可参考图6的内容进行说明。在图9A及图9B的实施例，第三颜色子像素100C例如为蓝色子像素，且第三堆迭发光层108的主发光层108A是位于附属发光层108B的上方。主发光层108A例如蓝色发光层105B，其包括特定的主体材料以及会发出蓝色荧光或磷光的客发光体。附属发光层108B例如为绿色发光层105G，其包括特定的主体材料以及会发出绿色荧光或磷光的客发光体。在本实施例中，绿色发光层105G的主体材料的电洞传输速度较蓝色发光层105B的主体材料的电子传输速度快，因此，电子与电洞的再结合区500会坐落在蓝色发光层105B，以使蓝色发光层105B发出蓝光，而绿色发光层105G不发光。
参考图9B的光谱图可以得知的是，只会有一个强度较强的波长，其波锋位于430nm至480nm之间。也就是说，从频谱仅可观察到高色纯度的蓝光，此蓝光与运用混色设计的方式所达到的蓝光完全不同。另外，在本发明实施例中所运用的绿色发光层105G或是蓝色发光层105B的主体材料并没有特别限制，只要是能够达成上述电子/电洞的传输速度，使结合区500坐落在蓝色发光层105B即可。由于本发明像素阵列藉由控制结合区500在单一发光层中，因此，能够使堆迭的发光层之中，其中一层发光而另一层不发光。进而，达到高色纯度的光线，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
综上所述，本发明像素阵列的制造方法中，遮罩结构的开口图案至少是对应两种颜色子像素的区域来进行蒸镀。因此，藉由此方法所制造出的像素阵列的子像素各自包括具有主发光层以及附属发光层的堆迭发光层。进而，每一像素单元的尺寸不受精细金属遮罩的制作工艺能力所限制，因此，像素单元的尺寸能够缩小，制作成本可以减少，且所制作出的像素阵列的像素密度及解析度能够倍增。此外，由于堆迭的发光层之中，其中一层发光而另一层不发光。因此，能够达到高色纯度的光线，并有利于制作出更高像素密度及解析度的像素阵列。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当以本申请的权利要求范围所界定者为准。

Claims (18)

1.一种像素阵列，其特征在于，像素阵列包括：
多个像素单元，其中各所述的像素单元至少包括一第一颜色子像素、一第二颜色子像素以及一第N颜色子像素，其中N为整数且N≧3，其中所述的第一颜色子像素包括一第一堆迭发光层、所述的第二颜色子像素包括一第二堆迭发光层，且所述的第N颜色子像素包括一第N堆迭发光层，其中所述的第一堆迭发光层、所述的第二堆迭发光层以及所述的第N堆迭发光层各自包括：
一主发光层以及一附属发光层，所述的主发光层与所述的附属发光层为不同颜色的发光层，
其中所述的第一颜色子像素的所述的附属发光层堆迭在所述的主发光层上方，所述的第二颜色子像素的所述的主发光层堆迭在所述的附属发光层上方，且所述的第N颜色子像素的所述的主发光层堆迭在所述的附属发光层上方，其中所述的第一颜色子像素的所述的主发光层与所述的第二颜色子像素的所述的附属发光层为同一材料层，且所述的第N颜色子像素的所述的主发光层与所述的第一颜色子像素的所述的附属发光层为同一材料层。
2.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述的第一堆迭发光层、所述的第二堆迭发光层以及所述的第N堆迭发光层中的所述的主发光层会单独发光，而所述的附属发光层不发光。
3.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述的第一堆迭发光层、所述的第二堆迭发光层以及所述的第N堆迭发光层中的所述的附属发光层会单独发光，而所述的主发光层不发光。
4.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，其中当N＝3时，所述的第N颜色子像素为一第三颜色子像素，所述的第一颜色子像素为红色子像素，且所述的第一颜色子像素的所述的主发光层为一红色发光层，以使所述的第一颜色子像素发出红光，所述的第二颜色子像素为绿色子像素，且所述的第二颜色子像素的所述的主发光层为一绿色发光层，以使所述的第二颜色子像素发出绿光，且所述的第三颜色子像素为蓝色子像素，且所述的第三颜色子像素的所述的主发光层为一蓝色发光层，以使所述的第三颜色子像素发出蓝光。
5.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，当N＝3时，所述的第N颜色子像素为一第三颜色子像素，各所述的像素单元更包括：
一第一电极层；
一第二电极层，其中所述的第一颜色子像素、所述的第二颜色子像素以及所述的第三颜色子像素中的所述的第一堆迭发光层、所述的第二堆迭发光层以及第三堆迭发光层分别位于所述的第一电极层与所述的第二电极层之间；以及
一电洞注入层，位于所述的第一堆迭发光层、所述的第二堆迭发光层、所述的第三堆迭发光层与所述的第一电极层之间，且所述的电洞注入层的厚度会随着对应所述的第一颜色子像素、对应所述的第二颜色子像素或是对应所述的第三颜色子像素而具有不同厚度。
6.如权利要求5所述的像素阵列，其特征在于，所述的第一颜色子像素为红色子像素，且对应所述的红色子像素的所述的电洞注入层具有一第一厚度，所述的第二颜色子像素为绿色子像素，且对应所述的绿色子像素的所述的电洞注入层具有一第二厚度，所述的第三颜色子像素为蓝色子像素，且对应所述的蓝色子像素的所述的电洞注入层具有一第三厚度，其中所述的第一厚度大于所述的第二厚度，且所述的第二厚度大于所述的第三厚度。
7.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，当N＝4时，各像素单元另包含一第三颜色子像素，且所述的第N颜色子像素为第四颜色子像素，所述的第三颜色子像素的所述的主发光层与所述的第四颜色子像素的所述的附属发光层为同一材料层，且所述的第四颜色子像素的所述的主发光层与所述的第一颜色子像素的所述的附属发光层为同一材料层。
8.一种像素阵列的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括：
提供一基板，所述的基板包括预计形成一第一颜色子像素的一第一区、预计形成一第二颜色子像素的一第二区以及预计形成一第三颜色子像素的一第三区；
提供一第一遮罩结构，所述的第一遮罩结构具有一第一开口图案以及一第一遮蔽图案；
将所述的第一遮罩结构的所述的第一遮蔽图案对应所述的第三区设置，且将所述的第一开口图案对应所述的第一区以及所述的第二区设置；
进行第一颜色发光材料蒸镀，以于所述的第一开口图案所对应的所述的第一区以及所述的第二区上分别形成一第一颜色发光层；
提供一第二遮罩结构，所述的第二遮罩结构具有一第二开口图案以及一第二遮蔽图案；
将所述的第二遮罩结构的所述的第二遮蔽图案对应所述的第一区设置，且将所述的第二开口图案对应所述的第二区以及所述的第三区设置；
进行第二颜色发光材料蒸镀，以于所述的第二开口图案所对应的所述的第二区以及所述的第三区上分别形成一第二颜色发光层，其中所述的第二颜色发光层于所述的第二区中堆迭于所述的第一颜色发光层上方以构成所述的第二颜色子像素的一第二堆迭发光层；
提供一第三遮罩结构，所述的第三遮罩结构具有一第三开口图案以及一第三遮蔽图案；
将所述的第三遮罩结构的所述的第三遮蔽图案对应所述的第二区设置，且将所述的第三开口图案对应所述的第一区以及所述的第三区设置；
进行第三颜色发光材料蒸镀，以于所述的第三开口图案所对应的所述的第一区以及所述的第三区上分别形成一第三颜色发光层，其中所述的第三颜色发光层于所述的第一区中堆迭于所述的第一颜色发光层上方以构成所述的第一颜色子像素的一第一堆迭发光层，且所述的第三颜色发光层于所述的第三区中堆迭于所述的第二颜色发光层上方以构成所述的第三颜色子像素的一第三堆迭发光层。
9.如权利要求8所述的像素阵列的制造方法，其特征在于，所述的制造方法更包括：
于所述的基板上形成一第一电极层；
于所述的第一电极层上形成一电洞注入层；
于所述的电洞注入层上形成一电洞传输层，其中所述的第一颜色发光层、所述的第二颜色发光层以及所述的第三颜色发光层系依序形成于所述的电洞传输层上方；
于所述的第一颜色发光层、所述的第二颜色发光层以及所述的第三颜色发光层上形成一电子传输层；
于所述的电子传输层上形成一电子注入层；以及
于所述的电子注入层上形成一第二电极层。
10.如权利要求9所述的像素阵列的制造方法，其特征在于，在所述的第一颜色子像素的所述的第一堆迭发光层中的所述的第一颜色发光层形成在所述的电洞传输层的上方，且所述的第三颜色发光层形成在所述的第一颜色发光层的上方，于所述的第二颜色子像素的所述的第二堆迭发光层中的所述的第一颜色发光层形成在所述的电洞传输层的上方，且所述的第二颜色发光层形成在所述的第一颜色发光层的上方，且于所述的第三颜色子像素的所述的第三堆迭发光层中的所述的第二颜色发光层形成在所述的电洞传输层的上方，且所述的第三颜色发光层形成在所述的第二颜色发光层的上方。
11.如权利要求9所述的像素阵列的制造方法，其特征在于，所述的第一颜色子像素为红色子像素，且对应所述的红色子像素的所述的电洞注入层具有一第一厚度，所述的第二颜色子像素为绿色子像素，且对应所述的绿色子像素的所述的电洞注入层具有一第二厚度，所述的第三颜色子像素为蓝色子像素，且对应所述的蓝色子像素的所述的电洞注入层具有一第三厚度，其中，所述的第一厚度大于所述的第二厚度，且所述的第二厚度大于所述的第三厚度。
12.一种像素阵列，其特征在于，所述的像素阵列包括：
多个像素单元，其中各所述的像素单元包括N个不同颜色子像素相邻排列，分别为第一、第二至第N颜色子像素，其中N为整数且N≧3；
一第一颜色发光层设置于所述的第一颜色子像素和第二颜色子像素中；
一第二颜色发光层设置于所述的第二颜色子像素和第三颜色子像素中，且于所述的第二颜色子像素处，所述的第二颜色发光层设置在所述的第一颜色发光层上；以及
一第N颜色发光层设置于所述的第N颜色子像素和所述的第一颜色子像素中，且于所述的第N颜色子像素处，所述的第N颜色发光层设置在一第N-1颜色发光层上，且于所述的第一颜色子像素处，所述的第N颜色发光层设置在所述的第一颜色发光层上。
13.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，在所述的第一颜色子像素处，所述的第一颜色发光层会单独发光且所述的第N颜色发光层不发光，于所述的第二颜色子像素处，所述的第二颜色发光层会单独发光且所述的第一颜色发光层不发光，于所述的第N颜色子像素处，所述的第N颜色发光层会单独发光且所述的第N-1颜色发光层不发光。
14.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，所述的第一颜色子像素为红色子像素，且所述的第一颜色子像素藉由所述的第一颜色发光层发出红光，所述的第二颜色子像素为绿色子像素，且所述的第二颜色子像素藉由所述的第二颜色发光层发出绿光，且所述的第N颜色子像素为蓝色子像素，且所述的第N颜色子像素的藉由所述的第N颜色发光层发出蓝光。
15.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，所述的第一颜色子像素为红色子像素，且所述的第一颜色子像素藉由所述的第一颜色发光层发出红光，所述的第二颜色子像素为绿色子像素，且所述的第二颜色子像素藉由所述的第二颜色发光层发出绿光，且所述的第N颜色子像素为黄色子像素，且所述的第N颜色子像素的藉由所述的第N颜色发光层发出黄光。
16.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，各所述的像素单元更包括：
一第一电极层；
一第二电极层，其中所述的第一颜色子像素、所述的第二颜色子像素以及所述的第N颜色子像素中的所述的第一颜色发光层、所述的第二颜色发光层以及所述的第N颜色发光层分别位于所述的第一电极层与所述的第二电极层之间；以及
一电洞注入层，位于所述的第一颜色发光层、所述的第二颜色发光层、所述的第N颜色发光层与所述的第一电极层之间，且所述的电洞注入层的厚度会随着对应所述的第一颜色子像素、对应所述的第二颜色子像素或是对应所述的第N颜色子像素而具有不同厚度。
17.如权利要求16所述的像素阵列，其特征在于，所述的第一颜色子像素为红色子像素，且对应所述的红色子像素的所述的电洞注入层具有一第一厚度，所述的第二颜色子像素为绿色子像素，且对应所述的绿色子像素的所述的电洞注入层具有一第二厚度，所述的第N颜色子像素为蓝色子像素，且对应所述的蓝色子像素的所述的电洞注入层具有一第三厚度，其中，所述的第一厚度大于所述的第二厚度，且所述的第二厚度大于所述的第三厚度。
18.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，所述的第N颜色发光层为第四颜色发光层，且所述的第N-1颜色发光层为第三颜色发光层，且所述的第三颜色发光层设置于所述的第三颜色子像素与所述的第四颜色子像素中，于所述的第三颜色子像素处，所述的第三颜色发光层设置在所述的第二颜色发光层上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598106A (zh) * 2018-01-30 2018-09-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管像素排列结构及显示面板
US10504969B2 (en) 2018-01-30 2019-12-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode pixel arrangement structure and display panel

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
US11264597B2 (en) * 2020-06-22 2022-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Multiple QD-LED sub-pixels for high on-axis brightness and low colour shift
CN113161499B (zh) * 2021-04-13 2022-06-17 浙江大学 光电器件及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140183461A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
US20140319484A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and mask unit
US20160093678A1 (en) * 2014-09-30 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
CN106229300A (zh) * 2016-08-23 2016-12-14 武汉华星光电技术有限公司 像素结构及制作方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI281360B (en) 2005-08-31 2007-05-11 Univision Technology Inc Full color organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
TWI280817B (en) * 2005-09-02 2007-05-01 Univision Technology Inc Organic electroluminescent display device with color level enhancement
JP5127265B2 (ja) * 2006-04-05 2013-01-23 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機ｅｌ表示装置
JP2009122652A (ja) * 2007-10-23 2009-06-04 Sony Corp 表示装置及び電子機器
KR101182442B1 (ko) 2010-01-27 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
TW201324758A (zh) 2011-12-05 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
TW201324891A (zh) 2011-12-05 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
TW201324761A (zh) 2011-12-08 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
US8883531B2 (en) * 2012-08-28 2014-11-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
US8921842B2 (en) * 2012-11-14 2014-12-30 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101990312B1 (ko) * 2012-12-31 2019-06-18 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR101998627B1 (ko) * 2013-01-25 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그의 제조방법
TWI500146B (zh) 2013-04-25 2015-09-11 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
KR102129266B1 (ko) * 2014-04-30 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102305143B1 (ko) * 2014-08-20 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104617130A (zh) 2015-02-06 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素单元、oled显示面板及显示装置
CN104766875B (zh) 2015-03-30 2019-12-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种共用蓝光发光层的像素排布方式及有机电致发光装置
CN104733506B (zh) 2015-04-01 2017-10-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示器件及显示装置
CN104979375A (zh) * 2015-05-28 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN108023023B (zh) * 2016-10-31 2020-09-15 乐金显示有限公司 有机发光装置及使用该有机发光装置的有机发光显示装置
CN106449714B (zh) * 2016-11-09 2019-12-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
WO2018156876A1 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Kim, Jeehwan Methods and apparatus for vertically stacked multicolor light-emitting diode (led) display
US10784240B2 (en) * 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140183461A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
US20140319484A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and mask unit
US20160093678A1 (en) * 2014-09-30 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
CN106229300A (zh) * 2016-08-23 2016-12-14 武汉华星光电技术有限公司 像素结构及制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598106A (zh) * 2018-01-30 2018-09-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管像素排列结构及显示面板
WO2019148678A1 (zh) * 2018-01-30 2019-08-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管像素排列结构及显示面板
US10504969B2 (en) 2018-01-30 2019-12-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode pixel arrangement structure and display panel

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