CN107204358A - 像素结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种像素结构，包括基板、第一子像素结构、第二子像素结构及第三子像素结构。第一子像素结构、第二子像素结构及第三子像素结构配置于基板上，其中第一子像素结构与第二子像素结构沿第一方向排列，且第三子像素结构环绕第一子像素结构与第二子像素结构。

Description

像素结构

技术领域

本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种用于有机发光二极管显示面板的像素结构。

背景技术

近年来，由于有机发光二极管显示器具有自发光、广视角、省电、程序简易、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等等的优点，使其具有极大的潜力成为下一代平面显示器的主流。随着显示技术的不断进步，对于显示器的显示品质的要求也越益提高。因此，如何提高有机发光二极管显示器的显示品质仍是目前此领域极欲发展的目标。

发明内容

本发明提供一种像素结构，其可提高显示面板的显示品质。

本发明的像素结构包括基板、第一子像素结构、第二子像素结构及第三子像素结构。第一子像素结构、第二子像素结构及第三子像素结构配置于基板上，其中第一子像素结构与第二子像素结构沿第一方向排列，且第三子像素结构环绕第一子像素结构与第二子像素结构。

基于上述，在本发明的像素结构中，第一子像素结构与第二子像素结构沿一方向排列，且第三子像素结构环绕第一子像素结构与第二子像素结构，藉此包括本发明的像素结构的显示面板的显示品质可被提升。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的第一实施例的像素结构的上视示意图。

图2是沿着图1中的剖线A-A’的剖面示意图。

图3是依照本发明的第二实施例的像素结构的上视示意图。

图4是沿着图3中的剖线B-B’的剖面示意图。

图5是依照本发明的第三实施例的像素结构的上视示意图。

图6是沿着图5中的剖线C-C’的剖面示意图。

图7是依照本发明的第四实施例的像素结构的上视示意图。

图8是沿着图7中的剖线D-D’的剖面示意图。

其中，附图标记：

10、20、30、40：像素结构

100：基板

100A：第一子像素区域

100B：第二子像素区域

100C：第三子像素区域

110：元件层

120：第一电极层

120A、120B、120C：电极图案

130：第一发光层

132：第二发光层

134、234、434：第三发光层

140：隔离层

150：第二电极层

b、d、f：宽度

C1、C2、C3、3C3、C4、3C4、C5、3C5、C6、3C6：区域

D1、D2：方向

V1、V2：开口

U1、2U1、4U1：第一子像素结构

U2、2U2、4U2：第二子像素结构

U3、2U3、4U3：第三子像素结构

具体实施方式

以下将以图式揭露本发明的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意地方式为之。

本文使用的“约”或“近似”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±20％、±15％、±10％、±5％内。

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图元件符号表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。

本发明的像素结构例如可应用于有机发光二极管显示面板中。基于此，虽然为了详细地说明本发明的像素结构的设计，以下是以单一像素结构为例来作说明，但任何所属技术领域中具有通常知识者应可以了解，有机发光二极管显示面板一般包括由多个相同或相似的像素结构阵列排列而成的像素阵列。因此，任何所属技术领域中具有通常知识者可以根据以下针对单一像素结构的说明，而了解有机发光二极管显示面板中的像素阵列的结构或布局。

图1是依照本发明的第一实施例的像素结构的上视示意图。图2是依照本发明的第一实施例的像素结构沿着图1中的剖线A-A’的剖面示意图。请同时参照图1及图2，在本实施例中，像素结构10可包括基板100、元件层110、第一电极层120、第一发光层130、第二发光层132、第三发光层134、隔离层140以及第二电极层150。为了方便说明起见，图1中省略绘示第三发光层134以及第二电极层150等元件。另外，在本实施例中，像素结构10的形状(例如：垂直投影面积的形状)为正方形或类正方形，但不限于此。于其它实施例中，像素结构10的形状亦可为多边形、弧形、具有曲率或弯折的形状或其它合适的形状。

基板100包括第一子像素区域100A、第二子像素区域100B以及第三子像素区域100C。在本实施例中，基板100的材料例如是玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。

在本实施例中，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B沿方向D1排列，且第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B。详细而言，在本实施例中，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B以并列(side by side)方式排列，且第三子像素区域100C环绕于第一子像素区域100A与第二子像素区域100B的周围。在本文中，所述并列(side by side)方式排列并不是指二个子像素区域紧临而不具备任何的空间或间隔，而是指二个子像素区域相邻，且二个子像素区域之间仍具备有空间或间隔，可容纳其它的子像素区域。另一方面来说，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B位于第三子像素区域100C中，即第三子像素区域100C形成二个封闭的容纳区，第一子像素区域100A位于二个封闭的容纳区其中一个中，第二子像素区域100B位于二个封闭的容纳区另一个中。

第一电极层120配置于基板100上。详细而言，在本实施例中，第一电极层120包括彼此分离的电极图案120A、电极图案120B及电极图案120C，其中电极图案120A位于第一子像素区域100A中，则可称为第一电极图案120A，电极图案120B位于第二子像素区域100B中，则可称为第二电极图案120B，而电极图案120C位于第三子像素区域100C中，可称为第三电极图案120C。也就是说，在本实施例中，第一电极层120为经图案化的电极层，且第一电极层120位于第一子像素区域100A、第二子像素区域100B以及第三子像素区域100C中。

在本实施例中，第一电极层120可利用任何所属领域中具有通常知识者所周知的任一种制造电极层的方法来形成，例如：薄膜沉积及曝光与蚀刻方法、网版印刷方法、喷墨印刷方法、转印方式、曝光与蚀刻方法、或其它合适的方法。

元件层110配置于基板100上，且位于基板100与第一电极层120之间，用以提供驱动电压至第一电极层120，以使后续制程的第一发光层130、第二发光层132及/或第三发光层134发光。在本实施例中，元件层110可以是任何所属领域中具有通常知识者所周知的用于有机发光二极管显示面板的任一种主动元件层，例如:元件层110可至少包括多条扫描线、多条数据线、多个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)、多个电容器及至少一条电源线(power line，VDD)、或其它合适的电极或线，然而本发明不限于此。举例而言，在本实施例中，元件层110包含多个薄膜晶体管，第一子像素区域100A、第二子像素区100B与第三子像素区100C中的第一电极图案120A、第二电极图案120B与第三电极图案120C分别与所对应的薄膜晶体管连接，以使得各子像素分别接收所需要的信号。

在本实施例中，元件层110可具有2T1C的架构、3T1C的架构、4T2C的架构、6T1C的架构、7T2C的架构、或是任何可做应用于有机发光二极管显示面板中的其他架构。

另外，在本实施例中，第一电极层120可为单层或多层结构，且其材料可包括反射材料，其例如是金属、合金、金属氧化物等导电材料，或是金属与透明导电材料的堆叠层，上述透明导电材料例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、厚度小于60埃的金属及/或合金、奈米碳管/杆、或其它合适的透明导电材料。也就是说，在本实施例中，第一电极层120，较佳地，为反射电极层，则像素结构10可属于上发光型(topemission type)，但不限于此。于其它实施例中，第一电极层120可为透明导电层，则像素结构10可属于底发光型(bottom emission type)或双面发光型(dual emission type)。

第一发光层130、第二发光层132及第三发光层134配置在第一电极层120与第二电极层150之间。举例而言，第一发光层130可位于第一子像素区域100A中，第二发光层132可位于第二子像素区域100B中，第三发光层134可位于第一子像素区域100A、第二子像素区域100B及第三子像素区域100C中。换言之，在第一子像素区域100A中，第三发光层134覆盖第一发光层130，以及在第二子像素区域100B中，第三发光层134覆盖第二发光层132。于其它实施例中，第一发光层130可仅位于第一子像素区域100A中，第二发光层132可仅位于第二子像素区域100B中，而第三发光层134可为一连续结构层，连续分布于第一子像素区域100A、第二子像素区域100B及第三子像素区域100C中。在本实施例中，第三发光层134，较佳地，需选用电子迁移率(mobility)较快的材料，以使得在第三发光层134覆盖第一发光层130的第一子像素区域100A中，电子与电洞较容易于第一发光层130中结合而发光；以及在第三发光层134覆盖第二发光层132的第二子像素区域100B中，电子与电洞较容易于第二发光层132中结合而发光。另一方面，在本实施例中，可通过微共振腔效应控制位于第一子像素区域100A及第二子像素区域100B中的第三发光层134所发的光无法自像素结构10发射至外部。

在本实施例中，第一发光层130及第二发光层132例如是分别使用蒸镀制程或喷墨制程，且可选择性地搭配对应的掩膜，例如：精细(或称为精密)金属掩膜(fine metalmask，FMM)来形成。另外，在本实施例中，第三发光层134可为一连续结构层，因此第三发光层134不需使用掩膜，例如：FMM加以形成。详细而言，在本实施例中，第三发光层134例如是使用蒸镀制程或喷墨制程，且可选择性地搭配一般金属遮罩来形成。值得一提的是，在本实施例中，由于第三发光层134不需使用掩膜，例如：FMM加以形成，因此在像素结构10的制造过程中可减少FMM的使用次数，从而可降低生产成本与制程难度。

另外，在本实施例中，第一发光层130、第二发光层132与第三发光层134可分别为不同颜色的发光层，例如：第一发光层130可为红色发光层、第二发光层132可为绿色发光层及第三发光层134可为蓝色发光层，即第一发光层130可包括红色发光材料、第二发光层132可包括绿色发光材料及第三发光层134可包括蓝色发光材料。

隔离层140配置于第一电极层120上。举例而言，隔离层140具有开口V1及开口V2，其中开口V1暴露出第一电极层120的电极图案120A，即隔离层140未遮蔽第一电极层120的电极图案120A至少一部份，以及开口V2暴露出第一电极层120的电极图案120B，即隔离层140未遮蔽第一电极层120的电极图案120B至少一部份。另外，在本实施例中，第一发光层130至少位于开口V1内并覆盖被暴露出的电极图案120A，第二发光层132至少位于开口V2内并覆盖被暴露出的电极图案120B。于其它实施例中，隔离层140可封闭环绕第一发光层130及第二发光层132。在本实施例中，隔离层140的材料可为单层或多层结构，较佳地，可包括有机材料，例如：聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚酰胺(polyamide，PA)、聚酯(Polyester)、苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、光阻、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone，PVP)、对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、或其它合适的材料，但不限于此。于其它实施例中，隔离层140的材料也可包含无机材料、无机材料与有机材料的组合、或其它合适的材料，其中无机材料例如是：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料。

在本实施例中，隔离层140，例如：可用以定义第一子像素区域100A及第二子像素区域100B。举例而言，邻近第一发光层130的沿方向D2延伸的一侧边的隔离层140的宽度f的中心(或称为形心)到邻近前述侧边的对向侧边的隔离层140的宽度f的中心(或称为形心)之间的距离为第一子像素区域100A的宽度d，以及邻近第二发光层132的沿方向D2延伸的一侧边的隔离层140的宽度f的中心(或称为形心)到邻近前述侧边的对向侧边的隔离层140的宽度f的中心(或称为形心)之间的距离为第二子像素区域100B的宽度d。

第二电极层150配置在第一电极层120上。详细而言，第二电极层150可位于第一子像素区域100A、第二子像素区域100B以及第三子像素区域100C中。在本实施例中，第二电极层150可为单层或多层结构，且其材料包括反射导电材料(可参阅前文中的描述)、透明导电材料(可参阅前文中的描述)、或二者的组合。依照像素结构10类型可加以选择第二电极层150的材料，例如：若像素结构10可为上发光型，则第一电极层120的材料可具有反射性质(即第一电极层120可作为反射电极层)，第二电极层150的材料可为透明导电材料(即第二电极层150可作为透明电极层)；若像素结构10可为下发光型，则第一电极层120的材料可为透明导电材料(即第一电极层120可作为透明电极层)，第二电极层150的材料可具有反射性质(即第二电极层150可作为反射电极层)；若像素结构10可为双面发光型，则第一电极层120与第二电极层150的材料皆可为透明导电材料(即第一电极层120与第二电极层150皆可作为透明电极层)。也就是说，第一电极层120与第二电极层150的材料选用可实质上相同或不同。再者，在其他实施例中，依照像素结构10的类型，例如：上发光型或双面发光型，第二电极层150也可以是半穿透半反射电极。

另外，在本实施例中，第一电极层120可作为阳极，而第二电极层150可作为阴极。但必需说明的，就以设计上的需求来说，第一电极层120也可能作为阴极，而第二电极层150则可作为阳极。

在本实施例中，至少位于第一子像素区域100A中的元件层100、第一电极层120的电极图案120A、第一发光层130、第三发光层134及第二电极层150构成第一子像素结构U1；至少位于第二子像素区域100B中的元件层100、第一电极层120的电极图案120B、第二发光层132、第三发光层134及第二电极层150构成第二子像素结构U2；以及至少位于第三子像素区域100C中的元件层100、第一电极层120的电极图案120C、第三发光层134及第二电极层150构成第三子像素结构U3。也就是说，在本实施例中，像素结构10包括配置于基板100上的第一子像素结构U1、第二子像素结构U2及第三子像素结构U3，其中第一子像素结构U1位于第一子像素区域100A中，第二子像素结构U2位于第二子像素区域100B中，且第三子像素结构U3位于第三子像素区域100C中。

如前文所述，在本实施例中，第一发光层130可为红色发光层、第二发光层132可为绿色发光层及第三发光层134可为蓝色发光层，藉此第一子像素结构U1可发出红光、第二子像素结构U2可发出绿光及第三子像素结构U3可发出蓝光，即前述子像素结构U1～U3可分别发出不同颜色的光。换言之，第一子像素区域100A具有第一发光区(即可发出第一颜色光线的区域，例如：第一发光层130所在的区域)、第二子像素区域100B具有第二发光区(即可发出第二颜色光线的区域，例如：第二发光层132所在的区域)以及第三子像素区域100C具有第三发光区(即可发出第三颜色光线的区域，例如：第三发光层134所在的区域)，而这三区分别发出不同颜色的光。因此，第三子像素区域100C的第三发光区环绕于第一子像素区域100A的第一发光区与第二子像素区域100B的第二发光区的周围，即第三子像素区域100C的第三发光区形成二个封闭的容纳区，第一子像素区域100A的第一发光区位于二个封闭的容纳区其中一个中，第二子像素区域100B的第二发光区位于二个封闭的容纳区另一个中。另外，第一发光区的面积实质上等于或小于第一子像素区域100A的面积，第二发光区的面积实质上等于或小于第二子像素区域100B的面积，且第三发光区的面积实质上等于或小于第三子像素区域100C的面积。

如前文所述，在本实施例中，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B沿方向D1排列，且第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，因此第一子像素结构U1与第二子像素结构U2会沿方向D1排列，且第三子像素结构U3会环绕第一子像素结构U1与第二子像素结构U2周围，即第三子像素结构U3形成二个封闭的容纳区，第一子像素结构U1位于二个封闭的容纳区其中一个，第二子像素结构U2位于二个封闭的容纳区另一个。如此一来，包括像素结构10的显示面板的显示品质可被提升。

在本实施例中，设置有第一子像素结构U1的第一子像素区域100A、设置有第二子像素结构U2的第二子像素区域100B与第三子像素结构U3的第三子像素区域100C的形状(例如：垂直投影面积的形状)可为矩形或类矩形为范例，但不限于此。于其它实施例中，设置有第一子像素结构U1的第一子像素区域100A、设置有第二子像素结构U2的第二子像素区域100B与第三子像素结构U3的第三子像素区域100C的形状为多边形、弧形、具有曲率或弯折的形状、或其它合适的形状。举例而言，设置有第三子像素结构U3的第三子像素区域100C可具有沿方向D1延伸的第一矩形区域(或称为第一区域)C1和第二矩形区域(或称为第二区域)C2，以及沿与方向D1相垂直的方向D2延伸的第三矩形区域(或称为第三区域)C3、第四矩形区域(或称为第四区域)C4、第五矩形区域(或称为第五区域)C5和第六矩形区域(或称为第六区域)C6，其中第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6介于第一矩形区域C1与第二矩形区域C2之间。一般而言，第三子像素区域100C中前述各区域C1～C6可分别具有次发光区，例如：第一区域C1具有第一次发光区，且第一次发光区的面积实质上等于或小于第一区域C1，而其余各区域C2～C6中的次发光区(例如：第二次发光区～第六次发光区)可依此类推。因此，本实施例的第三发光区至少包含第一至第六次发光区。

在本实施例中，第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第三矩形区域C3和第四矩形区域C4共同环绕第一子像素区域100A；以及第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6共同环绕第二子像素区域100B。如前文所述，在本实施例中，由于第三子像素区域100C封闭环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，故第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第三矩形区域C3和第四矩形区域C4共同地封闭环绕第一子像素区域100A；且第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6共同地封闭环绕第二子像素区域100B。举例而言，第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6分别连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2。换句话说，第三区域C3的第三次发光区连接第一区域C1的第一次发光区与第二区域C2的第二次发光区，第四区域C4的第四次发光区连接第一区域C1的第一次发光区与第二区域C2的第二次发光区，以形成环绕第一子像素区域100A的容纳区来容纳第一子像素区域100A的第一发光区。第五区域C5的第五次发光区连接第一区域C1的第一次发光区与第二区域C2的第二次发光区，第六区域C6的第六次发光区连接第一区域C1的第一次发光区与第二区域C2的第二次发光区，以形成环绕第二子像素区域100B的容纳区来容纳第二子像素区域100B的第二发光区。另外，第四区域C4的第四次发光区邻接于第五区域C5的第五次发光区，但不限于此。在其他实施例中，第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6也可以分别不连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2，即第三子像素区域100C具有非连续的轮廓。换句话说，在第三子像素区域100C中，第三矩形区域C3的第三次发光区、第四矩形区域C4的第四次发光区、第五矩形区域C5的第五次发光区和第六矩形区域C6的第六次发光区也可以分别不连接第一矩形区域C1的第一次发光区与第二矩形区域C2的第二次发光区。

值得一提的是，与第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6可分别不连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2的实施例相比，第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6分别连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2的实施例可具有最大发光区域。

另一方面，在本实施例中，第一子像素区域100A和第二子像素区域100B的宽度d与第三子像素区域100C中的第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6的宽度b满足以下特定关系式：b＜0.25d。值得一提的是，像素结构10通过设置有第一子像素结构U1的第一子像素区域100A与设置有第二子像素结构U2的第二子像素区域100B沿方向D1排列，设置有第三子像素结构U3的第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，且b＜0.25d，使得与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列(即依序的子像素结构之间，不存在可容纳其它子像素结构的空间)的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构10的显示面板可在实质上相同的像素密度下具有提高的开口率，以及可在实质上相同的开口率下具有提高的像素密度。也就是说，与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构10的显示面板可具有提升的解析度。

另外，在本实施例中，在第一子像素结构U1、第二子像素结构U2及第三子像素结构U3中，第一电极层120与第二电极层150之间至少设置有一发光层130、第二发光层132及第三发光层134，但不限于此。在其他实施例中，在第一子像素结构U1、第二子像素结构U2及第三子像素结构U3中，第一电极层120与第二电极层150之间可更设置有以下膜层中的至少一者：电洞注入层(hole injection layer，HIL)、电洞传输层(hole transport layer，HTL)、电子注入层(electron injection layer，EIL)、电子传输层(electron transport layer，ETL)、或其它合适的膜层。

另外，在图1、2的实施例中，第三发光层134不需使用掩膜，例如：FMM加以形成，但不限于此。在其他实施例中，第三发光层134也可搭配使用掩膜，例如：FMM来形成。以下，将参照图3、4针对其他的实施型态进行说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用了前述实施例的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图3是依照本发明的第二实施例的像素结构的上视示意图。图4是沿着图3中的剖线B-B’的剖面示意图。请同时参照图3、4及图1、2，本实施例的像素结构20与第一实施例的像素结构10相似，差异主要在于发光层的布置方式，因此以下将针对两者之间的差异处进行说明，且其余可参阅前述，并不再赘述。另外，为了方便说明起见，图3中省略绘示第二电极层150。

请同时参照图3、4，在本实施例中，配置在第一电极层120与第二电极层150之间的第三发光层234可仅位于第三子像素区域100C中。也就是说，在本实施例中，第一发光层130、第二发光层132及第三发光层234彼此之间不相重叠。

在本实施例中，第三发光层234例如是使用蒸镀制程或喷墨制程并搭配对应的掩膜，例如：精细金属掩膜(fine metal mask，FMM)来形成。详细而言，在本实施例中，制备第三发光层234的方法例如包括：使用蒸镀制程或喷墨制程并搭配具有沿方向D1延伸的多个开口的掩膜，例如：FMM来形成位于第一矩形区域C1和第二矩形区域C2中的第三发光层234，以及使用蒸镀制程或喷墨制程并搭配具有沿方向D2延伸的多个开口的掩膜，例如：FMM来形成位于第三矩形区域C3、第四矩形区域C4、第五矩形区域C5和第六矩形区域C6中的第三发光层234。也就是说，在本实施例中，制备第三发光层234至少需要两道掩膜，例如：FMM。另外，在本实施例中，第三发光层234可为蓝色发光层。也就是说，在本实施例中，第三发光层234可包括蓝色发光材料。

在本实施例中，位于第一子像素区域100A中的元件层100、第一电极层120的电极图案120A、第一发光层130、及第二电极层150构成第一子像素结构2U1；位于第二子像素区域100B中的元件层100、第一电极层120的电极图案120B、第二发光层132、及第二电极层150构成第二子像素结构2U2；以及位于第三子像素区域100C中的元件层100、第一电极层120的电极图案120C、第三发光层234及第二电极层150构成第三子像素结构2U3。也就是说，像素结构20包括配置于基板100上的第一子像素结构2U1、第二子像素结构2U2及第三子像素结构2U3，其中第一子像素结构2U1位于第一子像素区域100A中，第二子像素结构2U2位于第二子像素区域100B中，且第三子像素结构2U3位于第三子像素区域100C中。

如前文所述，在本实施例中，第一发光层130可为红色发光层、第二发光层132可为绿色发光层及第三发光层234可为蓝色发光层，藉此第一子像素结构2U1可用于发出红光、第二子像素结构2U2可用于发出绿光及第三子像素结构2U3可用于发出蓝光，即前述子像素结构2U1～2U3可分别发光不同颜色的光。

如前文所述，在本实施例中，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B沿方向D1排列，且第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，因此第一子像素结构2U1与第二子像素结构2U2会沿方向D1排列，且第三子像素结构2U3会环绕第一子像素结构2U1与第二子像素结构2U2周围。如此一来，包括像素结构20的显示面板的显示品质可被提升。

像素结构20通过设置有第一子像素结构2U1的第一子像素区域100A与设置有第二子像素结构2U2的第二子像素区域100B沿方向D1排列，设置有第三子像素结构2U3的第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，且b＜0.25d，使得与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列(即依序的子像素结构之间，不存在可容纳其它子像素结构的空间)的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构20的显示面板可在实质上相同的像素密度下具有提高的开口率，以及可在实质上相同的开口率下具有提高的像素密度。也就是说，与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构20的显示面板可具有提升的解析度。

另外，在图1、2的实施例中，虽然第三矩形区域C3和C4第四矩形区域分别位于第一子像素区域100A的相对两侧，且第五矩形区域C5和第六矩形区域C6分别位于第二子像素区域100B的相对两侧，但本发明并不限于此。以下，将参照图5、6针对其他的实施型态进行说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用了前述实施例的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施方式不再重复赘述。

图5是依照本发明的第三实施例的像素结构的上视示意图。图6是沿着图5中的剖线C-C’的剖面示意图。请同时参照图5、6及图1、2，本实施例的像素结构30与第一实施例的像素结构10相似，差异主要在于子像素区域的布置方式，因此以下将针对两者之间的差异处进行说明，且其余可参阅前述，并不再赘述。另外，为了方便说明起见，图5中省略绘示第三发光层134以及第二电极层150。

请同时参照图5、6，在本实施例中，设置有第三子像素结构U3的第三子像素区域100C具有沿方向D1延伸的第一矩形区域(或称为第一区域)C1和第二矩形区域(或称为第二区域)C2，以及沿方向D2延伸的第三矩形区域(或称为第三区域)3C3、第四矩形区域(或称为第四区域)3C4、第五矩形区域(或称为第五区域)3C5和第六矩形区域(或称为第六区域)3C6，其中第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6介于第一矩形区域C1与第二矩形区域C2之间。

详细而言，在本实施例中，第三矩形区域3C3和第四矩形区域3C4位于第一子像素区域100A的一侧(例如：像素结构30的第一侧)，而第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6位于第一子像素区域100A的另一侧(例如：像素结构30的第二侧)，此也可视为第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6位于第二子像素区域100B的远离第一子像素区域100A的一侧(例如：像素结构30的第二侧)，即第二子像素区域100B位于第一子像素区域100A与第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6之间。也就是说，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B彼此相紧邻，即第一子像素区域100A与第二子像素区域100B之间不存在容纳其它子像素区域的空间(例如：不存在第三子像素区域100C一部份)，而第三矩形区域3C3和第四矩形区域3C4彼此相紧邻位于第一子像素区域100A一侧(例如：像素结构30的第一侧)，且第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6彼此相紧邻位于第一子像素区域100A的另一侧(例如：像素结构30的第二侧)。

进一步而言，在本实施例中，第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6共同环绕第一子像素区域100A及第二子像素区100B。如前文所述，在本实施例中，由于第三子像素区域100C封闭环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，故第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6共同地封闭环绕第一子像素区域100A及第二子像素区域100B。也就是说，在本实施例中，第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6分别连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2。然而，本发明并不限于此。在其他实施例中，第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6也可以分别不连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2。也就是说，第三子像素区域100C具有非连续的轮廓。在本实施例中，与第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6可分别不连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2的实施例相比，第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6分别连接第一矩形区域C1与第二矩形区域C2的实施例可具有最大发光区域。

另一方面，在本实施例中，第一子像素区域100A和第二子像素区域100B的宽度d与第三子像素区域100C中的第一矩形区域C1、第二矩形区域C2、第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6的宽度b满足以下特定关系式：b＜0.25d。值得一提的是，像素结构30通过设置有第一子像素结构U1的第一子像素区域100A与设置有第二子像素结构U2的第二子像素区域100B沿方向D1排列，设置有第三子像素结构U3的第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，且b＜0.25d，使得与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列(即依序的子像素结构之间，不存在可容纳其它子像素结构的空间)的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构30的显示面板可在实质上相同的像素密度下具有提高的开口率，以及可在实质上相同的开口率下具有提高的像素密度。也就是说，与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构30的显示面板可具有提升的解析度。

基于第一实施例可知，像素结构30通过第一子像素结构U1与第二子像素结构U2会沿方向D1排列，且第三子像素结构U3会环绕第一子像素结构U1与第二子像素结构U2，使得包括像素结构30的显示面板的显示品质可被提升。

另外，基于第一实施例可知，在图5、6的实施方式中，虽然第三发光层134不需使用掩膜，例如：FMM加以形成，但本发明并不限于此。在其他实施例中，第三发光层134也可搭配使用掩膜，例如：FMM来形成。以下，将参照图7、8针对其他的实施型态进行说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用了前述实施例的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图7是依照本发明的第四实施例的像素结构的上视示意图。图8是沿着图7中的剖线D-D’的剖面示意图。请同时参照图7、8及图5、6，本实施例的像素结构40与第三实施例的像素结构30相似，差异主要在于发光层的布置方式，因此以下将针对两者之间的差异处进行说明，且其余可参阅前述，并不再赘述。另外，为了方便说明起见，图7中省略绘示第二电极层150。

请同时参照图7、8，在本实施例中，配置在第一电极层120与第二电极层150之间的第三发光层434可仅位于第三子像素区域100C中。也就是说，在本实施例中，第一发光层130、第二发光层132及第三发光层434彼此之间不相重叠。

在本实施例中，第三发光层434例如是使用蒸镀制程或喷墨制程并搭配对应的掩膜，例如：精细金属掩膜(fine metal mask，FMM)来形成。详细而言，在本实施例中，制备第三发光层434的方法例如包括：使用蒸镀制程或喷墨制程并搭配具有沿方向D1延伸的多个开口的掩膜，例如：FMM来形成位于第一矩形区域C1和第二矩形区域C2中的第三发光层434，以及使用蒸镀制程或喷墨制程并搭配具有沿方向D2延伸的多个开口的掩膜，例如：FMM来形成位于第三矩形区域3C3、第四矩形区域3C4、第五矩形区域3C5和第六矩形区域3C6中的第三发光层434。也就是说，在本实施例中，制备第三发光层434至少需要两道掩膜，例如：FMM。另外，在本实施例中，第三发光层434可为蓝色发光层。也就是说，在本实施例中，第三发光层434包括蓝色发光材料。

进一步而言，在本实施例中，位于第一子像素区域100A中的元件层100、第一电极层120的电极图案120A、第一发光层130、及第二电极层150构成第一子像素结构4U1；位于第二子像素区域100B中的元件层100、第一电极层120的电极图案120B、第二发光层132、及第二电极层150构成第二子像素结构4U2；以及位于第三子像素区域100C中的元件层100、第一电极层120的电极图案120C、第三发光层234及第二电极层150构成第三子像素结构4U3。也就是说，在本实施例中，像素结构40包括配置于基板100上的第一子像素结构4U1、第二子像素结构4U2及第三子像素结构4U3，其中第一子像素结构4U1位于第一子像素区域100A中，第二子像素结构4U2位于第二子像素区域100B中，且第三子像素结构4U3位于第三子像素区域100C中。

如前文所述，在本实施例中，第一发光层130可为红色发光层、第二发光层132可为绿色发光层及第三发光层434可为蓝色发光层，藉此第一子像素结构4U1可用于发出红光、第二子像素结构4U2可用于发出绿光及第三子像素结构4U3可用于发出蓝光，即前述子像素结构4U1～4U3可分别发光不同颜色的光。

如前文所述，在本实施例中，第一子像素区域100A与第二子像素区域100B沿方向D1排列，且第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，因此第一子像素结构4U1与第二子像素结构4U2会沿方向D1排列，且第三子像素结构4U3会环绕第一子像素结构4U1与第二子像素结构4U2。如此一来，包括像素结构40的显示面板的显示品质可被提升。

另一方面，如前文所述，像素结构40通过设置有第一子像素结构4U1的第一子像素区域100A与设置有第二子像素结构4U2的第二子像素区域100B沿方向D1排列，设置有第三子像素结构4U3的第三子像素区域100C环绕第一子像素区域100A与第二子像素区域100B，且b＜0.25d，使得与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列(即依序的子像素结构之间，不存在可容纳其它子像素结构的空间)的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构40的显示面板可在实质上相同的像素密度下具有提高的开口率，以及可在实质上相同的开口率下具有提高的像素密度。也就是说，与包括各自尺寸为3d×d(或称为条状)的RGB子像素结构以依序且紧邻地方式排列的现有像素结构的显示面板相比，包括像素结构40的显示面板可具有提升的解析度。

再者，前述实施例中，较佳地，第一子像素区域100A中的第一电极图案120A、第二子像素区100B中的第二电极图案120B与第三子像素区100C中的第三电极图案120C所分别连接的对应的薄膜晶体管是不同的，但不限于此。于其它实施例中，任二相邻的第一子像素区域100A中的第一电极图案120A、第二子像素区100B中的第二电极图案120B与第三子像素区100C中的第三电极图案120C可连接于相同的薄膜晶体管。另外，薄膜晶体管的类型可为底栅型、顶栅型、或其它合适的类型。元件层110至少所包含的薄膜晶体管、电容器或其它合适的元件可分别位于对应的第一子像素区域100A、第二子像素区100B与第三子像素区100C，但不限于此。于其它实施例中，元件层110所包含的薄膜晶体管、电容器或其它合适的元件也可仅位于三个子像素区域100A～100C中的其中一者，或者也可位于三个子像素区域100A～100C中的其中二者。此外，在前述各实施例中，各个子像素结构(即第一子像素结构U1、2U1、4U1、第二子像素结构U2、2U2、4U2、或第三子像素结构U3、2U3、4U3)、各个子像素区域(即第一子像素区域100A、第二子像素区域100B或第三子像素区域100C)、前述各子像素区域的发光区、各个区域C1～C6与各区域C1～C6的次发光区其中至少一者的形状(例如：垂直投影面积的形状)以矩形或类矩形为范例，但不限于此。于其它实施例中，前述各实施例的各个子像素结构、各个子像素区域、前述各子像素区域的发光区、各个区域C1～C6与各区域C1～C6的次发光区其中至少一者的形状(例如：垂直投影面积的形状)也可为多边形、弧形、具有曲率或弯折的形状、或其它合适的形状。

综上所述，在本发明的像素结构中，第一子像素结构与第二子像素结构沿一方向排列，且第三子像素结构环绕第一子像素结构与第二子像素结构，藉此包括本发明的像素结构的显示面板的显示品质可被提升。另外，在本发明的像素结构中，设置有第一子像素结构的第一子像素区域与设置有第二子像素结构的第二子像素区域沿一方向排列，设置有第三子像素结构的第三子像素区域环绕第一子像素区域与第二子像素区域，且第一子像素区域和第二子像素区域的宽度d与第三子像素区域中的第一矩形区域、第二矩形区域、第三矩形区域、第四矩形区域、第五矩形区域和第六矩形区域的宽度b满足以下特定关系式：b＜0.25d，藉此包括本发明的像素结构的显示面板可具有提升的解析度。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (12)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；以及

一第一子像素结构、一第二子像素结构及一第三子像素结构，配置于该基板上，其中该第一子像素结构与该第二子像素结构沿一第一方向排列，且该第三子像素结构环绕该第一子像素结构与该第二子像素结构。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该基板包括一第一子像素区域、一第二子像素区域以及一第三子像素区域，其特征在于，该第一子像素结构位于该第一子像素区域中，该第二子像素结构位于该第二子像素区域中，且该第三子像素结构位于该第三子像素区域中。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第一子像素区域及该第二子像素区域的形状为矩形，该第三子像素区域具有沿该第一方向延伸的一第一矩形区域和一第二矩形区域，以及沿一第二方向延伸的一第三矩形区域、一第四矩形区域、一第五矩形区域和一第六矩形区域，其中该第一方向与该第二方向相垂直，且该第三矩形区域、该第四矩形区域、该第五矩形区域和该第六矩形区域介于该第一矩形区域与该第二矩形区域之间。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第一子像素区域和该第二子像素区域分别具有宽度d，该第一矩形区域、该第二矩形区域、该第三矩形区域、该第四矩形区域、该第五矩形区域和该第六矩形区域分别具有宽度b，且b＜0.25d。

5.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于：

该第一矩形区域、该第二矩形区域、该第三矩形区域和该第四矩形区域共同环绕该第一子像素区域；以及

该第一矩形区域、该第二矩形区域、该第五矩形区域和该第六矩形区域共同环绕该第二子像素区域。

6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第三矩形区域和该第四矩形区域位于该第一子像素区域的一侧，该第五矩形区域和该第六矩形区域位于该第一子像素区域的另一侧，且该第一矩形区域、该第二矩形区域、该第三矩形区域、该第四矩形区域、该第五矩形区域和该第六矩形区域共同环绕该第一子像素区域及该第二子像素区域。

7.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第三矩形区域、该第四矩形区域、该第五矩形区域和该第六矩形区域分别连接该第一矩形区域与该第二矩形区域。

8.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第一子像素结构包括一第一发光层，该第二子像素结构包括一第二发光层，该第三子像素结构包括一第三发光层。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第三发光层更覆盖该第一发光层及该第二发光层。

10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第一发光层仅位于该第一子像素区域中，该第二发光层仅位于该第二子像素区域中，该第三发光层仅位于该第三子像素区域中。

11.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第一发光层为红色发光层，该第二发光层为绿色发光层，且该第三发光层为蓝色发光层。

12.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构的形状为正方形。