CN107203236A - 温度控制电路 - Google Patents

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    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/30Automatic controllers with an auxiliary heating device affecting the sensing element, e.g. for anticipating change of temperature
    • G05D23/32Automatic controllers with an auxiliary heating device affecting the sensing element, e.g. for anticipating change of temperature with provision for adjustment of the effect of the auxiliary heating device, e.g. a function of time

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Abstract

本发明提供一种锂电池生产环节中所用真空烤箱的温度控制电路,所述温度控制电路包括串联有电热丝的温度控制主回路、控制温度主回路通断的继电器控制电路和与所述继电器的常开触点串联的可控硅控制电路,可控硅控制电路的输入端与单片机相连;所述继电器控制电路的输入端与单片机相连。正常情况下,由单片机分别控制可控硅和继电器而对电热丝的加热工作进行控制,当可控硅被击穿后,则由单片机控制继电器而单独进行控温;当继电器被击穿后,则由单片机控制可控硅而单独进行控温,从而可控硅和继电器实现了双重控温,即本发明温度控制电路中的可控硅和继电器的一个被击穿后中还可以正常控温,可靠性高,消除了安全隐患。

Description

温度控制电路
技术领域
本发明涉及温控电路技术领域,特别是涉及一种锂电池生产环节中所用真空烤箱的温度控制电路。
背景技术
目前,大多数的电子产品采用锂电池为其提供电源,而在电子产品的使用过程中,通常会出现锂电池发热、发烫的问题,如果锂电池内部有存在水分因子,那么长时间的发热会使锂电池本身的热量增加,让其内部水分蒸发空气剧烈膨胀,导致锂电池产生突起,更甚的是会导致锂电池爆炸,因此,在锂电池生产工序中需要采用真空烤箱对锂电池的壳体进行烘干以尽可能的去除其水分,延长电池的使用寿命及降低电池爆炸的危险。
真空烤箱在对锂电池的壳体进行烘烤的工程中,需要严格的控制温度,现有真空烤箱的温度控制电路如图1所示,其由PLC发送控制信号,控制信号控制固态继电器的闭合和断开,从而实现对电热丝的加热工作进行控制。而在对电热丝的加热过程中,固态继电器容易被击穿,击穿后的固态继电器相当于开关短路,不能对再电热丝加热工作进行控制,造成电热丝处于持续的供电状态,安全隐患大。另外,PLC控制温度算法固定,控制温度精度差,需要现场反复调试。
发明内容
本发明的目的在于提供一种温度控制电路,旨在解决现有技术中真空烤箱的温度控制电路因固态继电器被击穿而出现较大安全隐患的问题。
为实现上述目的,本发明温度控制电路采用的技术方案是:所述温度控制电路包括串联有电热丝的温度控制主回路和控制温度主回路通断的继电器控制电路,所述温度控制电路还包括与所述继电器的常开触点串联的可控硅控制电路,可控硅控制电路的输入端与单片机相连以接受单片机发送的第一控制信号而控制可控硅的导通角;所述继电器控制电路的输入端与单片机相连以接受单片机发送的第二控制信号而控制继电器的断开和闭合。
所述第一控制信号通过光耦可控硅隔离的方式控制所述可控硅控制电路。
所述第二控制信号通过光耦可控硅的方式控制所述继电器控制电路。
所述第一信号为根据交流过零信号进行控制的脉冲信号。
所述可控硅控制电路中连接有用于指示所述可控硅输出状态的第一激光二极管。
所述继电器控制电路中连接有用于指示所述继电器输出状态的第二激光二极管。
所述温度主控制回路中连接有保险丝。
所述温度主控制回路中连接有用于指示险丝熔断的并与所述保险丝并联的快速二极管。
本发明的有益效果:本发明的温度控制电路包括由单片机控制的可控电路和继电器控制电路,正常情况下,由单片机发出的第一控制信号和第二控制限号分别控制可控硅和继电器而对电热丝的加热工作进行控制,即对温度进行精度控制;当可控硅被击穿后,则由单片机发出第二控制信号控制继电器而单独进行控温;当继电器被击穿后,则由单片机发出第一控制信号控制可控硅而单独进行控温,从而可控硅和继电器实现了双重控温,即可控硅和继电器中的一个被击穿后温度控制电路还可以正常控温,极大地提高了温度控制电路的可靠性,有效解决了现有技术中温度控制电路因固态继电器被击穿而出现较大安全隐患的问题。
附图说明
图1是现有技术中温度控制电路图;
图2是本发明温度控制电路的电路图;
图3是单片机的接口电路图;
图4是RS485通讯电路图;
图5是风扇控制电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施方式作进一步说明。
本发明温度控制电路的实施例,如图2所示,该温度控制电路用于控制锂电池生产环节中所用真空烤箱的温度控制,其包括串联有电热丝的温度控制主回路、控制温度主回路通断的继电器控制电路和与继电器K的常开触点串联的可控硅控制电路,可控硅控制电路的输入端与单片机相连,单片机发送第一控制信号控制可控硅的导通角而对温度进行控制;继电器控制电路的输入端与单片机相连,单片机发送第二控制信号控制继电器的闭合和断开而对温度进行控制。
可控硅控制电路中串接有第一激光二极管LD1,第一激光二极管LD1用于指示可控硅的输出状态,以便使用者观察可控硅的工作情况。为了便于观察继电器K的输出状态,在继电器电路中连接有指示继电器输出状态的第二激光二极管LD2。
为防止温度控制电路失去对电热丝R0的加热控制,造成对电热丝R0持续供电而出现起火的现象,在温度主控制回路中连接有保险丝F,保险丝F在大电流下被烧坏而及时切断供电电源,有效防止了对电热丝R0的过渡加热。
温度主控制回路中连接有与保险丝F并联的快速二极管fD,快速二极管fD用于指示保险丝F的熔断,根据快速二极管fD的指示可以判断保险丝F是否熔断,以便于检修。
第一控制信号为根据交流过零信号进行控制的脉冲信号,且第一控制信号通过光耦可控硅隔离的方式控制可控硅控制电路;第二控制信号通过光耦可控硅的方式控制继电器控制电路。
单片机的接口电路如3图所示,其程序采用自适应的模糊控制算法,与PLC控制温度算法相比,控制精度高,不需要现场调试;同时,单片机采用RS485通讯模块,RS485通讯电路如图4所示,其一路用来采集真空烤箱内的温度数据,一路用来上传温度数据到主控模块并接收控制指令。
当需要为电热丝RO加热时,继电器K接受的单片机发送的第二控制信号,第二控制信号控制继电器K吸合,此时,温度主控制回路接通开始加热电热丝;同时,可控硅接受单片机发送的第一控制信号,第一控制信号控制可控硅动作;当可控硅被击穿后,则由单片机发出第二控制信号控制继电器K而单独进行控温;当继电器K被击穿后,则由单片机发出第一控制信号控制可控硅而单独进行控温,从而可控硅和继电器K实现了双重控温,即可控硅和继电器中的一个被击穿后温度控制电路还可以正常控温,极大地提高了温度控制电路的可靠性。
另外,由于加在可控硅控制极G1上的触发脉冲的大小和时间改变,可以使可控硅导通电流随之改变,可控硅接受第一控制信号,根据过零信号获得脉冲控制信号,可以控制可控硅的导通角,即控制可控硅应该在过零后什么时刻导通,从而可以控制电热丝的加热功率,以实现精确控温。
电路板上可以集成一个或一个以上的本发明温度控制电路,即电路板上集成了一个或多个控制通道,其体积小于由PLC控制的独立的固态继电器,同时线路采用插件安装,大大降低了劳动强度,提高了生产效率,有效降低了成本。电路板上还集成了风扇控制电路,风扇控制电路图如图5所示。
在其他实施例中,所述第一控制信号可通过放大电路发送到可控硅的控制极电路;所述第二控制信号可通过放大电路发送给继电器;温度控制电路中也可不连接第一激光灯、第二激光灯、保险丝。

Claims (8)

1.温度控制电路,包括串联有电热丝的温度控制主回路和控制温度主回路通断的继电器控制电路,其特征在于:所述温度控制电路还包括与所述继电器的常开触点串联的可控硅控制电路,可控硅控制电路的输入端与单片机相连以接受单片机发送的第一控制信号而控制可控硅的导通角;所述继电器控制电路的输入端与单片机相连以接受单片机发送的第二控制信号而控制继电器的断开和闭合。
2.根据权利要求1所述的温度控制回路,其特征在于:所述第一控制信号通过光耦可控硅隔离的方式控制所述可控硅控制电路。
3.根据权利要求1所述的温度控制回路,其特征在于:所述第二控制信号通过光耦可控硅的方式控制所述继电器控制电路。
4.根据权利要求1或2或3所述的温度控制回路,其特征在于:所述第一信号为根据交流过零信号进行控制的脉冲信号。
5.根据权利要求1所述的温度控制回路,其特征在于:所述可控硅控制电路中连接有用于指示所述可控硅输出状态的第一激光二极管。
6.根据权利要求1所述的温度控制回路,其特征在于:所述继电器控制电路中连接有用于指示所述继电器输出状态的第二激光二极管。
7.根据权利要求1所述的温度控制电路,其特征在于:所述温度主控制回路中连接有保险丝。
8.根据权利要求7所述的温度控制电路,其特征在于:所述温度主控制回路中连接有用于指示险丝熔断的并与所述保险丝并联的快速二极管。
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