CN107192384B - 一种mems三轴陀螺仪 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种MEMS三轴陀螺仪，包括由内到外依次布置的中央锚点、第一子质量块、第一解耦结构、第二子质量块和第三子质量块。当第一子质量块在绕第三方向的驱动模态下发生谐振时，其运动方向近似于沿第一方向运动，当第一子质量块受到绕第二方向的角速度时，会产生沿第三方向的科氏力，在科氏力作用下第一子质量块会产生绕第一方向的位移，由于第一解耦结构的轴也在第一方向上，因此，第一子质量块在第一方向的检测模态下仅有很小的一部分力传递到第一解耦结构上，而第一解耦结构传递给第二子质量块的力也会很小，减少了第一子质量块和第二子质量块之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。

Description

一种MEMS三轴陀螺仪
技术领域
本发明涉及惯性技术领域，更具体地说，涉及一种MEMS三轴陀螺仪。
背景技术
MEMS（Micro Electro Mechanical System，微机电系统）三轴陀螺仪包括驱动部分和检测部分，通过驱动部分和检测部分的耦合作用实现对运动角速度的测量；陀螺仪处于驱动模态，当在与驱动模态运动轴向垂直的方向有角速度输入时，由于科里奥利效应陀螺仪在检测轴向产生检测模态的运动，通过测量检测模态的位移，来实现对角速度的检测。
传统的MEMS三轴陀螺仪机械结构由三个独立的X, Y, Z单轴陀螺仪构成，每个单轴陀螺仪机械结构分别包含独立的质量块、驱动结构和检测结构，并且相应的ASIC电路中需要采用三套独立的驱动电路分别驱动，从而导致三轴陀螺体积较大。
为了解决MEMS三轴陀螺仪体积较大的问题，又一种共享质量块的MEMS三轴陀螺仪应运而生，该陀螺仪机械结构包括三组质量块、一组驱动结构和三组检测结构，即，使用一组驱动结构同时对X, Y, Z三个轴的对应质量块进行驱动，该MEMS三轴陀螺仪机械结构方面节省了两组驱动结构的面积，并且相对应的ASIC电路中也可以节省两套驱动电路的面积。但是，上述结构的MEMS三轴陀螺仪当驱动结构对X、Y和Z三个轴对应的质量块进行驱动时，各轴质量块之间存在运动干扰，从而造成了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
因此，如何减少轴间信号串扰，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明所要解决的技术问题是如何减少轴间信号串扰，为此，本发明提供了一种MEMS三轴陀螺仪。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案。
一种MEMS三轴陀螺仪，包括由内到外依次布置的中央锚点、第一子质量块、第二子质量块和第三子质量块，其中，在驱动模态下，所述MEMS三轴陀螺仪绕第三方向谐振；在检测模态下，所述第一子质量块可绕第一方向的轴谐振，所述第二子质量块可绕第二方向的轴谐振，所述第三子质量块可沿第一方向或第二方向谐振；所述第一方向，所述第二方向和所述第三方向相互垂直；所述第一子质量块和所述第二子质量块之间设置有第一解耦结构，所述第一解耦结构沿第一方向对称的连接在所述第一子质量块上，所述第一解耦结构沿第二方向对称的连接在所述第二子质量块上。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，还包括设置在所述第三子质量块与所述第二子质量块之间的第二解耦结构，所述第二解耦结构沿第二方向y对称的连接在所述第二子质量块上。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第一子质量块通过在第一方向对称的第一弹簧悬挂在中央锚点上。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第一解耦结构通过在第一方向对称的第二弹簧悬挂在所述第一子质量块上。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第二子质量块通过在第二方向对称的第三弹簧悬挂在所述第一解耦结构上。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第二解耦结构通过在第二方向对称的第四弹簧悬挂在所述第二子质量块上，所述第三子质量块通过第五弹簧悬挂在所述第二解耦结构上。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第三子质量块包括在第一方向对称布置或在第二方向对称布置的分子质量块，所述分子质量块的数量为偶数个。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第三子质量块在第一方向对称布置有两个分子质量块，在第二方向对称布置有两个分子质量块。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第三子质量块中的分子质量块均对应有一个分子检测电极，所述分子检测电极为梳齿检测电极。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第三子质量块中相邻的分子质量块通过第六弹簧相互耦合。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第二解耦结构还设置有容纳所述第六弹簧的凹槽。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，还包括多个周边锚点，所述第二解耦结构通过第七弹簧与多个所述周边锚点连接。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述周边锚点的数量为四个，分别布置在所述第二解耦结构的四角。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述MEMS三轴陀螺仪的驱动电极对称的设置在所述第二解耦结构的四角，用于驱动所述第二解耦结构在第三方向绕中央锚点谐振。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第二解耦结构绕第二方向的轴与所述第二子质量块绕第二方向的轴共线。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第一解耦结构绕第一方向的轴与所述第一子质量块绕第一方向的轴共线。
优选地，上述MEMS三轴陀螺仪中，所述第一解耦结构绕第一方向的轴与所述第二解耦结构绕第二方向的轴的交点通过所述中央锚点的中心。
从上述的技术方案可以看出，采用本发明实施例中的MEMS三轴陀螺仪，当第一子质量块在绕第三方向的驱动模态下发生谐振时，其运动方向近似于沿第一方向运动，当第一子质量块受到绕第二方向的角速度时，会产生沿第三方向的科氏力，在科氏力作用下第一子质量块会产生绕第一方向的位移，由于第一解耦结构的轴也在第一方向上，因此，第一子质量块在第一方向的检测模态下仅有很小的一部分力传递到第一解耦结构上，而第一解耦结构传递给第二子质量块的力也会很小，减少了第一子质量块和第二子质量块之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一所提供的一种MEMS三轴陀螺仪的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例二所提供的一种MEMS三轴陀螺仪的俯视结构示意图；
图3为本发明实施例三所提供的一种MEMS三轴陀螺仪的俯视结构示意图；
图4为本发明实施例四所提供的一种MEMS三轴陀螺仪的俯视结构示意图。
其中，100为中央锚点、200为第一子质量块、300为第一解耦结构、400为第二子质量块、500为第二解耦结构、600为第三子质量块、700为驱动电极、800为第三检测电极、900为周边锚点、1为第一弹簧、2为第二弹簧、3为第三弹簧、4为第四弹簧、5a和5b为第五弹簧、6为第六弹簧、7为第七弹簧。
具体实施方式
本发明的第一个核心在于提供一种MEMS三轴陀螺仪，在减少轴间信号串扰。
以下，参照附图对实施例进行说明。此外，下面所示的实施例不对权利要求所记载的发明内容起任何限定作用。另外，下面实施例所表示的构成的全部内容不限于作为权利要求所记载的发明的解决方案所必需的。
请参阅图1至图4，本发明实施例的MEMS三轴陀螺仪，包括由内到外依次布置的中央锚点100、第一子质量块200、第二子质量块400和第三子质量块600，其中，在驱动模态下，MEMS三轴陀螺仪绕第三方向z谐振；在检测模态下，第一子质量块200可绕第一方向x的轴谐振，第二子质量块400可绕第二方向y的轴谐振，第三子质量块600可沿第一方向x或第二方向y谐振；第一方向x，第二方向y和第三方向z相互垂直；第一子质量块200和第二子质量块400之间设置有第一解耦结构300，第一解耦结构300沿第一方向对称的连接在第一子质量块200上，第一解耦结构300沿第二方向对称的连接在第二子质量块400上。
需要说明的是，第一子质量块200对应第一方向x的检测模态，第二子质量块400对应第二方向y的检测模态，第三子质量块600对应第三方向z的检测模态。在驱动模态下，整个MEMS三轴陀螺仪绕第三方向z谐振；第一子质量块200运动方向近似于沿第一方向x运动，第二子质量块400运动方向近似于沿第二方向y运动, 第三子质量块600运动方向近似于沿第一方向x或第二方向y运动。
第一子质量块200在绕第三方向的驱动模态下发生谐振时，其运动方向近似于沿第一方向x运动，当第一子质量块200检测到绕第二方向y的角速度时，第一子质量块200产生第三方向z的科氏力，第一子质量块200会产生绕第一方向x转动的位移，通过第一子质量块200对应的第一子检测电极检测该位移可表征第二方向y的角速度；
第二子质量块400在绕第三方向的驱动模态下发生谐振时，其运动方向近似于沿第二方向y运动，当第二子质量块400检测到绕第一方向x的角速度时，第二子质量块400产生第三方向z的科氏力，第二子质量块400会产生绕第二方向y转动的位移，通过第二子质量块400对应的第二子检测电极检测该位移可以表征第一方向x的角速度；
第三子质量块600在绕第三方向的驱动模态下发生谐振时，第三子质量块600运动方向近似于沿第二方向y或第一方向x运动。当第三子质量块600检测到绕第三方向z的角速度时，第三子质量块600产生第一方向x的科氏力，第三子质量块600会产生沿第一方向x的位移；或者第三子质量块600产生第二方向y的科氏力，第三子质量块600会产生沿第二方向y的位移，通过第三子质量块600对应的第三子检测电极检测该位移可以表征第三方向z的角速度。
本发明实施例中的MEMS三轴陀螺仪通过设置第一解耦结构300，使得第一子质量块200在第一方向x的检测模态下有很少的作用力传递给第一解耦结构300，从而达到第一子质量块200与第二子质量块400之间的解耦；第二子质量块400在第二方向y的检测模态下有很少的作用力传递给第一解耦结构300，从而达到第二子质量块400与第一子质量块200之间的解耦。具体的，当第一子质量块200在绕第三方向z的驱动模态下发生谐振时，运动方向近似于沿第一方向x, 此时若受到绕第二方向y的角速度，第一子质量块200会受沿第三方向z的科氏力，第一子质量块200会产生绕第一方向x的位移，由于第一解耦结构300在第一方向对称的连接在第一子质量块200上，因此，第一子质量块200在第一方向x的检测模态下仅有很小的一部分力传递到第一解耦结构300上，而第一解耦结构300传递给第二子质量块400的力也会很小，减少了第一子质量块200与第二子质量块400之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
反之，当第二子质量块400在绕第三方向z的驱动模态下发生谐振时，运动方向近似于沿第二方向y, 此时若受到绕第一方向x的角速度，第二子质量块400会受沿第三方向z的科氏力，第二子质量块400会产生绕第二方向y的位移，由于第一解耦结构300在第二方向对称的安装在第二子质量块400上，因此，第二子质量块400在第二方向y检测模态下仅有很小的一部分力传递到第一解耦结构300上，而第一解耦结构300传递给第一子质量块200的力也会很小，减少了第二子质量块400与第一子质量块200之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
实现检测上述各方向的位移有很多种，在本发明实施例中，第一子质量块200对应有第一子检测电极，第二子质量块400对应有第二子检测电极，第三子质量块600对应有第三子检测电极800，其中，第一子检测电极与第一子质量块200沿第三方向z布置，第二子检测电极与第二子质量块400沿第三方向z布置。第三子质量块600对应的第三子检测电极与第三子质量块600在第一方向x和第二方向y确定的平面内。
上述第一子质量块200具有绕第一方向x旋转的轴，第一解耦结构300具有绕第一方向x旋转的轴，当第一子质量块200具有绕第一方向x旋转的轴与第一解耦结构300具有绕第一方向x旋转的轴共线（重合）时，第一子质量块200通过第二弹簧2传递给第一解耦结构300的力可忽略不计，第一解耦结构300通过第三弹簧3传递给第二子质量块400的力更小，采用此种布置形式可完全达到第一子质量块200与第二子质量块400的机械解耦以及第二子质量块400与第一子质量块200的机械解耦。
为了进一步减少轴间信号串扰，该MEMS三轴陀螺仪中，在第三子质量块600与第二子质量块400之间设置有第二解耦结构500，该第二解耦结构500沿第二方向y对称的连接在第二子质量块400上。通过设置第二解耦结构500，使得第二子质量块400在第二方向x的检测模态下有很少的作用力传递给第二解耦结构500，从而达到第二子质量块400与第三子质量块600之间的解耦；第三子质量块600在第三方向y的检测模态下有很少的作用力传递给第二解耦结构500，从而达到第三子质量块600与第二子质量块400之间的解耦。
具体的，当第二子质量块400在绕第三方向z的驱动模态下发生谐振时，运动方向近似于沿第二方向y, 此时若受到绕第一方向x的角速度，第二子质量块400会受沿第三方向z的科氏力，第二子质量块400会产生绕第二方向y的位移，由于第二解耦结构500在第二方向y对称的连接在第二子质量块400上，因此，第二子质量块400在第二方向y的检测模态下仅有很小的一部分力传递到第二解耦结构500上，而第二解耦结构500传递给第三子质量块600的力也会很小，减少了第二子质量块400与第三子质量块600之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
反之，当第三子质量块600在绕第三方向z的驱动模态下发生谐振时，运动方向近似于沿第二方向y运动 此时若受到绕第三方向z的角速度，第三子质量块600会受沿第一方向x的科氏力，第三子质量块600会产生沿第一方向x的位移，由于第二解耦结构500与第三子质量块600之间沿第一方向x的刚度较小，因此，第三子质量块600在第一运动方向x检测模态下，第二解耦结构500与第三子质量块600较易发生形变而吸收大部分能量，仅有很小的一部分力传递到第二解耦结构500上，而第二解耦结构500传递给第二子质量块400的力也会很小，减少了第三子质量块600与第二子质量块400之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
或者，当第三子质量块600在绕第三方向z的驱动模态下发生谐振时，运动方向近似于沿第一方向x, 此时若受到绕第三方向z的角速度，第三子质量块600会受沿第二方向y的科氏力，第三子质量块600会产生沿第二方向y的位移，由于第二解耦结构500与第三子质量块之间被配置为沿第二方向y的刚度较小因此，第三子质量块600在沿第二方向y的检测模态下，第二解耦结构500与第三子质量块600之间较易发生形变而吸收大部分能量，仅有很小的一部分力传递到第二解耦结构500上，而第二解耦结构500通过传递给第二子质量块400的力也会很小，减少了第三子质量块600与第二子质量块400之间的运动干扰，从而减少了MEMS三轴陀螺仪的轴间信号串扰。
上述第二子质量块400具有绕第二方向y旋转的轴，第二解耦结构500具有绕第二方向y旋转的轴，当第二子质量块400具有绕第二方向y旋转的轴与第二解耦结构500具有绕第二方向y旋转的轴共线（重合）时，第二子质量块400通过第四弹簧4传递给第二解耦结构500的力可忽略不计，第二解耦结构500通过第五弹簧传递给第三子质量块600的力更小，采用此种布置形式可完全达到第二子质量块400与第三子质量块600的机械解耦以及第三子质量块600与第二子质量块400的机械解耦。
为了进一步优化上述方案，第一解耦结构300绕第一方向x的轴与第二解耦结构500绕第二方向y的轴的交点通过中央锚点100的中心。
本发明实施例中实现第一子质量块与中央锚点，第一解耦结构与第一子质量块，第一解耦结构与第二子质量块，第二子质量块与第二解耦结构，第二解耦结构与第三子质量块之间的连接方式为常规的连接形式，均通过弹簧连接，该弹簧可以为弹性梁或者折叠梁。具体的，
第一子质量块200通过在第一方向x对称的第一弹簧1悬挂在中央锚点100上；进一步的，第一解耦结构300通过在第一方向x对称的第二弹簧2悬挂在第一子质量块200上；进一步的，第二子质量块400通过在第二方向y对称的第三弹簧3悬挂在第一解耦结构300上。
第二解耦结构500通过在第二方向y对称的第四弹簧4悬挂在第二子质量块400上，第三子质量块600通过第五弹簧悬挂在第二解耦结构500上。
由于第三子质量块600在绕第三方向的驱动模态下发生谐振时，第三子质量块600运动方向近似于沿第二方向y或第一方向x运动。若第三子质量块600在检测到绕第三方向z的角速度时，会受到沿第一方向x的科氏力或者第二方向y的科氏力，为此，本发明实施例中第三子质量块600包括在第一方向x对称布置或在第二方向y对称布置的分子质量块，分子质量块的数量为偶数个，每个分子质量块通过第五弹簧悬挂在第二解耦结构500上。位于左右的两个分子质量块通过第五弹簧5a悬挂在第二解耦结构500上，位于上下的分子质量块通过第五弹簧5b悬挂在第二解耦结构500上。第三子质量块600中的分子质量块均对应有一个分子检测电极，分子检测电极为梳齿检测电极。
第三子质量块600中相邻的分子质量块通过第六弹簧6相互耦合，能够进一步确保了振动频率，幅度的一致性，减少了对加工工艺一致性的依赖，并且增强了对外界冲击的抵抗力。为了减小占用面积，第二解耦结构500还设置有容纳第六弹簧6的凹槽。
另外，本发明实施例中除了具有中央锚点100外，还可以设置有周边锚点900，其中中央锚点100以及周边锚点900的作用均连接基底，且在驱动电极700驱动整个MEMS三轴陀螺仪绕第三方向z谐振时，中央锚点100以及周边锚点900均不动。中央锚点100布置在MEMS三轴陀螺仪的中心位置，周边锚点900位于中央锚点100的四周，周边锚点900的数量为多个，多个周边锚点900对称布置。
实施例一
参阅图1，在该实施例中，该MEMS三轴陀螺仪包括中央锚点100、第一子质量块200、第一解耦结构300、第二子质量块400、第二解耦结构500和第三子质量块600，第三子质量块600包括在第一方向x对称布置有两个分子质量块，该两个分子质量块通过第五弹簧5a悬挂在第二解耦结构500上。
第一子质量块200通过第一弹簧1连接至中央锚点100，第一子质量块200通过第二弹簧2连接至环绕其周的第一解耦结构300，第一解耦结构300通过第三弹簧3连接第二子质量块400，第二子质量块400通过第四弹簧4连接第二解耦结构500，第二解耦结构500通过第五弹簧连接第三子质量块600。
第一弹簧1和第二弹簧2在绕第一方向x的刚度小，使得第一子质量块200绕第一方向x转动，第三弹簧3在绕第一方向x的刚度大，第一解耦结构300不随第一子质量块200在第一方向x转动。
第三弹簧3和第四弹簧4在绕第二方向y的刚度小，使得第二子质量块400绕第二方向y转动。第二弹簧2在绕第二方向y的刚度大，第一解耦结构300不会随第二子质量块400在第二方向y转动。第五弹簧5a在绕第二方向y的刚度大，第二解耦结构500不会随第二子质量块400在第二方向y转动。
第五弹簧5a在沿第一方向x的刚度小，使第三子质量块600中的左右两分子质量块容易沿第一方向x运动。
驱动模态下，驱动电极700驱动第二解耦结构500绕第三方向z的轴谐振，通过相连的弹簧依次带动各质量块绕第三方向z的轴谐振；
当MEMS三轴陀螺仪受绕第二方向y的角速度时，第一子质量块200受沿第三方向z的科氏力，第一子质量块200绕第一方向x产生位移，通过检测该位移表征绕第二方向y的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第一方向x的角速度时，第二子质量块400受沿第三方向z的科氏力，第二子质量块400绕第二方向y产生位移，通过检测该位移表征绕第一方向x的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第三方向z的角速度时，第三子质量块600中的左右两个分子质量块受沿第一方向x的科氏力，该两个分子质量块产生沿第一方向x的位移，通过检测该位移表征绕第三方向z的角速度。
实施例二
请参阅图2，在该实施例中，该MEMS三轴陀螺仪包括中央锚点100、第一子质量块200、第一解耦结构300、第二子质量块400、第二解耦结构500和第三子质量块600，第三子质量块600包括在第二方向y对称布置有两个分子质量块，该两个分子质量块通过第五弹簧5b悬挂在第二解耦结构500上。
第一子质量块200通过第一弹簧1连接至中央锚点100，第一子质量块200通过第二弹簧2连接至环绕其周的第一解耦结构300，第一解耦结构300通过第三弹簧3连接第二子质量块400，第二子质量块400通过第四弹簧4连接第二解耦结构500，第二解耦结构500通过第五弹簧5b连接第三子质量块600。
第一弹簧1和第二弹簧2在绕第一方向x的刚度小，使得第一子质量块200绕第一方向x转动，第三弹簧3在绕第一方向x刚度大，第一解耦结构300不随第一子质量块200在第一方向x转动。
第三弹簧3和第四弹簧4在绕第二方向y的刚度小，使得第二子质量块400绕第二方向y转动。第二弹簧2在绕第二方向y的刚度大，第一解耦结构300不会随第二子质量块400在第二方向y转动。第五弹簧5b在绕第二方向y的刚度大，第二解耦结构500不会随第二子质量块400在第二方向y转动。
第五弹簧5b在沿第二方向y的刚度小，使第三子质量块600中的上下两分子质量块容易沿第二方向y运动。
驱动模态下，驱动电极700驱动第二解耦结构500绕第三方向z的轴谐振，通过相连的弹簧依次带动各质量块绕第三方向z的轴谐振
当MEMS三轴陀螺仪受绕第二方向y的角速度时，第一子质量块200受沿第三方向z的科氏力，第一子质量块200在绕第一方向x产生位移，通过检测该位移表征第二方向y的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第一方向x的角速度时，第二子质量块400受沿第三方向z的科氏力，第二子质量块400在绕第二方向y产生位移，通过检测该位移表征第一方向x的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第三方向z的角速度时，第三子质量块600中的上下两个分子质量块受沿第二方向y的科氏力，该两个分子质量块产生沿第二方向y的位移，通过检测该位移表征第三方向z的角速度。
实施例三
参阅图3，在该实施例中，该MEMS三轴陀螺仪包括中央锚点100、第一子质量块200、第一解耦结构300、第二子质量块400、第二解耦结构500和第三子质量块600，第三子质量块600包括在第一方向x对称布置有两个分子质量块和在第二方向y对称布置有两个分子质量块，该四个分子质量块通过第五弹簧悬挂在第二解耦结构500上，四个分子质量块之间通过第六弹簧6相互耦合。
第一子质量块200通过第一弹簧1连接至中央锚点100，第一子质量块200通过第二弹簧2连接至环绕其周的第一解耦结构300，第一解耦结构300通过第三弹簧3连接第二子质量块400，第二子质量块400通过第四弹簧4连接第二解耦结构500，左右两个分子质量块通过第五弹簧5a连接在第二解耦结构500上，第三子质量块600中的上下两个分子质量块通过第五弹簧5b连接在第二解耦结构500上。
第一弹簧1和第二弹簧2在绕第一方向x的刚度小，使得第一子质量块200绕第一方向x转动，第三弹簧3在绕第一方向x的刚度大，第一解耦结构300不随第一子质量块200在第一方向x转动。
第三弹簧3和第四弹簧4在绕第二方向y的刚度小，使得第二子质量块400绕第二方向y转动。第二弹簧2在绕第二方向y的刚度大，第一解耦结构300不会随第二子质量块400在第二方向y转动。第五弹簧在绕第二方向y的刚度大，第二解耦结构500不会随第二子质量块400在第二方向y转动。
连接左右两个分子质量块的第五弹簧5a在沿第一方向x的刚度小，使第三子质量块600中的左右两分子质量块容易沿第一方向x运动。
连接上下两个分子质量块的第五弹簧5b在沿第二方向y的刚度小，使第三子质量块600中的上下两分子质量块容易沿第二方向y运动。
驱动模态下，驱动电极700驱动第二解耦结构500绕第三方向z的轴谐振，通过相连的弹簧依次带动各质量块绕第三方向z的轴谐振；
当MEMS三轴陀螺仪受绕第二方向y的角速度时，第一子质量块200受沿第三方向z的科氏力，第一子质量块200在绕第一方向x产生位移，通过检测该位移表征第二方向y的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第一方向x的角速度时，第二子质量块400受沿第三方向z的科氏力，第二子质量块400在绕第二方向y产生位移，通过检测该位移表征第一方向x的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第三方向z的角速度时，第三子质量块600中的左右两个分子质量块受沿第一方向x的科氏力，该两个分子质量块产生沿第一方向x的位移；第三子质量块600中的上下两个分子质量块受沿第二方向y的科氏力，该两个分子质量块产生沿第二方向y的位移，以上四个子质量块通过第六弹簧6相互耦合，通过检测它们的位移表征第三方向的角速度。
实施例四
参阅图4，在该实施例中，该MEMS三轴陀螺仪包括中央锚点100、四个周边锚点900、第一子质量块200、第一解耦结构300、第二子质量块400、第二解耦结构500和第三子质量块600，第三子质量块600包括在第一方向x对称布置有两个分子质量块和在第二方向y对称布置有两个分子质量块，左右两个分子质量块通过第五弹簧5a连接在第二解耦结构500上，第三子质量块600中的上下两个分子质量块通过第五弹簧5b连接在第二解耦结构500上，四个分子质量块之间通过第六弹簧6相互耦合。
第一子质量块200通过第一弹簧1连接至中央锚点100，第一子质量块200通过第二弹簧2连接至环绕其周的第一解耦结构300，第一解耦结构300通过第三弹簧3连接第二子质量块400，第二子质量块400通过第四弹簧4连接第二解耦结构500，第二解耦结构500通过第五弹簧连接第三子质量块600，第二解耦结构500通过第七弹簧7连接在周边锚点900上。周边锚点900的数量为四个，分别布置在第二解耦结构500的四角。
MEMS三轴陀螺仪的驱动电极700对称的设置在第二解耦结构500的四角，用于驱动第二解耦结构500在第三方向z绕中央锚点100谐振。
第一弹簧1和第二弹簧2在绕第一方向x的刚度小，使得第一子质量块200绕第一方向x转动，第三弹簧3在绕第一方向x的刚度大，第一解耦结构300不随第一子质量块200在第一方向x转动。
第三弹簧3和第四弹簧4在绕第二方向y的刚度小，使得第二子质量块400绕第二方向y转动。第二弹簧2在绕第二方向y的刚度大，第一解耦结构300不会随第二子质量块400在第二方向y转动。第五弹簧在绕第二方向y的刚度大，第二解耦结构500不会随第二子质量块400在第二方向y转动。
连接左右两个分子质量块的第五弹簧5a在沿第一方向x刚度小，使第三子质量块600中的左右两分子质量块容易沿第一方向x运动。
连接上下两个分子质量块的第五弹簧5b在沿第二方向y刚度小，使第三子质量块600中的上下两分子质量块容易沿第二方向y运动。
第一弹簧1和第七弹簧7在绕第三方向z刚度较小，形成整个可动子质量块绕第三方向z在第一方向x和第二方向y内往复转动的驱动模态。
驱动模态下，驱动电极700驱动第二解耦结构500绕第三方向z的轴谐振，并通过相连的弹簧依次带动各质量块绕第三方向z的轴谐振；
当MEMS三轴陀螺仪受绕第二方向y的角速度时，第一子质量块200受沿第三方向z的科氏力，第一子质量块200在绕第一方向x产生位移，通过检测该位移表征第二方向y的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第一方向x的角速度时，第二子质量块400受沿第三方向z的科氏力，第二子质量块400在绕第二方向y产生位移，通过检测该位移表征第一方向x的角速度。
当MEMS三轴陀螺仪受绕第三方向z的角速度时，第三子质量块600中的左右两个分子质量块受沿第一方向x的科氏力，该两个分子质量块产生沿第一方向x的位移；第三子质量块600中的上下两个分子质量块受沿第二方向y的科氏力，该两个分子质量块产生沿第二方向y的位移，以上四个子质量块通过第六弹簧6相互耦合，通过检测它们的位移表征第三方向z的角速度。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种MEMS三轴陀螺仪，包括由内到外依次布置的中央锚点、第一子质量块、第二子质量块和第三子质量块，其中，在驱动模态下，所述MEMS三轴陀螺仪绕第三方向谐振；在检测模态下，所述第一子质量块可绕第一方向谐振，所述第二子质量块可绕第二方向谐振，所述第三子质量块可沿第一方向或第二方向谐振；所述第一方向，所述第二方向和所述第三方向相互垂直；其特征在于，所述第一子质量块通过在第一方向对称的第一弹簧悬挂在中央锚点上，所述第一子质量块和所述第二子质量块之间设置有第一解耦结构，所述第三子质量块与所述第二子质量块之间设置有第二解耦结构，所述第一解耦结构通过在第一方向对称的第二弹簧悬挂在所述第一子质量块上，所述第二子质量块通过在第二方向对称的第三弹簧悬挂在所述第一解耦结构上，所述第二解耦结构通过在第二方向对称的第四弹簧悬挂在所述第二子质量块上，并且在各弹簧配合下，所述第一解耦结构不随所述第一子质量块在所述第一方向转动，所述第一解耦结构不随所述第二子质量块在所述第二方向转动。
2.如权利要求1所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第三子质量块通过第五弹簧悬挂在所述第二解耦结构上。
3.如权利要求2所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第三子质量块包括在第一方向对称布置或在第二方向对称布置的分子质量块，所述分子质量块的数量为偶数个。
4.如权利要求3所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第三子质量块在第一方向对称布置有两个分子质量块，在第二方向对称布置有两个分子质量块。
5.如权利要求3所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第三子质量块中的分子质量块均对应有一个分子检测电极，所述分子检测电极为梳齿检测电极。
6.如权利要求3所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第三子质量块中相邻的分子质量块通过第六弹簧相互耦合。
7.如权利要求6所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第二解耦结构还设置有容纳所述第六弹簧的凹槽。
8.如权利要求1所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，还包括多个周边锚点，所述第二解耦结构通过第七弹簧与多个所述周边锚点连接。
9.如权利要求8所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述周边锚点的数量为四个，分别布置在所述第二解耦结构的四角。
10.如权利要求1所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述MEMS三轴陀螺仪的驱动电极对称的设置在所述第二解耦结构的四角，用于驱动所述第二解耦结构在第三方向绕中央锚点谐振。
11.如权利要求1所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第二解耦结构绕第二方向的轴与所述第二子质量块绕第二方向的轴共线。
12.如权利要求11所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第一解耦结构绕第一方向的轴与所述第一子质量块绕第一方向的轴共线。
13.如权利要求12所述的MEMS三轴陀螺仪，其特征在于，所述第一解耦结构绕第一方向的轴与所述第二解耦结构绕第二方向的轴的交点通过所述中央锚点的中心。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107192384B (zh) 2017-07-24 2022-04-05 深迪半导体(绍兴)有限公司 一种mems三轴陀螺仪
CN110926445B (zh) 2019-12-06 2022-03-08 深迪半导体(绍兴)有限公司 一种三轴mems陀螺仪
CN111174772B (zh) * 2020-01-13 2023-05-02 无锡莱斯能特科技有限公司 一种三轴mems陀螺仪
CN117570952B (zh) * 2024-01-15 2024-03-19 中国船舶集团有限公司第七〇七研究所 减小半球谐振陀螺振动耦合的方法
CN117606459B (zh) * 2024-01-24 2024-03-22 南京元感微电子有限公司 一种单锚点mems陀螺仪

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101050966A (zh) * 2007-05-21 2007-10-10 哈尔滨工业大学 双自由度双解耦微机械振动陀螺传感器
CN101368826A (zh) * 2008-09-25 2009-02-18 中国人民解放军国防科学技术大学 采用隔振框架解耦的硅微陀螺及其制作方法
CN103528577A (zh) * 2013-10-12 2014-01-22 深迪半导体(上海)有限公司 一种z轴mems电容式陀螺仪
CN203587114U (zh) * 2013-10-12 2014-05-07 深迪半导体(上海)有限公司 一种z轴mems电容式陀螺仪
CN104136886A (zh) * 2011-12-22 2014-11-05 特罗尼克斯微系统有限公司 多轴微电子惯性感测器
CN105043371A (zh) * 2014-04-22 2015-11-11 精工爱普生株式会社 角速度传感器、电子设备以及移动体
CN105122003A (zh) * 2012-12-20 2015-12-02 特罗尼克斯微系统有限公司 z轴微机械陀螺仪
CN105371834A (zh) * 2014-08-21 2016-03-02 上海矽睿科技有限公司 检测质量块及采用该检测质量块的陀螺仪
CN105444748A (zh) * 2014-08-21 2016-03-30 上海矽睿科技有限公司 抗干扰的陀螺仪
CN105934651A (zh) * 2014-01-28 2016-09-07 株式会社村田制作所 改进的陀螺仪结构和陀螺仪
CN106461395A (zh) * 2014-06-18 2017-02-22 罗伯特·博世有限公司 用于转动速率传感器的微机械的传感器构件
CN106597011A (zh) * 2016-12-23 2017-04-26 中北大学 双轴mems谐振式加速度传感器结构
CN106932609A (zh) * 2017-03-02 2017-07-07 清华大学 一种单锚定点四质量块mems六轴惯性传感器

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4598585A (en) * 1984-03-19 1986-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Planar inertial sensor
US5488862A (en) * 1993-10-18 1996-02-06 Armand P. Neukermans Monolithic silicon rate-gyro with integrated sensors
WO2002088631A2 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 The Regents Of The University Of California Non-resonant four degrees-of-freedom micromachined gyroscope
KR100436367B1 (ko) * 2001-12-14 2004-06-19 삼성전자주식회사 수직 진동 질량체를 갖는 멤스 자이로스코프
US6859751B2 (en) * 2001-12-17 2005-02-22 Milli Sensor Systems & Actuators, Inc. Planar inertial measurement units based on gyros and accelerometers with a common structure
US7377167B2 (en) * 2004-02-27 2008-05-27 The Regents Of The University Of California Nonresonant micromachined gyroscopes with structural mode-decoupling
US7421898B2 (en) * 2004-08-16 2008-09-09 The Regents Of The University Of California Torsional nonresonant z-axis micromachined gyroscope with non-resonant actuation to measure the angular rotation of an object
JP4887034B2 (ja) * 2005-12-05 2012-02-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 慣性センサ
JP4310325B2 (ja) * 2006-05-24 2009-08-05 日立金属株式会社 角速度センサ
DE102007017209B4 (de) * 2007-04-05 2014-02-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanischer Inertialsensor zur Messung von Drehraten
DE102008002748A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Sensordynamics Ag Mikro-Gyroskop
DE102009001248B4 (de) * 2009-02-27 2020-12-17 Hanking Electronics, Ltd. MEMS-Gyroskop zur Ermittlung von Rotationsbewegungen um eine x-, y- oder z-Achse
US8256290B2 (en) * 2009-03-17 2012-09-04 Minyao Mao Tri-axis angular rate sensor
DE102009001922A1 (de) * 2009-03-26 2010-09-30 Sensordynamics Ag Mikro-Gyroskop zur Ermittlung von Rotationsbewegungen um drei senkrecht aufeinanderstehende Raumachsen x, y und z
IT1394007B1 (it) * 2009-05-11 2012-05-17 St Microelectronics Rousset Struttura microelettromeccanica con reiezione migliorata di disturbi di accelerazione
US8739626B2 (en) * 2009-08-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined inertial sensor devices
US8534127B2 (en) * 2009-09-11 2013-09-17 Invensense, Inc. Extension-mode angular velocity sensor
US8549915B2 (en) * 2009-10-23 2013-10-08 The Regents Of The University Of California Micromachined gyroscopes with 2-DOF sense modes allowing interchangeable robust and precision operation
ITTO20091042A1 (it) * 2009-12-24 2011-06-25 St Microelectronics Srl Giroscopio integrato microelettromeccanico con migliorata struttura di azionamento
US8616057B1 (en) * 2010-01-23 2013-12-31 Minyao Mao Angular rate sensor with suppressed linear acceleration response
US8813564B2 (en) * 2010-09-18 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure
DE102010062095A1 (de) * 2010-11-29 2012-05-31 Robert Bosch Gmbh Drehratensensor und Verahren zum Betrieb eines Drehratensensors
US8833162B2 (en) * 2011-09-16 2014-09-16 Invensense, Inc. Micromachined gyroscope including a guided mass system
FR2983574B1 (fr) * 2011-12-06 2014-01-10 Sagem Defense Securite Capteur angulaire inertiel de type mems equilibre et procede d'equilibrage d'un tel capteur
DE102011057081A1 (de) * 2011-12-28 2013-07-04 Maxim Integrated Products, Inc. Mikro-Drehratensensor und Verfahren zum Betreiben eines Mikro-Drehratensensors
US8689632B2 (en) * 2012-01-17 2014-04-08 Freescale Semiconductor, Inc. Fully decoupled lateral axis gyroscope with thickness-insensitive Z-axis spring and symmetric teeter totter sensing element
US9062972B2 (en) * 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
FR3005160B1 (fr) * 2013-04-29 2016-02-12 Sagem Defense Securite Capteur angulaire inertiel de type mems equilibre et procede d'equilibrage d'un tel capteur
KR101659207B1 (ko) * 2015-02-05 2016-09-22 삼성전기주식회사 각속도 센서
FI127202B (en) * 2015-04-16 2018-01-31 Murata Manufacturing Co Three axis gyroscope
US20160370403A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 Adel Merdassi Capacitive accelerometer devices and wafer level vacuum encapsulation methods
ITUA20162160A1 (it) * 2016-03-31 2017-10-01 St Microelectronics Srl Struttura micromeccanica di rilevamento di un giroscopio multiassiale mems, avente ridotte derive di relative caratteristiche elettriche
CN107192384B (zh) 2017-07-24 2022-04-05 深迪半导体(绍兴)有限公司 一种mems三轴陀螺仪
US10732199B2 (en) * 2017-12-20 2020-08-04 Apple Inc. Multi-stage MEMS accelerometer for mixed g-level operation
JP6879391B2 (ja) * 2019-02-15 2021-06-02 株式会社村田製作所 同期フレームを有する多軸ジャイロスコープ

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100543419C (zh) * 2007-05-21 2009-09-23 哈尔滨工业大学 双自由度双解耦微机械振动陀螺传感器
CN101050966A (zh) * 2007-05-21 2007-10-10 哈尔滨工业大学 双自由度双解耦微机械振动陀螺传感器
CN101368826A (zh) * 2008-09-25 2009-02-18 中国人民解放军国防科学技术大学 采用隔振框架解耦的硅微陀螺及其制作方法
CN104136886A (zh) * 2011-12-22 2014-11-05 特罗尼克斯微系统有限公司 多轴微电子惯性感测器
CN105122003A (zh) * 2012-12-20 2015-12-02 特罗尼克斯微系统有限公司 z轴微机械陀螺仪
CN103528577A (zh) * 2013-10-12 2014-01-22 深迪半导体(上海)有限公司 一种z轴mems电容式陀螺仪
CN203587114U (zh) * 2013-10-12 2014-05-07 深迪半导体(上海)有限公司 一种z轴mems电容式陀螺仪
CN105934651A (zh) * 2014-01-28 2016-09-07 株式会社村田制作所 改进的陀螺仪结构和陀螺仪
CN105043371A (zh) * 2014-04-22 2015-11-11 精工爱普生株式会社 角速度传感器、电子设备以及移动体
CN106461395A (zh) * 2014-06-18 2017-02-22 罗伯特·博世有限公司 用于转动速率传感器的微机械的传感器构件
CN105444748A (zh) * 2014-08-21 2016-03-30 上海矽睿科技有限公司 抗干扰的陀螺仪
CN105371834A (zh) * 2014-08-21 2016-03-02 上海矽睿科技有限公司 检测质量块及采用该检测质量块的陀螺仪
CN106597011A (zh) * 2016-12-23 2017-04-26 中北大学 双轴mems谐振式加速度传感器结构
CN106932609A (zh) * 2017-03-02 2017-07-07 清华大学 一种单锚定点四质量块mems六轴惯性传感器

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