CN107123748B - 有机发光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
相关申请的交叉引用
于2016年2月25日向韩国知识产权局提交的标题为“有机发光装置”的第10-2016-0022396号韩国专利申请以援引方式整体并入本文。
技术领域
实施方案涉及有机发光装置。
背景技术
最近,正在积极地进行作为图像显示装置的有机发光显示装置的开发。与液晶显示装置不同,有机发光显示装置是自发光显示装置,其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中再结合,并且在发射层中的包含有机化合物的发光材料发光以实现显示。
作为有机发光装置,有机装置可以包括,例如,第一电极,布置在所述第一电极上的空穴传输区,布置在所述空穴传输区上的发射层,布置在所述发射层上的电子传输区,以及布置在所述电子传输区上的第二电极。使空穴从第一电极注入,并且所注入的空穴移动并被注入至发射层。同时,使电子从第二电极注入,并且所注入的电子移动并被注入至发射层。在发射层中,注入至所述发射层的空穴和电子再结合以产生激子。有机发光装置使用通过激子的辐射失活产生的光而发光。此外,有机发光装置不限于上述构造,并且各种修改可以是可行的。
发明内容
实施方案涉及有机发光装置。
可以通过实现有机发光装置来提供所述实施方案,所述有机发光装置包括第一电极;在所述第一电极上的空穴传输区;在所述空穴传输区上的发射层;在所述发射层上的第一缓冲层;在所述第一缓冲层上的第二缓冲层;在所述第二缓冲层上的电子传输区;以及在所述电子传输区上的第二电极,其中所述第一缓冲层包含由以下式1或式2表示的第一缓冲化合物,并且所述第二缓冲层包含由以下式3表示的第二缓冲化合物:
[式1]
[式2]
[式3]
其中,在式1至3中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地为取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基,R1、R2、R3、R4、R5和R6是分开的或它们中相邻者结合以形成环,Ar1为取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基,L1和L2各自独立地为直连键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有4至30个环碳原子的亚杂芳基,a为0至3的整数,b为0至4的整数,以及n和m各自独立地为0或1。
在式1和2中,R1可以是取代或未取代的苯基或者取代或未取代的萘基。
在式1和2中,L1可以是取代或未取代的间亚苯基、取代或未取代的对亚苯基、取代或未取代的亚芴基,或者取代或未取代的亚二苯并呋喃基。
在式1和2中,a可以是2或3并且R2中的相邻者可以结合以形成环。
在式1和2中,b可以是2、3或4,并且R3中的相邻者可以结合以形成环。
在式2中,R4可以是取代或未取代的苯基。
所述第一缓冲化合物可以包含以下化合物1至9中的一个:
所述第二缓冲化合物可以由以下式4表示:
[式4]
其中,在式4中,Ar1、L2、m、R5和R6可以与式3的那些相同地定义。
在式3中,Ar1可以是取代或未取代的苯基。
在式3中,L2可以是取代或未取代的间亚苯基或者取代或未取代的对亚苯基。
在式3中,R5和R6可以各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、或者取代或未取代的吡啶基。
所述第二缓冲化合物可以包含以下化合物1’至10’中的一个:
所述空穴传输区可以包括空穴注入层;以及在所述空穴注入层上的空穴传输层。
所述电子传输区可以包括电子传输层;以及在所述电子传输层上的电子注入层。
附图说明
通过参考附图详细地描述示例性实施方案,特征对本领域技术人员而言将变得显而易见,其中:
图1例示出示意性地显示根据实施方案的有机发光装置的横截面视图;
图2例示出示意性地显示根据实施方案的有机发光装置的横截面视图;
图3A例示出显示比较例1和实施例1的相对于灰度的电流效率的图;
图3B例示出显示比较例1的相对于灰度的电流效率的图;以及
图3C例示出显示实施例1的相对于灰度的电流效率的图。
具体实施方式
现在将参考附图在下文中更全面地描述示例实施方案;然而,它们可以以不同的形式实施,并且不应解释为局限于本文所述的实施方案。相反,提供这些实施方案,以使得本公开将变得深入和完整,并且将向本领域技术人员完整地传达示例性实施。
在附图中,为了例示清楚,可以放大层和区的尺寸。还应理解,当层或要素被称为在另一层或要素“上”时,其可直接在另一层或要素上,或还可以存在介于中间的层。此外,还应理解,当层被称为在两个层“之间”时,其可以为所述两个层之间的唯一的层,或还可以存在一个或多个介于中间的层。相同的参考数字通篇指代相同的要素。
应理解,尽管术语第一、第二等在本文可以用于描述各种要素,但这些要素不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个要素与另一要素。因此,第一要素在不背离本文的教导的情况下可以被称为第二要素。类似地,第二要素可以被称为第一要素。如本文所使用,单数形式意图也包括复数形式,除非上下文另外明确地指出。
应进一步理解,术语“包含”和/或“包括”,当用于本说明书时,指定所规定的特征、数字、步骤、操作、要素、部件或它们的组合的存在,但不排除一个或多个其他的特征、数字、步骤、操作、要素、部件或它们的组合的存在或增添。
在所述描述中,术语“取代或未取代的”对应于未取代或被选自由氘、卤素、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、硼基、氧化膦基、烷基、烷氧基、烯基、芴基、芳基和杂环基组成的组中的至少一个取代基取代。此外,所述取代基中的每一个可以是取代或未取代的。例如,联苯基可以解释为被苯基取代的芳基或苯基。
在所述描述中,术语“经由相邻基团的结合形成环”或“结合以形成环”可以意指经由相邻基团的结合形成取代或未取代的烃环、或者取代或未取代的杂环。烃环可以包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环可以包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环和杂环可以是单环的或多环的。此外,经由相邻基团的结合形成的环可以与另一个环结合以形成,例如,螺结构。
在所述描述中,术语“相邻基团”可以意指对于与被相应的取代基取代的原子直接结合的原子被取代的取代基、对于被相应的取代基取代的原子被取代的另一取代基、或在空间上位于距相应的取代基最近的位置上的取代基。例如,在1,2-二甲苯中,两个甲基可以被解释为彼此“相邻基团”,以及在1,1-二乙基环戊烯中,两个乙基可以被解释为彼此“相邻基团”。
在所述描述中,卤素可以包括氟、氯、溴和/或碘。
在所述描述中,烷基可以是直链型、支链型或环型。烷基的碳数可以为1至30、1至20、1至10或1至6。烷基可以包括,例如,甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基,正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等。
在所述描述中,芳基意指衍生自芳香族烃环的任选的官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。在芳基中用于形成环的碳数可以是6至30,或6至20。芳基的实例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、联六苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。
在所述描述中,芴基可以被取代,并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。
在所述描述中,杂芳基可以是包含O、N或S中的至少一个作为杂原子的杂芳基。用于形成杂芳基的环的碳数可以是2至30,或2至20。杂芳基的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪、三唑、吖啶基、哒嗪、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉、吲哚、咔唑、N-芳基咔唑,N-杂芳基咔唑、N-烷基咔唑、苯并噁唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并咔唑、苯并噻吩、二苯并噻吩、噻吩并噻吩、苯并呋喃基、菲咯啉、噻唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基,吩噻嗪基、二苯并呋喃基等。
在所述描述中,除了亚芳基是二价基团之外,关于芳基的解释可以应用于亚芳基。
在所述描述中,甲硅烷基可以包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的实例可以包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等。
在所述描述中,硼基可以包括烷基硼基和芳基硼基。硼基的实例可以包括三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等。
在所述描述中,烯基可以是直链或支链的。碳数可以是,例如,2至30、2至20,或2至10。烯基的实例可以包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基芳基、苯乙烯基、均二苯乙烯基等。
在下文,将解释根据实施方案的有机发光装置。
图1例示出示意性地显示根据实施方案的有机发光装置的横截面视图。图2例示出示意性地显示根据实施方案的有机发光装置的横截面视图。
参考图1和图2,根据实施方案的有机发光装置OEL可以包括,例如,第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML、第一缓冲层BFL1、第二缓冲层BFL2、电子传输区ETR和第二电极EL2。
第一电极EL1可以具有导电性。第一电极EL1可以为像素电极或阳极。第一电极EL1可以为透射电极、半透射半反射电极或反射电极。在第一电极EL1为透射电极的情况下,可以使用透明金属氧化物形成第一电极EL1,所述透明金属氧化物例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)。在第一电极EL1为半透射半反射电极或反射电极的情况下,第一电极EL1可以包含,例如,Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物,或其混合物(例如,Ag和Mg的混合物)。在实施中,第一电极EL1可以包含多个层,所述多个层包括使用上述材料形成的反射层或半透射半反射层,以及使用ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透射层。
可以在第一电极EL1上提供空穴传输区HTR。空穴传输区HTR可以包括,例如,空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、空穴缓冲层或电子阻挡层中的至少一个。
在实施中,空穴传输区HTR可以具有使用单一材料形成的单层、使用多种不同材料形成的单层,或包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
在实施中,空穴传输区HTR可以具有诸如空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单层的结构,并且可以具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层的结构。在实施中,空穴传输区HTR可以具有使用多种不同材料形成的单层的结构,或从第一电极EL1层压的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/空穴缓冲层、空穴注入层HIL/空穴缓冲层、空穴传输层HTL/空穴缓冲层、或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层的结构。
可以使用各种适当的方法,例如,真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布吉特(Langmuir-Blodgett,LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法,形成空穴传输区HTR。
在空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL的情况下,空穴传输区HTR可以包含,例如,酞菁化合物,例如铜酞菁、N,N’-二苯基-N,N’-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4’-二胺(DNTPD)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4’,4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、包含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐等。
在空穴传输区HTR包括空穴传输层HTL的情况下,空穴传输区HTR可以包含,例如,诸如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑的咔唑衍生物、基于氟或基于芴的衍生物、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、诸如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的基于三苯胺的衍生物、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(α-NPD)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4’-双[N,N’-(3-甲苯基)氨基)-3,3’-二甲基联苯(HMTPD)等。
在实施中,空穴传输区HTR的厚度可以为约至约例如,约至约在空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL两者的情况下,空穴注入层HIL的厚度可以为约至约例如,约至约并且空穴传输层HTL的厚度可以为约至约例如,约至约在空穴传输区HTR、空穴注入层HIL和空穴传输层HTL的厚度满足上述范围的情况下,可以获得令人满意的空穴传输性能,而没有驱动电压的显著增加。
在实施中,空穴传输区HTR可以进一步包含除了上述材料之外的电荷产生材料以改善导电性。可以将电荷产生材料均匀地或非均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可以是,例如,p-掺杂剂。p-掺杂剂可以是醌衍生物、金属氧化物、或含氰基的化合物中的一种。p-掺杂剂的实例可以包括诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)的醌衍生物、诸如氧化钨和氧化钼的金属氧化物。
在实施中,空穴传输区HTR可以进一步包括除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外的空穴缓冲层和电子阻挡层中的一个。空穴缓冲层可以有助于根据由发射层EML发射的光的波长来补偿光学共振距离,并且可以有助于增加发光效率。可以将在空穴传输区HTR中包含的材料用作在空穴缓冲层中包含的材料。电子阻挡层是有助于减少和/或防止电子从电子传输区ETR注入至空穴传输区HTR的层。
发射层EML可以发射红光、绿光、蓝光、白光、黄光或蓝绿色光中的一种。发射层EML可以包含磷光材料或荧光材料。此外,发射层EML可以包含主体或掺杂剂。
主体可以包含适当的主体材料,例如,三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚(正乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4’,4”-三(咔唑基-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、4,4’-双(9-咔唑基)-2,2’-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)等。
掺杂剂可以包括,例如,苯乙烯基衍生物(例如,1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]均二苯乙烯(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝及其衍生物(例如,2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBP))、芘及其衍生物(例如,1,1-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等。
当发射层EML发射红光时,发射层EML可以包含,例如,三(二苯甲酰基甲基)菲咯啉铕(PBD:Eu(DBM)3(Phen)),或包含苝的磷光材料。在发射层EML发射红光的情况下,发射层EML中包含的掺杂剂可以选自金属络合物或有机金属络合物,例如双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac)、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)、和八乙基卟啉铂(PtOEP)、红荧烯及其衍生物、或4-二氰基亚甲基-2-(对二甲基氨基苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃(DCM)及其衍生物。
在发射层EML发射绿光的情况下,发射层EML可以包含磷光材料,所述磷光材料包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。在发射层EML发射绿光的情况下,在发射层EML中包含的掺杂剂可以选自金属络合物或有机金属络合物,如面式-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3),或香豆素及其衍生物。
在发射层EML发射蓝光的情况下,发射层EML可以包含磷光材料,所述磷光材料包括选自例如螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙烯基-苯(DSB)、联苯乙烯基-亚芳基(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物和基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)的聚合物中的至少一种。在发射层EML发射蓝光的情况下,在发射层EML中包含的掺杂剂可以选自金属络合物或有机金属络合物,如(4,6-F2ppy)2Irpic,或苝及其衍生物。
可以在发射层EML上提供第一缓冲层BFL1。第一缓冲层BFL1可以包含,例如,由以下式1或式2表示的第一缓冲化合物。在实施中,所述第一缓冲层BFL1可以包含由以下式1或式2表示的第一缓冲化合物,可以有助于控制发射层EML中空穴和电子的平衡,并且可以有助于补偿在低的灰度等级下有机发光装置OEL的颜色变化。在高的灰度等级(例如,大于约60级灰度)下电流可以大量流动,空穴和电子的平衡以及发射效率可以不受太多影响。然而,在低的灰度等级(例如,具有约0级灰度至约60级灰度)下,空穴和电子之间的平衡的小的差异可以对发射效率具有很大的影响。根据实施方案的有机发光装置OEL可以包含第一化合物,并且可以促进甚至在低的灰度等级下的电子注入。此外,根据电流的效率可以与在高的灰度等级下的根据电流的效率类似。此外,在低的灰度等级下的发射效率变得恒定的情况下,对颜色变化的补偿可以变得可行。
[式1]
[式2]
在式1和2中,R1、R2、R3和R4可以各自独立地为或包括,例如,取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基。
在实施中,R1可以为或可以包括,例如,取代或未取代的苯基或者取代或未取代的萘基。在实施中,R1可以为,例如,被菲基取代的苯基、被萘基取代的苯基,或被苯基取代的萘基。
在a为2或大于2(例如,2或3)的情况下,多个R2可以是相同的或不同的。此外,多个R2中的至少一个可以是不同的。在b为2或大于2(例如,2、3或4)的情况下,多个R3可以是相同的或不同的。此外,多个R3中的至少一个可以是不同的。R4可以为或可以包括,例如,取代或未取代的苯基。
在式1和2中,a可以为0至3的整数。在a为2或大于2(例如,2或3)的情况下,相邻的R2可以是分开的或者可以结合(combine)或被键合(bound)以形成环。例如,相邻的R2可以结合以形成诸如以下A、B或C的环。*代表与L1或菲基进行连接的位置。
在式1和2中,b可以为0至4的整数。在b为2或大于2(例如,2、3或4)的情况下,相邻的R3可以是分开的或者可以结合或被键合以形成环。例如,相邻的R3可以结合以形成诸如以下A、B或C的环。*代表与L1或菲基进行连接的位置。
在式1和2中,L1可以为或可以包括,例如,直连键(例如,单键)、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的亚芳基,或者取代或未取代的具有4至30个环碳原子的亚杂芳基。L1可以为或可以包括,例如,取代或未取代的间亚苯基、取代或未取代的对亚苯基、取代或未取代的亚芴基、或者取代或未取代的亚二苯并呋喃基。例如,间亚苯基的间位和对亚苯基的对位是指菲基和二苯并呋喃基与L1的连接位置。
在式1和2中,n可以为0或1。在n为0的情况下,式1中的菲基和二苯并呋喃基可以形成直连键。
在实施中,第一缓冲化合物可以包括,例如,以下化合物1至9中的一种。
在实施中,第一缓冲层BFL1的厚度可以为,例如,约至约维持第一缓冲层BFL1的厚度在约或大于可以有助于确保穿过发射层EML的空穴不被传送至电子传输区ETR。维持第一缓冲层BFL1的厚度在约或小于可以有助于确保将电子从电子传输区ETR容易地供给至发射层EML。
可以在第一缓冲层BFL1上提供第二缓冲层BFL2。第二缓冲层BFL2可以包含由以下式3表示的第二缓冲化合物。在实施中,所述第二缓冲层BFL2可以包含由以下式3表示的第二缓冲化合物,并且第二缓冲化合物可以具有高的电子迁移率且可以有助于改善有机发光装置OEL的发光效能。第二缓冲化合物可以包含具有高的电子迁移率的三嗪基。例如,第二缓冲化合物可以有助于增加到达发射层EML的电子的量,可以有助于增加激子的量,并且可以有助于改善有机发光装置OEL的发射效率。
[式3]
在式3中,R5和R6可以各自独立地为或包括,例如,取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基。在实施中,R5和R6可以为或可以包括,例如,取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、或者取代或未取代的吡啶基。
在式3中,Ar1可以为或可以包括,例如,取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基。在实施中,Ar1可以为或可以包括,例如,取代或未取代的苯基。
在式3中,L2可以为或可以包括,例如,直连键(例如,单键)、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有4至30个环碳原子的亚杂芳基。在实施中,L2可以为或可以包括,例如,取代或未取代的间亚苯基或者取代或未取代的对亚苯基。
在式3中,m可以为0或1。在m为0的情况下,亚咔唑基和三嗪基可以形成直连键。
在实施中,所述第二缓冲化合物可以由以下式4表示。
[式4]
在式4中,Ar1、L2、R5、R6和m与式3的那些相同地定义。
在实施中,所述第二缓冲化合物可以包括,例如,以下化合物1’至10’中的一种。
在实施中,第二缓冲层BFL2的厚度可以与第一缓冲层BFL1的厚度相同或不同。在实施中,第二缓冲层BFL2的厚度可以为,例如,约至约维持第二缓冲层BFL2的厚度在约或大于可以有助于确保穿过发射层EML的空穴不被传送至电子传输区ETR。维持第二缓冲层BFL2的厚度在约或小于可以有助于确保将电子从电子传输区ETR容易地供给至发射层EML。
可以在第二缓冲层BFL2上提供电子传输区ETR。在实施中,电子传输区ETR可以包括电子阻挡层、电子传输层ETL或电子注入层EIL中的至少一个。
在实施中,电子传输区ETR可以具有使用单一材料形成的单层、使用多种不同材料形成的单层、或具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
在实施中,电子传输区ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构、或使用电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。在实施中,电子传输区ETR可以具有含多种不同材料的单层结构、或从第一电极EL1层压的电子传输层ETL/电子注入层EIL或空穴阻挡层/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构。在实施中,电子传输区ETR的厚度可以为,例如,约至约
可以使用各种适当的方法,例如,真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布吉特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法,形成电子传输区ETR。
在电子传输区ETR包括电子传输层ETL的情况下,所述电子传输区ETR可以包含,例如,三(8-羟基喹啉)铝(Alq3),1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-醇根合)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-醇根合)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN),或其混合物。在实施中,电子传输层ETL的厚度可以为约至约例如,约至约如果电子传输层ETL的厚度满足上述范围,可以获得令人满意的电子传输性能,而没有驱动电压的显著增加。
当电子传输区ETR包括电子注入层EIL时,电子传输区ETR可以包含,例如,LiF、羟基喹啉锂(LiQ)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、诸如Yb的镧系金属、或诸如RbCl和RbI的金属卤化物。也可以使用电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成电子注入层EIL。所述有机金属盐可以是具有约4eV或大于4eV的能带隙的材料。在实施中,有机金属盐可以包括,例如,金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐、或金属硬脂酸盐。在实施中,电子注入层EIL的厚度可以为约至约例如,约至约在电子注入层EIL的厚度满足上述范围的情况下,可以获得令人满意的电子注入性能,而不引起驱动电压的显著增加。
如上所述,电子传输区ETR可以包括空穴阻挡层。在实施中,空穴阻挡层可以包含,例如,2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)或4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)。
可以在电子传输区ETR上提供第二电极EL2。第二电极EL2可以是公共电极或阴极。所述第二电极EL2可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。在所述第二电极EL2为透射电极的情况下,第二电极EL2可以包含,例如,透明金属氧化物,诸如,ITO、IZO、ZnO、ITZO等。
在所述第二电极EL2为半透射半反射电极或反射电极的情况下,第二电极EL2可以包含,例如,Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物、或其混合物(例如,Ag和Mg的混合物)。第二电极EL2可以具有包括使用上述材料形成的反射层或半透射半反射层和使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层的多层结构。
在实施中,可以使第二电极EL2与辅助电极连接。在第二电极EL2与辅助电极连接的情况下,第二电极EL2的电阻可以减小。
在有机发光装置OEL中,根据向第一电极EL1和第二电极EL2中的每一个施加电压,从第一电极EL1注入的空穴可以经由空穴传输区HTR传送至发射层EML,并且从第二电极EL2注入的电子可以经由电子传输区ETR传送至发射层EML。使电子和空穴在发射层EML中再结合以产生激子,并且激子可以经由从激发态跃迁至基态而发光。
在有机发光装置OEL为顶部发射型的情况下,第一电极EL1可以是反射电极,并且第二电极EL2可以是透射电极或半透射半反射电极。在有机发光装置OEL为底部发射型的情况下,第一电极EL1可以是透射电极或半透射半反射电极,并且第二电极EL2可以是反射电极。
根据实施方案的有机发光装置可以包括,例如,包含由式1或式2表示的第一缓冲化合物的第一缓冲层,从而改善在低的灰度等级下的颜色变化。根据实施方案的有机发光装置可以包括,例如,包含由式3表示的第二缓冲化合物的第二缓冲层,从而改善发射效率。所述低的灰度等级可以意指0级至60级灰度。
提供以下实施例和比较例以突出一个或多个实施方案的特性,但应理解,实施例和比较例不应被解释为限制实施方案的范围,以及比较例不应被解释为在实施方案的范围之外。此外,应理解实施方案不限于在实施例和比较例中描述的特定细节。
实施例
实施例1
在玻璃衬底上,使用ITO和Ag形成阳极,直至厚度为约使用2-TNATA形成空穴注入层,直至厚度为约使用N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯]-4,4’-二胺(TPD)形成空穴传输层,直至厚度为约使用掺杂有2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBP)的9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)形成发射层,直至厚度为约使用以下化合物3形成第一缓冲层,直至厚度为约使用以下化合物1’形成第二缓冲层,直至厚度为约使用Alq3形成电子传输层,直至厚度为约使用LiF形成电子注入层,直至厚度为约以及使用MgAg(Mg:Ag=9:1)形成阴极,直至厚度为约
[化合物3]
[化合物1’]
比较例1
除了不形成第一缓冲层之外,进行实施例1中描述的相同程序。
实验结果
测量实施例1和比较例1的发光效能。该发光效能通过测量在约10mA/cm2的电流密度的条件下进行驱动期间有机发光装置的发光效能而获得。参考图3A和3B,可以看出,在具有0级至60级灰度的低的灰度等级下,比较例1的发光效能恶化。然而,参考图3A和3C,可以看出,当与比较例1的发光效能相比时,在具有0级至60级灰度的低的灰度等级下,实施例1的发光效能得到改善。
此外,参考图3B和3C,可以看出,对于实施例1,在低的灰度等级下的发光效能维持相对恒定,然而对于比较例1,在低的灰度等级下的发光效能没有维持恒定。
通过总结和回顾,在有机发光装置至显示装置的应用中,可以期望降低驱动电压,以及可以增加有机发光装置的发射效率和寿命。
为了改善有机发光装置的效率,可以包括用在发射层和电子传输区之间的缓冲层。所述缓冲层可能产生与在低的灰度等级下的颜色变化相关的问题。
在根据实施方案的有机发光装置中,可以改善发射效率,以及可减少在低的灰度等级下的颜色变化。
本文已经公开了示例实施方案,并且尽管使用具体术语,但它们仅以通用性且描述性含义来使用和解释,并且不用于限定的目的。在一些情形中,如在提交本申请时本领域技术人员所显而易见的,关于特定实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用,或与关于其他实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用,除非另外具体地指明。因此,本领域技术人员应理解在不背离权利要求中所述的本发明的精神和范围的情况下,可以进行形式和细节的各种改变。
Claims (12)
1.有机发光装置,包括:
第一电极;
在所述第一电极上的空穴传输区;
在所述空穴传输区上的发射层;
直接在所述发射层上的第一缓冲层;
在所述第一缓冲层上的第二缓冲层;
在所述第二缓冲层上的电子传输区;以及
在所述电子传输区上的第二电极,
其中所述第一缓冲层由由以下式1或式2表示的第一缓冲化合物构成,并且所述第二缓冲层由由以下式3表示的第二缓冲化合物构成:
[式1]
[式2]
[式3]
其中,在式1至3中,
R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地为取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基,
R1、R2、R3、R4、R5和R6是分开的或它们中的相邻者结合以形成环,
Ar1为取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至30个环碳原子的杂芳基,
L1和L2各自独立地为直连键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有4至30个环碳原子的亚杂芳基,
a为0至3的整数,
b为0至4的整数,以及
n和m各自独立地为0或1,
其中所述第一缓冲化合物仅包含在所述第一缓冲层中。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式1和2中,R1为取代或未取代的苯基或者取代或未取代的萘基。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式1和2中,L1为取代或未取代的间亚苯基、取代或未取代的对亚苯基、取代或未取代的亚芴基、或者取代或未取代的亚二苯并呋喃基。
4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式1和2中,a为2或3,并且R2中的相邻者结合以形成环。
5.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式1和2中,b为2、3或4,并且R3中的相邻者结合以形成环。
6.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式2中,R4为取代或未取代的苯基。
9.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式3中,Ar1为取代或未取代的苯基。
10.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式3中,L2为取代或未取代的间亚苯基或者取代或未取代的对亚苯基。
11.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,在式3中,R5和R6各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、或者取代或未取代的吡啶基。
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