CN107093646B - 一种光伏晶硅组件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光伏晶硅组件，包括玻璃基板、位于所述玻璃基板上的第一聚醋酸乙烯酯层以及多个电池片连接成的电池串，所述电池串通过所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述玻璃基板粘结，其中，所述光伏晶硅组件还包括位于所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述电池串之间的聚碳酸酯层和第二聚醋酸乙烯酯层，所述聚碳酸酯层的一面与所述第一聚醋酸乙烯酯层粘结，所述聚碳酸酯层的另一面通过所述第二聚醋酸乙烯脂层与所述电池串粘结。本发明还公开了一种光伏晶硅组件的制作方法。本发明提供的光伏晶硅组件避免了PID问题的发生，提高了光伏晶硅组件的质量和使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及光伏晶硅技术领域，尤其涉及一种光伏晶硅组件及其制作方法。
背景技术
光伏晶硅组件是通过晶硅半导体将光能转换为电能的一个模块，类似于光电池，光伏晶硅组件目前广泛应用于大型地面电站、屋面、船舶、航空等领域。
当光伏晶硅组件应用到电站项目中的时候，会串联连接到逆变器中，整串的电压会随着组件数量的增加而增高。每个组件的边框必须接地，整串的组件接到逆变器时，有半串的组件受到正偏压，有半串组件受到负偏压。组件长期在高负偏压作用下，使得边框、玻璃、EVA、电池片之间存在微弱的电荷迁移的现象，随着时间的加长，大量电荷聚集在电池表面，形成的电场方向与光电池内电场方向相反，这样就削弱了光电池电子的产生，导致组件功率衰减，简称“电位诱发衰减”，英文缩写PID。
由于光伏晶硅组件在电站中存在PID现象，如图1和图2所示为现有技术中的光伏晶硅组件的初始状态图和PID测试后的EL图像，由图1和图2可以看出，PID测试后的图像明显变暗，这种PID会导致组件功率在几年时间内衰减40％之多，甚至90％以上，解决PID现象，成为光伏电站建设首要问题。而现有技术中主要是对电池片表面进行钝化处理，但这样电池的效率会打折，组件功率做不高，成本较高，而且只是减少PID造成的功率衰减，不能杜绝此问题的发生。
因此，如何提供一种能够抗PID的光伏晶硅组件成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种光伏晶硅组件及一种光伏晶硅组件的制作方法，以解决现有技术中的问题。
作为本发明的第一个方面，提供一种光伏晶硅组件，包括玻璃基板、位于所述玻璃基板上的第一聚醋酸乙烯酯层以及多个电池片连接成的电池串，所述电池串通过所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述玻璃基板粘结，其中，所述光伏晶硅组件还包括位于所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述电池串之间的聚碳酸酯层和第二聚醋酸乙烯酯层，所述聚碳酸酯层的一面与所述第一聚醋酸乙烯酯层粘结，所述聚碳酸酯层的另一面通过所述第二聚醋酸乙烯脂层与所述电池串粘结。
优选地，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm～0.5mm。
优选地，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm。
优选地，所述聚碳酸酯层的厚度为0.1mm～0.3mm。
优选地，所述聚碳酸酯层的厚度为0.175mm。
优选地，所述光伏晶硅组件还包括位于所述电池串上的第三聚醋酸乙烯酯层和背板，所述背板通过所述第三聚醋酸乙烯酯层与所述电池串粘结。
优选地，所述光伏晶硅组件还包括封装框，所述封装框用于将所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在所述封装框内。
作为本发明的第二个方面，提供一种光伏晶硅组件的制作方法，其中，所述制作方法包括：
提供玻璃基板和背板；
将多个电池片串联焊接形成多条电池串；
在所述玻璃基板上涂覆一层聚醋酸乙烯酯以形成第一聚醋酸乙烯酯层；
在所述第一聚醋酸乙烯酯层上涂覆一层聚碳酸酯形成聚碳酸酯层；
在所述聚碳酸酯层上涂覆一层聚醋酸乙烯酯形成第二聚醋酸乙烯酯层；
将多条所述电池串排布在所述第二聚醋酸乙烯酯层上；
在多条所述电池串上涂覆一层聚醋酸乙烯酯以形成第三聚醋酸乙烯酯层；
将所述背板覆盖在所述第三聚醋酸乙烯酯层上。
优选地，所述制作方法还包括在所述将所述背板覆盖在所述第三聚醋酸乙烯酯层上的步骤后进行的：
对所述背板与所述玻璃基板之间的各层进行层压；
将层压后的所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在封装框内。
本发明提供的光伏晶硅组件，通过在电池串与玻璃基板之间设置两层聚醋酸乙烯酯以及一层聚碳酸酯，通过聚碳酸酯的高电阻率阻止了光伏晶硅组件在负偏压条件下其封装框、玻璃里面的离子电荷的迁移，从而避免了PID问题的发生，提高了光伏晶硅组件的质量和使用寿命。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为现有技术中的光伏晶硅组件的初始状态的EL图。
图2为现有技术中的光伏晶硅组件的PID测试后的EL图。
图3为本发明提供的光伏晶硅组件的结构示意图。
图4为本发明提供的光伏晶硅组件的初始状态的EL图。
图5为本发明提供的光伏晶硅组件的PID测试后的EL图。
图6为本发明提供的光伏晶硅组件的制作方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的第一个方面，如图3所示，提供一种光伏晶硅组件10，包括玻璃基板100、位于所述玻璃基板100上的第一聚醋酸乙烯酯层110以及多个电池片121连接成的电池串120，所述电池串120通过所述第一聚醋酸乙烯酯层110与所述玻璃基板100粘结，其中，所述光伏晶硅组件10还包括位于所述第一聚醋酸乙烯酯层11与所述电池串120之间的聚碳酸酯层130和第二聚醋酸乙烯酯层140，所述聚碳酸酯层130的一面与所述第一聚醋酸乙烯酯层110粘结，所述聚碳酸酯层130的另一面通过所述第二聚醋酸乙烯脂层140与所述电池串120粘结。
本发明提供的光伏晶硅组件，通过在电池串与玻璃基板之间设置两层聚醋酸乙烯酯以及一层聚碳酸酯，通过聚碳酸酯的高电阻率阻止了光伏晶硅组件在负偏压条件下其封装框、玻璃里面的离子电荷的迁移，从而避免了PID问题的发生，提高了光伏晶硅组件的质量和使用寿命。
作为聚醋酸乙烯酯层的具体实施方式，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm～0.5mm。
优选地，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm。
作为所述聚碳酸酯层的具体实施方式，所述聚碳酸酯层的厚度为0.1mm～0.3mm。
优选地，所述聚碳酸酯层的厚度为0.175mm。
可以理解的是，为了固定所述电池串，具体地，所述光伏晶硅组件还包括位于所述电池串上的第三聚醋酸乙烯酯层和背板，所述背板通过所述第三聚醋酸乙烯酯层与所述电池串粘结。
还可以理解的是，为了将前文所述的光伏晶硅组件的各层进行固定封装后使用，所述光伏晶硅组件还包括封装框，所述封装框用于将所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在所述封装框内。
本发明提供的光伏晶硅组件，通过在玻璃基板与电池串之间设置一层聚碳酸酯，能够有效阻止玻璃基板的离子电荷的迁移，通过采用相同的电池片、玻璃基板、封装框以及相同的聚醋酸乙烯酯层等材料，对本发明提供的光伏晶硅组件进行PID测试，测试条件：测试负偏压-1500V，测试温度85℃、测试湿度85％、测试时间96h，得到光伏晶硅组件的初始状态与PID测试后的对比结果如下表所示。
同时还得到光伏晶硅组件的EL图像的初始图像和PID测试后的图像，分别如图4和图5所示。
由上述测试可知，本发明提供的光伏晶硅组件在PID测试后其EL和功率衰减均无变化，因此，与现有技术中的光伏晶硅组件相比，本发明提供的光伏晶硅组件的功率要高于现有技术中的光伏晶硅组件的功率，从而证明了本发明提供的光伏晶硅组件的抗PID性能非常优越，达到了零PID的效果。
作为本发明的第二个方面，提供一种光伏晶硅组件的制作方法，其中，如图6所示，所述制作方法包括：
S110、提供玻璃基板和背板；
S120、将多个电池片串联焊接形成多条电池串；
S130、在所述玻璃基板上涂覆一层聚醋酸乙烯酯以形成第一聚醋酸乙烯酯层；
S140、在所述第一聚醋酸乙烯酯层上涂覆一层聚碳酸酯形成聚碳酸酯层；
S150、在所述聚碳酸酯层上涂覆一层聚醋酸乙烯酯形成第二聚醋酸乙烯酯层；
S160、将多条所述电池串排布在所述第二聚醋酸乙烯酯层上；
S170、在多条所述电池串上涂覆一层聚醋酸乙烯酯以形成第三聚醋酸乙烯酯层；
S180、将所述背板覆盖在所述第三聚醋酸乙烯酯层上。
本发明提供的光伏晶硅组件的制作方法，通过在电池串与玻璃基板之间设置两层聚醋酸乙烯酯以及一层聚碳酸酯，通过聚碳酸酯的高电阻率阻止了光伏晶硅组件在负偏压条件下其封装框、玻璃里面的离子电荷的迁移，从而避免了PID问题的发生，且制作工艺简单，提高了光伏晶硅组件的质量和使用寿命。
具体地，所述制作方法还包括在所述将所述背板覆盖在所述第三聚醋酸乙烯酯层上的步骤后进行的：
对所述背板与所述玻璃基板之间的各层进行层压；
将层压后的所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在封装框内。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种光伏晶硅组件，包括玻璃基板、位于所述玻璃基板上的第一聚醋酸乙烯酯层以及多个电池片连接成的电池串，所述电池串通过所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述玻璃基板粘结，其特征在于，所述光伏晶硅组件还包括位于所述第一聚醋酸乙烯酯层与所述电池串之间的聚碳酸酯层和第二聚醋酸乙烯酯层，所述聚碳酸酯层的一面与所述第一聚醋酸乙烯酯层粘结，所述聚碳酸酯层的另一面通过所述第二聚醋酸乙烯酯层与所述电池串粘结；
所述光伏晶硅组件还包括位于所述电池串上的第三聚醋酸乙烯酯层和背板，所述背板通过所述第三聚醋酸乙烯酯层与所述电池串粘结；
所述光伏晶硅组件还包括封装框，所述封装框用于将所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在所述封装框内。
2.根据权利要求1所述的光伏晶硅组件，其特征在于，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm~0.5mm。
3.根据权利要求2所述的光伏晶硅组件，其特征在于，所述第一聚醋酸乙烯酯层和所述第二聚醋酸乙烯酯层的厚度均为0.3mm。
4.根据权利要求1所述的光伏晶硅组件，其特征在于，所述聚碳酸酯层的厚度为0.1mm~0.3mm。
5.根据权利要求4所述的光伏晶硅组件，其特征在于，所述聚碳酸酯层的厚度为0.175mm。
6.一种光伏晶硅组件的制作方法，用于制作权利要求1至5中任意一项所述的光伏晶硅组件，其特征在于，所述制作方法包括：
提供玻璃基板和背板；
将多个电池片串联焊接形成多条电池串；
在所述玻璃基板上涂覆一层聚醋酸乙烯酯以形成第一聚醋酸乙烯酯层；
在所述第一聚醋酸乙烯酯层上涂覆一层聚碳酸酯形成聚碳酸酯层；
在所述聚碳酸酯层上涂覆一层聚醋酸乙烯酯形成第二聚醋酸乙烯酯层；
将多条所述电池串排布在所述第二聚醋酸乙烯酯层上；
在多条所述电池串上涂覆一层聚醋酸乙烯酯以形成第三聚醋酸乙烯酯层；
将所述背板覆盖在所述第三聚醋酸乙烯酯层上。
7.根据权利要求6所述的光伏晶硅组件的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述将所述背板覆盖在所述第三聚醋酸乙烯酯层上的步骤后进行的：
对所述背板与所述玻璃基板之间的各层进行层压；
将层压后的所述背板与所述玻璃基板以及所述背板与所述玻璃基板之间的所述聚碳酸酯和所述电池串封装在封装框内。
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Citations (3)
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| CN106129132A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-11-16 | 江苏亚太新能源科技有限公司 | 一种太阳能钢化玻璃 |
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