CN107086215A - 一种led基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法 - Google Patents
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- 230000005496 eutectics Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 17
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 241000218202 Coptis Species 0.000 abstract description 7
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910001021 Ferroalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构，属于LED领域，包括LED芯片，LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层，LED芯片的反面设有第二金属导电层，一对第一金属导电层分别共晶焊接有第一金属片，两个第一金属片延伸至LED芯片外的同一端下方连接有第二金属片，第二金属片的厚度与整个LED芯片高度一致。与现有技术相比，该封装结构及其方法采用共晶焊接方式将两个第一金属片分别焊接LED芯片正面上的第一金属导电层上，两个第一金属片的下方之间连接有与LED芯片高度一致的第二金属片，利用第二金属片以及LED芯片反面的第二金属导电层作为电极，解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题，降低制造成本，减少制造工序，提高加工效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED领域，特别是一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法。
背景技术
现有的LED晶片结构一般通过金线与N极引脚连接，金线与LED晶片之间需要通过焊盘进行连接，然而由于晶片结构特别小，在晶片上设置焊盘非常麻烦，造成整个LED晶片制造工序繁琐，并且金线极细，制造困难，造成制造成本增加。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构，利用共晶焊接方式将LED晶片与金属片焊接，减少制造工序，提高加工效率，同时解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题，降低制造成本。
本发明采用的技术方案为：
一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构，包括LED芯片，LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层，LED芯片的反面设有第二金属导电层，一对第一金属导电层分别共晶焊接有第一金属片，两个第一金属片延伸至LED芯片外的同一端下方连接有第二金属片，第二金属片的厚度与整个LED芯片高度一致。
优选地，第一金属片和第二金属片上设有防氧化层。
优选地，第一金属片和第二金属片都为铜片。
本发明还提供一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法，可一次性形成多个LED元器件，减少加工工序，提高加工效率。
一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法，包括以下步骤：
1)选择一种正反面都具备共晶焊接能力的LED芯片，LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层，LED芯片反面设有第二金属导电层；
2)将一整块金属片蚀刻成型后做电镀防氧化表面处理形成多个芯片位置；
3)将LED芯片置于对应的芯片位置上，LED芯片正面的第一金属导电层贴合金属片；
4)对LED芯片和金属片加热进行共晶焊接；
5)对共晶焊接后的金属片进行划片以形成单个的LED元器件，使得每个LED元器件中LED芯片正面的一对第一金属导电层上对应两条平行的横向金属片，两个横向金属片的下方连接有纵向金属片，纵向金属片的厚度与LED芯片高度一致。
优选地，在步骤4）之前，在LED芯片反面以及裸露在LED芯片外的金属片贴上高温胶膜；同时在步骤4）之后，去除高温胶膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明提供一种基于正面焊盘可共晶的LED封装结构及其方法，采用共晶焊接方式将两个第一金属片分别焊接LED芯片正面上的第一金属导电层上，两个第一金属片的下方之间连接有与LED芯片高度一致的第二金属片，利用第二金属片以及LED芯片反面的第二金属导电层作为电极，解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题，降低制造成本，另外通过该封装方法，可一次性形成多个LED元器件，减少制造工序，提高加工效率。
附图说明
图1为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构的俯视示意图；
图2为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构的侧视示意图；
图3为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图一；
图4为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图二；
图5为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图三；
图6为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图四；
图7为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图五；
图8为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图六；
图9为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图七；
图10为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图八；
图11为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图九；
图12为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法的示意图十。
具体实施方式
根据附图对本发明提供的优选实施方式做具体说明。
图1和图2，为本发明提供的一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构的优选实施方式。如图1和图2所示，该封装结构包括LED芯片10，LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层101，LED芯片的反面设有第二金属导电层102，一对第一金属导电层101分别共晶焊接有第一金属片20，两个第一金属片20延伸至LED芯片10外的同一端下方连接有第二金属片30，第二金属片30的厚度与整个LED芯片10高度一致，这样以第二金属片30以及LED芯片反面的第二金属导电层102作为两个电极进行导电，避免了在LED芯片正面201设置焊盘以用来焊接金线的问题，减少工序，提高加工效率，同时降低制造成本。优选，第一金属片20和第二金属片30都为铜片。
第一金属片20和第二金属片30上设有防氧化层（图中未显示），用于防止氧化，延长使用寿命。
如图3至图12所示，本发明还提供一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法，可一次性形成多个LED元器件，减少加工工序，提高加工效率，该封装方法具体包括以下步骤：
1）选择一种正反面都具备共晶焊接能力的LED芯片10，LED芯片10正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层101，LED芯片反面设有第二金属导电层102，如图3和图4所示；
2）一整块金属片蚀刻成型后做电镀防氧化表面处理形成多个芯片位置100，如图5和图6所示；
3）将LED芯片10置于对应的芯片位置100上，LED芯片正面的第一金属导电层101贴合金属片，如图7和8所示；
4）对LED芯片10和金属片加热进行共晶焊接；
5）对共晶焊接后的金属片进行划片以形成单个的LED元器件，如图10至图12所示，使得每个LED元器件中LED芯片正面的一对第一金属导电层101上对应两条平行的横向金属片20，两个横向金属片20的下方连接有纵向金属片30，纵向金属片30的厚度与LED芯片高度一致。
值得注意的是，在整块金属片被蚀刻成型后，横向排布的横向金属片20即为第一金属片20，纵向排布的纵向金属片30即为第二金属片30。
另外，在步骤4）之前，在LED芯片反面的第二金属导电层102以及裸露在LED芯片外的金属片贴上高温胶膜40，如图9所示；同时在步骤4）之后，去除高温胶膜40，这样以保护LED芯片。
在形成LED元器件之后，第二金属片30以及LED芯片反面的第二金属导电层102作为两个电极，作为导电用。
综上所述，本发明的技术方案可以充分有效的实现上述发明目的，且本发明的结构及功能原理都已经在实施例中得到充分的验证，能达到预期的功效及目的，在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对发明的实施例做出多种变更或修改。因此，本发明包括一切在专利申请范围中所提到范围内的所有替换内容，任何在本发明申请专利范围内所作的等效变化，皆属本案申请的专利范围之内。
Claims (5)
1.一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构，包括LED芯片，其特征在于：LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层，LED芯片的反面设有第二金属导电层，一对第一金属导电层分别共晶焊接有第一金属片，两个第一金属片延伸至LED芯片外的同一端下方连接有第二金属片，第二金属片的厚度与整个LED芯片高度一致。
2.根据权利要求1所述的LED基于正面焊盘可共晶的封装结构，其特征在于：第一金属片和第二金属片上设有防氧化层。
3.根据权利要求1或2任一所述的LED基于正面焊盘可共晶的封装结构，其特征在于：第一金属片和第二金属片都为铜片。
4.一种LED基于正面焊盘可共晶的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）选择一种正反面都具备共晶焊接能力的LED芯片，LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层，LED芯片反面设有第二金属导电层；
2）将一整块金属片蚀刻成型后做电镀防氧化表面处理形成多个芯片位置；
3）将LED芯片置于对应的芯片位置上，LED芯片正面的第一金属导电层贴合金属片；
4）对LED芯片和金属片加热进行共晶焊接；
5）对共晶焊接后的金属片进行划片以形成单个的LED元器件，使得每个LED元器件中LED芯片正面的一对第一金属导电层上对应两条平行的横向金属片，两个横向金属片的下方连接有纵向金属片，纵向金属片的厚度与LED芯片高度一致。
5.根据权利要求4所述的LED基于正面焊盘可共晶的封装方法，其特征在于：在步骤4）之前，在LED芯片反面以及裸露在LED芯片外的金属片贴上高温胶膜；同时在步骤4）之后，去除所述高温胶膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710386505.XA CN107086215A (zh) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 一种led基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710386505.XA CN107086215A (zh) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 一种led基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107086215A true CN107086215A (zh) | 2017-08-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710386505.XA Pending CN107086215A (zh) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 一种led基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法 |
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| CN (1) | CN107086215A (zh) |
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