CN107084697B - 存储单元扭曲测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。本发明中的存储单元扭曲测量方法，通过得到的一个或多个方差值来度量存储单元扭曲程度的值，只使用普通的扫描装置和计算单元即可实现，克服了现有技术中手动测量的精度低、误差大、操作繁琐的问题。

Description

存储单元扭曲测量方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储单元扭曲测量方法。
背景技术
三维非易失性存储器件中，包括一个或多个存储单元，存储单元的扭曲程度是非常关键的参数，如果存储单元存在较大的扭曲度，而且由于测量仪器精度不高，或测量方法不合理，会造成存储单元的扭曲在整个存储器件的制作过程中没有得到适当的处理，不但使存储器件的关键尺寸测量不准确，难以控制，还会造成某些存储单元之间的连接关系出错，整个存储器件失效。现有的存储单元的扭曲测量是利用传统的测量仪器进行手动测量，效率很低，且精度无法保证。
因此，需要设计一种精度高的存储单元扭曲测量方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储单元扭曲测量方法，以解决现有的存储单元扭曲测量方法无法保证精度的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：
确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；
计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；
其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的左边界和/或右边界包括：
通过扫描对所述存储单元的图像的灰度值进行采集；
根据所述灰度值对所述存储单元的图像进行处理，大于一阈值灰度值的图像部分存储为黑色图像，小于所述阈值灰度值的图像部分存储为白色图像；
以所述黑色图像为基准，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的左边，则所述边界为左边界，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的右边，则所述边界为右边界。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储单元的数量为多个，多个所述存储单元设置在一存储器件中，其中：
所述存储器件包括上边界和下边界，所述上边界到所述下边界的最短距离为垂直方向；
多个所述存储单元沿所述垂直方向排列。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储单元的数量为单个，所述存储单元还包括上边界和下边界，其中：
所述上边界到所述下边界的最短距离为垂直方向。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的左基准线和/或右基准线包括：
将所述存储器件的垂直方向设置为所述左基准线和所述右基准线的方向；
在所述左边界上选择多个左基准线采集点，并采集多个所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第一平均值，将所述第一平均值作为所述左基准线在垂直方向上的坐标值；
在所述右边界上选择多个右基准线采集点，并采集多个所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第二平均值，将所述第二平均值作为所述右基准线在垂直方向上的坐标值；
将所述左基准线和/或所述右基准线延伸，直至与所述上边界和所述下边界相交。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，计算所述左边界与所述左基准线的方差包括：
在已确定的所述左边界上选择多个左方差采集点，采集多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第一平均值，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第三平均值，所述第三平均值为所述左边界与所述左基准线的方差。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，计算所述右边界与所述右基准线的方差包括：
在已确定的所述右边界上选择多个右方差采集点，采集多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第二平均值，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第四平均值，所述第四平均值为所述右边界与所述右基准线的方差。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储单元扭曲测量方法包括：
确定所述存储单元的中心线；
确定所述存储单元的中心基准线；
计算所述中心线和所述中心基准线的方差。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的中心线包括：
在所述左边界上选择多个左中心线采集点；
在所述右边界上选择多个右中心线采集点；
多个所述左中心线采集点和多个所述右中心线采集点数量相等且两两正相对；
正相对的所述左中心线采集点在垂直方向上的坐标值，和所述右中心线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，得到多个中心线采集点；
连接多个所述中心线采集点，得到所述中心线。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的中心基准线包括：
在所述中心线上选择多个中心基准线采集点，采集多个所述中心基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述中心基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第五平均值，将所述第五平均值作为所述中心基准线在垂直方向上的坐标值。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的中心基准线包括：
将所述第一平均值和所述第二平均值进行平均计算，获得第五平均值，将所述第五平均值作为所述中心基准线在垂直方向上的坐标值。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述计算所述中心线和所述中心基准线的方差包括：在已确定的所述中心线上选择多个中心方差采集点，采集多个所述中心方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述中心方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第五平均值，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第六平均值，所述第六平均值为所述中心线和所述中心基准线的方差。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述左基准线采集点、左方差采集点与左中心线采集点重合，所述右基准线采集点、右方差采集点与所述右中心线采集点重合；所述中心线采集点、所述中心基准线采集点和所述中心方差采集点相重合。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储器件为三维非易失性存储器件。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储单元的形状为圆柱体，所述存储单元扭曲测量方法还包括：
绕所述存储单元的中心轴线，旋转所述存储单元；
再次确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或再次确定所述存储单元的右边界和右基准线；
再次计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或再次计算所述右边界与所述右基准线的方差；
所述方差的值与所述存储单元的扭曲程度呈正比。
可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，在旋转所述存储单元时，旋转的角度的范围为10°～170°之间。
在本发明提供的存储单元扭曲测量方法中，通过确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差，方差与扭曲程度呈正比，通过得到的一个或多个方差值来度量存储单元扭曲程度的值，只使用普通的扫描装置和计算单元即可实现，方法简单方便，速度快，效率高；且参数选择合理，分析结果一目了然，得出的结果可清晰的反应出存储单元的扭曲程度，克服了现有技术中手动测量的精度低、误差大、操作繁琐的问题。
进一步的，通过计算所述左边界与所述左基准线的方差，可以一定程度的分析出左边界的粗糙度，计算所述右边界与所述右基准线的方差，可一定程度的分析出右边界的粗糙度，计算所述中心线和所述中心基准线的方差，可一定程度的分析出整体的扭曲度，甚至也可以作为倾斜度的考量参数，在消减存储单元扭曲度的处理工艺中，可根据三个参数的差异选择不同的处理方式，提高了方法的灵活性。转动所述存储单元，再重新进行测量和采样，保证存储单元整个立体表面都进行扭曲度的测量。
另外，左基准线采集点、左方差采集点和左中心线采集点相重合，右基准线采集点、右方差采集点和右中心线采集点相重合；中心线采集点、中心基准线采集点和中心方差采集点相重合，均可以使采集的点减少，采样时间短，流程简化，还可以减少采样的计算单元的内存，提高计算效率。
附图说明
图1～5是本发明存储单元扭曲测量方法中的存储单元示意图；
图6是本发明存储单元扭曲测量方法流程示意图；
图中所示：11-左边界；11’-左基准线；12-右边界；12’-右基准线；13-上边界；14-下边界；15-中心线；15’-中心基准线。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的存储单元扭曲测量方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于提供一种存储单元扭曲测量方法，以解决现有的存储单元扭曲测量方法无法保证精度的问题。
为实现上述思想，本发明提供了一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。
<实施例一>
如图1所示，所述存储单元的数量为单个，所述存储单元还包括上边界13和下边界14，其中：所述上边界13到所述下边界14的最短距离为垂直方向。另外，存储单元还有另一种结构关系，如图2所示，所述存储单元的数量为多个，多个所述存储单元设置在一存储器件中，所述存储器件为三维非易失性存储器件，其中：所述存储器件包括上边界13和下边界14，如图3所示，所述上边界13到所述下边界14的最短距离为垂直方向，即坐标轴Y的方向；一个或多个所述存储单元沿所述垂直方向排列，图3只列出存储器件的部分，只显示了一个存储单元。
本实施例提供的一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界11和左基准线11’，和/或确定所述存储单元的右边界12和右基准线12’；计算所述左边界11与所述左基准线11’的方差，和/或计算所述右边界12与所述右基准线12’的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。
具体的，所述确定所述存储单元的左边界11和/或右边界12包括：将所述存储单元放在一扫描装置中；通过扫描对所述存储单元的图像的灰度值进行采集；计算单元根据所述灰度值对所述存储单元的图像进行处理，大于一阈值灰度值的图像部分存储为黑色图像，小于所述阈值灰度值的图像部分存储为白色图像；以所述黑色图像为基准，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的左边，则所述边界为左边界11，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的右边，则所述边界为右边界12。
进一步的，如图3所示，所述确定所述存储单元的左基准线11’包括：将所述存储器件的垂直方向设置为所述左基准线11’的方向，即坐标轴Y的方向；在已确定的所述左边界11上选择多个左基准线采集点，如图3中所示，为a1～a11，采集多个所述左基准线采集点a1～a11在垂直方向上的坐标值Xa1～Xa11，即基准线采集点a1～a11向坐标轴X作垂直线，所述垂直线与X相交的位置，图中标识出了Xa10和Xa11的位置，Xa1～Xa9的位置也可依此来求出；将所述左基准线采集点a1～a11在垂直方向上的坐标值Xa1～Xa11进行平均计算，获得第一平均值X1，计算公式为：
其中：Xa1～Xa11为左基准线采集点a1～a11在垂直方向上的坐标值，X1为所述第一平均值。将所述第一平均值X1作为所述左基准线在垂直方向上的坐标值，即左基准线11’穿过坐标值(0，X1)的点；将所述左基准线11’延伸，直至分别与所述上边界13和所述下边界14相交。
如图4所示，所述确定所述存储单元的右基准线12’包括：在所述右边界12上选择多个右基准线采集点b1～b11，采集多个所述右基准线采集点b1～b11在垂直方向上的坐标值Xb1～Xb11，即右基准线采集点b1～b11向坐标轴X作垂直线，所述垂直线与X相交的位置，将所述右基准线采集点b1～b11在垂直方向上的坐标值Xb1～Xb11进行平均计算，获得第二平均值X2，计算公式为：
其中：Xb1～Xb11为右基准线采集点b1～b11在垂直方向上的坐标值，X2为所述第二平均值。将第二平均值X2设置为所述右基准线12’在垂直方向上的坐标值。即右基准线12’穿过坐标值(0，X2)的点；将所述右基准线12’延伸，直至分别与所述上边界13和所述下边界14相交。
另外，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述计算所述左边界11与左基准线11’的方差包括：在已确定的所述左边界11上选择多个左方差采集点，采集多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去第一平均值X1，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第三平均值X3。多个所述左基准线采集点与多个所述左方差采集点相重合，即多个左方差采集点就是a1～a11，则多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值为Xa1～Xa11，左边界11与左基准线11’的方差的计算公式为：
其中：X3为左边界11与左基准线11’的方差，可称为左方差值，Xa1～Xa11为左方差采集点a1～a11在垂直方向上的坐标值，X1为所述第一平均值。多个所述左基准线采集点与多个所述左方差采集点相重合，可以使采集的点减少，采样时间短，流程简化，还可以减少采样的计算单元的内存，提高计算效率。
进一步的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述计算所述右边界12与右基准线12’的方差包括：在已确定的所述右边界上12选择多个右方差采集点，采集多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去第二平均值X2得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第四平均值X4。多个所述右基准线采集点与多个所述右方差采集点相重合。如图4所示，即所述右方差采集点为b1～b11，其在垂直方向上的坐标值为Xb1～Xb11，右边界12与右基准线12’的方差的计算公式为：
其中：X4为右边界12与右基准线12’的方差，可称为右方差值，Xb1～Xb11为右方差采集点b1～b11在垂直方向上的坐标值，X2为所述第二平均值。
另外，由于所述存储单元的形状为圆柱体，是立体结构，因此需要对圆柱体的整个表面的扭曲程度进行评估，因此所述存储单元扭曲测量方法还包括：绕所述存储单元的中心轴线，旋转所述存储单元；再次确定所述存储单元的左边界11和左基准线11’，和/或再次确定所述存储单元的右边界12和右基准线12’；再次计算所述左边界11与所述左基准线11’的方差，和/或计算所述右边界12与所述右基准线12’的方差，所述方差的值与所述存储单元的扭曲程度呈正比，旋转的角度的范围为10°～170°之间，旋转所述存储单元，再重新进行测量和采样，保证存储单元整个立体表面都进行扭曲度的测量。
<实施例二>
如图5所示，本实施例还提供一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的中心线15；确定所述存储单元的中心基准线15’；计算所述中心线15和所述中心基准线15’的方差，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。
具体的，所述确定所述存储单元的中心线15包括：在所述左边界11上选择多个左中心线采集点，优选的，可采用确定左基准线11’时的左基准线采集点a1～a11；同样，在所述右边界12上选择多个右中心线采集点，可采用确定右基准线12’时的右基准线采集点b1～b11；多个所述左中心线采集点a1～a11和多个所述右中心线采集点b1～b11数量相等且两两正相对，即a1与b1位于同一水平线上，a1坐标值为(Xa1，Y1)，b1坐标值为(Xb1，Y1)；两两正相对的所述左中心线采集点和所述右中心线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，即a1和b1对应在垂直方向上的坐标值Xa1与Xb1的值进行平均，平均值为Xc1，得到一个中心线采集点c1，其坐标值为(Xc1，Y1)；以此类推，a2和b2得到c2，直至an和bn得到cn，可得到多个中心线采集点c1～c11，连接多个所述中心线采集点c1～c11，得到所述中心线15。
进一步的，所述确定所述存储单元的中心基准线包括：在所述中心线15上选择多个中心基准线采集点，优选的，多个所述中心线采集点c1～c11与多个所述中心基准线采集点相重合，采集多个所述中心基准线采集点在垂直方向上的坐标值，即Xc1～Xc11，将所述中心基准线采集点在垂直方向上的坐标值Xc1～Xc11进行平均计算，获得第五平均值X5，计算公式如下：
其中：Xc1～Xc11为中心线15的采集点c1～c11在垂直方向上的坐标值，X5为第五平均值。将第五平均值X5作为所述中心基准线15’在垂直方向上的坐标值。多个所述中心线采集点与多个所述中心基准线采集点相重合，即直接将中心线采集点作为中心基准线采集点，均可以使采集的点减少，采样时间短，流程简化，还可以减少采样的计算单元的内存，提高计算效率。
另外，而且由于左中心线采集点与左基准线采集点相重合，右中心线采集点与右基准线采集点相重合，中心基准线采集点和中心线采集点相重合，所述确定所述存储单元的中心基准线还包括：将所述第一平均值X1和所述第二平均值X2进行平均计算，获得第五平均值X5，这种方法计算比较简单，但中心线15和中心基准线15’的方差值和第二平均值X2(左边界11与左基准线11’的方差，即左方差值)以及第四平均值X4(右边界12与右基准线12’的方差，即右方差值)相关联，三者相比较的参考意义不大，若另选采样点，可以提高三者的比较和参考意义。
进一步的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述计算所述中心线15与中心基准线15’的方差包括：在已确定的所述中心线上15选择多个中心线的方差采集点，即c1～c11，采集多个所述方差采集点在垂直方向上的坐标值Xc1～Xc11，多个所述中心线的方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去第五平均值X5得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第六平均值X6。如图5所示，中心线15与右基准线15’的方差的计算公式为：
其中：X6为中心线15与中心基准线15’的方差，Xc1～Xc11为中心线的方差采集点c1～c11在垂直方向上的坐标值，X5为第五平均值。所述左中心线采集点、左方差采集点与所述左基准线采集点重合，即均为a1～a11，所述右中心线采集点、右方差采集点与所述右基准线采集点重合，即均为b1～b11，所述中心基准线采集点、所述中心线采集点和所述中心方差采集点相重合，即均为c1～c11，均可以使采集的点减少，采样时间短，流程简化，还可以减少采样的计算单元的内存，提高计算效率。
综上，上述实施例对存储单元扭曲测量方法的不同方式进行了详细说明，主要步骤如图6所示，包括步骤S1：确定所述存储单元的左边界和右边界；步骤S2：根据所述左边界和右边界确定所述存储单元的中心线；步骤S3：确定所述存储单元的左基准线、右基准线和中心基准线；然后是分别计算方差值，具体包括步骤S41：计算所述左边界与所述左基准线的方差；步骤S42：计算所述右边界与所述右基准线的方差；步骤S43：计算所述中心线与所述中心基准线的方差，步骤S41、S42和S43为并列关系。当然，本发明包括但不局限于上述实施中所列举的构型，任何在上述实施例提供的构型基础上进行变换的内容，均属于本发明所保护的范围。本领域技术人员可以根据上述实施例的内容举一反三。
在以上实施例提供的存储单元扭曲测量方法中，通过确定所述存储单元的左边界11和右边界12，根据所述左边界11和右边界12确定所述存储单元的中心线15；然后确定所述存储单元的左基准线11’、右基准线12’和中心基准线15’；计算所述左边界11与所述左基准线11’的方差，和/或计算所述右边界12与所述右基准线12’的方差，和/或计算所述中心线15和所述中心基准线15’的方差。本发明中的存储单元扭曲测量方法，通过得到的一个或多个方差值来度量存储单元扭曲程度的值，只使用普通的扫描装置和计算单元即可实现，方法简单方便，速度快，效率高；且参数选择合理，分析结果一目了然，得出的结果可清晰的反应出存储单元的扭曲程度，克服了现有技术中手动测量的精度低、误差大、操作繁琐的问题。
进一步的，通过计算所述左边界11与所述左基准线11’的方差，可以一定程度的分析出左边界11的粗糙度，计算所述右边界12与所述右基准线12’的方差，可一定程度的分析出右边界12的粗糙度，计算所述中心线15和所述中心基准线15’的方差，可一定程度的分析出整体的扭曲度，甚至也可以作为倾斜度的考量参数，在消减存储单元扭曲度的处理工艺中，可根据三个参数的差异选择不同的处理方式，提高了方法的灵活性。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (15)

1.一种存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述存储单元扭曲测量方法包括：
确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；
计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；
其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比；
所述确定所述存储单元的左基准线和/或右基准线包括：
将垂直方向设置为所述左基准线和所述右基准线的方向；
在所述左边界上选择多个左基准线采集点，并采集多个所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第一平均值，将所述第一平均值作为所述左基准线在垂直方向上的坐标值；
在所述右边界上选择多个右基准线采集点，并采集多个所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第二平均值，将所述第二平均值作为所述右基准线在垂直方向上的坐标值；
所述存储单元的数量为多个，多个所述存储单元设置在一存储器件中，所述存储器件包括上边界和下边界，或者所述存储单元的数量为单个，所述存储单元还包括上边界和下边界；
将所述左基准线和/或所述右基准线延伸，直至与所述上边界和所述下边界相交。
2.如权利要求1所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述确定所述存储单元的左边界和/或右边界包括：
通过扫描对所述存储单元的图像的灰度值进行采集；
根据所述灰度值对所述存储单元的图像进行处理，大于一阈值灰度值的图像部分存储为黑色图像，小于所述阈值灰度值的图像部分存储为白色图像；
以所述黑色图像为基准，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的左边，则所述边界为左边界，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的右边，则所述边界为右边界。
3.如权利要求2所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，当所述存储单元的数量为多个时，所述上边界到所述下边界的最短距离为所述垂直方向；
多个所述存储单元沿所述垂直方向排列。
4.如权利要求2所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，当所述存储单元的数量为单个时，所述上边界到所述下边界的最短距离为所述垂直方向。
5.如权利要求3或4所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，计算所述左边界与所述左基准线的方差包括：
在已确定的所述左边界上选择多个左方差采集点，采集多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第一平均值，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第三平均值，所述第三平均值为所述左边界与所述左基准线的方差。
6.如权利要求5所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，计算所述右边界与所述右基准线的方差包括：
在已确定的所述右边界上选择多个右方差采集点，采集多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第二平均值，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第四平均值，所述第四平均值为所述右边界与所述右基准线的方差。
7.如权利要求6所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述存储单元扭曲测量方法包括：
确定所述存储单元的中心线；
确定所述存储单元的中心基准线；
计算所述中心线和所述中心基准线的方差。
8.如权利要求7所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述确定所述存储单元的中心线包括：
在所述左边界上选择多个左中心线采集点；
在所述右边界上选择多个右中心线采集点；
多个所述左中心线采集点和多个所述右中心线采集点数量相等且两两正相对；
正相对的所述左中心线采集点在垂直方向上的坐标值，和所述右中心线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，得到多个中心线采集点；
连接多个所述中心线采集点，得到所述中心线。
9.如权利要求8所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述确定所述存储单元的中心基准线包括：
在所述中心线上选择多个中心基准线采集点，采集多个所述中心基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述中心基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第五平均值，将所述第五平均值作为所述中心基准线在垂直方向上的坐标值。
10.如权利要求9所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述确定所述存储单元的中心基准线包括：
将所述第一平均值和所述第二平均值进行平均计算，获得第五平均值，将所述第五平均值作为所述中心基准线在垂直方向上的坐标值。
11.如权利要求10所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述计算所述中心线和所述中心基准线的方差包括：在已确定的所述中心线上选择多个中心方差采集点，采集多个所述中心方差采集点在垂直方向上的坐标值，多个所述中心方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第五平均值，得到多个差值，分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值，得到第六平均值，所述第六平均值为所述中心线和所述中心基准线的方差。
12.如权利要求11所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述左基准线采集点、左方差采集点与左中心线采集点重合，所述右基准线采集点、右方差采集点与所述右中心线采集点重合；所述中心线采集点、所述中心基准线采集点和所述中心方差采集点相重合。
13.如权利要求3所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述存储器件为三维非易失性存储器件。
14.如权利要求1所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述存储单元的形状为圆柱体，所述存储单元扭曲测量方法还包括：
绕所述存储单元的中心轴线，旋转所述存储单元；
再次确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或再次确定所述存储单元的右边界和右基准线；
再次计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或再次计算所述右边界与所述右基准线的方差；
所述方差的值与所述存储单元的扭曲程度呈正比。
15.如权利要求14所述的存储单元扭曲测量方法，其特征在于，在旋转所述存储单元时，旋转的角度的范围为10°～170°之间。
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