CN107078703A - 具有dvc的功率放大器匹配电路 - Google Patents
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Abstract
本文公开的实施例一般地涉及用于在比如便携式电话的设备中进行阻抗匹配和谐波控制的功率放大器匹配电路。在一个示例中,功率放大器匹配电路包括两个DVC、四个电感器、晶体管和电容器。利用两个DVC,电路的阻抗匹配比和中心频率能够根据需要进行调节。此外,包含两个DVC还可以防止谐波频率不期望地通过功率放大器匹配电路传送到便携式设备的天线。所述功率放大器匹配电路可以与放大器结合使用,其中放大器的输出与电路中的电流成比例。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年10月9日提交的美国临时专利申请号为62/061,928的优先权,其通过引用并入本文。
发明背景
发明领域
本文公开的实施例一般地涉及用于在比如便携式电话的设备中进行阻抗匹配和谐波控制的功率放大器匹配电路。
相关技术说明
便携式电话,比如移动电话,有很多使日常生活更便利的期望功能。例如,移动电话能够接收电子邮件、短信以及供终端用户使用的其他数据。此外,移动电话能够发送电子邮件、短信以及来自该移动电话的其他数据。移动电话通常在由各种移动电话运营商中的任一个所提供的无线网络上运行。发送至移动电话或由移动电话发送的数据要求移动电话在越来越多的频率上工作,以支持该移动电话的所有组件和天线。
功率放大器输出匹配电路可以用于将由天线所呈现的标称为50欧姆的负载阻抗改变为适用于该功率放大器输出级的操作的较低的阻抗。这些输出匹配电路在固定频带上工作,并且所述电路呈现给功率放大器的阻抗针对该放大器的操作类型(比如高线性度或高效率)来进行优化。
图1示出典型的功率放大器输出匹配电路100的示意性电路图。电路100具有与表面贴装技术(SMT)电容器一起集成到该功率放大器模块基板中的至少三个电感器,以获得使该功率放大器输出级进行高效和线性工作所需的阻抗匹配。电路100充当使用第一部分低通网络101和第二部分低通网络103的阻抗匹配网络。用于功率放大器输出级的典型期望负载阻抗约为3欧姆。第一部分低通网络101将负载阻抗按比率增加约500%,通常将该阻抗从约3欧姆增加到约15欧姆。第二部分低通网络103进一步将阻抗从约15欧姆增加到约50欧姆,这是功率放大器必须工作的典型标称系统阻抗。
电路100具有几个缺点。一个主要的缺点是固定的阻抗比和固定的中心频率,因为基板电感器和SMT电容器具有固定值。电路100在带宽和插入损耗特性方面也受到限制,因为在设计优化中对这些参数进行了折中。由于SMT电容器需要占据基板表面上的空间,电路100的物理尺寸也很大。此外,电路100可能需要在功率放大器和频分双工(FDD)系统运行所需的任意双工器之间包括固定的匹配网络。该网络使双工器阻抗与功率放大器的负载阻抗匹配。该方法的一个缺点是对于具有大范围的阻抗值-频率比的典型双工器,固定网络不能在宽的带宽中对功率放大器和双工器进行最佳匹配。此外,为了系统效率优化,固定网络不能对功率放大器与施加到功率放大器的变化的电源电压之比进行最佳匹配。针对每个功率放大器/双工器组合来实验性地确定固定网络,使得新的电话平台的初启成为一个缓慢而繁琐的过程。该网络还需要几个SMT电感器和/或电容器,并且占用每个双工器的较多电话板空间。
因此,需要一种改进的用作阻抗匹配网络的功率放大器匹配电路,其允许动态调节阻抗以补偿系统参数(比如发射中心频率、电源电压、和双工器负载阻抗与频率之比)的变化。
发明内容
本申请公开的实施例一般地涉及用于在比如便携式电话的设备中进行阻抗匹配和谐波控制的功率放大器匹配电路。在一个示例中,功率放大器匹配电路包括两个DVC、四个电感器、晶体管和电容器。利用两个DVC,电路的阻抗匹配比和中心频率能够根据需要进行调节。此外,包含两个DVC还可以防止谐波频率不期望地通过功率放大器匹配电路传递到便携式设备的天线。所述功率放大器匹配电路可以与放大器结合使用,其中放大器的输出功率与电路中的电流成比例。
在一个实施例中,第一电感器的第一端与电源电耦接。第一电容器的第一端与第一电感器的第二端连接。晶体管进而与第一电容器的第二端和第一电感器的第二端连接。第二电感器的第一端与第一电感器的第二端连接。第一DVC的第一端与第二电感器的第二端连接。第二DVC的第一端也与第二电感器的第二端连接。第三电感器的第一端与第二DVC的第二端连接。第三电感器的第二端电接地。第一DVC的第二端与第四电感器的第一端连接。第四电感器的第二端电接地。第一DVC的第二端和第四电感器的第一端与RF输出连接。
在另一实施例中,第一电感器的第一端与电源电耦接。第一电容器的第一端与第一电感器的第二端连接。晶体管与第一电容器的第二端和第一电感器的第二端连接。放大器的第一端与第一电感器的第一端和第二端连接,并且该放大器的第二端与电压输出连接。该放大器的输出与从第一电感器的第一端流到第一电感器的第二端的电流成比例。
在另一实施例中,第一电感器的第一端与电源电耦接。第一电容器的第一端与第一电感器的第二端连接。晶体管与第一电容器的第二端和第一电感器的第二端连接。第二电感器的第一端与第一电感器的第二端连接。第一DVC的第一端与第二电感器的第二端连接。第三电感器的第一端与第一DVC的第二端连接。第三电感器的第二端电接地。第四电感器的第一端与第二电感器的第二端连接。第二DVC的第一端与第四电感器的第二端连接。第五电感器的第一端与第二DVC的第二端连接。第五电感器的第二端电接地。第二电容器的第一端与第四电感器的第二端连接。第二电容器的第二端与RF输出连接。
附图说明
因此,能够详细地理解本发明的上述特征的方式、对以上简要总结的发明的更具体的描述可以通过参考实施例来获得,其中一些实施例在附图中图示说明。然而,应当注意,附图仅图示出本发明的典型实施例,因此不会被认为是对其范围的限制,因为本发明可以允许其他效果等同的实施例。
图1是具有SMT电容器和电感器的功率放大器匹配电路的示意性电路图。
图2是根据一个实施例的移动电话的等距图。
图3A是根据一个实施例的数字可变电容器的示意性俯视图。
图3B是MEMS装置的示意性横截面图。
图4是利用阻抗匹配网络的功率放大器匹配电路的示意性电路图。
图5是利用电源控制器电路的功率放大器匹配电路的示意性电路图。
图6是控制二次和三次谐波的功率放大器匹配电路的示意性电路图。
为了便于理解,在可能的情况下,使用了相同的参考标号来标示附图共有的相同元件。预期的是,在一个实施例中公开的元件可以有利地用于其他实施例,而无需特别说明。
具体实施方式
本文公开的实施例一般地涉及用于在比如便携式电话的设备中进行阻抗匹配和谐波控制的功率放大器匹配电路。在一个示例中,功率放大器匹配电路包括两个DVC、四个电感器、晶体管和电容器。利用这两个DVC,电路的阻抗匹配比和中心频率能够根据需要进行调节。此外,包含两个DVC还可以防止谐波频率不期望地通过功率放大器匹配电路传递到便携式设备的天线。所述功率放大器匹配电路可以与放大器结合使用,其中放大器的输出与电路中的电流成比例。
图2图示可以在其中使用本文讨论的功率放大器匹配电路的移动电话。图3A是根据一个实施例的数字可变电容器(DVC)300的示意图。DVC 300包括多个腔302。虽然仅详细示出了一个腔302,但是应当理解,每个腔302可以具有相似的构造,然而每个腔302的电容可以不同。
每个腔302具有耦接到RF连接器/焊接凸点306的RF电极304。此外,每个腔302具有一个或更多个引入电极(pull-in electrode)308和一个或更多个接地电极310。切换元件312(示出2个)设置在电极304、308、310之上。事实上,切换元件312电耦接到接地电极310。由于施加到引入电极308的电流,切换元件312能够移动到距离RF电极304的不同间隔处。
图3B是MEMS装置314的示意图。MEMS装置314包括电极304、308、310和切换元件312,该切换元件312设置在腔302中并且能够从靠近RF电极304的位置(称为Cmax位置)和间隔开地邻近上拉电极316的位置(称为Cmin位置)移动。腔302内的切换元件312的位置确定特定腔的电容。通过使用DVC中的MEMS装置,能够如本文所讨论的那样调谐所述功率放大器匹配网络。
DVC 300可以用来调谐移动电话中的功率放大器匹配网络。功率放大器匹配网络可以用于功率效率和阻抗匹配,这优化了移动电话的整体效率。阻抗匹配还可以使得电路的信噪比得到提高。
图4示出使用DVC的功率放大器匹配电路400的第一实施例,其用作阻抗匹配网络(IMN)。电路400或网络在一端上耦接到MEMS装置314的引入电极308。来自电源的电流或电信号从引入电极308或Vbat处开始流过电路。Vbat与第一电感器418的第一端连接。第一电容器426的第一端与第一电感器418的第二端连接。晶体管428进而与第一电容器426的第二端以及第一电感器418的第二端连接。第二电感器422的第一端与第一电感器418的第二端连接。第一DVC 424的第一端与第二电感器422的第二端连接。第二DVC 430的第一端也与第二电感器422的第二端连接。第二电感器422的第二端、第一DVC 424的第一端以及第二DVC430的第一端在节点436处连接。第三电感器432的第一端与第二DVC 430的第二端连接。第三电感器432的第二端电接地。第一DVC 424的第二端与第四电感器434的第一端连接。第四电感器434的第二端电接地。第一DVC 424的第二端和第四电感器434的第一端与RF输出级或RF输出相连接。第二电容器420的第一端可以与第一电感器418的第一端连接,其中第二电容器420的第二端将电接地。RF输出线连接到RF电极304。电信号可以从RF输出流动到Vbat,并且不限于沿特定方向流动。
在电路400内,第一电感器418可以是直流(DC)电抗器并且第三电感器432可以是互连寄生的。第一DVC 424、第二DVC 430和第四电感器434可以用作电容变压器,其中该电容变压器具有窄带宽。第一DVC 424和第二DVC 430可以集成到现有的CMOS/SOI/SOS控制器上。这免除了在比如电路100的其他功率放大器匹配电路中所需的一些SMT组件,并且由于该电路需要更少的部件来进行正常运作,因此能够减少该电路的整体尺寸。该阻抗匹配网络的第二DVC 430和第三电感器432产生串联谐振,使得任意的二次谐波被反射到地面,有效地形成二次谐波陷波。通过改变第二DVC 430和第三电感器432的串联谐振器的谐振频率,能够调节该陷波以跟踪中心频率。此外,第二电容器426、第一电感器418和第二电感器422产生围绕二次谐波的并联谐振。
该电路400的另一个优点是第一DVC 424和第二DVC 430的电容可调节。第一DVC424和第二DVC 430之间的比率设定电路400的阻抗转换比或阻抗匹配比。例如,由于连接第二电感器的线的位置436处阻抗更低,将第二DVC 430设定为比第一DVC 424更大的值导致阻抗转换比增加。如果第二DVC 430具有比第一DVC 424更小的值,则该阻抗转换比减小。此外,由于所述电信号直接流到RF输出线,如果第二DVC 430被设定为零并且第一DVC 424无穷大,则不会发生转换。相反,如果第二DVC 430无穷大并且第一DVC 424被设定为零,由于信号短路接地并且没有信号出去,不会发生转换。因为第一DVC 424和第二DVC 430二者的电容是可调节的,所以第一DVC 424和第二DVC 430的有效串联电容以及该电路的中心频率也是可调节的。
与第四电感器434并联的第一DVC 424和第二DVC 430的有效串联电容设定阻抗匹配电路400的中心频率。这种关系允许对电路400的谐振频率进行调谐以进行最佳使用。为了改变阻抗匹配比,从RF输出看,有效电容保持恒定,其反过来又使中心频率在该比率变化时保持固定。为了保持与第二DVC 430串联的第一DVC 424的有效值的恒定,当从RF输出看时,第一DVC 424和第二DVC 430能够被视为一个DVC。只要第一DVC 424和第二DVC 430的有效电容保持不变,可以调节第一DVC 424或第二DVC 430之一的单个电容或分别调节两个DVC的单个电容,以将该阻抗匹配比调节到期望值。保持第一DVC 424和第二DVC 430的有效电容恒定允许调节第一DVC 424和第二DVC 430之间的匹配比,以便在中心频率保持恒定的同时调节网络400的阻抗。相反,当调谐中心频率时,第一DVC 424和第二DVC 430之间的比率可以保持恒定。第一DVC 424和第二DVC 430两者必须在相同的方向上成比例地一起改变。使第一DVC 424和第二DVC 430两者同时向上或向下移动相同的因数,会使中心频率向上或向下移动。这使得在调谐中心频率的同时保持第一DVC 424和第二DVC 430之间的比率不变并且匹配比恒定。
阻抗匹配比的可调性能够在几个方面是有益的。能够对阻抗匹配比进行调节允许动态地通过反馈或静态地通过频带或频带内的频道将功率放大器的性能优化为天线负载条件。功率放大器在不同双工器负载中的性能也能够被优化。调节阻抗匹配比能够允许在固定Vbat值、平均功率跟踪(APT)或包络跟踪(ET)操作下对处于最大系统效率所需的变化功率级的功率放大器的性能进行优化。此外,中心频率的可调性也是有益的。能够对中心频率进行调节允许针对每个操作频率优化该功率放大器的性能。频带或频带内的频道的谐波性能也得到优化。调节中心频率使低损耗、窄带匹配成为可能,从而提高功率放大器的效率。
可调阻抗匹配电路400消除了对功率放大器和双工器模块之间的固定匹配网络的需要(如电路100所需要的)。该可调阻抗匹配网络还消除了对用于补偿频带间或频带内的频道间的天线阻抗变化或者由于改变天线使用环境或负载条件而引起的天线阻抗变化的阻抗匹配调谐器的需要。由于能够调谐中心频率,通过允许使用低损耗、窄带匹配网络同时允许功率放大器具有更宽的有效工作带宽,可调电路400还借助频带或频带内的频道提高了功率放大器的效率。
图5示出使用DVC的功率放大器匹配电路500的另一实施例,其用作功率控制电路(PCC)。电路500耦接到MEMS装置314的引入电极308。来自电源的电流或电信号从引入电极308或Vbat进入而流过电路500。第一电感器518的第一端与Vbat连接。第一电容器526的第一端与第一电感器518的第二端连接。晶体管528与第一电容器526的第二端和第一电感器518的第二端连接。放大器538的第一端与第一电感器518的第一端和第二端连接,并且放大器538的第二端与电压输出540连接。第一电感器518同时具有电阻(R)和在其上通常从第一电感器518的第一端流到第二端的电流(I)。阻抗匹配器和/或孔径(aperture)调谐器可以耦接到电路500。第二电容器520的第一端可以与第一电感器518的第一端连接,其中第二电容器520的第二端将电接地。第一电感器518可以是直流电抗器。电压输出540可以是RF输出级。该实施例500可以与先前描述的阻抗匹配电路400一起工作。
电路500连接到控制器(未示出)。该控制器可以是CMOS控制器。该控制器能够读取第一电感器518两端的电压。第一电感器518的电阻可以通过测量或通过参考制造商数据表来得知。由于第一电感器518的电压和电阻都是已知的,所以能够确定或计算第一电感器518两端产生的电流。第一电感器518两端产生的电压等于电流乘以电阻。由于广义阻抗等于电压除以电流,因此知道电路两端的电压能够确定广义阻抗。从该等式可以得出,阻抗和电流具有反比关系。
放大器输出540与流过第一电感器518的电流成比例。进而能够将放大器538的输出540反馈给控制器。该信息然后能够用来调节电路500的阻抗,其进而控制匹配阻抗。由于放大器538的输出540与电路500中的电流量成比例,所以该系统能够感测功率放大器匹配电路500正在引出的电流量,并且能够推断出广义阻抗是多少。该系统不读取精确的阻抗值,但能够给出标量参考点。例如,系统可能能够判断阻抗是高于还是低于50欧姆。然后该系统能够向电源、阻抗匹配器或孔径调谐器发送信号,以对匹配阻抗进行调节。这允许系统确定阻抗是太高还是太低,然后该系统能够发送信号以几乎立即进行适当的调节。
因为放大器输出540不断被反馈给系统,所以该系统能够进行迅速的调节。在任意时间点处,该系统都知道通过电路500正驱动多少电流,并且能够对电源、阻抗匹配器或孔径调谐器进行调节以调节阻抗。例如,如果电流过高,则由于阻抗与电流之间的反比关系,该系统知道匹配阻抗太低,并且系统能够降低功率以进行适当的调节。
针对给定功率放大器能够通过测量来确定功率放大器所引出的电流与最佳负载条件下的功率级和电源电压之比。进而能够将这些测量值用于基带处理器,以便对任意电源电压和功率级的正确的负载阻抗进行算法确定。因此,该负载阻抗能够由功率放大器本身或由基带的动作来改变,以迫使功率放大器电流符合期望的工作功率级和电源电压的最佳电流值。此外,阻抗匹配器和孔径调谐器能够将天线的谐振频率调谐到特定频带,并且能够使天线更有效率。该实施例的一个优点是阻抗匹配器和孔径调谐器能够在调谐谐振频率的同时改善天线的匹配阻抗。
与先前描述的阻抗匹配电路或IMN 400结合使用的PCC 500利用DVC匹配网络和所需的与输出级收集器以及Vbat电源的连接的集成,使得能够测量第一电感器518两端的电压降,其能够与功率放大器输出级所引出的电流相关。这允许稍微精确地估计电流,并且从功率放大器输出级收集的信息将由功率放大器本身来使用或通过反馈而用于基带处理器。PCC 500与IMN 400结合允许调节功率放大器驱动功率,以使不利条件下的电池寿命最大化。在本文中称为结合电路400/500的、组合的PCC 500和IMN 400还允许调节功率放大器负载阻抗,以通过频道优化功率放大器性能与天线负载变化之比或双工器阻抗变化与频率之比。此外,该结合电路400/500允许在较低输出功率下优化功率放大器负载阻抗以最大化系统效率,并且允许由于APT或ET操作而在较低电源电压下优化功率放大器负载阻抗。
结合电路400/500可以与具有写入和回读能力的射频前端(RFFE)系统一起使用。放大器输出540仍然与第一电感器518两端的电流成比例。然后,放大器输出540通过RFFE总线反馈到控制器系统。无论何时进行电压测量,所收集的数据都被输入寄存器中。寄存器中的数据能够被随时读回系统,并且能够表明结合电路400/500当前正在驱动多大的电流。该控制器能够通过读取寄存器来确定是否正在驱动正确量的电压或电流通过系统。如果控制器确定电压量或电流量不正确,则该控制器能够进行调节以校正系统。例如,如果控制器确定电流太高,则该控制器知道传输功率太高,或者系统的匹配阻抗太低,并且要么降低功率,要么增加阻抗以进行调节。
图6示出利用DVC的功率放大器匹配电路600的另一实施例。电路600耦接到MEMS装置314的引入电极308。来自电源的电流或电信号从引入电极308或Vbat进入而流过电路600。第一电感器618的第一端与Vbat连接。第一电容器626的第一端与第一电感器618的第二端连接。晶体管628与第一电容器626的第二端以及第一电感器618的第二端连接。第二电感器622的第一端与第一电感器618的第二端连接。第一DVC 624的第一端与第二电感器622的第二端连接。第三电感器632的第一端与第一DVC 624的第二端连接。第三电感器632的第二端电接地。第四电感器644的第一端与第二电感器622的第二端连接。第二DVC 630的第一端与第四电感器544的第二端连接。第五电感器642的第一端与第二DVC 630的第二端连接。第五电感器642的第二端电接地。第二电容器646的第一端与第四电感器644的第二端连接。第二电容器646的第二端与RF输出线连接。第三电容器620的第一端可以与第一电感器618的第一端连接,其中第三电容器620的第二端将电接地。第二电容器626也可以是DVC,类似于DVC 624或630。第一电感器618可以是直流电抗器,并且第三电容器646可以是直流隔离器。
电路600与上述讨论的阻抗匹配网络400和功率控制电路500的不同之处在于,除了二次谐波陷波之外,电路600还具有三次谐波陷波,仅允许一次谐波传出到天线。二次谐波和三次谐波分别通过二次谐波陷波和三次谐波陷波反射回功率放大器匹配电路。第一DVC 624和第三电感器632产生围绕二次谐波的串联谐振。第二DVC 630和第四电感器642产生围绕三次谐波的串联谐振。第一电感器618、第二电感器622和第二电容器626产生围绕二次谐波的并联谐振。第三电感器632和第四电感器642可以集成到基板中,由于第三电感器632和第四电感器642的值可以改变,这进一步允许进行谐波控制。这允许改变第一DVC624/第三电感器630的陷波和第二DVC 630/第四电感器642的陷波两者的谐波频率。通过以与上述阻抗匹配网络400类似的方式改变第一DVC 624和第二DVC 630的电容,电路600还允许阻抗匹配比和中心频率的可变性。
总体而言,以上讨论的具有DVC的功率放大器匹配电路在控制不期望的谐波和匹配阻抗方面是成功的。
虽然前述内容是针对本发明的实施例,但是可以在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其他和进一步的实施例,并且其范围由所附权利要求来确定。
Claims (20)
1.一种功率放大器匹配电路,包括:
与电源电耦接的、第一电感器的第一端;
与所述第一电感器的第二端连接的、第一电容器的第一端;
与所述第一电容器的第二端和所述第一电感器的第二端连接的晶体管;
与所述第一电感器的第二端连接的、第二电感器的第一端;
与所述第二电感器的第二端连接的、第一数字可变电容器的第一端;
与所述第二电感器的第二端连接的、第二数字可变电容器的第一端;
与所述第二数字可变电容器的第二端连接的、第三电感器的第一端;
电接地的、所述第三电感器的第二端;
与第四电感器的第一端连接的、所述第一数字可变电容器的第二端;并且
所述第四电感器的第二端电接地,其中所述第一数字可变电容器的第二端和所述第四电感器的第一端与RF输出连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第一数字可变电容器、所述第二数字可变电容器和所述第四电感器用作电容变压器。
3.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第一电感器是直流电抗器。
4.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,阻抗匹配比适于在中心频率保持恒定时进行改变。
5.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,所述中心频率适于在所述阻抗匹配比恒定时进行调谐。
6.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第二数字可变电容器和所述第三电感器适于在二次谐波周围产生串联谐振。
7.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第二电容器、所述第一电感器和所述第二电感器适于在二次谐波周围产生并联谐振。
8.根据权利要求1所述的功率放大器匹配电路,其中,第二电容器的第一端与所述第一电感器的第一端连接,并且其中所述第二电容器的第二端电接地。
9.一种功率放大器匹配电路,包括:
与电源电耦接的、第一电感器的第一端;
与所述第一电感器的第二端连接的、第一电容器的第一端;
与所述第一电容器的第二端和所述第一电感器的第二端连接的晶体管;以及
与所述第一电感器的第一端和第二端连接的、放大器的第一端,其中所述放大器的第二端与电压输出连接,并且其中所述放大器的输出与从所述第一电感器的第一端流到所述第一电感器的第二端的电流成比例。
10.根据权利要求9所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第一电感器是直流电抗器。
11.根据权利要求9所述的功率放大器匹配电路,其中,所述放大器的输出适于调节匹配阻抗。
12.根据权利要求9所述的功率放大器匹配电路,其中,所述放大器的输出适于调节电路的功率。
13.根据权利要求9所述的功率放大器匹配电路,其中,射频前端总线适于将信息中继到控制器系统。
14.根据权利要求9所述的功率放大器匹配电路,其中,第二电容器的第一端与所述第一电感器的第一端连接,并且其中所述第二电容器的第二端电接地。
15.一种功率放大器匹配电路,包括:
与电源电耦接的、第一电感器的第一端;
与所述第一电感器的第二端连接的、第一电容器的第一端;
与所述第一电容器的第二端和所述第一电感器的第二端连接的晶体管;
与所述第一电感器的第二端连接的、第二电感器的第一端;
与所述第二电感器的第二端连接的、第一数字可变电容器的第一端;
与所述第一数字可变电容器的第二端连接的、第三电感器的第一端;
电接地的、所述第三电感器的第二端;
与所述第二电感器的第二端连接的、第四电感器的第一端;
与所述第四电感器的第二端连接的、第二数字可变电容器的第一端;
与所述第二数字可变电容器的第二端连接的、第五电感器的第一端;
电接地的、所述第五电感器的第二端;
与所述第四电感器的第二端连接的、第二电容器的第一端;和
与RF输出连接的、所述第二电容器的第二端。
16.根据权利要求15所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第一数字可变电容器和所述第四电感器适于在二次谐波周围产生串联谐振。
17.根据权利要求15所述的功率放大器匹配电路,其中,所述第二数字可变电容器和所述第五电感器适于在三次谐波周围产生串联谐振。
18.根据权利要求15所述的功率放大器匹配电路,其中,第一电感器、所述第二电感器和所述第二电容器适于在二次谐波周围产生并联谐振。
19.根据权利要求15所述的功率放大器匹配电路,其中所述第一电感器是直流电抗器,并且所述第三电容器是直流隔离器。
20.根据权利要求15所述的功率放大器匹配电路,其中第三电容器的第一端与所述第一电感器的第一端连接,并且其中所述第三电容器的第二端电接地。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462061928P | 2014-10-09 | 2014-10-09 | |
US62/061,928 | 2014-10-09 | ||
PCT/US2015/051625 WO2016057218A1 (en) | 2014-10-09 | 2015-09-23 | Power amplifier matching circuit with dvcs |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107078703A true CN107078703A (zh) | 2017-08-18 |
CN107078703B CN107078703B (zh) | 2021-09-21 |
Family
ID=54249658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580060398.0A Active CN107078703B (zh) | 2014-10-09 | 2015-09-23 | 具有dvc的功率放大器匹配电路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10038415B2 (zh) |
EP (1) | EP3205018B1 (zh) |
KR (1) | KR20170070122A (zh) |
CN (1) | CN107078703B (zh) |
WO (1) | WO2016057218A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023040474A1 (zh) * | 2021-09-16 | 2023-03-23 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种射频功率放大器 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10224614B2 (en) | 2014-04-07 | 2019-03-05 | Cavendish Kinetics, Inc. | Head-hand capacitance compensation with digital variable capacitor |
US10236833B2 (en) | 2017-08-02 | 2019-03-19 | Infineon Technologies Ag | RF amplifier with dual frequency response capacitor |
US10122336B1 (en) | 2017-09-20 | 2018-11-06 | Cree, Inc. | Broadband harmonic matching network |
US11336253B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-05-17 | Wolfspeed, Inc. | RF power amplifier with combined baseband, fundamental and harmonic tuning network |
EP3503387B1 (en) * | 2017-12-20 | 2021-12-01 | NXP USA, Inc. | Rf power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof |
US10411659B2 (en) | 2018-01-25 | 2019-09-10 | Cree, Inc. | RF power amplifier with frequency selective impedance matching network |
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WO2008007330A2 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Nxp B.V. | Load-line adaptation |
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WO2013108677A1 (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
-
2015
- 2015-09-23 KR KR1020177012616A patent/KR20170070122A/ko not_active IP Right Cessation
- 2015-09-23 US US15/516,995 patent/US10038415B2/en active Active
- 2015-09-23 EP EP15774834.4A patent/EP3205018B1/en active Active
- 2015-09-23 CN CN201580060398.0A patent/CN107078703B/zh active Active
- 2015-09-23 WO PCT/US2015/051625 patent/WO2016057218A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170250660A1 (en) | 2017-08-31 |
WO2016057218A1 (en) | 2016-04-14 |
US10038415B2 (en) | 2018-07-31 |
EP3205018A1 (en) | 2017-08-16 |
CN107078703B (zh) | 2021-09-21 |
EP3205018B1 (en) | 2019-12-25 |
KR20170070122A (ko) | 2017-06-21 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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