CN107076542A - 使用离轴的未遮蔽物镜的检验系统及方法 - Google Patents

使用离轴的未遮蔽物镜的检验系统及方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种检验系统，其可包含反射计，所述反射计具有：光源，其用于投射光；及分光器，其用于接收由所述光源投射的所述光、变换所述光的至少一个方面，且一旦经变换即投射所述光。所述反射计进一步具有离轴的未遮蔽物镜，由所述分光器变换的所述光行进穿过所述物镜以接触制成组件，且具有检测器，所述检测器用于检测所述经变换光接触所述制成组件的结果。所述检验系统可额外或替代性地包含椭偏计，所述椭偏计具有类似于所述反射计的光源，且进一步具有偏振元件以使所述分光器的所述光偏振。所述经偏振光行进穿过离轴的未遮蔽物镜以接触制成组件，且检测器检测所述经偏振光接触所述制成组件的结果。

Description

使用离轴的未遮蔽物镜的检验系统及方法
相关申请案
本申请案主张2014年11月19日申请的第62/082,008号美国临时专利申请案的权利，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及检验系统，且更特定地说，涉及具有物镜的检验系统。
背景技术
目前，存在具有光学元件且明确地说具有物镜的各种类型的检验系统。这些检验系统通常用于检验目标组件。举例来说，计量(其为检验的一种形式)通常涉及测量制成组件的各种物理特征。在半导体计量工具的情况下，可使用半导体计量工具测量与各种半导体制造工艺相关联的结构及材料特性(例如，材料组合物、结构及膜的尺寸特性(例如膜厚度及/或结构的临界尺寸)、重叠等等)。一旦使用计量工具获得测量，即可出于各种目的分析所述测量，例如以确定其是否为异常的。
迄今为止，计量工具在其最基本形式中已包含光源，所述光源用于将光投射到分光器上，接着光从所述分光器穿过物镜投射到制成组件上。当然，在更特定实施方案中，计量工具可具有额外元件。在任何情况中，这些计量工具已展示归因于所利用物镜的类型的各种限制。
举例来说，在一个实施方案中，计量工具已利用由折射元件制成的物镜。然而，归因于其光学元件的完全或主要折射性质，此工具仅能够覆盖小光谱范围且仅能够实现25微米或更大的点(测量箱)大小。
在另一实施方案中，计量工具已利用史瓦西(Schwarzschild)物镜，其允许较宽光谱范围及小于20微米的点大小，但其阻止光的中心部分到达制成半导体组件且其通常以高数值孔径操作(即，射线在制成半导体组件上具有大的入射角)。出于这些原因，此工具将不适于法向入射操作，这与大的入射射线组合将妨碍计算简化及加速，最终要求较长计算时间。计算加速涉及电磁方程求解器，所述电磁方程求解器可在数值孔径并不大(且可计算单个入射角(AOI))且AOI是法向时针对速度优化，在所述情况中可利用系统对称的各种考虑。此类型的工具的额外缺点是在(例如)工具需要执行用于样本对准及导航的图案辨识功能的情况下可预期的相对较低图像质量。
其它类型的检验系统可具有类似限制。因此，需要解决与检验系统的现有技术实施方案相关联的这些及/或其它问题。
发明内容
提供一种使用离轴的未遮蔽物镜的检验系统及方法。在一个实施例中，检验系统包含反射计，所述反射计具有：光源，其用于投射光；及分光器，其用于接收由光源投射的光、变换光的至少一个方面，且一旦经变换即投射光。反射计进一步具有离轴的未遮蔽物镜，由分光器变换的光行进穿过所述物镜以接触制成组件，且具有检测器，所述检测器用于检测经变换光接触制成组件的结果。
在另一实施例中，检验系统包含椭偏计，所述椭偏计具有用于投射光的光源。所述椭偏计进一步具有：偏振元件，光行进穿过所述偏振元件以使经变换光偏振；离轴的未遮蔽物镜，经偏振光行进穿过所述物镜以接触制成组件；及检测器，其用于检测经偏振光接触制成组件的结果。
附图说明
图1展示根据现有技术的示范性计量工具的示意图。
图2说明根据实施例的包括离轴的未遮蔽物镜的反射计。
图3说明根据另一实施例的包括离轴的未遮蔽物镜及光束切趾器的无限共轭反射计。
图4说明根据另一实施例的包括离轴的未遮蔽物镜及光束切趾器的有限共轭反射计。
图5说明根据又另一实施例的包括用于法向入射的具有光束切趾器及离轴的未遮蔽物镜的无限共轭反射计，及用于倾斜入射的椭偏计的计量系统。
图6说明根据又一实施例的包括用于法向入射的具有光束切趾器及离轴的未遮蔽物镜的第一无限共轭反射计，及用于倾斜入射的具有离轴的未遮蔽物镜的第二无限共轭反射计的计量系统。
图7说明根据实施例的包括离轴的未遮蔽物镜的椭偏计。
具体实施方式
在半导体计量领域中，一种计量工具可包括：照明系统，其照明目标；收集系统，其捕捉由照明系统与目标、装置或特征的相互作用(或无相互作用)提供的相关信息；及处理系统，其使用一或多种算法分析所收集的信息。计量工具可用来测量与各种半导体制造工艺相关联的结构及材料特性(例如，材料组合物、结构及膜的尺寸特性(例如膜厚度及/或结构的临界尺寸)、重叠等等)。这些测量用来促进半导体裸片的制造中的工艺控制及/或产率。
计量工具可包括一或多个硬件配置，其可结合本发明的某些实施例使用以(例如)测量各种上述半导体结构及材料特性。此类硬件配置的实例包含但不限于下列内容。
光谱椭偏计(SE)
具有多个照明角的SE
测量穆勒(Mueller)矩阵元件(例如，使用(若干)旋转补偿器)的SE
单波长椭偏计
光束轮廓椭偏计(角度分辨椭偏计)
光束轮廓反射计(角度分辨反射计)
宽带反射式分光计(光谱反射计)
单波长反射计
角度分辨反射计
成像系统
散射计(例如，斑点分析器)
硬件配置可被分为离散操作系统。另一方面，一或多个硬件配置可被组合成单个工具。在图1中展示多个硬件配置成为单个工具的此组合的一个实例，其是从第7,933,026号美国专利并入本文中，所述专利的全部内容据此出于所有目的而以引用的方式并入。例如，图1展示示范性计量工具的示意图，所述工具包括：a)宽带SE(即，18)；b)具有旋转补偿器(即，98)的SE(即，2)；c)光束轮廓椭偏计(即，10)；d)光束轮廓反射计(即，12)；e)宽带反射式分光计(即，14)；及f)深紫外反射式分光计(即，16)。另外，此类系统中通常存在众多光学元件，包含某些透镜、准直器、反射镜、四分之一波片、偏振器、检测器、相机、光圈及/或光源。用于光学系统的波长可从约120nm变化到3微米。对于非椭偏计系统，所收集信号可被偏振分辨或未偏振。图1提供集成在相同工具上的多个计量头的说明。然而，在许多情况中，多个计量工具用于对单个或多个计量目标进行测量。这描述于(例如)第7,478,019号美国专利“多种工具及结构分析(Multiple tool and structure analysis)”中，所述专利的全部内容也据此出于所有目的而以引用的方式并入。
某些硬件配置的照明系统包含一或多个光源。光源可产生仅具有一个波长的光(即，单色光)、具有若干离散波长的光(即，多色光)、具有多个波长的光(即，宽带光)及/或扫过若干波长(在波长之间连续或跳跃)的光(即，可调谐源或扫频源)。适当光源的实例是：白光光源、紫外(UV)激光器、弧灯或无电极灯、激光持续等离子体(LSP)源(例如，可购自马萨诸塞州沃本市的Energetiq科技公司(Energetiq Technology,Inc.(Woburn,Massachusetts)))、超连续源(例如宽带激光源)(例如可购自新泽西州摩根韦尔市的NKT光电公司(NKT Photonics Inc.(Morganville,New Jersey)))，或较短波长源(例如x-射线源、极UV源或其某个组合)。光源还可经配置以提供具有足够亮度的光，其在一些情况中可为大于约1W/(nm cm2Sr)的亮度。计量系统还可包含到光源的用于稳定其功率及波长的快速反馈。光源的输出可经由自由空间传播递送，或在一些情况中经由任何类型的光纤或光导递送。
计量工具经设计以作出与半导体制造相关的许多不同类型的测量。某些实施例可适用于此类测量。举例来说，在某些实施例中，工具可测量一或多个目标的特性，例如临界尺寸、重叠、侧壁角、膜厚度、工艺相关参数(例如，焦点及/或剂量)。目标可包含某些所关注区域，其本质上是周期的，举例来说(例如)存储器裸片中的光栅。目标可包含多个层(或膜)，其厚度可通过计量工具进行测量。目标可包含放置(或已存在)在半导体晶片上以(例如)结合对准及/或重叠配准操作使用的目标设计。某些目标可被定位在半导体晶片上的各种位置处。举例来说，目标可被定位在切割道内(例如，在裸片之间)及/或定位在裸片自身中。在某些实施例中，通过如在第7,478,019号美国专利中描述的相同或多个计量工具来(同时或不同时)测量多个目标。可组合来自此类测量的数据。来自计量工具的数据被用在半导体制造工艺中(例如)以前馈、后馈及/或侧馈对工艺(例如，微影、蚀刻)的校正，且因此可能产生完整工艺控制解决方案。
由于半导体装置图案尺寸持续缩小，往往要求较小计量目标。此外，测量精确性及与实际装置特性的匹配增加对于类装置目标以及裸片中及甚至装置上测量的需要。已提出各种计量实施方案以实现所述目的。举例来说，基于主要反射式光学器件的聚焦光束椭偏法是其中的一者且描述于匹旺卡-科尔(Piwonka-Corle)等人的专利(美国5,608,526，“聚焦光束光谱椭偏测量方法及系统(Focused beam spectroscopic ellipsometry methodand system)”)。切趾器可用来减轻光学衍射的效应，所述效应引起照明点散布超出由几何光学器件界定的大小。切趾器的使用描述于诺顿(Norton)的专利，即第5,859,424号美国专利，“用于减小光学测量及其它应用中的斑点大小的切趾滤波器系统(Apodizing filtersystem useful for reducing spot size in optical measurements and otherapplications)”。结合同时多个入射角照明使用高数值孔径工具是实现小目标能力的另一方式。此技术描述于(例如)奥普萨尔(Opsal)等人的专利，即第6,429,943号美国专利，“(利用同时多个入射角测量的临界尺寸分析Critical dimension analysis withsimultaneous multiple angle of incidence measurements)”。
其它测量实例可包含测量半导体堆叠的一或多个层的组合物、测量晶片上(或内)的某些缺陷，及测量暴露于晶片的光刻辐射量。在一些情况中，计量工具及算法可经配置用于测量非周期性目标，见(例如)P.江(P.Jiang)等人的“用于使用散射测量的CD计量中的全波电磁模拟的有限元素方法(The Finite Element Method for Full WaveElectromagnetic Simulations in CD Metrology Using Scatterometry)”(2014年6月3日申请的待决的第14/294,540号美国专利申请案，代理人档案第P0463号)或A.库兹涅佐夫(A.Kuznetsov)等人的“用于计量及检验的有限结构及有限照明的电磁建模方法(Methodof electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination formetrology and inspection)”(待决第14/170,150号美国专利申请案，代理人档案第P0482号)。
所关注参数的测量通常涉及若干算法。举例来说，入射光束与样本的光学相互作用是使用EM(电磁)求解器建模且使用例如RCWA、FEM、力矩法、表面积分法、体积积分法、FDTD及其它算法。通常使用几何引擎或在一些情况中的过程建模引擎或两者的组合来对所关注目标建模(参数化)。过程建模的使用描述于A.库兹涅佐夫等人的“用于基于模型的计量及过程模型的集成使用的方法(Method for integrated use of model-basedmetrology and a process model)”(待决的第14/107,850号美国专利申请案，代理人档案第P4025号)。几何引擎实施在例如科磊公司(KLA-Tencor)的AcuShape软件产品中。
可通过若干数据拟合及优化技术及科技来分析所收集数据，所述技术及科技包含链接库、快速降阶模型；回归；机器学习算法，例如神经网络、支持向量机(SVM)；降维算法，例如(例如)PCA(主分量分析)、ICA(独立分量分析)、LLE(局部线性嵌入)；稀疏表示，例如傅里叶或小波变换；卡尔曼(Kalman)滤波器；促进来自相同或不同工具类型的匹配的算法，及其它。
还可通过并不包含建模、优化及/或拟合的算法来分析所收集数据，例如，第14/057,827号美国专利申请案。
通常运用一或多种方法针对计量应用优化计算算法，例如计算硬件的设计及实施、并行化、计算分配、负载平衡、多服务支持、动态负载优化等等。可在固件、软件、FPGA、可编程光学器件组件等等中完成算法的不同实施方案。
数据分析及拟合步骤通常追求下列目标中的一或多者：
CD、SWA、形状、应力、组合物、膜、带隙、电性质、焦点/剂量、重叠、产生工艺参数(例如，抗蚀剂状态、分压、温度、聚焦模型)及/或其任何组合的测量；
计量系统的建模及/或设计；
计量目标的建模、设计及/或优化。
下列描述揭示使用离轴的未遮蔽物镜的检验系统及方法的实施例，其可在上文所描述的半导体计量工具的背景内容中实施，或其可在其它检验系统(例如，晶片检验、光罩检验等等)的背景内容中实施。
图2说明根据实施例的反射计200。如展示，所述反射计200包含用于投射光(例如，宽带光)的光源206。所述光源206可为具有深UV红外(DUV-IR)的超高亮度光源，例如激光驱动等离子体源、射频(RF)驱动等离子体源、超连续激光源等等中的一或多者。举例来说，等离子体光源可用来投射具有较短波长(例如，190到1000nm)的光，而超连续激光光源可用来投射具有较长波长(例如，400到2200nm)的光。此外，超连续光源可归因于相干性而实现下文描述的较小测量面积(IR点)。当然，如果需要，光源206还可为具较低亮度的另一类型，例如Xe弧或D2灯。
反射计200额外包含分光器204，所述分光器204用于接收由光源206投射的光、变换光的至少一个方面，且一旦光经变换即投射光。在一个实施例中，分光器204可为分束器。在另一实施例中，分光器204可为半反射镜。以此方式，分光器204可通过将光分为两个或两个以上子部分来变换所述光。
作为进一步选项，分光器204可通过改变光的方向来变换所述光。举例来说，分光器204可接收光且接着在向待接触的制成组件210提供法向入射的方向上投射所述光。在任何情况中，分光器204用来变换光的至少一个方面且接着将经变换光朝向下文描述的离轴的未遮蔽物镜208投射。
严格作为选项，反射计200可包含镜筒透镜207，所述镜筒透镜207沿着光路径位于光源206与分光器204之间，且从光源206投射的光行进穿过所述透镜以到达分光器204。在一个实施例中，镜筒透镜207可具有离轴的未遮蔽非球面反射式配置以最小化色像差。
此外，反射计200包含离轴的未遮蔽物镜208，经变换光行进穿过所述物镜208以接触制成组件210(展示为样本)。离轴的未遮蔽物镜208可进一步为非球面的。如上文所述，经变换光可行进穿过离轴的未遮蔽物镜208以按法向入射接触制成组件210。
如还展示，反射计200包含检测器202，所述检测器202用于检测经变换光接触制成组件210的结果。所述结果可指示经变换光(或其部分)是否事实上接触制成组件210，或与经变换光与制成组件210之间的接触相关的任何其它信息(例如，出于检验目的)。举例来说，检测器202可为分光计，所述分光计基于从经变换光与制成组件210之间的接触收集的信息执行测量，在所述情况中反射计200可为光谱反射计。
任选地，反射计200可包含镜筒透镜203，检测器202通过所述镜筒透镜203检测经变换光与制成组件210之间的接触的结果。如展示，此任选镜筒透镜203可沿着光路径位于检测器202与分光器204之间，以通过镜筒透镜203传递经变换光与制成组件210之间的接触的任何结果。在一个实施例中，镜筒透镜203可具有类似于上文所描述镜筒透镜207的离轴的未遮蔽非球面反射式配置。在其中反射计200包含镜筒透镜203及207的情境中，反射计200可为无限共轭反射计200。在无此类镜筒透镜203及207的情况下，反射计200可为有限共轭反射计200。
为此，在使用中，上文描述的反射计200可操作以：(1)投射来自光源206的光；(2)在分光器204处接收由光源206投射的光；(3)由分光器204变换光的至少一个方面；(4)一旦光经变换即由分光器204投射光；(5)使经变换光行进穿过离轴的未遮蔽物镜208以接触制成组件210；及(6)由检测器202检测经变换光接触制成组件210的结果。当然，应注意，并非如此限制这些操作的次序，例如(例如)在反射计200包含沿着光路径的镜筒透镜203及207时。
以此方式，如上文所描述，反射计200可包括(若干)高亮度宽带光源，以及离轴的未遮蔽非球面反射式光学器件。通过具体配置反射计200以使用离轴的未遮蔽物镜208，反射计200可实现对小目标的消色计量或其它检验，例如，如上文所描述，运用宽波长(DUV到近IR)且以法向入射。在一个实施例中，经变换光与制成组件之间的接触面积可为15×15微米或更小。使用离轴的未遮蔽物镜208可进一步消除物镜相关色像差且可允许从UV(<190nm)到IR(>2.5微米)的最佳性能，而无需中心遮蔽。在无中心遮蔽的情况下，按法向入射测量的能力可提供计算数据建模简化，其加速得到结果的时间。此外，使用单个光学系统将来自源的光及收集光递送到检测器而将波长范围从UV扩展到IR在针对临界尺寸(CD)的高灵敏度的区域中及/或具有紫外光-可见光(UV-VIS)光谱中的低灵敏度的膜结构中实现信号。
作为选项，归因于其法向入射配置，反射计200可与额外反射计及/或椭偏计共置(齐中心及齐焦两者)，所述额外反射计及/或椭偏计可具有倾斜入射。下文参考后续图式更详细地描述这些共置实施例的实例。作为另一选项，反射计200可为用在集成式光学计量工具中的传感器(即，其可被集成到计量接口块中，使其兼容为集成式计量)。此外，反射计200可包含切趾器，所述切趾器实现10微米或更小的小的点大小(例如，经变换光与制成组件之间的接触面积可为10×10微米或更小)。下文参考后续图式描述将切趾器并入反射计中的实例。
图3说明根据另一实施例的包括离轴的未遮蔽物镜及光束切趾器的无限共轭反射计300。应注意上述定义可同样适用于下列描述。
如展示，如参考图2的反射计200所描述，无限共轭反射计300包含超高亮度光源306及分束器304，其中镜筒透镜308位于其间。如参考图2的反射计200所描述，无限共轭反射计300还包含离轴的未遮蔽物镜312及分光计302，其中镜筒透镜303位于其间。
如进一步展示，无限共轭反射计300包含光束切趾器310，所述光束切趾器310是对图2的反射计200的任选补充。光束切趾器310位于光源306侧上的镜筒透镜308与分束器304之间，以提供光的光束切趾。即，从光源306投射的光行进穿过切趾器310以到达分束器304。如展示，通过无限共轭反射计300控制经切趾光以与制成组件314接触。
图4说明根据另一实施例的包括离轴的未遮蔽物镜及光束切趾器的有限共轭反射计400。此外，应注意上述定义可同样适用于下列描述。
如展示，如参考图2的反射计200所描述，有限共轭反射计400包含超高亮度光源406及分束器404。如参考图2的反射计200所描述，有限共轭反射计400还包含离轴的未遮蔽物镜410及分光计402。
如进一步展示，有限共轭反射计400包含光束切趾器408，所述光束切趾器408是对图2的反射计200的任选补充。光束切趾器408位于光源406与分束器404之间，以提供光的光束切趾。如展示，通过有限共轭反射计400控制经切趾光以与制成组件412接触。
如关于图2中的反射计200所提及，具有超低像差的消色光学器件结合如图3及4中展示的光束切趾的使用可实现按法向入射的<＝10微米点大小的产生。因此，图3及4中展示的反射计300及400可能够在具有低数值孔径的同时获得小的点大小。此外，制成组件上的法向入射的使用在结合约束数值孔径时运用分光计302内的后续分析加速实现计算简化。
图5说明根据又另一实施例的包括用于法向入射的具有光束切趾器及离轴的未遮蔽物镜的无限共轭反射计，及用于倾斜入射的椭偏计的计量系统500。再次应注意，上述定义可同样适用于下列描述。
如上文参考图3描述配置计量系统500的无限共轭反射计部分(或其可采取上文所描述的其它配置中的任何者)。还包含与反射计共置的椭偏计。
如展示，椭偏计包含额外光源及检测器(例如，分光计)，以及各种其它对应物(例如，偏振器等等)。应注意，椭偏计可为任何众所周知的配置，或替代性地可为下文参考图7描述的配置。在所展示实施例中，椭偏计的额外光源投射光以与反射计的经变换光接触制成组件的相同区域(即，两个点是共置(齐中心且齐焦))。虽然反射计按法向入射将经变换光投射到制成组件上，但椭偏计按倾斜入射将光投射到制成组件上。
图6说明根据又一实施例的包括用于法向入射的具有光束切趾器及离轴的未遮蔽物镜的第一无限共轭反射计，及用于倾斜入射的具有离轴的未遮蔽物镜的第二无限共轭反射计的计量系统600。此外，应注意上述定义可同样适用于下列描述。
计量系统600包括第一无限共轭反射计部分，所述第一无限共轭反射计部分如上文参考图3描述般配置(或其可采取上文所描述的其它配置中的任何者)。此第一无限共轭反射计是如上文描述的法向入射反射计。
还包含第二无限共轭反射计，其如上文参考图3描述那样配置(或其可采取上文所描述的其它配置中的任何者)。此第二无限共轭反射计是倾斜入射反射计，其与第一无限共轭反射计共置。如展示，倾斜入射反射计投射光以与法向入射反射计的经变换光接触制成组件的相同区域。
图7说明根据实施例的包括离轴的未遮蔽物镜的椭偏计700。此外，应注意上述定义可同样适用于下列描述。
如展示，椭偏计700包含用于投射光(例如，宽带光)的一或多个光源706。椭偏计700额外包含分光器704，所述分光器704用于接收由光源706投射的光、变换光的至少一个方面，且一旦光经变换即投射光。
在所展示实施例中，分光器704可通过改变光的方向来变换所述光。举例来说，分光器704可接收光且接着在向待接触的制成组件712提供法向入射的方向上投射相同光。在任何情况中，分光器704用来变换光的至少一个方面且接着将经变换光朝向下文描述的离轴的未遮蔽物镜710投射。应注意，分光器704可为椭偏计700的任选组件，且可被包含(例如)以提供法向入射。
严格作为选项，椭偏计700可包含镜筒透镜707，所述镜筒透镜707沿着光路径位于光源706与分光器704之间，且从光源706投射的光行进穿过所述镜筒透镜707以到达分光器704。在一个实施例中，镜筒透镜707可具有离轴的未遮蔽非球面反射式配置以最小化色像差。
另外，椭偏计700包含偏振元件708，(例如，经变换)光行进穿过所述偏振元件708以使光偏振。在一个实施例中，偏振元件708可为偏振器。此外，椭偏计700包含离轴的未遮蔽物镜710，经偏振光行进穿过所述离轴的未遮蔽物镜710以接触制成组件712(展示为样本)。离轴的未遮蔽物镜710可进一步为非球面的。如上文所述，经偏振光可行进穿过离轴的未遮蔽物镜710按法向入射接触制成组件712。
如还展示，椭偏计700包含检测器702，所述检测器702用于检测经偏振光接触制成组件712的结果。所述结果可指示经偏振光(或其部分)是否事实上接触制成组件712，或与光与制成组件712之间的接触相关的任何其它信息。例如，检测器702可为分光计，所述分光计基于从经偏振光与制成组件712之间的接触收集的信息执行测量，在所述情况中反射计700可为光谱椭偏计。
任选地，椭偏计700可包含镜筒透镜703，检测器通过所述镜筒透镜703检测经偏振光与制成组件712之间的接触的结果。如展示，此任选镜筒透镜703可沿着光路径位于检测器702与分光器704之间，以通过镜筒透镜703传递经偏振光与制成组件712之间的接触的任何结果。在一个实施例中，镜筒透镜703可类似于上文所描述的镜筒透镜707具有离轴的未遮蔽非球面反射式配置。
为此，在使用中，上文描述的椭偏计700可操作以：(1)投射来自光源706的光；任选地(2)在分光器704处接收由光源706投射的光；任选地(3)由分光器704变换光的至少一个方面；任选地(4)一旦光经变换即由分光器704投射光；(5)使光行进穿过偏振元件708；(6)使经偏振光行进穿过离轴的未遮蔽物镜710以接触制成组件712；及(7)由检测器702检测经偏振光接触制成组件712的结果。当然，应注意，此类操作的次序并非如此限制，例如(例如)在椭偏计700包含沿着光路径的镜筒透镜703及707时。
虽然上文已描述各种实施例，但应了解，其已仅通过实例而非限制呈现。因此，优选实施例的广度及范围不应被上述示范性实施例中的任何者限制，而应仅根据所附权利要求书及其等效物定义。

Claims (21)

1.一种检验系统，其包括：
反射计，其包含：
光源，其用于投射光；
分光器，其用于接收由所述光源投射的所述光、变换所述光的至少一个方面，且一旦经变换即投射所述光；
离轴的未遮蔽物镜，所述经变换光行进穿过所述透镜以接触制成组件；及
检测器，其用于检测所述经变换光接触所述制成组件的结果。
2.根据权利要求1所述的检验系统，所述反射计进一步包含镜筒透镜，所述检测器通过所述镜筒透镜检测所述结果。
3.根据权利要求2所述的检验系统，其中所述镜筒透镜具有离轴的未遮蔽非球面反射式配置。
4.根据权利要求1所述的检验系统，所述反射计进一步包含镜筒透镜，所述镜筒透镜位于所述光源与所述分光器之间，且从所述光源投射的所述光行进穿过所述镜筒透镜以到达所述分光器。
5.根据权利要求4所述的检验系统，其中所述镜筒透镜具有离轴的未遮蔽非球面反射式配置。
6.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述光源是超高亮度光源，且包含激光驱动等离子体源、射频RF驱动等离子体源及超连续激光源中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的检验系统，其中从所述光源投射的所述光是宽带光。
8.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述经变换光行进穿过所述离轴的未遮蔽物镜，以按法向入射接触所述制成组件。
9.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述离轴的未遮蔽物镜是非球面的。
10.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述经变换光与所述制成组件之间的接触面积是15×15微米或更小。
11.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述经变换光与所述制成组件之间的接触面积是10×10微米或更小。
12.根据权利要求1所述的检验系统，所述反射计进一步包含切趾器，所述切趾器位于所述光源与所述分光器之间，且从所述光源投射的所述光行进穿过所述切趾器以到达所述分光器。
13.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述反射计是与椭偏计共置。
14.根据权利要求13所述的检验系统，其中所述椭偏计投射光以与所述反射计的所述经变换光接触所述制成组件的相同区域。
15.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述反射计是与倾斜入射反射计共置的法向入射反射计。
16.根据权利要求15所述的检验系统，其中所述倾斜入射反射计投射光以与所述法向入射反射计的所述经变换光接触所述制成组件的相同区域。
17.根据权利要求16所述的检验系统，其中所述倾斜入射反射计包括：
第二光源，其用于投射光；
第二分光器，其用于接收由所述第二光源投射的所述光、变换所述光的至少一个方面且一旦经变换即投射所述光；
第二离轴的未遮蔽物镜，所述经变换光行进穿过所述物镜以接触所述制成组件；及
第二检测器，其用于检测所述经变换光接触所述制成组件的结果。
18.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述反射计是用在集成式光学计量工具中的传感器。
19.根据权利要求1所述的检验系统，其中所述检验系统是计量系统。
20.一种方法，其包括：
从反射计的光源投射光；
在分光器处接收由所述光源投射的所述光；
由所述分光器变换所述光的至少一个方面；
一旦经变换即由所述分光器投射所述光；
使所述经变换光行进穿过离轴的未遮蔽物镜以接触制成组件；及
由检测器检测所述经变换光接触所述制成组件的结果。
21.一种检验系统，其包括：
椭偏计，其包含：
光源，其用于投射光；
偏振元件，所述光行进穿过所述偏振元件以使所述光偏振；
离轴的未遮蔽物镜，所述经偏振光行进穿过所述物镜以接触制成组件；及
检测器，其用于检测所述经偏振光接触所述制成组件的结果。
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