CN107068816A - 一种led灯硅片电路板的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的是提供一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其硅片电路板的制作工艺步骤为：(1)固定切片，将事先准备好的单晶硅棒固定到加工台上，然后将单晶硅切割成厚度均匀的单晶硅片，(2)热退火处理，将上一步切片完成后的单晶硅片通过热氧化炉进行高温加热并且进行退火处理，(3)倒角修整处理，将步骤2退火处理后的单晶硅片的边缘通过精细磨砂轮进行磨砂修整处理，(4)硅片电路板的研磨、清洗处理，防止电路板表面的硅原子发生化学反应，防止电路板表面凹陷和孔洞的形成，对电路板的边角进行处理，在很大程度上提高了电路板边角的整齐性，能够改善硅面的曲度和平整度，提高电路板的质量。
Description
技术领域
本发明涉及到LED灯的加工工艺方面的领域，特别是对LED灯的硅片电路板的加工方面的改进，尤其涉及到一种LED灯硅片电路板的制作工艺。
背景技术
随着生活水平的提高，人们对日常照明的要求也相对较高，在照明的同时也需要对LED灯的使用普遍较多，因此就需要对LED灯的硅片电路板进行大量的加工制造，在以往的电路板的制作中，由于使用的制作方法不合理，导致在制作时电路板的表面容易触发化学反应，造成电路板表面形成表面凹陷和孔洞，以致影响整块电路板的走线和使用，因此在很大程度上提高了电路板的报废率，降低生产效率，同时也增加了生产成本。
因此，提供一种LED灯硅片电路板的制作工艺，以期能够通过对LED灯的电路板进行加工工艺的改进，在电路板加工时对电路板的表面进行退火氧化处理，在电路板的表面形成一种保护膜，防止电路板表面的硅原子发生化学反应，防止电路板表面凹陷和孔洞的形成，同时，对电路板的边角进行处理，在很大程度上提高了电路板边角的整齐性，能够改善硅面的曲度和平整度，提高电路板的质量，提高生产效率，降低生产成本，就成为本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种LED灯硅片电路板的制作工艺，以期能够通过对LED灯的电路板进行加工工艺的改进，在电路板加工时对电路板的表面进行退火氧化处理，在电路板的表面形成一种保护膜，防止电路板表面的硅原子发生化学反应，防止电路板表面凹陷和孔洞的形成，同时，对电路板的边角进行处理，在很大程度上提高了电路板边角的整齐性，能够改善硅面的曲度和平整度，提高电路板的质量，提高生产效率，降低生产成本。
为解决背景技术中所述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其硅片电路板的制作工艺步骤为：
(1)固定切片，将事先准备好的单晶硅棒固定到加工台上，然后将单晶硅切割成厚度均匀的单晶硅片，同时采用蒸馏水持续淋到单晶硅片上；
(2)热退火处理，将上一步切片完成后的单晶硅片通过热氧化炉进行高温加热并且进行退火处理，直至加热到400—450℃，然后在向热氧化炉内的单晶硅片的表面充入氧气，并且持续10—15min；
(3)倒角修整处理，将步骤2退火处理后的单晶硅片的边缘通过精细磨砂轮进行磨砂修整处理，将单晶硅片的边角打磨成圆弧形，且圆弧的弧度为90度，在磨砂修整处理时磨砂轮的转速设为50—60rad/min，
(4)硅片电路板的研磨、清洗处理，将上一步倒角打磨处理的单晶硅片进行精细抛光处理，同时向单晶硅片的表面喷洒蒸馏水进行清洗，且对单晶硅片进行精研磨时的研磨速度为80—90rad/min。
优选地，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热时，高温热氧化炉的温度升高速度为20—30℃/min，通过对高温热氧化炉的升温速度进行控制，能够使单晶硅片加热受热更加均匀，能够有效的减小单晶硅片内外的温度差，防止加热时由于内外温度差出现单晶硅片出现裂痕，提高单晶硅片的加热稳定性。
优选地，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热前，持续向高温热氧化炉内填充氮气，直至高温热氧化炉内的气体被排出完。将内部的空气排出干净，能够防止空气中的其他气体跟硅原子发生化学反应，影响硅电路板表面保护膜的质量。
优选地，所述的步骤4中对单晶硅片进行清洗时，保证单晶硅片进行轴向匀速旋转，且单晶硅片的旋转角速度为15—18rad/min，通过对单晶硅片进行旋转清洗，能够提高清洗程度，防止表面残留打磨之后的残渣，影响单晶硅片的表面质量。
本发明的有益效果是：
1)、防止电路板表面的硅原子发生化学反应，防止电路板表面凹陷和孔洞的形成，提高电路板的质量，提高生产效率，降低生产成本。
2)、同时对电路板的边角进行处理，在很大程度上提高了电路板边角的整齐性，能够改善硅面的曲度和平整度。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将对本发明作进一步的详细介绍。
实施例1：
一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其硅片电路板的制作工艺步骤为：
(1)固定切片，将事先准备好的单晶硅棒固定到加工台上，然后将单晶硅切割成厚度均匀的单晶硅片，同时采用蒸馏水持续淋到单晶硅片上；
(2)热退火处理，将上一步切片完成后的单晶硅片通过热氧化炉进行高温加热并且进行退火处理，直至加热到400℃，然后在向热氧化炉内的单晶硅片的表面充入氧气，并且持续15min；
(3)倒角修整处理，将步骤2退火处理后的单晶硅片的边缘通过精细磨砂轮进行磨砂修整处理，将单晶硅片的边角打磨成圆弧形，且圆弧的弧度为90度，在磨砂修整处理时磨砂轮的转速设为50rad/min，
(4)硅片电路板的研磨、清洗处理，将上一步倒角打磨处理的单晶硅片进行精细抛光处理，同时向单晶硅片的表面喷洒蒸馏水进行清洗，且对单晶硅片进行精研磨时的研磨速度为80rad/min。
进一步的，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热时，高温热氧化炉的温度升高速度为30℃/min，通过对高温热氧化炉的升温速度进行控制，能够使单晶硅片加热受热更加均匀，能够有效的减小单晶硅片内外的温度差，防止加热时由于内外温度差出现单晶硅片出现裂痕，提高单晶硅片的加热稳定性。
进一步的，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热前，持续向高温热氧化炉内填充氮气，直至高温热氧化炉内的气体被排出完。将内部的空气排出干净，能够防止空气中的其他气体跟硅原子发生化学反应，影响硅电路板表面保护膜的质量。
进一步的，所述的步骤4中对单晶硅片进行清洗时，保证单晶硅片进行轴向匀速旋转，且单晶硅片的旋转角速度为18rad/min，通过对单晶硅片进行旋转清洗，能够提高清洗程度，防止表面残留打磨之后的残渣，影响单晶硅片的表面质量。
实施证明，采用此数据，能够在最大程度上提高单晶硅的硅电路板的表面光滑度，防止电路板表面凹陷和孔洞的形成，提高电路板的质量，提高生产效率，降低生产成本，同时又在表面形成保护膜，在很大程度上延长电路板的使用寿命，但由于所用的加热温度较低，导致在加工时浪费了很多的时间，同时也在一定程度上提高了生产的成本。
升压的稳定，减少过快升压产生灯丝断裂，减少短时间内高压的出现断裂，提高产品优质品率，降低生产成本，同时又能减少老练加工时间，提高老练效率。
实施例2：
一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其硅片电路板的制作工艺步骤为：
(1)固定切片，将事先准备好的单晶硅棒固定到加工台上，然后将单晶硅切割成厚度均匀的单晶硅片，同时采用蒸馏水持续淋到单晶硅片上；
(2)热退火处理，将上一步切片完成后的单晶硅片通过热氧化炉进行高温加热并且进行退火处理，直至加热到440℃，然后在向热氧化炉内的单晶硅片的表面充入氧气，并且持续11min；
(3)倒角修整处理，将步骤2退火处理后的单晶硅片的边缘通过精细磨砂轮进行磨砂修整处理，将单晶硅片的边角打磨成圆弧形，且圆弧的弧度为90度，在磨砂修整处理时磨砂轮的转速设为60rad/min，
(4)硅片电路板的研磨、清洗处理，将上一步倒角打磨处理的单晶硅片进行精细抛光处理，同时向单晶硅片的表面喷洒蒸馏水进行清洗，且对单晶硅片进行精研磨时的研磨速度为90rad/min。
进一步的，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热时，高温热氧化炉的温度升高速度为23℃/min，通过对高温热氧化炉的升温速度进行控制，能够使单晶硅片加热受热更加均匀，能够有效的减小单晶硅片内外的温度差，防止加热时由于内外温度差出现单晶硅片出现裂痕，提高单晶硅片的加热稳定性。
进一步的，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热前，持续向高温热氧化炉内填充氮气，直至高温热氧化炉内的气体被排出完。将内部的空气排出干净，能够防止空气中的其他气体跟硅原子发生化学反应，影响硅电路板表面保护膜的质量。
进一步的，所述的步骤4中对单晶硅片进行清洗时，保证单晶硅片进行轴向匀速旋转，且单晶硅片的旋转角速度为18rad/min，通过对单晶硅片进行旋转清洗，能够提高清洗程度，防止表面残留打磨之后的残渣，影响单晶硅片的表面质量。
实施证明，采用此数据，既能够在最大程度上提高单晶硅的硅电路板的表面光滑度，防止电路板表面凹陷和孔洞的形成，提高电路板的质量，提高生产效率，降低生产成本，同时又在表面形成保护膜，在很大程度上延长电路板的使用寿命，又能对热氧化炉内的温度进行控制，在实现上述效果的基础上，又能够在很大程度上缩短加热时间，既提高硅电路板的质量，又能节省能源。
因此，本实施例为最佳实施例。
以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述描述在本质上是说明性的，不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。
Claims (4)
1.一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于：其硅片电路板的制作工艺步骤为：
(1)固定切片，将事先准备好的单晶硅棒固定到加工台上，然后将单晶硅切割成厚度均匀的单晶硅片，同时采用蒸馏水持续淋到单晶硅片上；
(2)热退火处理，将上一步切片完成后的单晶硅片通过热氧化炉进行高温加热并且进行退火处理，直至加热到400—450℃，然后在向热氧化炉内的单晶硅片的表面充入氧气，并且持续10—15min；
(3)倒角修整处理，将步骤2退火处理后的单晶硅片的边缘通过精细磨砂轮进行磨砂修整处理，将单晶硅片的边角打磨成圆弧形，且圆弧的弧度为90度，在磨砂修整处理时磨砂轮的转速设为50—60rad/min，
(4)硅片电路板的研磨、清洗处理，将上一步倒角打磨处理的单晶硅片进行精细抛光处理，同时向单晶硅片的表面喷洒蒸馏水进行清洗，且对单晶硅片进行精研磨时的研磨速度为80—90rad/min。
2.根据权利要求1所述的一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热时，高温热氧化炉的温度升高速度为20—30℃/min。
3.根据权利要求1所述的一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热前，持续向高温热氧化炉内填充氮气，直至高温热氧化炉内的气体被排出完。
4.根据权利要求1所述的一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于，所述的步骤4中对单晶硅片进行清洗时，保证单晶硅片进行轴向匀速旋转，且单晶硅片的旋转角速度为15—18rad/min。
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