CN107068584A - 一种过孔倒角预测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种过孔倒角预测方法，属于显示器领域。所述方法包括：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；钝化层包括层叠设置的N个子层，N个子层中M个子层与M个钝化子层一一对应，对应设置的子层与钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层。通过测量至少两个钝化子层的刻蚀速率，然后再进行比较，即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否会产生倒角；该方法判断简单，耗时短；另一方面，成本较低。

Description

一种过孔倒角预测方法

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别涉及一种过孔倒角预测方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是利用夹在上下两个基板之间的液晶分子层上电场强度的变化，改变 液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的显示器件。液晶显示器的 结构一般包括背光模组、偏光片、阵列基板、彩膜(Color Filter，CF)基板以及填 充在这两个基板组成的盒中的液晶分子层。

阵列基板包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、有 源层、源漏极和钝化层，钝化层上设置有像素电极，钝化层上开设有过孔，用 于连通源漏极和像素电极。钝化层通常分为层叠设置在源漏极上的缓冲层、主 体层和顶层，在开设过孔时，过孔在缓冲层常会出现倒角，后续形成像素电极 时，像素电极在倒角处可能出现断裂，从而影响信号传输。

为了避免上述情况，现有技术通常会在过孔制作完成后，采用扫描电子显 微镜观察过孔是否存在倒角，一方面检测耗时长，另一方面，扫描电子显微镜 价格昂贵，成本高。

发明内容

为了解决采用扫描电子显微镜检测过孔时，耗时长、成本高的问题，本发 明实施例提供了一种过孔倒角预测方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种过孔倒角预测方法，所述方法包括：分别测量M 个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据所述M个钝化子层的刻蚀速 率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠 设置的N个子层，所述N个子层中连续设置的M个子层与所述M个钝化子层 一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1， 且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的 钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层； 当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测 在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不 大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会 产生倒角。

在本发明实施例的一种实现方式中，测量每个所述钝化子层的刻蚀速率， 包括：在基板上形成所述钝化子层，并测量所述钝化子层的初始膜厚；对所述 钝化子层进行刻蚀，并测量所述钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；根据所述钝 化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述基板为衬底基板，或者所述基 板为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者所述基板为已经形成有钝化子层且已 形成的钝化子层经过刻蚀后的基板。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包 括：对所述钝化子层进行局部刻蚀。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行局部刻蚀， 包括：刻蚀所述钝化子层并形成凹槽。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包 括：对所述钝化子层进行整层刻蚀。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据所述钝化子层的初始膜厚 和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率，包括：

采用所述钝化子层的初始膜厚与所述钝化子层的最终膜厚的差值除以所述 钝化子层的刻蚀时间，得到所述钝化子层的刻蚀速率。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述钝化子层的厚度为3000至5000 埃。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述钝化子层的刻蚀条件和在所述 钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条件相同。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述钝化层包括层叠设置的缓冲层、 主体层和顶层，所述分别测量至少两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速 率，包括：分别测量两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，所述两个 钝化子层中的一个钝化子层与所述缓冲层的生长条件相同，所述两个钝化子层 中的另一个钝化子层与所述主体层的生长条件相同。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在本发明实施例中，先分别测量M个钝化子层的刻蚀速率，这M个钝化子 层与钝化层中的M个子层一一对应，由于实际生长钝化层时，如果钝化层中相 邻两个子层中位于下方的子层的刻蚀速率大于位于上方的子层的刻蚀速率，那 么刻蚀时，位于下方的子层在横向上被刻掉的部分多于位于上方的子层，这样 就会产生倒角，因此根据至少两个钝化子层的刻蚀速率的大小，即可预测在钝 化层上形成过孔时是否会产生倒角；预测既可以在实际过孔制作前完成，也可 以在实际过孔后完成；因此通过测量至少两个钝化子层的刻蚀速率，然后再进 行比较，即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否会产生倒角；该方法判断简单，耗时短；另一方面，成本较低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种过孔倒角预测方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的一种过孔倒角预测方法的流程图；

图3A-图3B、图4A-图4B是本发明实施例提供的缓冲层刻蚀过程的示意图；

图5所示为形成过孔时未产生倒角的钝化层结构示意图；

图6所示为形成过孔时产生倒角的钝化层结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明 实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种过孔倒角预测方法的流程图，参见图1，该 方法包括：

步骤101：分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，M＞1， 且M为正整数。

在本发明实施例中，M个钝化子层中每个钝化子层的刻蚀速率测量方法均 相同，测量每个钝化子层的刻蚀速率可以包括：在基板上形成钝化子层，并测 量钝化子层的初始膜厚；对钝化子层进行刻蚀，并测量钝化子层经过刻蚀后的 最终膜厚；根据钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算钝化子层的刻蚀速率。

在本发明实施例中，M个钝化子层的测量顺序可以不同，例如M个钝化子 层依次测量，或者全部或者部分钝化子层同时测量。对于不同的测量顺序，所 采用的基板也可能不同，具体地，基板可以为衬底基板，或者基板可以为形成 有薄膜晶体管阵列的基板，或者基板可以为已经形成有钝化子层且已形成的钝 化子层经过刻蚀后的基板。采用衬底基板，实现简单，且材料要求低；采用TFT 阵列基板，更贴合实际场景，有利于保证测试准确性；采用已经形成有钝化子 层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板，可以在完成一个或多个钝化子层的 刻蚀速率测量后，继续进行钝化子层刻蚀速率测量，无需使用新的基板，节省 材料。

其中，衬底基板包括但不限于玻璃基板、硅基板或者塑料基板。

其中，TFT主要包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极。

在本发明实施例中，对钝化子层进行刻蚀包括两种实现方式：对钝化子层 进行局部刻蚀或者对钝化子层进行整层刻蚀。对钝化子层进行局部刻蚀，更贴 合实际场景，有利于保证测试准确性；对钝化子层进行整层刻蚀，刻蚀工艺及 后续测量更简便。

其中，对钝化子层进行局部刻蚀的过程主要包括：在钝化子层上形成光刻 胶；对光刻胶进行曝光显影，使光刻胶上形成图案，该图案中镂空处的钝化子 层露出；对露出的钝化子层进行刻蚀。其中，对露出的钝化子层进行刻蚀具体 采用干刻蚀工艺实现。对钝化子层进行整层刻蚀时，直接对钝化子层进行干刻 蚀即可。

进一步地，对钝化子层进行局部刻蚀可以包括，在钝化子层上形成过孔(刚 好刻穿钝化子层)和在钝化子层上形成凹槽(不刻穿钝化子层)两种情况。

在本发明实施例中，钝化子层的刻蚀条件和在钝化层上形成过孔时采用的 刻蚀条件相同；或者，钝化子层的刻蚀条件和在钝化层上形成过孔时采用的刻 蚀条件不相同。其中，钝化子层刻蚀条件和在钝化层上形成过孔时采用的刻蚀 条件相同，能够使得判断结果更准确。

在本发明实施例中，测量钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚，包括：当钝化 子层经过整体刻蚀时，测量钝化子层的膜厚；当钝化子层经过局部刻蚀时，测 量钝化子层在刻蚀处的膜厚。其中，测量工具可以为分光反射仪或者椭圆偏振 光谱仪。具体地，在局部刻蚀时，如果形成的是凹槽，则测量凹槽处膜厚，如 果形成的是过孔，则最终膜厚为0，无需测量。由于局部刻蚀时，如果要形成过 孔，需要让钝化子层刚刚被刻穿，从而得到准确的刻蚀时间，因此，在局部刻 蚀时，优选刻蚀钝化子层并形成凹槽，以便于刻蚀时间的确定。

进一步地，记录钝化子层刻蚀的刻蚀时间。

在本发明实施例中，测量钝化子层的初始膜厚也可以采用分光反射仪或者 椭圆偏振光谱仪实现。

在本发明实施例中，根据钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算钝化子层 的刻蚀速率可以包括：采用钝化子层的初始膜厚与钝化子层的最终膜厚的差值 除以钝化子层的刻蚀时间，得到钝化子层的刻蚀速率。即采用如下公式计算钝 化子层的刻蚀速率：钝化子层的刻蚀速率＝(钝化子层的初始膜厚-钝化子层的最 终膜厚)/钝化子层的刻蚀时间。

在本发明实施例中，钝化子层的厚度为3000至5000埃，既能满足测试需 求，又不至于厚度过厚，浪费材料。

步骤102：根据M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过 孔时是否会产生倒角；钝化层包括层叠设置的N个子层，N个子层中M个子层 与M个钝化子层一一对应，对应设置的子层与钝化子层的生长条件相同，N≥ M，且N为正整数；M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化 子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层。当任 一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝 化层上形成过孔时会产生倒角；当每个第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应 的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时不会产生倒角。

其中，M个子层中相邻的两个子层是指M个子层中在整个钝化层中处于相 邻的两个子层。

在本发明实施例中，M个子层可以为相邻设置的M个子层。

在本发明实施例中，倒角既可以位于钝化层底部，也可能位于钝化层中部。

在本发明实施例中，先分别测量M个钝化子层的刻蚀速率，这M个钝化子 层与钝化层中的M个子层一一对应，由于实际生长钝化层时，如果钝化层中相 邻两个子层中位于下方的子层的刻蚀速率大于位于上方的子层的刻蚀速率，那 么刻蚀时，位于下方的子层在横向上被刻掉的部分多于位于上方的子层，这样 就会产生倒角，因此根据至少两个钝化子层的刻蚀速率的大小，即可预测在钝 化层上形成过孔时是否会产生倒角；预测既可以在实际过孔制作前完成，也可 以在实际过孔后完成；因此通过测量至少两个钝化子层的刻蚀速率，然后再进 行比较，即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否会产生倒角；该方法判断简单，耗时短；另一方面，成本较低。

在本发明实施例中，当N大于M时，只对钝化层部分位置(例如底部或中 部)是否产生倒角进行检测，当N等于M时，对钝化层全部位置是否产生倒角 进行检测。

由于钝化层上的过孔的作用是使像素电极能够连接源漏极，所以钝化层的 中部和底部出现倒角均可能造成像素电极断裂，相比而言，底部倒角更容易造 成像素电极断裂，当钝化层底部出现倒角时，像素电极断裂，造成像素电极无 法与源漏极正常连接，而当钝化层中部出现倒角时，像素电极通常不会完全断 开，对信号的传输影响小于底部倒角。所以，在进行倒角检测时，可以只检测 钝化层底部是否会产生倒角。

下面以三层结构的钝化层对前述只检测钝化层底部是否会产生倒角进行说 明，该钝化层包括层叠设置的缓冲层、主体层和顶层(对于多个子层构成的钝 化层，只需要将顶层替换为两个及以上子层即可)，步骤101中分别测量至少两 个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率可以包括：分别测量两个钝化子层 在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，两个钝化子层中的一个钝化子层与缓冲层的 生长条件相同，两个钝化子层中的另一个钝化子层与主体层的生长条件相同。 步骤102中，比较这两个钝化子层的刻蚀速率，即可判断钝化层底部是否会产 生倒角。

下面以具有层叠设置的缓冲层、主体层和顶层的钝化层为例，对本发明实 施例提供的过孔倒角预测方法进行说明：

图2是本发明实施例提供的基于具有层叠设置的缓冲层、主体层和顶层的 钝化层的过孔倒角预测方法的流程图，参见图2，该方法包括：

步骤201：分别测量缓冲层和主体层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率。

具体地，步骤201包括测量缓冲层的刻蚀速率和测量主体层的刻蚀速率两 部分。

在本发明实施例中，测量缓冲层的刻蚀速率可以包括：

第一步，在第一基板上形成缓冲层，并测量缓冲层的初始膜厚。

其中，第一基板可以为衬底基板，或者第一基板可以为形成有薄膜晶体管 阵列的基板(即TFT阵列基板)，或者第一基板可以为主体层经过刻蚀后的第二 基板。采用衬底基板，实现简单，且材料要求低；采用TFT阵列基板，更贴合 实际场景，有利于保证测试准确性；采用主体层经过刻蚀后的第二基板，可以 在完成主体层的刻蚀速率测量后，进行缓冲层刻蚀速率测量，进行缓冲层刻蚀 速率测量时直接使用主体层刻蚀速率测量使用的基板完成，无需使用新的基板， 节省材料。

其中，缓冲层的厚度可以为3000至5000埃，既能满足测试需求，又不至 于厚度过厚，浪费材料。

第二步，对缓冲层进行刻蚀，并测量缓冲层经过刻蚀后的最终膜厚。

具体地，对缓冲层进行刻蚀可以包括：对缓冲层进行局部刻蚀；或者，对 缓冲层进行整层刻蚀。对缓冲层进行局部刻蚀，更贴合实际场景，有利于保证 测试准确性；对所述缓冲层进行整层刻蚀，刻蚀工艺及后续测量更简便。

其中，对缓冲层进行局部刻蚀的过程主要包括：在缓冲层上形成光刻胶； 对光刻胶进行曝光显影，使光刻胶上形成图案，该图案中镂空处的缓冲层露出； 对露出的缓冲层进行刻蚀。其中，对露出的缓冲层进行刻蚀具体采用干刻蚀工 艺实现。对缓冲层进行整层刻蚀时，直接对缓冲层进行干刻蚀即可。

进一步地，对缓冲层进行局部刻蚀可以包括，在缓冲层上形成过孔(刚好 刻穿缓冲层)和在缓冲层上形成凹槽(不刻穿缓冲层)两种情况。

在本发明实施例中，缓冲层的刻蚀条件和在钝化层上形成过孔时采用的刻 蚀条件相同；或者，缓冲层的刻蚀条件和在钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条 件不相同。其中，缓冲层刻蚀条件和在钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条件相 同，能够使得判断结果更准确。

在本发明实施例中，测量缓冲层经过刻蚀后的最终膜厚，包括：当缓冲层 经过整体刻蚀时，测量缓冲层的膜厚；当缓冲层经过局部刻蚀时，测量缓冲层 在刻蚀处的膜厚。其中，测量工具可以为分光反射仪或者椭圆偏振光谱仪。具 体地，在局部刻蚀时，如果形成的是凹槽，则测量凹槽处膜厚，如果形成的是 过孔，则最终膜厚为0，无需测量。由于局部刻蚀时，如果要形成过孔，需要让 缓冲层刚刚被刻穿，从而得到准确的刻蚀时间，因此，在局部刻蚀时，优选在 缓冲层上刻蚀凹槽，以便于刻蚀时间的确定。

进一步地，记录缓冲层刻蚀的刻蚀时间。

第三步，根据缓冲层的初始膜厚和最终膜厚，计算缓冲层的刻蚀速率。

其中，根据缓冲层的初始膜厚和最终膜厚，计算缓冲层的刻蚀速率，包括： 采用缓冲层的初始膜厚与缓冲层的最终膜厚的差值除以缓冲层的刻蚀时间，得 到缓冲层的刻蚀速率。即采用如下公式计算缓冲层的刻蚀速率：缓冲层的刻蚀 速率＝(缓冲层的初始膜厚-缓冲层的最终膜厚)/缓冲层的刻蚀时间。

在缓冲层刻蚀前后测量其膜厚，根据膜厚差计算缓冲层的刻蚀速率；测量 过程简单方便，容易实现。

下面通过图示对缓冲层的测量过程进行说明：

图3A-3B所示为局部刻蚀方式测量缓冲层刻蚀速率的过程，参见图3A-3B：

在第一基板10上形成缓冲层211，并测量缓冲层211的初始膜厚。然后在 缓冲层211上刻蚀凹槽212，并测量凹槽212处的最终膜厚。根据缓冲层的初始 膜厚和最终膜厚，计算缓冲层的刻蚀速率。

图4A-4B所示为整体刻蚀方式测量缓冲层刻蚀速率的过程，参见图4A-4B：

在第一基板10上形成缓冲层213，并测量缓冲层213的初始膜厚。然后对 缓冲层213进行整体刻蚀，并测量刻蚀后的缓冲层214的最终膜厚。根据缓冲 层的初始膜厚和最终膜厚，计算缓冲层的刻蚀速率。

在本发明实施例中，测量主体层的刻蚀速率可以包括：

第一步，在第二基板上形成主体层，并测量主体层的初始膜厚。

其中，第二基板可以为衬底基板，或者第二基板可以形成有缓冲层的基板， 或者第二基板可以为缓冲层经过刻蚀后的第一基板。采用衬底基板，实现简单， 且材料要求低；采用形成有缓冲层的基板，更贴合实际场景，有利于保证测试 准确性；采用缓冲层经过刻蚀后的第一基板，可以在完成缓冲层的刻蚀速率测 量后，进行主体层刻蚀速率测量，进行主体层刻蚀速率测量时直接使用缓冲层 刻蚀速率测量使用的基板完成，无需使用新的基板，节省材料。

其中，主体层的厚度可以为3000至5000埃，既能满足测试需求，又不至 于厚度过厚，浪费材料。

在本发明实施例中，测量主体层的初始膜厚可以采用分光反射仪或者椭圆 偏振光谱仪实现。

第二步，采用与缓冲层相同的刻蚀条件对主体层进行刻蚀，并测量主体层 经过刻蚀后的最终膜厚。

具体地，对主体层进行刻蚀可以包括：对主体层进行局部刻蚀；或者，对 主体层进行整层刻蚀。对主体层进行局部刻蚀，更贴合实际场景，有利于保证 测试准确性；对所述主体层进行整层刻蚀，刻蚀工艺及后续测量更简便。

其中，对主体层进行局部刻蚀的过程主要包括：在主体层上形成光刻胶； 对光刻胶进行曝光显影，使光刻胶上形成图案，该图案处的主体层露出；对露 出的主体层进行刻蚀。其中，对露出的主体层进行刻蚀具体采用干刻蚀工艺实 现。对主体层进行整层刻蚀时，直接对主体层进行干刻蚀即可。

进一步地，对主体层进行局部刻蚀可以包括，在主体层上形成过孔(刚好 刻穿主体层)和在主体层上形成凹槽(不刻穿主体层)两种情况。

进一步地，主体层的刻蚀时间既可以与缓冲层的刻蚀时间相等，主体层的 刻蚀时间也可以与缓冲层的刻蚀时间不相等。

在本发明实施例中，测量主体层经过刻蚀后的最终膜厚，包括：当主体层 经过整体刻蚀时，测量主体层的膜厚；当主体层经过局部刻蚀时，测量主体层 在刻蚀处的膜厚。其中，测量工具可以为分光反射仪或者椭圆偏振光谱仪。具 体地，在局部刻蚀时，如果形成的是凹槽，则测量凹槽处膜厚，如果形成的是 过孔，则最终膜厚为0，无需测量。由于局部刻蚀时，如果要形成过孔，需要让 主体层刚刚被刻穿，从而得到准确的刻蚀时间，因此，在局部刻蚀时，优选在 主体层上刻蚀凹槽，以便于刻蚀时间的确定。

进一步地，记录主体层刻蚀的刻蚀时间。

第三步，根据主体层的初始膜厚和最终膜厚，计算主体层的刻蚀速率。

其中，根据主体层的初始膜厚和最终膜厚，计算主体层的刻蚀速率，包括： 采用主体层的初始膜厚与主体层的最终膜厚的差值除以主体层的刻蚀时间，得 到主体层的刻蚀速率。即采用如下公式计算主体层的刻蚀速率：主体层的刻蚀 速率＝(主体层的初始膜厚-主体层的最终膜厚)/主体层的刻蚀时间。

在主体层刻蚀前后测量其膜厚，根据膜厚差计算主体层的刻蚀速率；测量 过程简单方便，容易实现。

在本发明实施例中，测量缓冲层的刻蚀速率和测量主体层的刻蚀速率可以 同时进行，此时采用两块独立的基板分别实现缓冲层和主体层的刻蚀速率测量。 测量缓冲层的刻蚀速率和测量主体层的刻蚀速率可以不同时进行；此时既可以 采用两块独立的基板实现分别实现缓冲层和主体层的刻蚀速率测量；也可以在 同一块基板上依次实现缓冲层和主体层的刻蚀速率测量，例如，先在基板上测 量缓冲层的刻蚀速率，然后再测量主体层的刻蚀速率，或者先在基板上测量主 体层的刻蚀速率，然后再测量缓冲层的刻蚀速率。

在本发明实施例中，钝化层采用氮化硅或氮氧化硅制成。其中，缓冲层、 主体层和顶层的生长条件中，通常只有生长压力不同，具体地，顶层的生长压 力大于主体层的生长压力，主体层的生长压力大于缓冲层的生长压力。其中， 钝化层可以采用沉积方式生长。

步骤202：比较缓冲层刻蚀速率与主体层刻蚀速率的大小。

当缓冲层刻蚀速率大于主体层刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时会 产生倒角；当缓冲层刻蚀速率不大于主体层刻蚀速率时，预测在钝化层上形成 过孔时不会产生倒角，钝化层包括层叠设置的第一缓冲层、第一主体层和第一 顶层，第一缓冲层与缓冲层的生长条件相同，第一主体层与主体层的生长条件 相同。

图5所示为形成过孔时未产生倒角的钝化层结构示意图，图6所示为形成 过孔时产生倒角的钝化层结构示意图。其中，标号10为基板、20为钝化层，21、 22和23分别为缓冲层、主体层和顶层，30为过孔，31为倒角。

在实际生产的机台上制作基板并形成钝化层过孔，采用上述预测方法对机 台上制作的钝化层的过孔是否会产生倒角进行预测，然后再采用扫描电子显微 镜对机台上制作的钝化层的过孔进行检测，确定上述预测是否准确。在通过多 次验证后，确定该种预测方法可以对在钝化层上形成过孔时会不会产生倒角进 行预测。

在发明实施例中，先分别测量缓冲层和主体层的刻蚀速率，由于实际生长 钝化层时，缓冲层位于主体层的下方，并且刻蚀过孔时在横向上也会对缓冲层 和主体层产生刻蚀，如果缓冲层刻蚀速率大于主体层刻蚀速率，那么刻蚀时， 缓冲层在横向上被刻掉的部分多于主体层，这样就会产生倒角；预测既可以在 实际过孔制作前完成，也可以在实际过孔后完成；因此通过测量钝化层中缓冲 层和主体层的刻蚀速率，然后再进行比较，即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否 会产生倒角；该方法判断简单，耗时短；另一方面，成本较低。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神 和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护 范围之内。

Claims (10)

1.一种过孔倒角预测方法，其特征在于，所述方法包括：

分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；

根据所述M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠设置的N个子层，所述N个子层中M个子层与所述M个钝化子层一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层；

当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会产生倒角。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量每个所述钝化子层的刻蚀速率，包括：

在基板上形成所述钝化子层，并测量所述钝化子层的初始膜厚；

对所述钝化子层进行刻蚀，并测量所述钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；

根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板为衬底基板，或者所述基板为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者所述基板为已经形成有钝化子层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包括：

对所述钝化子层进行局部刻蚀。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化子层进行局部刻蚀，包括：

刻蚀所述钝化子层并形成凹槽。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包括：

对所述钝化子层进行整层刻蚀。

7.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率，包括：

采用所述钝化子层的初始膜厚与所述钝化子层的最终膜厚的差值除以所述钝化子层的刻蚀时间，得到所述钝化子层的刻蚀速率。

8.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化子层的厚度为3000至5000埃。

9.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化子层的刻蚀条件和在所述钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条件相同。

10.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化层包括层叠设置的缓冲层、主体层和顶层，所述分别测量至少两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，包括：分别测量两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，所述两个钝化子层中的一个钝化子层与所述缓冲层的生长条件相同，所述两个钝化子层中的另一个钝化子层与所述主体层的生长条件相同。