CN107064611A - 一种漏电流检测方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种漏电流检测方法及装置,其中方法包括:对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流;将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流;将所述采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。本发明实施例解决了同时对多个待检测设备自动进行漏电流检测的问题,提高了漏电流检测的效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及电气检测技术,尤其涉及一种漏电流检测方法及装置。
背景技术
目前,许多设备需要进行漏电流检测,例如时钟锁等。
时钟锁保持时钟功能的装置中涉及mA级电池,为了减少时钟锁漏电流过大,需定期对时钟锁进行漏电流检测。目前的漏电流检测一般是通过uA级漏电流测试仪和uA级万用表对每个时钟锁进行逐一检测。上述漏电流检测方法的测试设备成本高,耗费时间长,效率低。
发明内容
本发明提供一种漏电流检测方法及装置,以实现快速进行漏电流检测,提高了检测效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种漏电流检测方法,该方法包括:
对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流;
将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;
通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流;
将所述采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
进一步的,所述将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容包括:
当主控制器MCU处于休眠状态时,将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;
相应的,所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括:
当所述主控制器MCU处于唤醒状态时,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
进一步的,所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括:
获取MCU存储单元的偏置电压值,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压,将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流,所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。
进一步的,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括:
获取MCU的参考源通道数值,将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述MCU的供电电压;
获取采样通道的模数转换器ADC的转换值,将所述MCU的供电电压与所述模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压;
将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
进一步的,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的检测结果包括:
依据比对情况,通过LED灯显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果,其中,若所述采样电流大于预设电流值,则第一LED灯点亮,若所述采样电流小于或等于所述预设电流值,则第二LED灯点亮。
第二方面,本发明实施例还提供了一种漏电流检测装置,该装置包括:
差分放大器,用于对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流;
储能电容,用于存储所述第一电流转换的电压信号;
模数转换器ADC,用于采集所述储能电容的电压值;
主控制器MCU,用于将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流,将所述采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
进一步的,所述装置还包括:
计数器,用于确定主控制器MCU的休眠时间;
所述储能电容具体用于:
当主控制器MCU处于休眠状态时,将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;
相应的,所述模数转换器ADC具体用于:
当所述主控制器MCU处于唤醒状态时,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
进一步的,所述主控制器MCU包括:
存储单元,用于存储所述MCU的偏置电压值;
相应的,所述主控制器MCU具体用于:
通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压,将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流,所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。
进一步的,所述主控制器MCU具体用于:
获取主控制器MCU的参考源通道数值,将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述主控制器MCU的供电电压;获取采样通道的模数转换器ADC的转换值,将所述主控制器MCU的供电电压与所述模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压;将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
进一步的,所述装置还包括:
LED灯,用于依据比对情况,显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果,其中,若所述采样电流大于预设电流值,则第一LED灯点亮,若所述采样电流小于或等于所述预设电流值,则第二LED灯点亮。
本发明实施例通过将至少两个待检测设备的漏电流进行差分放大,以电压形式存储于储能电容中,通过模拟数字转换器ADC采集储能电容,确定采样电流,通过与预设电流值的比对,确定待检测设备的漏电流情况,代替了现有技术中通过uA级漏电流测试仪和uA级万用表通过检测人员手动对待检测设备逐一检测的方法,解决了同时对多个待检测设备自动进行漏电流检测的问题,提高了漏电流检测的效率。
附图说明
图1A是本发明实施例一提供的漏电流检测方法的流程图;
图1B是本发明实施例一提供的漏电流检测示意图;
图2是本发明实施例二提供的漏电流检测方法的流程图;
图3是本发明实施例三提供的漏电流检测方法的流程图;
图4是本发明实施例四提供的漏电流检测方法的流程图;
图5是本发明实施例五提供的漏电流检测装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1A为本发明实施例一提供的漏电流检测方法的流程图,本实施例可适用于同时检测至少两个待检测设备的漏电流的情况,该方法可以由本发明实施例提供的漏电流检测装置来执行,具体包括如下步骤:
S110、对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和至少两个待检测设备各自对应的第一电流。
其中,漏电流包括半导体漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流。其中,半导体漏电流指的是PN结在截止时流过的很微小的电流;电源漏电流指的是开关电源中的EMI(Electro-Magnetic Interference,电磁干扰)滤波器电路使得在开关电源在接上市电后对地有一个微小的电流;电容漏电流指的是由于电容介质并不是绝对不导电,当电容加上直流电压时,电容会有极小漏电流产生。滤波器漏电流指的是在额定交流电压下滤波器外壳到交流进线任意端的电流。
漏电流一般十分微小,电流等级一般为uA级,将漏电流进行差分放大,便于对漏电流的检测,其中,对漏电流的差分放大可通过差分放大器实现。
需要说明的是,本实施例中,可同时对至少两个待检测设备进行漏电流检测,示例性的,当待检测设备是时钟锁时,可同时对30块时钟锁进行漏电流检测,提高了漏电流检测效率。
S120、将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能电容。
其中,储能电容具有良好的脉冲电容充放电性能和传统电容器多不具备的大容量储能性能。
本实施例中,将电流信号转换为电压信息,便于将漏电流以电压的形式存储在储能电容中,并通过测量储能电容的电压的方式获取漏电流对应的电压值,进一步获取漏电流的电流值。
S130、通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
其中,ADC(Analog-to-digital converter,模拟数字转换器)指的是把经过与标准量比较处理后的模拟量转换成以二进制数值表示的离散信号的转换器。
通过模数转换器ADC可读取储能电容两端的电压值,根据电压与电容之间的关系,通过电压值与采样电阻的比值可确定采样电流。
本实施例中,将无法直接获取的电流值通过经过储能电容存储后,由模数转换器ADC读取并通过计算得到采样电流,实现了对漏电流的检测,替代了传统漏电流检测装置,例如uA级漏电流测试仪和uA级万用表等,降低了测试这边的成本。
S140、将采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
其中,预设电流值指的是漏电流最大阈值对应的电流阈值,将采样电流与预设电流值进行比对,可确定待检测设备的漏电流是否大于最大阈值。
本实施例中,可同时将至少两个待检测设备的漏电流检测结果分别显示,通过显示结果清晰直观地获取漏电流检测结果,提高了漏电流检测效率。
需要说明的是,本实施例提供的漏电流检测方法确保了漏电流检测的精确度,可实现与uA级漏电流测试仪和uA级万用表相同的测试等级。
本实施例的技术方案,通过将至少两个待检测设备的漏电流进行差分放大,以电压形式存储于储能电容中,通过模拟数字转换器ADC采集储能电容,确定采样电流,通过与预设电流值的比对,确定待检测设备的漏电流情况,代替了现有技术中通过uA级漏电流测试仪和uA级万用表通过检测人员手动对待检测设备逐一检测的方法,解决了同时对多个待检测设备自动进行漏电流检测的问题,提高了漏电流检测的效率。
在上述技术方案的基础上,在步骤S140还可以是:
依据比对情况,通过LED灯显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果,其中,若采样电流大于预设电流值,则第一LED灯点亮,若采样电流小于或等于预设电流值,则第二LED灯点亮。
本实施例中,可同时对多个待检测设备进行漏电流检测,每一个检测电路板均连接有两个LED(Light Emitting Diode,发光二极管)灯,根据待检测设备的漏电流检测结果,显示不同的LED灯。示例性的,其中第一LED灯可以是红色LED灯,第二LED灯可以是蓝色LED灯,当采样电流大于预设电流值时,红色LED灯点亮,当采样电流小于或等于预设电流值时,蓝色LED灯点亮。
本实施例中,通过在每一个检测电路板上连接不同颜色的两个LED灯,显示漏电流检测结果,可清晰直观地获取漏电流检测结果,提高了漏电流检测效率。
可选的,通过至少两个探针分别对至少两个待检测设备进行漏电流检测。
示例性的,如图1B所示,图1B是本发明实施例一提供的漏电流检测示意图。本实施例中,在对待检测设备进行漏电流检测时通过工装开关臂按压待检测设备,使得探针与待检测设备接触,进行漏电流检测。代替了现有技术中通过表笔或者测试夹具进行漏电流检测,使用方便快捷,提高了漏电流检测效率。
实施例二
图2是本发明实施例二提供的漏电流检测方法的流程图,在上述实施例一的基础上,将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能进一步优化为:当主控制器MCU处于休眠状态时,将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能电容;将通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流优化为:当主控制器MCU处于唤醒状态时,通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。相应的,该方法具体包括:
S210、对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和至少两个待检测设备各自对应的第一电流。
S220、当主控制器MCU处于休眠状态时,将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能电容。
其中,MCU(Master Control Unit,主控制器)是集成了内处理器、存储器、计数器以及I/O端口为一体的集成芯片,在硬件电路的基础上,可将要处理的数据、计算方法、步骤或者操作指令等编制成程序,存放于MCU内部或者外部存储器中,MCU可在运行时自动连续地从存储器中取出并执行。
本实施例中,当开始进行漏电流检测上电时,MCU进入休眠模式,在MCU处于休眠状态时,将待检测设备的漏电流差分放大后得到的第一电流转换为电压信号,并存储于储能电容中。
S230、当主控制器MCU处于唤醒状态时,通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
示例性的,MCU的休眠时间可以是300mS,MCU的休眠时间可以通过计数器确定,当到达300mS时,向MCU发送唤醒信息,MCU根据唤醒信息从休眠模式转换为唤醒模式。
在MCU进入唤醒模式后,通过模数转换器ADC读取储能电容的电压值,并通过计算确定采样电流。
S240、将采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
本实施例的技术方案,通过在MCU的休眠模式下进行漏电流电压信号的存储,在MCU的唤醒模式下读取春能够电容的电压值并计算采样电流,避免了MCU内模数转换器ADC运算带来的电流损耗以及多个待检测设备之间电流的影响,提高了漏电楼的检测精度。
实施例三
图3是本发明实施例三提供的漏电流检测方法的流程图,在上述实施例的基础上,将通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流进一步优化为:获取MCU存储单元的偏置电压值,通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值和偏置电压值的差值作为采样电压,将采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流,偏置电压值由对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。相应的该方法具体包括:
S310、对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和至少两个待检测设备各自对应的第一电流。
S320、将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能电容。
S330、获取MCU存储单元的偏置电压值,偏置电压值由对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。
本实施例中,在对待检测设备的漏电流进行差分放大时,运放自身可可产生偏置电流。将每一个待检测设备漏电流分别进行差分放大时产生的偏置电流转换为与第一电流同等级的偏置电压信号,并存储。示例性的,可将偏置电压信号经过折算后存储至MCU存储单元E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,带电可擦写可编程只读存储器)中。
示例性的,偏置电压值可通过偏置电流、偏置电阻和增益参数的乘积确定,其中,增益参数可以是差分放大器的放大倍数。
S340、通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,将电压值和偏置电压值的差值作为采样电压,将采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
本实施例中,将模数转换器ADC读取的电压值与偏置电压值的差值作为采样电压,并根据该采样电压计算采样电流,可去除运放自身产生的偏置电流对漏电流检测的影响,提供漏电流检测的精度。
S350、将采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
本实施例的技术方案,通过将模数转换器ADC读取的电压值与偏置电压值的差值作为采样电压,并根据该采样电压计算采样电流,可去除运放自身产生的偏置电流对漏电流检测的影响,提供漏电流检测的精度。
实施例四
图4是本发明实施例四提供的漏电流检测方法的流程图,在上述实施例的基础上,通过模数转换器ADC采集储能电容的电压值,并确定采样电流的方法,相应的,该方法具体包括:
S410、对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和至少两个待检测设备各自对应的第一电流。
S420、将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能电容。
S430、获取MCU的参考源通道数值,将参考源恒定电压与参考源通道数值的比值作为MCU的供电电压。
本实施例中,MCU内部自身参考源电压恒定不变,将参考源恒定电压与参考源通道数值做比可获得MCU的供电电压。其中,MCU内部自身参考源指的是基准源,为模数转换器ADC提供MCU的标准供电电压。
S440、获取采样通道的模数转换器ADC的转换值,将MCU的供电电压与模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压。
本实施例中,根据MCU的供电电压与采样通道的ADC转换值,可得到采样通道的精确电压值。
S450、将采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
S460、将采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
本实施例的技术方案,通过采样通道的模数转换器ADC转换值与MCU的供电电压确定采样电压,避免了在漏电流检测过程中测试设备因自身电源波动导致测试结果出现偏差的情况,提高了漏电流检测的精确度。
实施例五
图5是本发明实施例五提供的漏电流检测装置的结构示意图,该装置适用于执行本发明实施例提供的漏电流检测方法,该装置具体可以包括:
差分放大器510,用于对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和至少两个待检测设备各自对应的第一电流;
储能电容520,用于存储第一电流转换的电压信号;
模数转换器ADC530,用于采集储能电容的电压值;
主控制器MCU540,用于将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流,将采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
优选的,装置还包括:
计数器550,用于确定主控制器MCU540的休眠时间;
储能电容520具体用于:
当主控制器MCU540处于休眠状态时,将第一电流转换为电压信号,并将电压信号存储至储能电容520;
相应的,模数转换器ADC530具体用于:
当主控制器MCU540处于唤醒状态时,采集储能电容的电压值,将电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
优选的,主控制器MCU540包括:
存储单元541,用于存储MCU540的偏置电压值;
相应的,主控制器MCU540具体用于:
通过模数转换器ADC530采集储能电容的电压值,将电压值和偏置电压值的差值作为采样电压,将采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流,偏置电压值由对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。
优选的,主控制器MCU540具体用于:
获取主控制器MCU的参考源通道数值,将参考源恒定电压与参考源通道数值的比值作为主控制器MCU的供电电压;获取采样通道的模数转换器ADC的转换值,将主控制器MCU的供电电压与模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压;将采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
优选的,装置还包括:
LED灯560,用于依据比对情况,显示和至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果,其中,若采样电流大于预设电流值,则第一LED灯点亮,若采样电流小于或等于预设电流值,则第二LED灯点亮。
本发明实施例提供的漏电流检测装置可执行本发明任意实施例所提供的漏电流检测方法,具备执行方法相应的功能模块和有益效果。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种漏电流检测方法,其特征在于,包括:
对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流;
将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;
通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流;
将所述采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容包括:
当主控制器MCU处于休眠状态时,将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;
相应的,所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括:
当所述主控制器MCU处于唤醒状态时,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括:
获取MCU存储单元的偏置电压值,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压,将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流,所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流包括:
获取MCU的参考源通道数值,将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述MCU的供电电压;
获取采样通道的ADC的转换值,将所述MCU的供电电压与所述ADC的转换值的积确定为采样电压;
将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的检测结果包括:
依据比对情况,通过LED灯显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果,其中,若所述采样电流大于预设电流值,则第一LED灯点亮,若所述采样电流小于或等于所述预设电流值,则第二LED灯点亮。
6.一种漏电流检测装置,其特征在于,包括:
差分放大器,用于对至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大,得到和所述至少两个待检测设备各自对应的第一电流;
储能电容,用于存储所述第一电流转换的电压信号;
模数转换器ADC,用于采集所述储能电容的电压值;
主控制器MCU,用于将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流,将所述采样电流与预设电流值进行比对,依据比对情况分别显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述装置还包括:
计数器,用于确定主控制器MCU的休眠时间;
所述储能电容具体用于:
当主控制器MCU处于休眠状态时,将所述第一电流转换为电压信号,并将所述电压信号存储至储能电容;
相应的,所述模数转换器ADC具体用于:
当所述主控制器MCU处于唤醒状态时,通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值与采样电阻的比值确定为采样电流。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述主控制器MCU包括:
存储单元,用于存储所述MCU的偏置电压值;
相应的,所述主控制器MCU具体用于:
通过模数转换器ADC采集所述储能电容的电压值,将所述电压值和所述偏置电压值的差值作为采样电压,将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流,所述偏置电压值由对所述至少两个待检测设备的漏电流分别进行差分放大时的偏置电流、偏置电阻和增益参数确定。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述主控制器MCU具体用于:
获取主控制器MCU的参考源通道数值,将参考源恒定电压与所述参考源通道数值的比值作为所述主控制器MCU的供电电压;获取采样通道的模数转换器ADC的转换值,将所述主控制器MCU的供电电压与所述模数转换器ADC的转换值的积确定为采样电压;将所述采样电压与采样电阻的比值确定为采样电流。
10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
LED灯,用于依据比对情况,显示和所述至少两个待检测设备相对应的漏电流检测结果,其中,若所述采样电流大于预设电流值,则第一LED灯点亮,若所述采样电流小于或等于所述预设电流值,则第二LED灯点亮。
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