CN107039003B - 适合amoled补偿的数据驱动芯片架构和时序控制器架构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构和时序控制器架构。该数据驱动芯片架构包括:顺序连接的第一微型低压差分信号接收器,第一移位寄存器及第一锁存器;顺序连接的第二微型低压差分信号接收器,第二移位寄存器及第二锁存器;该第一锁存器及第二锁存器分别连接转换器,该转换器顺序连接电平转换器,数模转换器以及运算放大器;工作时,来自时序控制器的第一数据和第二数据分别自该第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器输入。本发明还提供了相应的时序控制器架构。本发明的数据驱动芯片架构和时序控制器架构,可以满足高刷新频率和高解析度的补偿需求。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域,尤其涉及一种适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构和时序控制器架构。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光,驱动电压低,发光效率高,响应时间短,使用温度范围宽等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置安装驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PMOLED)和有源矩阵型OLED(AMOLED)两大类,其中,AMOLED具有呈阵列式排布的子像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用于高清晰度的大尺寸显示装置。
参见图1至3,图1为现有的OLED像素架构示意图,此架构为包括薄膜晶体管T1,T2,T3及电容C的3T1C架构,图2为现有数据驱动芯片架构示意图,图3为现有补偿驱动时序示意图。显示装置的时序控制器获得图像数据后,经处理后以微型低压差分信号形式发送至数据驱动芯片,再由数据驱动芯片驱动像素显示图像。如图2所示,数据驱动芯片包括顺序连接的微型低压差分信号接收器(MINI LVDS Receiver),移位寄存器(Shift Register),锁存器(Latch),电平转换器(L/S),数模转换器(DAC),以及运算放大器(OP Buf);微型低压差分信号接收器接收来自时序控制器的微型低压差分信号(Mini lvds),包括时钟信号(Miniclk)及数据信号(Mini data);移位寄存器用于存储数据信号;锁存器用于存储一条扫描线上的数据;电平转换器用于转换电压至适合于驱动晶体管;数模转换器把数字信号数据转换成用以驱动液晶显示灰阶的电压;运算放大器用于提升驱动能力。图3中,cpv信号为列的时钟脉冲信号,oe为输出使能信号,G1和G1为第一和第二级行扫描信号;de_in为外部输入数据使能信号,data_in为外部输入数据信号;de_com为时序控制器数据使能信号,data1和data2为数据控制器数据信号;stb为数据驱动芯片控制信号。
为了实现对T1驱动晶体管的阈值电压Vth偏移的补偿,需要给T1驱动晶体管的栅极给两次不同的数据信号Vdata(Vdata1,Vdata2),现有的数据驱动芯片的微型低压差分信号(Mini lvds)的频率较低,若要满足对T1驱动晶体管Vth的补偿功能,需要通过先降低帧率(frame rate)后再提高Mini clk(在驱动芯片的规格内)的方法进行补偿,这样的方法不能满足量产的需求。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构,满足高刷新频率和高解析度的补偿需求。
本发明的另一目的在于提供一种适合AMOLED补偿的时序控制器架构,满足高刷新频率和高解析度的补偿需求。
为实现上述目的,本发明提供了一种适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构,包括:顺序连接的第一微型低压差分信号接收器,第一移位寄存器及第一锁存器;顺序连接的第二微型低压差分信号接收器,第二移位寄存器及第二锁存器;该第一锁存器及第二锁存器分别连接转换器,该转换器顺序连接电平转换器,数模转换器以及运算放大器;工作时,来自时序控制器的第一数据和第二数据分别自该第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器输入,经处理后的该第一数据和第二数据分别进入该第一锁存器及第二锁存器,经由输入该转换器的控制信号的控制,使该第一锁存器和第二锁存器中的数据先后输出到该电平转换器。
其中,当该控制信号为高电位时,使该第一锁存器的数据输出到该电平转换器;当该控制信号为低电位时,使该第二锁存器的数据输出到该电平转换器。
其中,工作时,该第一数据和第二数据分别输入到该第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器,然后分别存储于该第一移位寄存器和第二移位寄存器中;在该第一移位寄存器和第二移位寄存器相应的信号的控制下,使该第一移位寄存器和第二移位寄存器的数据分别输入该第一锁存器及第二锁存器中。
其中,该数据驱动芯片架构设置于AMOLED显示面板上。
本发明还提供了一种适合AMOLED补偿的时序控制器架构,包括:第一数据输入模块,第一数据映射模块,第二数据输入模块,第二数据映射模块,以及存储补偿数据的存储器;图像数据自输入端口输入该第一数据输入模块和第二数据输入模块,该第一数据映射模块根据该存储器中的补偿数据以及该第一数据输入模块中的数据生成第一数据,该第二数据映射模块根据该存储器中的补偿数据以及该第二数据输入模块中的数据生成第二数据,该第一数据和第二数据分别自第一输出端口和第二输出端口以微型低压差分信号的形式输出至数据驱动芯片的第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器。
其中,该存储器包括闪存和DDR内存。
其中,该第一数据映射模块根据该闪存中的补偿数据以及该第一数据输入模块中的数据生成该第一数据。
其中,该第二数据映射模块根据该DDR内存中的补偿数据以及该第二数据输入模块中的数据生成该第二数据。
其中,该第一数据映射模块提前读取该闪存中的补偿数据以及该第一数据输入模块中的数据生成该第一数据。
其中,该时序控制器架构设置于AMOLED显示面板上。
综上,本发明的适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构和时序控制器架构,可以满足高刷新频率和高解析度的补偿需求。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中,
图1为现有的OLED像素架构示意图;
图2为现有数据驱动芯片架构示意图;
图3为现有补偿驱动时序示意图;
图4为本发明的数据驱动芯片架构一较佳实施例示意图;
图5为本发明的时序控制器架构一较佳实施例示意图;
图6为本发明的补偿驱动时序示意图。
具体实施方式
参见图4,其为本发明适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构一较佳实施例的架构示意图,该数据驱动芯片架构可驱动的像素架构可参见图1。本发明适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构主要包括:顺序连接的微型低压差分信号接收器(MINI LVDS Receiver 1)11,移位寄存器(Shift Register1)21及锁存器(Latch 1)31;顺序连接的微型低压差分信号接收器(MINI LVDS Receiver 2)12,移位寄存器(Shift Register 2)22及锁存器(Latch2)32;锁存器(Latch 1)31及锁存器(Latch 2)32分别连接转换器(Switch)41,转换器(Switch)41顺序连接电平转换器(L/S)51,数模转换器(DAC)61以及运算放大器(OP Buf)71;工作时,通过输入转换器(Switch)41的控制信号Data_sw的控制,分别使锁存器(Latch1)31和锁存器(Latch 2)32中的数据输出到电平转换器(L/S)51。当Data_sw控制信号为高电位H时,使锁存器31的数据(data)输出到电平转换器51;当Data_sw控制信号为低电位L时,使锁存器32的data输出到电平转换器51;接下来,电平转换器51的数据再顺序经数模转换器61和运算放大器71处理后输出,用于驱动OLED像素。
该较佳实施例中除转换器41的其他模块的功能可参考对图1的说明。本发明适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构通过同时输入两路MINI lvds的数据到微型低压差分信号接收器11和12,MINI lvds信号来自相应的时序控制器,每路MINI lvds信号包括时钟信号Mini clk数据信号Mini data,然后分别存储于移位寄存器21和22中;在两移位寄存器21和22相应的两个STB信号——STB1和STB2的分别控制下,使移位寄存器21和22的数据分别进入锁存器31及锁存器32中,再根据Data_sw控制信号和STB1,STB2的控制,达到满足补偿需求的目的。
参见图5,其为本发明的时序控制器架构一较佳实施例示意图。本发明的时序控制器架构主要包括:第一数据输入模块(Data1com)10,第一数据映射模块(Data1map)20,第二数据输入模块(Data2com)30,第二数据映射模块(Data2map)40,以及存储补偿数据的存储器;图像数据自输入端口(RX)70输入该第一数据输入模块10和第二数据输入模块30,该第一数据映射模块20根据该存储器中的补偿数据以及该第一数据输入模块10中的数据生成第一数据,该第二数据映射模块40根据该存储器中的补偿数据以及该第二数据输入模块30中的数据生成第二数据,该第一数据和第二数据分别自第一输出端口(TX1)80和第二输出端口(TX1)90以微型低压差分信号的形式输出至数据驱动芯片的第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器。
在该较佳实施例中,存储器包括闪存(Flash)50和DDR内存60。第一数据映射模块20根据该闪存50中的补偿数据以及该第一数据输入模块10中的数据生成该第一数据。第二数据映射模块40根据该DDR内存60中的补偿数据以及该第二数据输入模块30中的数据生成该第二数据。根据最终驱动像素的信号Vdata1和Vdata2的先后顺序,该第一数据映射模块可以提前读取该闪存50中的补偿数据以及该第一数据输入模块10中的数据生成该第一数据。
本发明的适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构和时序控制器架构可以设置于AMOLED显示面板上。
参见图6,其为本发明的补偿驱动时序示意图,可结合图4及图5理解。图6中,cpv信号为列的时钟脉冲信号,oe为输出使能信号,G1和G1为第一和第二级行扫描信号;de_in为外部输入数据使能信号,data_in为外部输入数据信号;de_en1,de_en2为时序控制器数据使能信号,data1和data2为数据控制器数据信号;stb1,stb2和data_sw为数据驱动芯片控制信号。
本发明提出了适合3T补偿的驱动芯片的架构,该驱动架构通过可以降低mini clk的频率,可以满足高刷新频率和高解析度的补偿需求;当Data_sw控制信号为H时,使latch1的data输出到L/S;当Data_sw控制信号为L时,使latch1的data输出到L/S;该架构通过同时输入两路MINI lvds的数据,在两个STB信号的控制下,使data进入两路latch中,根据data_sw控制信号和stb1,stb2的控制,达到满足补偿需求的目的。
本发明还提出了适合3T像素补偿的驱动时序控制器(TCON)的架构和驱动时序。Data1的补偿可以提前通过读取flash的补偿数据进行补偿数据的处理,data2的补偿数据需要搭配输入数据和DDR内存中的补偿数据进行处理;在一条数据线打开的时间内,在Data_sw为H时,先把data1的数据输出给data line,在Data_sw为L时,再把data2的数据输出给data line;达到补偿的目的。
综上,本发明的适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构和时序控制器架构,可以满足高刷新频率和高解析度的补偿需求。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构,其特征在于,包括:顺序连接的第一微型低压差分信号接收器,第一移位寄存器及第一锁存器;顺序连接的第二微型低压差分信号接收器,第二移位寄存器及第二锁存器;该第一锁存器及第二锁存器分别连接转换器,该转换器顺序连接电平转换器,数模转换器以及运算放大器;工作时,来自时序控制器的第一数据和第二数据分别自该第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器输入,经处理后的该第一数据和第二数据分别进入该第一锁存器及第二锁存器,经由输入该转换器的控制信号的控制,使该第一锁存器和第二锁存器中的数据先后输出到该电平转换器;
所述AMOLED的像素电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C)、以及有机发光二极管;
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点,源极和漏极分别电性连接第二节点和第一电源电压(VDD);
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一信号(WR),源极和漏极分别电性连接数据信号(VData)和第一节点;
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接第二信号(RD),源极和漏极分别电性连接第三信号(Monitor)和第二节点;
所述电容(C)的一端电性连接第一节点,另一端电性连接第二节点;
所述有机发光二极管的阳极电性连接第二节点,阴极电性连接第二电源电压(VSS)。
2.如权利要求1所述的适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构,其特征在于,当该控制信号为高电位时,使该第一锁存器的数据输出到该电平转换器;当该控制信号为低电位时,使该第二锁存器的数据输出到该电平转换器。
3.如权利要求1所述的适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构,其特征在于,工作时,该第一数据和第二数据分别输入到该第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器,然后分别存储于该第一移位寄存器和第二移位寄存器中;在该第一移位寄存器和第二移位寄存器相应的信号的控制下,使该第一移位寄存器和第二移位寄存器的数据分别输入该第一锁存器及第二锁存器中。
4.如权利要求1所述的适合AMOLED补偿的数据驱动芯片架构,其特征在于,该数据驱动芯片架构设置于AMOLED显示面板上。
5.一种适合AMOLED补偿的时序控制器架构,其特征在于,包括:第一数据输入模块,第一数据映射模块,第二数据输入模块,第二数据映射模块,以及存储补偿数据的存储器;图像数据自输入端口输入该第一数据输入模块和第二数据输入模块,该第一数据映射模块根据该存储器中的补偿数据以及该第一数据输入模块中的数据生成第一数据,该第二数据映射模块根据该存储器中的补偿数据以及该第二数据输入模块中的数据生成第二数据,该第一数据和第二数据分别自第一输出端口和第二输出端口以微型低压差分信号的形式输出至数据驱动芯片的第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器;
其中,所述数据驱动芯片的架构包括:顺序连接的该第一微型低压差分信号接收器,第一移位寄存器及第一锁存器;顺序连接的该第二微型低压差分信号接收器,第二移位寄存器及第二锁存器;该第一锁存器及第二锁存器分别连接转换器,该转换器顺序连接电平转换器,数模转换器以及运算放大器;工作时,来自时序控制器的第一数据和第二数据分别自该第一微型低压差分信号接收器和第二微型低压差分信号接收器输入,经处理后的该第一数据和第二数据分别进入该第一锁存器及第二锁存器,经由输入该转换器的控制信号的控制,使该第一锁存器和第二锁存器中的数据先后输出到该电平转换器;
所述AMOLED的像素电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C)、以及有机发光二极管;
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点,源极和漏极分别电性连接第二节点和第一电源电压(VDD);
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一信号(WR),源极和漏极分别电性连接数据信号(VData)和第一节点;
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接第二信号(RD),源极和漏极分别电性连接第三信号(Monitor)和第二节点;
所述电容(C)的一端电性连接第一节点,另一端电性连接第二节点;
所述有机发光二极管的阳极电性连接第二节点,阴极电性连接第二电源电压(VSS)。
6.如权利要求5所述的适合AMOLED补偿的时序控制器架构,其特征在于,该存储器包括闪存和DDR内存。
7.如权利要求6所述的适合AMOLED补偿的时序控制器架构,其特征在于,该第一数据映射模块根据该闪存中的补偿数据以及该第一数据输入模块中的数据生成该第一数据。
8.如权利要求7所述的适合AMOLED补偿的时序控制器架构,其特征在于,该第二数据映射模块根据该DDR内存中的补偿数据以及该第二数据输入模块中的数据生成该第二数据。
9.如权利要求7所述的适合AMOLED补偿的时序控制器架构,其特征在于,该第一数据映射模块提前读取该闪存中的补偿数据以及该第一数据输入模块中的数据生成该第一数据。
10.如权利要求5所述的适合AMOLED补偿的时序控制器架构,其特征在于,该时序控制器架构设置于AMOLED显示面板上。
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