CN106997873A - 一种封装结构及封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种封装结构及封装方法，所述封装结构包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片，其中：所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。本发明的封装方法采用化学气相沉积法在散热基板上沉积具有良好导电、热扩散、热辐射能力的石墨烯导电散热薄膜，可以在不影响MPS电学特性的情况下，大幅提高器件的散热能力，降低器件热阻与结温。同时，借助于石墨烯优异的表面热辐射性能，可进一步提高器件的散热性能。本发明的封装结构及封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管，而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片，并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合，具有广泛的工业前景。
Description
技术领域
本发明属于器件封装领域，涉及一种封装结构及封装方法。
背景技术
随着电子电路中主开关频率、变换电源电压和功率的提高，对起控制作用的整流开关二极管提出了更高要求。混合PiN肖特基二极管(Merged PiN/Schottky diode，MPS)具有PIN二极管高阻断电压、低漏电流和肖特基二极管(SBD)小开启电压、大导通电流以及高开关速度的优点。对于垂直结构的MPS，器件封装结构中的铜基体对芯片不仅起到支撑的作用，而且是芯片工作的电极之一。图1中示出了垂直结构型MPS二极管的一种基本结构，其中，MPS器件呈现深注入的交叉指状P+栅格与肖特基结相间隔的网状结构，MPS二极管正面电极形成用于肖特基区的与相对低掺杂区域的肖特基势垒(Schottky contact)，以及用于P-i-N区的与相对高掺杂区域的欧姆接触；MPS二极管背面电极与MPS二极管形成欧姆接触(Ohmic contact)。MPS开关管的主要结是PiN二极管区，PN结通过其耗尽层的宽度和两PN结之间的间隙来影响肖特基的导电沟道。
随着第三代半导体技术的飞速发展，MPS的功率密度越来越大，产生的热量越来越多，芯片结温迅速上升，当温度超过最大允许温度时，MPS就会因为过热而损坏。芯片产生的高密度热流如何快速的扩展到整个铜基体的上表面，从而降低封装器件的热阻，是功率型MPS整个热流通道设计的关键。因此，在铜基体与芯片接触的一面沉积一种导电性好，又具有快速热扩散能力的薄膜材料极其重要。
目前，功率型MPS采用的铜基体在与芯片接触的一面没有任何有益于热扩散的薄膜材料沉积，散热能力完全依赖铜基体本身(导热系数397W/m.K，热辐射系数：0.05)。
石墨烯是由碳六元环组成的二维(2D)周期蜂窝状点阵结构，石墨烯的基本结构单元为有机材料中最稳定的苯六元环，是目前最理想的二维纳米材料。理想的石墨烯结构是平面六边形点阵，可以看作是一层被剥离的石墨分子，每个碳原子均为sp2杂化，并贡献剩余一个p轨道上的电子形成大π键，π电子可以自由移动，赋予石墨烯良好的导电性。
作为世界上已知最薄的材料，石墨烯具有良好的导热(单层石墨烯的导热系数高达5300W/m·K)、导电(载流子迁移率高达2×105cm2/v.S)性能，并且具有优异的热辐射性能。散热薄膜是计算机、手机制造中的关键材料，像苹果手机目前用的散热膜是用石墨片制成的，而石墨烯制成的散热膜散热性能会大大优于石墨片。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种封装结构及封装方法，用于解决现有技术中随着芯片(特别是混合PiN肖特基二极管)的功率密度越来越大，铜基底散热能力不足，导致芯片因为过热而损坏的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种封装结构，包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片，其中：所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。
可选地，所述芯片底面通过粘结层粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。
可选地，所述粘结层包括导电胶、绝缘胶或共晶材料。
可选地，所述石墨烯导电散热薄膜在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积。
可选地，所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。
可选地，所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。
可选地，所述芯片为垂直结构型的混合PiN肖特基二极管，所述混合PiN肖特基二极管的底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。
可选地，所述散热基板采用可作为石墨烯生长催化剂的材质。
可选地，所述材质包括镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金。
可选地，所述散热基板为铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。
可选地，所述散热基板包括热管散热结构或微流体散热结构。
本发明还提供一种封装方法，包括如下步骤：
S1：提供一散热基板；
S2：在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜；
S3：将芯片固定到所述石墨烯导电散热薄膜表面。
可选地，所述散热基板采用可作为石墨烯生长催化剂的材质。
可选地，所述材质包括镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金。
可选地，于所述步骤S2中，通过化学气相沉积法在所述散热基板上生长得到所述石墨烯导电散热薄膜。
可选地，于所述步骤S1中，还包括采用丙酮、乙醇、去离子水中的一种或多种对所述散热基板进行超声清洗以去除所述散热基板表面污染物的步骤。
可选地，于所述步骤S1中，还包括去除所述散热基板表面氧化物的步骤。
可选地，所述散热基板为铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。
可选地，于所述步骤S2中，通过转移法在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜。
可选地，于所述步骤S3中，通过粘结层将所述芯片底面粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。
可选地，所述粘结层包括导电胶、绝缘胶或共晶材料。
可选地，所述石墨烯导电散热薄膜在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积。
可选地，所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。
可选地，所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。
可选地，所述芯片为垂直结构型的混合PiN肖特基二极管，所述混合PiN肖特基二极管的底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。
如上所述，本发明的封装结构及封装方法，具有以下有益效果：
(1)本发明采用化学气相沉积法在散热基板功率型MPS二极管铜基板上沉积具有良好导电、热扩散、热辐射能力的石墨烯导电散热薄膜，可以在不影响MPS电学特性的情况下，大幅提高器件的散热能力，降低器件热阻与结温。同时，借助于石墨烯优异的表面热辐射性能，可进一步提高器件的散热性能；
(2)MPS采用纯铜作为散热基板，可直接作为化学气相沉积法制备石墨烯的催化剂，无需转移的自生长工艺得到的石墨烯质量比较好，并且石墨烯与MPS的铜基底有良好的接触与附着，导电、散热性能大大优于纯铜；
(3)本发明的封装结构及封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管，而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片，并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合，具有广泛的工业前景。
附图说明
图1显示为现有技术中垂直结构型MPS二极管的基本结构。
图2显示为本发明的封装结构的示意图。
图3显示为本发明的封装方法的工艺流程图。
元件标号说明
1 散热基板
2 石墨烯导电散热薄膜
3 芯片
4 顶部电极
5 底部电极
6 导电胶
S1～S3 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种封装结构，请参阅图2，显示为该封装结构的示意图，包括散热基板1及结合于所述散热基板1上表面的芯片3，其中：所述散热基板1上表面与所述芯片3底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜2。
具体的，所述散热基板1采用具有导热功能的材质，并可以根据需要采用导电或绝缘材质、非透明材质或透明材质。
作为示例，所述散热基板1可采用作为石墨烯生长催化剂的材质，例如镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金；也可采用不具有催化性能的材质，例如铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。其中，FR4板也称为高频板、补强板、玻纤板、环氧板等，具有颜色方面整板比较均匀、鲜艳、密度比普通的环氧板要大，机械性能跟电气性能稳定、良好的阻燃性、绝缘性、耐电介质好，机械强度和加工性优良，力学性能好、耐磨、耐酸碱等特性。
此外，所述散热基板1还可包括热管散热结构或微流体散热结构等，从结构设计的角度进一步提高散热基板的散热能力。
本实施例中，所述散热基板1以具有良好导电导热性能并可作为石墨烯生长催化剂的Cu基底为例。
具体的，所述芯片3可以为任意类型的需要快速散热的芯片。
作为示例，所述芯片3为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。
作为示例，所述芯片3底面通过粘结层粘附于所述石墨烯导电散热薄膜2表面。对于垂直结构型芯片，所述粘结层可采用导电材料，例如导电胶、共晶材料等，这种情况下，与石墨烯导电散热薄膜相接触的金属散热基板可充当芯片的一个电极。对于平面结构型芯片，所述粘结层可采用绝缘材料，例如绝缘胶，这种情况下，石墨烯导电散热薄膜与散热基板单纯散热。
本实施例中，所述芯片3以垂直结构型的混合PiN肖特基二极管为例，其上表面设有顶部电极4，下表面设有底部电极5。所述底部电极5与所述石墨烯导电散热薄膜2电连接。作为示例，所述芯片3底面(本实施例中即为所述底部电极5)通过导电胶6粘附于所述石墨烯导电散热薄膜2表面。
具体的，所述石墨烯导电散热薄膜2具有良好的导热(单层石墨烯的导热系数高达5300W/m·K)、导电能力(载流子迁移率高达2×105cm2/v.S)，并且具有优异的热辐射性能。本实施例中，所述石墨烯导电散热薄膜2包括单层石墨烯或多层石墨烯(小于或等于5层)。所述石墨烯导电散热薄膜2可以在不影响芯片电学特性的前提下，将芯片产生的高密度热流快速传导至所述散热基板1。
本实施例中，所述石墨烯导电散热薄膜2在所述散热基板1上表面的覆盖面积优选为大于所述芯片3底面的面积，即除了芯片所在区域，芯片周围的散热基板表面也覆盖有所述石墨烯导电散热薄膜。由于石墨烯优异的热扩散、热辐射性能，可以将芯片产生的高密度热流及时扩展到整个散热基板表面，大大提高封装结构的散热能力。
实施例二
本发明还提供一种封装方法，请参阅图3，显示为该封装方法的工艺流程图，包括如下步骤：
S1：提供一散热基板；
S2：在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜；
S3：将芯片固定到所述石墨烯导电散热薄膜表面。
首先执行步骤S1：提供一散热基板。
具体的，所述散热基板采用具有导热功能的材质，并可以根据需要采用导电或绝缘材质、非透明材质或透明材质。
作为示例，所述散热基板1可采用作为石墨烯生长催化剂的材质，例如镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金；也可采用不具有催化性能的材质，例如铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。
此外，所述散热基板1还可包括热管散热结构或微流体散热结构等，从结构设计的角度进一步提高散热基板的散热能力。
本实施例中，所述散热基板以具有良好导电导热性能并可作为石墨烯生长催化剂的Cu基底为例。
然后执行步骤S2：在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜。
本实施例中由于采用了具有石墨烯生长催化剂性能的Cu基底作为散热基板，因此可以通过化学气相沉积法直接在所述散热基板上生长得到所述石墨烯导电散热薄膜。
作为示例，在铜基底上生长石墨烯导电散热薄膜主要包括以下制备过程：
(1)将MPS用铜基底依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗20分钟，以去除铜基底表面污染物。
除了上述清洗步骤，可选择性增加电化学抛光步骤，以去除铜基底表面氧化物，并进一步平整化铜基底表面：将清洗后的铜基底作抛光阳极，铜板作阴极，进行电化学抛光处理。其中，电解液的配比为去离子水：磷酸：乙醇：异丙醇：尿素＝100ml：50ml：50ml：10ml：18g。抛光后的铜箔再依次经过丙酮、乙醇、去离子水超声清洗10min，用高纯氮气干燥。
其中，上述电化学抛光步骤也可用化学试剂预处理步骤来代替：将清洗后的铜基底在浓度为1M的硝酸铁水溶液中进行预刻蚀，预刻蚀时间为90s，预刻蚀后的铜箔再依次经过丙酮、乙醇、去离子水超声清洗10min，用高纯氮气干燥。
(2)将铜基底置于化学气相沉积(CVD)反应室中(与芯片接触的一面朝上)，抽真空至反应室中压强降至1Pa以下，通入氢气/氩气混合气体(氢气10％)至常压，重复此步骤3次后，控制混合气体流量为100sccm，升温至1000度，通入碳源前驱体C2H2，流量为20sccm，压强650Pa下保温30分钟，切断碳源前驱体，保持混合气体流速不变，降温至室温。
至此，在铜基底表面自生长得到了石墨烯导电散热薄膜，所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。所得铜/石墨烯复合层附着力强，导电、散热性能大大优于纯铜。
本实施例中，所述石墨烯导电散热薄膜覆盖满铜基底上表面，或者至少在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积，有利于将芯片产生的高密度热流及时扩展到整个铜基底表面。
在另一实施例中，上述化学气相沉积法也可调整为等离子体辅助的CVD制备方法：将清洗后的铜基底置于CVD反应室中(与芯片接触的一面朝上)，抽真空至反应室中压强降至1Pa以下，通入氢气/氩气混合气体(氢气30％)至常压，重复此步骤3次后，控制混合气体流量为100sccm，升温至900度，调整射频电源功率为400W产生整管等离子辉光，通入碳源前驱体CH4，流量为100sccm，压强500Pa，设定铜箔移动速度为100cm/小时，生长完毕后切断碳源前驱体，保持混合气体流速不变，降温至室温。
在另一实施例中，上述化学气相沉积法还可调整为微波辅助的CVD制备方法，微波波长、功率、反应腔温度可调，参照上述等离子体辅助的CVD制备方法。
以上仅为示例，在实际操作中，根据具体所采用的催化剂材质、反应室腔室大小等因素，上述各种工艺条件可以根据需要进行调整，此处不应过分限制本发明的保护范围。
需要指出的是，当所述散热基板采用不具有石墨烯生长催化剂性能的材质时，也可以通过转移法在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜。
最后执行步骤S3：将芯片固定到所述石墨烯导电散热薄膜表面。
具体的，所述芯片可以为任意类型的需要快速散热的芯片。
作为示例，所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。
作为示例，所述芯片底面通过粘结层粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。对于垂直结构型芯片，所述粘结层可采用导电材料，例如导电胶、共晶材料等，这种情况下，与石墨烯导电散热薄膜相接触的金属散热基板可充当芯片的一个电极。对于平面结构型芯片，所述粘结层可采用绝缘材料，例如绝缘胶，这种情况下，石墨烯导电散热薄膜与散热基板单纯散热。
本实施例中，所述芯片以垂直结构型的混合PiN肖特基二极管为例，其上表面设有顶部电极，下表面设有底部电极。所述底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。
作为示例，通过导电胶将所述芯片底面粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面，可以保证芯片底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜之间的电连接。
至此，完成了芯片的封装。本发明的封装方法采用了具有高导电、热扩散、热辐射性能的石墨烯导电散热薄膜，该石墨烯导电散热薄膜位于铜基板与芯片接触的一面上，制备方法采用化学气相沉积法或增加等离子、微波等辅助手段的化学气相沉积法，实现了自生长石墨烯在功率MPS的直接利用，可以在不影响MPS电学特性的情况下，大幅提高器件的散热能力，降低器件热阻与结温。
相对于传统的先采用化学气相沉积法在金属箔上制备石墨烯薄膜，然后借助转移工艺转移至目标衬底得到的石墨烯散热薄膜具有转移过程相对复杂，转移过程会导致破损，转移残留无法彻底去除，从而影响石墨烯的导电、散热能力的缺点；以及相对于传统的采用氧化还原法制备的石墨烯散热膜具有制备过程中需采用强酸、强碱及强还原剂，工艺复杂、危险系数高，并且所得石墨烯纯度不够，从而导电散热能力亦无法有效控制的缺点，本发明的封装方法直接采用MPS铜基板作为石墨烯制备的催化剂，工艺简单，无需转移的自生长工艺得到的石墨烯质量比较好，并且石墨烯与MPS的铜基底有良好的接触与附着，增加了散热性。
本发明制备的封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管，而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片，并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合，具有广泛的工业前景。
综上所述，本发明的封装结构及封装方法，具有以下有益效果：
(1)本发明采用化学气相沉积法在散热基板功率型MPS二极管铜基板上沉积具有良好导电、热扩散、热辐射能力的石墨烯导电散热薄膜，可以在不影响MPS电学特性的情况下，大幅提高器件的散热能力，降低器件热阻与结温。同时，借助于石墨烯优异的表面热辐射性能，可进一步提高器件的散热性能；
(2)MPS采用纯铜作为散热基板，可直接作为化学气相沉积法制备石墨烯的催化剂，无需转移的自生长工艺得到的石墨烯质量比较好，并且石墨烯与MPS的铜基底有良好的接触与附着，导电、散热性能大大优于纯铜；
(3)本发明的封装结构及封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管，而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片，并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合，具有广泛的工业前景。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (25)
1.一种封装结构，包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片，其特征在于：所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述芯片底面通过粘结层粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于：所述粘结层包括导电胶、绝缘胶或共晶材料。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于：所述芯片为垂直结构型的混合PiN肖特基二极管，所述混合PiN肖特基二极管的底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述散热基板采用可作为石墨烯生长催化剂的材质。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于：所述材质包括镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述散热基板为铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。
11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述散热基板包括热管散热结构或微流体散热结构。
12.一种封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供一散热基板；
S2：在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜；
S3：将芯片固定到所述石墨烯导电散热薄膜表面。
13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述散热基板采用可作为石墨烯生长催化剂的材质。
14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于：所述材质包括镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金。
15.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S2中，通过化学气相沉积法在所述散热基板上生长得到所述石墨烯导电散热薄膜。
16.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S1中，还包括采用丙酮、乙醇、去离子水中的一种或多种对所述散热基板进行超声清洗以去除所述散热基板表面污染物的步骤。
17.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S1中，还包括去除所述散热基板表面氧化物的步骤。
18.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述散热基板为铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。
19.根据权利要求18所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S2中，通过转移法在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜。
20.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S3中，通过粘结层将所述芯片底面粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。
21.根据权利要求20所述的封装方法，其特征在于：所述粘结层包括导电胶、绝缘胶或共晶材料。
22.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积。
23.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。
24.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。
25.根据权利要求24所述的封装方法，其特征在于：所述芯片为垂直结构型的混合PiN肖特基二极管，所述混合PiN肖特基二极管的底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。
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