CN106970330B - 一种磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法 - Google Patents

一种磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法。它包括以下步骤：A、将磷酸铁锂电池记忆重复写入和记忆释放，其中记忆写入的静置时间为0.8‑1.3小时，记忆写入和记忆释放时间为8‑12分钟，选取C/2为测试电流倍率；B、记录各个记忆释放的充电电压与记忆过程前的初始容量测试循环的充电电压相减的电压偏离曲线；C、不同SOC区间的记忆写入之后放电至20%SOC，再进行记忆释放的充放电循环；D、计算获得20%SOC开始部分充电的电压偏离情况，不完全放空的记忆写入过程得到不同的电压偏离程度。采用上述的方法后，能够获得电压偏离情况，不完全放空的记忆写入过程得到不同的电压偏离程度，从而保证了各种参数估算方法的准确性。

Description

一种磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法
技术领域
本发明涉及一种锂电池电压的探测方法，具体地说是一种磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法。
背景技术
众所周知，实际使用的大容量电池的电极极片存在明显的参数分布差异，且充放电过程中电池内部不同位置的电压、电流和SOC等参数的变化规律不同。除了改善电极材料本身的物理化学特性以外，电极片集流体和极耳的物理位置和尺寸也是影响电池内部的电压和电流不平衡的主要因素。然而由于磷酸铁锂材料具有记忆效应，磷酸铁锂电池的记忆效应主要发生在记忆写入时刻的SOC点附近，而电池内部的SOC不平衡特性随着电池容量和尺寸的增大发生较大改变，磷酸铁锂材料在经历前一循环的记忆写入过程后发生在记忆释放的充放电循环中的较为明显的电压偏离现象，因此，磷酸铁锂材料的记忆效应会造成电池电动势偏离，从而影响各种参数估算方法的准确性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高各种参数估算准确性的磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法。
为了解决上述技术问题，本发明的磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法，包括以下步骤：
A、将磷酸铁锂电池记忆重复写入和记忆释放，其中记忆写入的静置时间为0.8-1.3小时，记忆写入和记忆释放时间为8-12分钟，选取C/2为测试电流倍率，分别测试30%至80%SOC共6个SOC区间充放电的记忆写入和释放过程；
B、记录各个记忆释放的充电电压与记忆过程前的初始容量测试循环的充电电压相减的电压偏离曲线；
C、不同SOC区间的记忆写入之后放电至20%SOC，再进行记忆释放的充放电循环；
D、计算获得20%SOC开始部分充电的电压偏离情况，不完全放空的记忆写入过程得到不同的电压偏离程度。
所述记忆写入的静置时间为1小时，记忆写入和记忆释放时间为10分钟。
采用上述的方法后，能够获得电压偏离情况，不完全放空的记忆写入过程得到不同的电压偏离程度，从而保证了各种参数估算方法的准确性。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，对本发明的磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法作进一步详细说明。
本发明的磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法，包括以下步骤：
A、将磷酸铁锂电池记忆重复写入和记忆释放，其中记忆写入的静置时间为0.8-1.3小时，记忆写入和记忆释放时间为8-12分钟，选取C/2为测试电流倍率，分别测试30%至80%SOC共6个SOC区间充放电的记忆写入和释放过程；
B、记录各个记忆释放的充电电压与记忆过程前的初始容量测试循环的充电电压相减的电压偏离曲线；
C、不同SOC区间的记忆写入之后放电至20%SOC，再进行记忆释放的充放电循环；
D、计算获得20%SOC开始部分充电的电压偏离情况，不完全放空的记忆写入过程得到不同的电压偏离程度；例如30%SOC记忆写入过程有10mV电压偏离，50%SOC大约出现了6mV的电压偏离，而80%SOC仅出现了2mV的电压偏离。
经过实践证明，电池电压各自发生记忆的时刻与前一循环充分静置的SOC时刻保持了较好的对应性。

Claims (2)

1.一种磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、将磷酸铁锂电池记忆重复写入和记忆释放，其中记忆写入的静置时间为0.8-1.3小时，记忆写入和记忆释放时间为8-12分钟，选取C/2为测试电流倍率，分别测试30%至80%SOC共6个SOC区间充放电的记忆写入和释放过程；
B、记录各个记忆释放的充电电压与记忆过程前的初始容量测试循环的充电电压相减的电压偏离曲线；
C、不同SOC区间的记忆写入之后放电至20%SOC，再进行记忆释放的充放电循环；
D、计算获得20%SOC开始部分充电的电压偏离情况，不完全放空的记忆写入过程得到不同的电压偏离程度。
2.按照权利要求1所述的磷酸铁锂电池偏离电压的探测方法，其特征在于：所述记忆写入的静置时间为1小时，记忆写入和记忆释放时间为10分钟。
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