CN106951130A - 一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请提供的一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法，用以将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现手势识别和/或指纹识别，从而增加了阵列基板的使用附加值。本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与所述TFT像素电路层电连接的超声波接收传感器；其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。

Description

一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法。
背景技术
现有技术中，采用硅基超声波换能器微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)阵列来收发超声波，探测手势位置，进行手势识别。显示装置集成手势识别是基于硅基MEMS阵列和互补金属氧化物半导体集成电路(Complementary Metal OxideSemiconductor Integrated Circuit，CMOS IC)的模组集成。
综上所述，现有技术中实现手势识别的功能模块完全外置，没有与显示屏集成。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法，用以将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现手势识别和/或指纹识别，从而增加了阵列基板的使用附加值。
本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与所述TFT像素电路层电连接的超声波接收传感器；其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。
本申请实施例提供的阵列基板，通过在玻璃基板的背面设置超声波发射传感器，在玻璃基板正面设置TFT像素电路层，在TFT像素电路层之上设置超声波接收传感器，从而将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，无需在阵列基板之外设置用于实现手势识别的器件、模组，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现手势识别和/或指纹识别，增加了阵列基板的使用附加值。
较佳地，所述超声波发射传感器包括：第一驱动电极层，在第一驱动电极层之上的第一压电层，在所述第一压电层之上的第二驱动电极层。
较佳地，所述第一压电层在显示区和非显示区的材料相同，所述第一压电层在显示区的厚度小于所述第一压电层在非显示区的厚度。
本申请实施例提供的阵列基板，通过将显示区的压电超声波传感器和非显示区的压电超声波传感器中的压电层设置为相同的材料，同时非显示区的压电超声波传感器中压电层的厚度大于显示区压电超声波传感器中压电层的厚度，从而使得显示区的压电超声波传感器的固有频率高于非显示区的压电超声波传感器的固有频率，可以实现在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，进一步增加了阵列基板的使用附加值。
较佳地，所述第一压电层在显示区和非显示区的厚度相同，所述第一压电层在显示区的材料的频率常数大于所述第一压电层在非显示区的材料的频率常数。
本申请实施例提供的阵列基板，显示区的超声波传感器和非显示区的超声波传感器中压电层的厚度相同，非显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数小于显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数，从而使得显示区的传感器的固有频率高于非显示区的传感器的固有频率，从而可以在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和手势识别两种功能，进一步增加了阵列基板的使用附加值。
较佳地于，所述第一驱动电极层和所述第二驱动电极层包括相互平行设置的多个条状驱动电极。
较佳地，所述第一驱动电极层和所述第二驱动电极层为面状驱动电极。
较佳地，所述超声波接收传感器包括：第一感应电极层，在所述第一感应电极层之上的第二压电层，在所述第二压电层之上的第二感应电极层。
较佳地，所述第一压电层与所述第二压电层的材料及厚度相同。
较佳地，所述第二压电层在显示区和非显示区的材料相同，所述第二压电层在显示区的厚度小于所述第二压电层在非显示区的厚度。
本申请实施例提供的阵列基板，通过将显示区的压电超声波传感器和非显示区的压电超声波传感器中的压电层设置为相同的材料，同时非显示区的压电超声波传感器中压电层的厚度大于显示区压电超声波传感器中压电层的厚度，从而使得显示区的压电超声波传感器的固有频率高于非显示区的压电超声波传感器的固有频率，可以实现在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和手势识别两种功能，进一步增加了阵列基板的使用附加值。
较佳地，所述第二压电层在显示区和非显示区的厚度相同，所述第二压电层在显示区的材料的频率常数大于所述第二压电层在非显示区的材料的频率常数。
本申请实施例提供的阵列基板，显示区的超声波传感器和非显示区的超声波传感器中压电层的厚度相同，非显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数小于显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数，从而使得显示区的传感器的固有频率高于非显示区的传感器的固有频率，从而可以在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和手势识别两种功能，进一步增加了阵列基板的使用附加值。
较佳地，所述第一感应电极层和所述第二感应电极层包括相互平行设置的多个条状感应电极。
较佳地，所述第一感应电极层和所述第二感应电极层在垂直于所述玻璃基板方向上的投影与所述阵列基板像素单元的非显示区在垂直于所述玻璃基板方向上的投影重叠。
较佳地，所述第一感应电极层和所述第二感应电极层中，每一对在垂直方向的投影重叠的条状感应电极与所述TFT像素电路中的一个二极管电连接。
本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的阵列基板。
本申请实施例提供的一种显示设备，包括本申请实施例提供的显示面板。
本申请实施例提供的一种阵列基板制备方法，该方法包括：
在玻璃基板背面设置超声波发射传感器；
在所述玻璃基板正面设置TFT像素电路层；
在所述TFT像素电路层之上设置超声波接收传感器，所述超声波接收传感器与所述TFT像素电路层电连接；
所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的第四种阵列基板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的阵列基板像素电路结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种阵列基板制备方法的流程示意图；
图8为本申请实施例提供的制备如图3所示的阵列基板中超声波接收传感器的流程示意图；
图9为本申请实施例提供的制备如图3所示的阵列基板中超声波发射传感器的流程示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法，用以将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，从而增加了阵列基板的使用附加值。
本申请实施例提供的一种阵列基板，如图1所示，该阵列基板包括：超声波发射传感器1，在所述超声波发射传感器1之上的玻璃基板2，在所述玻璃基板2之上的薄膜晶体管TFT像素电路层3，在所述TFT像素电路层3之上与所述TFT像素电路层3电连接的超声波接收传感器4；其中，超声波发射传感器1与超声波接收传感器4在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。
本申请实施例提供的阵列基板，通过在玻璃基板的一面设置超声波发射传感器，在玻璃基板另一面设置TFT像素电路层，在TFT像素电路层之上设置超声波接收传感器，从而将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，无需在阵列基板之外设置用于实现手势识别和/或指纹识别的器件和模组，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现手势识别和/或指纹识别，增加了阵列基板的使用附加值。
需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板，当存在指纹操作或手势操作时，超声波接收传感器通过接收手指反射的超声波来进行指纹识别或手势识别，当没有指纹操作或手势操作时，超声波接收传感器不接收超声波，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠，即需要保证超声波发射传感器发射的超声波不会被超声波接收传感器直接接收，从而不会影响指纹识别或手势识别的结果。
较佳地，如图2所示，所述超声波发射传感器1包括：第一驱动电极层5，在第一驱动电极层5之上的第一压电层6，在所述第一压电层6之上的第二驱动电极层7，所述超声波接收传感器4包括：第一感应电极层8，在所述第一感应电极层8之上的第二压电层9，在所述第二压电层9之上的第二感应电极层10。
所述第一驱动电极层、第二驱动电极层、第一感应电极层和第二感应电极层的材料可以是铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、钕铝合金(AlNd)或MoAlMo。所述第一压电层和所述第二压电层的材料可以是聚偏二氟乙烯(Polyvinylidene Fluoride，PVDF)等有机材料，也可以是钛酸钡等无机材料。
如图2所示的阵列基板，所述第一压电层6与所述第二压电层9的材料及厚度相同。
需要说明的是，如图2所示的阵列基板，超声波发射传感器以及超声波接收传感器均为压电超声波传感器，压电超声波传感器的原理如下：1、超声波发射模式利用逆压电效应，在电极间施加电压脉冲信号，会导致压电层形变，当电压脉冲信号频率等于压电层材料的固有频率时会发生共振，引起压电层的周围介质振动产生超声波；2、超声波接收模式利用正向压电效应，压电层接收到的超声波频率与压电层材料的固有频率一致时，压电层会发生形变，产生高频电压，产生的电压可以通过放大电路输出。在本申请实施例中，超声波接收传感器接收手指反射的超声波的频率与超声波发射传感器发射的超声波频率一致，要求超声波接收传感器和超声波发射传感器的固有频率必须相同，其中压电超声波传感器的固有频率与压电层的材料和厚度有关，因此，对于实现单一功能的传感器，例如只实现指纹识别或只实现手势识别，需要第一压电层和第二压电层的材料和厚度均相同。
本申请实施例提供的阵列基板，可以实现手势识别功能，也可以实现指纹识别功能。高频超声波的穿透力弱、衰减快，只能做近距离交互，适用于指纹识别，因此，实现指纹识别需要超声波发射传感器的固有频率的范围在10兆赫(MHz)～25MHz，即需要超声波发射传感器发射高频超声波。低频超声波穿透力强、衰减慢，可以实现远距离交互，适用于手势识别，因此，实现手势识别需要超声波发射传感器的固有频率的范围在20千赫(KHz)～50KHz，即要求超声波发射传感器发射低频超声波。由于压电超声波传感器的固有频率与压电层的材料和厚度有关，当压电层的材料确定时，压电层的厚度越大，传感器发射的超声波频率越低；当压电层厚度确定时，压电层的材料的频率常数越大，传感器发射超声波的频率越高。
较佳地，如图3所示，显示区11中的第一压电层13和非显示区12中的第一压电层15的材料相同，显示区11中的第一压电层13的厚度小于非显示区12中的第一压电层15的厚度；相应地，显示区11中的第二压电层14和非显示区12中的第二压电层16的材料相同，显示区11中的第二压电层14的厚度小于非显示区12中的第二压电层16的厚度。
本申请实施例提供的如图3所示的阵列基板，通过将显示区的压电超声波传感器和非显示区的压电超声波传感器中的压电层设置为相同的材料，同时非显示区的压电超声波传感器中压电层的厚度大于显示区压电超声波传感器中压电层的厚度，从而使得显示区的压电超声波传感器的固有频率高于非显示区的压电超声波传感器的固有频率，可以实现在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和手势识别两种功能，进一步增加了阵列基板的使用附加值。
需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板，设置两种超声波传感器，两种超声波传感器均发射与其传感器固有频率一致的超声波，当对超声波发射传感器施加的驱动电压频率与该传感器固有频率一致时，传感器谐振，能发挥最大的功能，传感器的转换效率高，因此，本申请实施例提供的阵列基板，由于设置两种不同功能的传感器，对两种传感器施加与各自传感器固有频率一致的驱动电压，可以使得每一种传感器各自发射等于其固有频率的超声波，从而使得阵列基板在可以实现指纹识别和手势识别两种功能的同时，保证了传感器的转换效率。
较佳地，如图4所示，显示区11中的第一压电层13和非显示区12中的第一压电层15的厚度相同，显示区11中的第一压电层13的材料的频率常数大于非显示区12中的第一压电层15材料的频率常数；显示区11中的第二压电层14和非显示区12中的第二压电层16的厚度相同，显示区11中的第二压电层14材料的频率常数大于非显示区12中的第二压电层16材料的频率常数。
本申请实施例提供的如图4所示的阵列基板，显示区的超声波传感器和非显示区的超声波传感器中压电层的厚度相同，非显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数小于显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数，从而使得显示区的传感器的固有频率高于非显示区的传感器的固有频率，从而可以在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和手势识别两种功能，进一步增加了阵列基板的使用附加值。
需要说明的是，本申请实施例提供的如图3、图4所示的阵列基板，第一压电层及第二压电层的材料、厚度的设置方式满足在显示区的超声波传感器的固有频率适用于指纹识别，以及在非显示区的超声波传感器固有频率适用于手势识别即可，本申请不进行具体限制。
需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板，是在显示区设置指纹超声波传感器、在非显示区设置手势识别超声波传感器，在实际应用中，当然也可以在阵列基板的非显示区设置指纹超声波传感器，在显示区设置手势超声波传感器。但是，通常情况下，阵列基板的显示区的面积大于非显示区的面积，本申请实施例提供的方案可以更好的实现全屏指纹识别，并且，用于手势识别的超声波可以实现远距离的交互，探测视角较大，在非显示区设置手势识别超声波传感器即可实现全屏手势识别，本申请实施例提供的阵列基板手势识别超声波传感器和指纹识别超声波传感器的设置方式既可以实现全屏指纹识别又可以实现全屏手势识别。
较佳地，本申请实施例提供的阵列基板，第一感应电极层和第二感应电极层在垂直于玻璃基板方向上的投影与阵列基板像素单元的非显示区在垂直于玻璃基板方向上的投影重叠。
需要说明的是，超声波感应传感器中第一感应电极层和第二感应电极层的设置不能影响显示效果，因此需要使第一感应电极层和第二感应电极层中的电极间隔设置，并且保证第一感应电极层和第二感应电极层中每个独立的电极不能覆盖阵列基板像素单元中的显示区。超声波发射传感器的设置位置以及设置方式对显示效果并无影响。本申请实施例提供的如图2、3、4所示的阵列基板，第一驱动电极层、第二驱动电极层包括相互平行设置的多个条状驱动电极，第一感应电极层和第二感应电极层包括相互平行设置的多个条状感应电极，当然第一感应电极层和第二感应电极层中的子电极也可以是其他形状，只要满足第一感应电极层和第二感应电极层不覆盖像素单元的显示区即可。而第一驱动电极层5和第二驱动电极层7中的电极也可以不间隔设置，如图5所示，第一驱动电极层5和第二驱动电极层7还可以是面状电极，即第一驱动电极层5和第二驱动电极层7分别只包括连续的整面的电极。
较佳地，如图2、3、4或5所示的阵列基板，第一感应电极层和第二感应电极层中，每一对在垂直方向的投影重叠的条状感应电极与TFT像素电路层中的一个二极管电连接。
本申请实施例提供的阵列基板，TFT像素电路层包括薄膜晶体管以及二极管，以每个像素单元对应的像素电路结构包括三个TFT一个二极管为例，对本申请实施例提供的阵列基板进行指纹识别或手势识别进行说明，如图6所示，该像素电路包括三个薄膜晶体管T1、T2、T3以及一个二极管20，Gate N和Gate N+1代表相邻的两条栅线，二极管20的两端与超声波接收传感器中的第一感应电极层和第二感应电极层中的一对电极相连(图中未示出)，当进行指纹识别或手势识别时，当超声波接收传感器接收到手指反射的超声波，其产生的电压通过二极管导出。该像素电路的检测原理如下：
第一阶段：给Gate N施加高电平，T3导通，复位(reset)线的信号经过T3传到T2的栅极与二极管PN结的N端，初始化第一感应电极层和第二感应电极层中的电极，T2截止；
第二阶段：给Gate N加低电平，Gate N+1加高电平，此时，T3截止，T1导通，如果没有指纹操作或手势操作，T2的栅极保持低电平，T2截止，读取(read)线信号不变，如果有指纹操作或手势操作，超声波接收传感器接收手指反射的超声波，导致超声波接收传感器中的压电层发生形变，产生高频电压，并通过二极管给T2栅极高电平，使得T2导通，read线读取数据(data)线的信号，即read线信号发生改变。
本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的阵列基板。
例如，本申请实施例提供的显示面板，可以是液晶显示面板或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板等。
本申请实施例提供的一种显示设备，包括本申请实施例提供的显示面板。
例如，本申请实施例中所述的显示设备，可以是手机、电视、电脑等设备。
与本申请实施例提供的阵列基板相对应，本申请实施例还提供了一种阵列基板制备方法，如图7所示，该方法包括：
S701、在玻璃基板背面设置超声波发射传感器；
S702、在所述玻璃基板正面设置TFT像素电路层；
S703、在所述TFT像素电路层之上设置超声波接收传感器，所述超声波接收传感器与所述TFT像素电路层电连接；
其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。
本申请实施例提供的阵列基板制备方法，通过在玻璃基板的背面设置超声波发射传感器，在玻璃基板正面设置TFT像素电路层，在TFT像素电路层之上设置超声波接收传感器，从而将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，无需在阵列基板之外设置用于实现手势识别和/或指纹识别的器件、模组，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和/或手势识别，增加了阵列基板的使用附加值。
对本申请实施例提供的可以实现指纹识别和手势识别两种功能的阵列基板制备方法进行说明：
如图3所示的阵列基板为例，在显示区设置指纹识别超声波传感器，在非显示区设置手势识别超声波传感器，在显示区和非显示区中的第一压电层和第二压电层的材料相同但厚度不同，第一压电层和第二压电层材料为PVDF。
在玻璃基板背面设置超声波发射传感器，如图8所示，具体包括如下步骤：
S801、在玻璃基板2的背面沉积刻蚀形成第二驱动电极层7；
S802、第二驱动电极层之上设置PVDF层17，PVDF层17的厚度为h2；其中，h2为手势识别超声波发射传感器中的压电层的厚度；
S803、在PVDF层17之上沉积刻蚀金属掩膜18，使得金属掩膜在显示区11和非显示区12的分界位置断开；
S804、涂光刻胶19，曝光之后在显示区11与非显示区12分界处采用氧气干法刻蚀PVDF层，使得指纹识别超声波传感器的PVDF层17与手势识别超声波传感器的PVDF层17分开；
需要说明的是，常用的光刻胶的材料和PVDF材料类似，为了防止对PVDF材料误刻，需要在PVDF之上设置金属掩膜保护PVDF；
S805、采用湿法刻蚀显示区11的PVDF层17之上的金属掩膜，之后再对显示区11的PVDF层17采用氧气干法刻蚀刻蚀掉h2-h1的厚度，得到厚度为h1的指纹识别超声波传感器的压电层；
S806、采用湿法刻蚀非显示区12的PVDF层17之上的金属掩膜；
S807、在显示区11和非显示区12的PVDF层17之上沉积刻蚀第一驱动电极层5。
设置超声波接收传感器的工艺流程与设置超声波发射传感器的工艺流程相同，如图9所示，在玻璃基板正面设置TFT像素电路层以及超声波接收传感器具体包括如下步骤：
S901、在玻璃基板2的正面沉积刻蚀TFT像素电路，形成TFT像素电路层3；
S902、在TFT像素电路层3之上沉积刻蚀形成第一感应电极层8；
S903、第一感应电极层之上设置PVDF层17，PVDF层17的厚度为h2；其中，h2为手势识别超声波传感器中压电层的厚度；
S904、在PVDF层17之上沉积刻蚀金属掩膜18，使得金属掩膜在显示区11和非显示区12的分界位置断开；
S905、涂光刻胶19，曝光之后，在显示区与非显示区分界处采用氧气干刻PVDF层，使得指纹识别超声波传感器的PVDF层17与手势识别超声波传感器的PVDF层17分开；
S906、采用湿法刻蚀显示区11的PVDF层17之上的金属掩膜，对显示区11的PVDF层17采用氧气干法刻蚀刻蚀掉h2-h1的厚度，得到厚度为h1的指纹识别超声波传感器的PVDF层17；
S907、采用湿法刻蚀非显示区12的PVDF层17之上的金属掩膜；
S908、在显示区11和非显示区12的PVDF层17之上沉积刻蚀第二感应电极层10。
综上所述，本申请实施例提供的一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板制备方法，用以将手势识别和/或指纹识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和/或手势识别，从而增加了阵列基板的使用附加值。并且，本申请实施例提供的如图3、图4所示的阵列基板，通过将显示区的超声波传感器和非显示区的超声波传感器的压电层设置为相同的材料、非显示区超声波传感器中压电层的厚度大于显示区超声波传感器中压电层的厚度，或者显示区的超声波传感器和非显示区的超声波传感器中压电层的厚度相同、非显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数小于显示区超声波传感器中压电层材料的频率常数，从而使得显示区的超声波传感器的固有频率高于非显示区的超声波传感器的固有频率，从而可以在显示区进行指纹识别，在非显示区进行手势识别，即阵列基板可以实现指纹识别和手势识别两种功能，同时将指纹识别超声波传感器和手势识别超声波传感器与阵列基板集成，阵列基板在实现显示功能的基础上还可以实现指纹识别和手势识别两种功能，进一步增加了阵列基板的使用附加值。并且，本申请实施例提供的阵列基板，由于设置两种不同功能的超声波传感器，对两种超声波传感器施加与各自传感器固有频率一致的驱动电压，可以使得每一种超声波传感器各自发射等于其固有频率的超声波，从而使得阵列基板在可以实现指纹识别和手势识别两种功能的同时，保证了超声波传感器的转换效率。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：超声波发射传感器，在所述超声波发射传感器之上的玻璃基板，在所述玻璃基板之上的薄膜晶体管TFT像素电路层，在所述TFT像素电路层之上与所述TFT像素电路层电连接的超声波接收传感器；其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述超声波发射传感器包括：第一驱动电极层，在第一驱动电极层之上的第一压电层，在所述第一压电层之上的第二驱动电极层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压电层在显示区和非显示区的材料相同，所述第一压电层在显示区的厚度小于所述第一压电层在非显示区的厚度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压电层在显示区和非显示区的厚度相同，所述第一压电层在显示区的材料的频率常数大于所述第一压电层在非显示区的材料的频率常数。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一驱动电极层和所述第二驱动电极层包括相互平行设置的多个条状驱动电极。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一驱动电极层和所述第二驱动电极层为面状驱动电极。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述超声波接收传感器包括：第一感应电极层，在所述第一感应电极层之上的第二压电层，在所述第二压电层之上的第二感应电极层。
8.根据权利要求2或7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压电层与所述第二压电层的材料及厚度相同。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二压电层在显示区和非显示区的材料相同，所述第二压电层在显示区的厚度小于所述第二压电层在非显示区的厚度。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二压电层在显示区和非显示区的厚度相同，所述第二压电层在显示区的材料的频率常数大于所述第二压电层在非显示区的材料的频率常数。
11.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一感应电极层和所述第二感应电极层包括相互平行设置的多个条状感应电极。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一感应电极层和所述第二感应电极层在垂直于所述玻璃基板方向上的投影与所述阵列基板像素单元的非显示区在垂直于所述玻璃基板方向上的投影重叠。
13.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一感应电极层和所述第二感应电极层中，每一对在垂直方向的投影重叠的条状感应电极与所述TFT像素电路中的一个二极管电连接。
14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～13任一权利要求所述的阵列基板。
15.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求14所述的显示面板。
16.一种阵列基板制备方法，其特征在于，该方法包括：
在玻璃基板背面设置超声波发射传感器；
在所述玻璃基板正面设置TFT像素电路层；
在所述TFT像素电路层之上设置超声波接收传感器，所述超声波接收传感器与所述TFT像素电路层电连接；
其中，所述超声波发射传感器与所述超声波接收传感器在垂直于所述玻璃基板方向的投影不重叠。
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