CN106929910A - 导流筒及具有该导流筒的单晶炉用热场 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的导流筒，包括本体和连接于本体的导流板，导流板位于靠近本体的气体出口处，导流板与本体之间存在间隙。本发明公开的具有该导流筒的单晶炉用热场，包括坩埚和如上所述的导流筒，坩埚设置于导流板远离本体的一侧。本发明的导流筒在本体的气体出口处设置有导流板，导流板不但能将气体流动带走的热量反射回去，且能对气体进行分流。而本发明的具有该导流筒的单晶炉用热场：一方面，导流板能将熔体液面辐射的热量反射回熔体中，减少热量损失；另一方面，导流板减少了导流板与熔体液面间的气体对液面的冲击，提升了晶体生长前沿处的稳定性。

Description

导流筒及具有该导流筒的单晶炉用热场
技术领域
本发明属于单晶制造设备技术领域，具体涉及一种导流筒，还涉及一种具有该导流筒的单晶炉用热场。
背景技术
随着世界经济的不断发展，现代化建设对高效能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的一种主要能源，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，拥有广泛的市场需求。
直拉单晶硅生长方法是一种常见的单晶生长方法，其生长过程是在单晶炉中，将籽晶浸入熔体，依次实施引晶、放肩、转肩、等径及收尾过程，最后获得单晶硅棒。为避免拉晶过程中产生的挥发物影响拉晶进程或成品品质，因此在拉晶的同时会往单晶炉中引入惰性气体、并设置导流筒引导惰性气体的流向，对拉晶环境进行吹扫。然而，惰性气体在吹扫挥发物的同时，也会吹拂晶体生长界面引起液面波动，影响晶体生长的稳定。同时，惰性气体从液面带走了单晶炉中大量的热量，不利于节能降耗。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导流筒，解决了现有的导流筒引导惰性气体时引起晶体生长界面波动的问题。
本发明的目的还在于提供一种具有该导流筒的单晶炉用热场，以解决现有的单晶炉中晶体生长界面波动以及能量浪费的问题。
本发明所采用的一种技术方案是：导流筒，包括本体和连接于本体的导流板，导流板位于靠近本体的气体出口处，导流板与本体之间存在间隙。
本发明的特点还在于，
间隙的高度为3mm-50mm。
本体上具有导流通道，导流板上设置有与导流通道相连通的通孔，间隙与导流通道以及通孔相连通。
本体包括内筒以及套设于内筒外部的外筒，导流板与内筒和/或外筒相连接。
还包括连接机构，导流板通过连接机构连接于本体。
连接机构包括多个连接件，多个连接件围绕本体的中心轴线等角度分布。
导流板的材料为钼或钨或其组合。
导流板与本体同轴设置。
本发明所采用的另一种技术方案是：具有该导流筒的单晶炉用热场，包括坩埚和如上所述的导流筒，坩埚设置于导流板远离本体的一侧。
坩埚与导流筒同轴设置。
本发明的有益效果是：本发明的导流筒在本体的气体出口处设置有导流板，导流板不但能将气体流动带走的热量反射回去，且能对气体进行分流。而本发明的具有该导流筒的单晶炉用热场：一方面，导流板能将熔体液面辐射的热量反射回熔体中，减少热量损失；另一方面，导流板减少了导流板与熔体液面间的气体对液面的冲击，提升了晶体生长前沿处的稳定性。
附图说明
图1是本发明的导流筒的结构剖视图；
图2是本发明的具有该导流筒的单晶炉用热场的结构剖视图。
图中，1.本体，2.导流板，3.连接机构，4.间隙，10.导流筒，11.内筒，12.外筒，13.导流通道，21.通孔，31.连接件，100.单晶炉用热场，101.坩埚。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明的一个实施例提供的导流筒10的结构剖视图如图1所示，其用于引导气体的流动。导流筒10包括本体1和导流板2。导流板2通过连接机构3连接于本体1。
本体1包括内筒11及套设于内筒11外部的外筒12。本体1在内筒11远离外筒12的一侧具有导流通道13。
导流板2在靠近本体1的气体出口一侧。导流板2与本体1同轴设置，且与本体1之间存在间隙4。间隙4的高度为3mm-50mm。导流板2具有与导流通道13相连通的通孔21。间隙4与导流通道13及通孔21相连通，且同轴。
连接机构3包括多个连接件31，多个连接件31围绕本体1的中心轴线等角度分布。每个连接件31的一端连接于导流板2，另一端连接于本体1。具体地，每个连接件31的另一端可以连接于内筒11或外筒12或同时连接于内筒11和外筒12。本实施例中，每个连接件31均连接于导流板2与本体1的外筒12之间。
本实施例的导流筒10具有导流板2，导流板2的材料选自钨或钼或其组合，本实施例中，导流板2为钼材质。导流板2能将热量反射回去，且能对经由本体1的导流通道13到达出口处的气体进行分流。
本发明的另一实施例提供的具有该导流筒的单晶炉用热场100结构剖视图如图2所示，包括坩埚101和如上所述的导流筒10。坩埚101设置于导流板2远离本体1的一侧，即导流板2位于本体1与坩埚101之间。坩埚101与导流筒10同轴设置。坩埚101盛有高温的熔体。
晶体生长过程中，一方面，导流板2与熔体相对，能将熔体液面辐射的热量反射回熔体中，减少热量损失；另一方面，导流板2具有分流作用，将进入间隙4的气体分流，减少了导流板2与熔体液面间的气体对液面的冲击，提升了晶体生长前沿处的稳定性。

Claims (10)

1.导流筒，其特征在于，包括本体(1)和连接于所述本体(1)的导流板(2)，所述导流板(2)位于靠近所述本体(1)的气体出口处，所述导流板(2)与所述本体(1)之间存在间隙(4)。
2.如权利要求1所述的导流筒，其特征在于，所述间隙(4)的高度为3mm-50mm。
3.如权利要求1所述的导流筒，其特征在于，所述本体(1)上具有导流通道(13)，所述导流板(2)上设置有与所述导流通道(13)相连通的通孔(21)，所述间隙(4)与导流通道(13)以及通孔(21)相连通。
4.如权利要求3所述的导流筒，其特征在于，所述本体(1)包括内筒(11)以及套设于内筒(11)外部的外筒(12)，所述导流板(2)与所述内筒(11)和/或外筒(12)相连接。
5.如权利要求1-4任一项所述的导流筒，其特征在于，还包括连接机构(3)，所述导流板(2)通过连接机构(3)连接于所述本体(1)。
6.如权利要求5所述的导流筒，其特征在于，所述连接机构(3)包括多个连接件(31)，所述多个连接件(31)围绕本体(1)的中心轴线等角度分布。
7.如权利要求1所述的导流筒，其特征在于，所述导流板(2)的材料为钼或钨或其组合。
8.如权利要求1所述的导流筒，其特征在于，所述导流板(2)与所述本体(1)同轴设置。
9.具有该导流筒的单晶炉用热场，其特征在于，包括坩埚(101)和如权利要求1-8任一项所述的导流筒，所述坩埚(101)设置于所述导流板(2)远离本体(1)的一侧。
10.如权利要求9所述的具有该导流筒的单晶炉用热场，其特征在于，所述坩埚(101)与所述导流筒同轴设置。
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