CN106929820B - 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 - Google Patents
一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106929820B CN106929820B CN201710217642.0A CN201710217642A CN106929820B CN 106929820 B CN106929820 B CN 106929820B CN 201710217642 A CN201710217642 A CN 201710217642A CN 106929820 B CN106929820 B CN 106929820B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- znse
- nano wire
- temperature
- quartz boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 93
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 9
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 55
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 101
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007832 Na2SO4 Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001595 flow curve Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004502 linear sweep voltammetry Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
- C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
- C23C16/0281—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/02—Hydrogen or oxygen
- C25B1/04—Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/50—Processes
- C25B1/55—Photoelectrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用，该ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，具有闪锌矿结构，其平均直径为20‑80nm，长度为0.5‑10μm，尺寸均匀，结晶度良好，无堆垛层错等结构缺陷。本发明通过将ZnSe粉末作为反应前驱物，以金作为催化剂，利用化学气相沉积法在FTO导电玻璃或SnO2单晶基片衬底上生长得到ZnSe纳米线。该纳米线可用于构建太阳能电池、光电探测器、纳米激光器等光电子器件，尤其在太阳能光电催化分解水制氢方面表现优异，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料与纳米技术领域，具体涉及一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用。
背景技术
一维纳米结构材料因其较小的几何尺寸和形状的各向异性常而具有许多宏观材料所不具备的特殊性能，在光学、电子学、磁学以及其他物理和化学领域展现出了巨大的应用潜力，因此，各类半导体材料的一维纳米结构的可控制备已成为了当今材料科学领域的研究热点。
硒化锌(ZnSe)作为一种重要的II-VI族半导体材料，因其具有较大的禁带宽度(2.7eV)、大的透光范围(0.5～22μm)、较高的发光效率和较低的吸收系数，被认为是构建蓝绿激光器、发光二极管和光电探测器等光电子器件的理想候选材料，近年来受到了广泛的关注。北京大学俞大鹏研究小组曾采用化学气相积法，以金作催化剂，硒和锌粉作为生长原料，在氢/氢混合气氛中成功地获得了生长取向以<111>和<112>晶向为主的ZnSe纳米线(Appl.Phys.Lett.,2003,82,3330-3332)。香港科技大学Chan等人则利用分子束外延法，以GaAs晶片作衬底，在530℃获得了ZnSe纳米线，并发现纳米线的直径与生长取向存在一定的联系，即当d>30nm时，纳米线沿<111>方向生长；而当d<10nm时，纳米线沿<110>或<112>生长(J.Cryst.Growth,2005,278,146-150)。但是，对于闪锌矿结构的面心立方晶体来说，沿<111>、<110>和<112>晶向生长的纳米线内部均易形成大量堆垛层错缺陷。这些堆垛层错缺陷的存在将严重影响纳米线的物理化学性质，进而限制其实际应用。相比之下，生长取向为<100>晶向的纳米线中完全不存在形成层错缺陷的问题，而且该类纳米线一旦形成极为稳定，生长过程中不会发生因取向改变而导致的扭曲、弯折的现象。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种沿<100>晶向生长的闪锌矿结构ZnSe纳米线及其制备方法和应用。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种ZnSe纳米线，其特征在于，所述ZnSe纳米线沿<100>晶向生长。
本发明制备得到了仅沿<100>晶向生长的ZnSe纳米线，其结晶度良好，无堆垛层错等结构缺陷，生长过程中不存在因取向改变而扭曲、弯折的现象。
根据本发明，所述ZnSe纳米线的直径为20-80nm，例如可以是20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm或80nm，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，所述ZnSe纳米线的长度为0.5-10μm，例如可以是0.5μm、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，所述ZnSe纳米线为闪锌矿结构。
第二方面，本发明提供一种如第一方面所述的ZnSe纳米线的制备方法，所述方法为：以ZnSe粉末为原料，以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片为衬底，以金为催化剂，通过化学气相沉积法使ZnSe在衬底上生长，得到所述ZnSe纳米线。
本发明的关键在于化学气相沉积法制备ZnSe纳米线的过程中利用金催化剂和FTO导电玻璃或SnO2单晶基片衬底的协同作用实现了对纳米线生长取向的控制。且化学气相沉积法与其他方法相比，操作简单，工艺参数易于调控，成本低廉、易于规模化生产。
作为优选的技术方案，本发明所述的ZnSe纳米线的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片作为衬底，向衬底表面沉积金膜；
(2)将步骤(1)沉积有金膜的衬底在真空中煅烧；
(3)将步骤(2)煅烧后的衬底和装有ZnSe粉末的石英舟置于双温区管式炉的大石英管中；
(4)对步骤(3)所述管式炉抽真空，同时通入保护性气体，对分别装有衬底和石英舟的温区同时进行加热，保温相同时间后自然冷却，在衬底上获得ZnSe纳米线。
根据本发明，在步骤(1)之前依次使用异丙醇、丙酮、乙醇对衬底进行超声清洗，有效清除表面污染物。
根据本发明，步骤(1)所述金膜作为纳米线生长的催化剂，其厚度为0.5-1nm，例如可以是0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm或1nm，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
本发明需要将金膜的厚度控制在0.5-1nm内，当金膜的厚度过大时，热处理后所得金颗粒尺寸过大，无法生长出尺寸均匀的高质量ZnSe纳米线；当金膜的厚度过小时，热处理后所得金颗粒数量极少，相应地基底表面纳米线亦十分稀少。
根据本发明，步骤(2)所述煅烧的温度为530-560℃，例如可以是530℃、535℃、540℃、545℃、550℃、555℃或560℃，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，步骤(2)所述煅烧的时间为10-30min，例如可以是10min、15min、20min、25min或30min，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，步骤(3)所述ZnSe粉末的质量为15-50mg，例如可以是15mg、20mg、25mg、30mg、35mg、40mg、45mg或50mg，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
当ZnSe粉末不足时，衬底无法被ZnSe纳米线均匀覆盖；当ZnSe粉末过量时，产物形貌发生变化，无法得到形貌均一的纳米线。
根据本发明，步骤(3)中调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心。
根据本发明，步骤(4)中从靠近衬底的一侧抽真空。
根据本发明，步骤(4)中从靠近石英舟一侧通入保护性气体吹扫15-30min后再进行加热，以排除管内的残留气体。
从靠近衬底一侧抽真空并从靠近石英舟一侧通入保护性气体的主要目的在于使得ZnSe受热蒸发后向衬底方向移动，从而均匀的沉积在衬底上。
根据本发明，步骤(4)所述保护性气体为氩气和/或氮气。
根据本发明，步骤(4)所述保护性气体的流速为500-900sccm，例如可以是500sccm、550sccm、600sccm、650sccm、700sccm、750sccm、800sccm、850sccm或900sccm，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，将步骤(4)中装有衬底的温区升温至500-540℃，例如可以升温至500℃、505℃、510℃、515℃、520℃、525℃、530℃、535℃或540℃，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，将步骤(4)中装有衬底的温区升温至500-540℃的时间为15-30min，例如可以是15min、17min、19min、21min、23min、26min、28min或30min，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，将步骤(4)中装有石英舟的温区升温至850-950℃，例如可以升温至850℃、860℃、870℃、880℃、890℃、900℃、910℃、920℃、930℃、940℃或950℃，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
根据本发明，将步骤(4)中装有石英舟的温区升温至850-950℃的时间为15-30min，例如可以是15min、20min、25min或30min，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
上述装有衬底和石英舟的温区同时升温，升温时间也相同。
根据本发明，步骤(4)所述保温的时间为10-120min，例如可以是10min、20min、30min、40min、50min、60min、70min、80min、90min、100min、110min或120min，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
本发明中，随着保温时间的延长，ZnSe纳米线的长度也随之增长。
作为进一步优选的技术方案，本发明所述ZnSe纳米线的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片作为衬底，依次使用异丙醇、丙酮、乙醇对衬底进行超声清洗；
(2)向清洗后的衬底表面沉积0.5-1mm的金膜；
(3)将步骤(2)沉积有金膜的衬底在真空中530-560℃下煅烧10-30min；
(4)将步骤(3)煅烧后的衬底和装有15-50mg ZnSe粉末的石英舟分别置于双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(5)从靠近衬底的一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入保护性气体吹扫15-30min，保护性气体的流速为500-900sccm；
(6)继续抽真空以及通入保护性气体，对分别装有衬底和石英舟的温区同时升温15-30min，将装有衬底的温区升温至500-540℃，将装有石英舟的温区升温至850-950℃，升温时间相同，保温10-120min后自然冷却，在衬底上获得ZnSe纳米线。
作为最优选的技术方案，本发明所述ZnSe纳米线的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片作为衬底，依次使用异丙醇、丙酮、乙醇对衬底进行超声清洗；
(2)向清洗后的衬底表面沉积0.5mm的金膜；
(3)将步骤(2)沉积有金膜的衬底在真空中540℃下煅烧30min；
(4)将步骤(3)煅烧后的衬底和装有35mg ZnSe粉末的石英舟分别置于双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(5)从靠近衬底的一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入保护性气体吹扫15min，保护性气体的流速为900sccm；
(6)继续抽真空以及通入保护性气体，对分别装有衬底和石英舟的温区同时升温15min，将装有衬底的温区升温至540℃，将装有石英舟的温区升温至850℃，升温时间相同，保温90min后自然冷却，在衬底上获得ZnSe纳米线。
第三方面，本发明提供一种如第一方面所述的ZnSe纳米线的应用，所述ZnSe纳米线应用于太阳能光电催化分解水制氢以及太阳能电池、光电探测器或纳米激光器的构建中；
本发明所述ZnSe纳米线作为光电极在太阳能光电催化分解水制氢方面表现优异，其在相对于标准氢电极1.23V的偏压下，光电流密度高达0.6mA cm-2。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
(1)本发明得到的ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，为闪锌矿结构，结晶度良好，无堆垛层错等结构缺陷，生长过程中不存在因取向改变而扭曲、弯折的现象。
(2)本发明采用气相沉积法进行制备，方法简单，工艺参数易于调控，能够有效的降低生产成本，适合大面积制备。
(3)本发明制备的ZnSe纳米线应用范围广，可用于太阳能电池、光电探测器、纳米激光器等光电子器件构建，尤其在太阳能光电催化分解水制氢方面表现优异，在相对于标准氢电极1.23V的偏压下，光电流密度高达0.6mA cm-2，具有良好的应用前景。
附图说明
图1是本发明实施例1制备的ZnSe纳米线的XRD图，图中星号标注的衍射峰为FTO衬底的衍射峰；
图2是本发明实施例1制备的ZnSe纳米线的SEM图；
图3是本发明实施例1制备的ZnSe纳米线的高分辨TEM图；
图4是本发明实施例1制备的ZnSe纳米线作为光电极催化太阳能分解水制氢的电压-电流曲线。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。
本发明具体实施例部分提供了一种ZnSe纳米线的制备方法，所述制备方法为：以ZnSe粉末为原料，以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片为衬底，以金为催化剂，通过化学气相沉积法使ZnSe在衬底上生长，得到所述ZnSe纳米线。
优选地，所述ZnSe纳米线的制备方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片作为衬底，向衬底表面沉积金膜；
(2)将步骤(1)沉积有金膜的衬底在真空中煅烧；
(3)将步骤(2)煅烧后的衬底和装有ZnSe粉末的石英舟置于双温区管式炉的大石英管中；
(4)对步骤(3)所述管式炉抽真空，同时通入保护性气体，对分别装有衬底和石英舟的温区同时进行加热，保温相同时间后自然冷却，在衬底上获得ZnSe纳米线。
以下为本发明典型但非限制性实施例：
实施例1
制备ZnSe纳米线的过程如下：
(1)依次使用异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗FTO导电玻璃衬底；
(2)向FTO导电玻璃衬底表面沉积0.5nm厚的金膜作为ZnSe纳米线生长所需的催化剂；
(3)将沉积有金膜的FTO导电玻璃衬底于真空中在540℃下煅烧30min；
(4)将35mg ZnSe粉末装入石英舟中，将装有ZnSe粉末的石英舟和经过煅烧处理的沉积有金膜的FTO导电玻璃衬底放入双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(5)连接好管式炉，开启真空泵，从反应炉的靠近衬底一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入流速为900sccm的氩气，吹扫石英管15min以排除管内的残余气体；
(6)保持真空泵开启并通入氩气的条件下，设置管式炉升温程序，同时升温15min，其中第一温区升温至850℃，第二温区升温至540℃，保温90min，然后自然降温，待管式炉降至室温，关闭真空泵，停止通入氩气，即可在衬底上获得所述ZnSe纳米线。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行XRD表征，由图1可知，本实施例制备的ZnSe纳米线的晶体结构为闪锌矿结构。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行SEM表征，由图2可知，本实施例制备的ZnSe纳米线尺寸均一，平均直径为20-80nm，长度为2-8μm。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行TEM表征，由图3可知，本实施例制备的ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，且结晶良好，无结构缺陷。
对本实施例制备的ZnSe纳米线的太阳能光电催化分解水制氢性能进行测试，具体的测试方法为：
以本实施例制备的表面沉积有ZnSe纳米线薄膜的FTO导电玻璃为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，溶有0.5M Na2SO4的PBS(pH值为7)缓冲液作为电解质溶液构建三电极测试系统，利用电化学工作站的线性扫描伏安测试方法测量工作电极在以氙灯作为模拟太阳光源下的电流-电压曲线。
由图4可知，无光照条件下，所制备的工作电极在整个测试电压范围内均没有明显的电流响应，而光照下工作电极的电流响应随着偏压的增大迅速增加，且在相对于标准氢电极1.23V的偏压下光电流密度高达0.6mA cm-2，说明本实施例制备的ZnSe纳米线在太阳能光电催化分解水制氢方面具有优异的性能。
实施例2
制备ZnSe纳米线的过程如下：
(1)依次使用异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗SnO2单晶基片衬底；
(2)向SnO2单晶基片衬底表面沉积0.5nm厚的金膜作为ZnSe纳米线生长所需的催化剂；
(3)将沉积有金膜的SnO2单晶基片衬底于真空中在530℃下煅烧28min；
(4)将20mg ZnSe粉末装入石英舟中，将装有ZnSe粉末的石英舟和经过煅烧处理的沉积有金膜的SnO2单晶基片衬底放入双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(5)连接好管式炉，开启真空泵，从反应炉的靠近衬底一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入流速为700sccm的氩气，吹扫石英管15min以排除管内的残余气体；
(6)保持真空泵开启并通入氩气的条件下，设置管式炉升温程序，同时升温15min，其中第一温区升温至900℃，第二温区升温至530℃，保温10min，然后自然降温，待管式炉降至室温，关闭真空泵，停止通入氩气，即可在衬底上获得所述ZnSe纳米线。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行XRD表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线的晶体结构为闪锌矿结构。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行SEM表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线尺寸均一，平均直径为20-80nm，长度为0.5-1μm。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行TEM表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，且结晶良好，无结构缺陷。
实施例3
制备ZnSe纳米线的过程如下：
(1)向SnO2单晶基片衬底表面沉积1nm厚的金膜作为ZnSe纳米线生长所需的催化剂；
(2)将沉积有金膜的SnO2单晶基片衬底于真空中在550℃下煅烧15min；
(3)将50mg ZnSe粉末装入石英舟中，将装有ZnSe粉末的石英舟和经过煅烧处理的沉积有金膜的SnO2单晶基片衬底放入双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(4)连接好管式炉，开启真空泵，从反应炉的靠近衬底一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入流速为500sccm的氮气，吹扫石英管15min以排除管内的残余气体；
(5)保持真空泵开启并通入氮气的条件下，设置管式炉升温程序，同时升温15min，其中第一温区升温至950℃，第二温区升温至500℃，保温120min，然后自然降温，待管式炉降至室温，关闭真空泵，停止通入氩气，即可在衬底上获得所述ZnSe纳米线。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行XRD表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线的晶体结构为闪锌矿结构。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行SEM表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线尺寸均一，平均直径为20-80nm，长度为5-10μm。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行TEM表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，且结晶良好，无结构缺陷。
实施例4
制备ZnSe纳米线的过程如下：
(1)依次使用异丙醇、丙酮、乙醇超声清洗FTO导电玻璃衬底；
(2)向FTO导电玻璃衬底表面沉积0.7nm厚的金膜作为ZnSe纳米线生长所需的催化剂；
(3)将沉积有金膜的FTO导电玻璃衬底于真空中在540℃下煅烧30min；
(4)将15mg ZnSe粉末装入石英舟中，将装有ZnSe粉末的石英舟和经过煅烧处理的沉积有金膜的FTO导电玻璃衬底放入双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(5)连接好管式炉，开启真空泵，从反应炉的靠近衬底一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入流速为830sccm的氩气，吹扫石英管15min以排除管内的残余气体；
(6)保持真空泵开启并通入氩气的条件下，设置管式炉升温程序，同时升温15min，其中第一温区升温至875℃，第二温区升温至510℃，保温15min，然后自然降温，待管式炉降至室温，关闭真空泵，停止通入氩气，即可在衬底上获得所述ZnSe纳米线。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行XRD表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线的晶体结构为闪锌矿结构。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行SEM表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线尺寸均一，平均直径为20-80nm，长度为0.5-5μm。
对本实施例制备的ZnSe纳米线进行TEM表征，结果显示，本实施例制备的ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，且结晶良好，无结构缺陷。
对比例1
与实施例1相比，除了将衬底FTO导电玻璃替换为衬底ITO导电玻璃外，其他条件与实施例1相同。
对本对比例制备的ZnSe纳米线进行TEM表征，结果显示：本对比例制得的ZnSe纳米线存在<111>、<112>以及<110>等多种生长取向，且包含大量堆垛层错缺陷。
对比例2
与实施例1相比，除了将催化剂金替换为催化剂镍外，其他条件与实施例1相同。
对本对比例制备的ZnSe纳米线进行TEM表征，结果显示：本对比例制得的ZnSe纳米线未沿<100>晶向生长，且表面凹凸不平、易见堆垛层错缺陷。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (21)
1.一种制备ZnSe纳米线的方法，其特征在于，所述方法为：以ZnSe粉末为原料，以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片为衬底，以金为催化剂，通过化学气相沉积法使ZnSe在衬底上生长，得到ZnSe纳米线；所述ZnSe纳米线沿<100>晶向生长。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片作为衬底，向衬底表面沉积金膜；
(2)将步骤(1)沉积有金膜的衬底在真空中煅烧；
(3)将步骤(2)煅烧后的衬底和装有ZnSe粉末的石英舟置于双温区管式炉的大石英管中；
(4)对步骤(3)所述管式炉抽真空，同时通入保护性气体，对分别装有衬底和石英舟的温区同时进行加热，保温相同时间后自然冷却，在衬底上获得ZnSe纳米线。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)之前依次使用异丙醇、丙酮、乙醇对衬底进行超声清洗。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述金膜的厚度为0.5-1nm。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述煅烧的温度为530-560℃。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述煅烧的时间为10-30min。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述ZnSe粉末的质量为15-50mg。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(3)中调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)中从靠近衬底的一侧抽真空。
10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)中从靠近石英舟一侧通入保护性气体吹扫15-30min后再进行加热。
11.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述保护性气体为氩气和/或氮气。
12.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述保护性气体的流速为500-900sccm。
13.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将步骤(4)中装有衬底的温区升温至500-540℃，升温时间为15-30min。
14.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将步骤(4)中装有石英舟的温区升温至850-950℃，升温时间为15-30min。
15.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述装有衬底和石英舟的温区的升温时间相同。
16.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述保温的时间为10-120min。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)以FTO导电玻璃或SnO2单晶基片作为衬底，依次使用异丙醇、丙酮、乙醇对衬底进行超声清洗；
(2)向清洗后的衬底表面沉积0.5-1mm的金膜；
(3)将步骤(2)沉积有金膜的衬底在真空中530-560℃下煅烧10-30min；
(4)将步骤(3)煅烧后的衬底和装有15-50mg ZnSe粉末的石英舟分别置于双温区管式炉的大石英管中，调整石英舟和衬底的位置分别位于管式炉第一温区和第二温区的正中心；
(5)从靠近衬底的一侧抽真空，同时从靠近石英舟一侧向管式炉中通入保护性气体吹扫15-30min，保护性气体的流速为500-900sccm；
(6)继续抽真空以及通入保护性气体，对分别装有衬底和石英舟的温区同时升温15-30min，将装有衬底的温区升温至500-540℃，将装有石英舟的温区升温至850-950℃，升温时间相同，保温10-120min后自然冷却，在衬底上获得ZnSe纳米线。
18.一种ZnSe纳米线，其特征在于，所述ZnSe纳米线由权利要求1-17所述的方法制备得到，所述ZnSe纳米线的直径为20-80nm，长度为0.5-10μm。
19.如权利要求18所述的ZnSe纳米线，其特征在于，所述ZnSe纳米线为闪锌矿结构。
20.如权利要求18或19所述的ZnSe纳米线的应用，其特征在于，所述ZnSe纳米线应用于太阳能光电催化分解水制氢以及太阳能电池、光电探测器或纳米激光器的构建中。
21.如权利要求20所述的ZnSe纳米线的应用，其特征在于，所述ZnSe纳米线作为光电极应用于太阳能光电催化分解水制氢中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710217642.0A CN106929820B (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710217642.0A CN106929820B (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106929820A CN106929820A (zh) | 2017-07-07 |
| CN106929820B true CN106929820B (zh) | 2019-03-19 |
Family
ID=59426565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710217642.0A Expired - Fee Related CN106929820B (zh) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106929820B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110079787B (zh) * | 2019-05-15 | 2021-08-13 | 山东大学 | 一种表面活性剂辅助气相生长iii-v族半导体纳米线的方法 |
| CN110937582B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-10-19 | 山东师范大学 | 一种硒化锌纳米线及其作为表面增强拉曼散射基底的应用 |
| CN113072043B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-03-29 | 浙江大学 | 一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103395823A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-20 | 中国计量学院 | 一种纳米氧化锌定向阵列的制备方法 |
-
2017
- 2017-04-05 CN CN201710217642.0A patent/CN106929820B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103395823A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-20 | 中国计量学院 | 一种纳米氧化锌定向阵列的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Insertion of CdSe quantum dots in ZnSe nanowires：MBE growth and microstructure analysis;M.den Hertog;《Journal of Crystal Growth》;20111231(第323期);第330-333页 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106929820A (zh) | 2017-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8835285B2 (en) | Methods to fabricate vertically oriented anatase nanowire arrays on transparent conductive substrates and applications thereof | |
| Kim et al. | Awakening solar water‐splitting activity of ZnFe2O4 nanorods by hybrid microwave annealing | |
| Kakiuchi et al. | Enhanced photoelectrochemical performance of ZnO electrodes sensitized with N-719 | |
| CN106929820B (zh) | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 | |
| Yıldırım et al. | Influence of films thickness and structure on the photo-response of ZnO films | |
| Obaid et al. | Fabrication and characterisations of n-CdS/p-PbS heterojunction solar cells using microwave-assisted chemical bath deposition | |
| Khayatian et al. | Diameter-controlled synthesis of ZnO nanorods on Fe-doped ZnO seed layer and enhanced photodetection performance | |
| Guo et al. | Fabrication of TiO2 nano-branched arrays/Cu2S composite structure and its photoelectric performance | |
| Baneto et al. | Effect of precursor concentration on structural, morphological and opto-electric properties of ZnO thin films prepared by spray pyrolysis | |
| Sun et al. | Sn4+ doping combined with hydrogen treatment for CdS/TiO2 photoelectrodes: An efficient strategy to improve quantum dots loading and charge transport for high photoelectrochemical performance | |
| Guo et al. | ZnO@ TiO2 core–shell nanorod arrays with enhanced photoelectrochemical performance | |
| CN110436515A (zh) | 一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法 | |
| Mahmood et al. | Sol-gel-derived doped ZnO thin films: Processing, properties, and applications | |
| Wu et al. | UV photocurrent responses of ZnO and MgZnO/ZnO processed by atmospheric pressure plasma jets | |
| Iwantono et al. | Structural and properties transformation in ZnO hexagonal nanorod by ruthenium doping and its effect on DSSCs power conversion efficiency | |
| Selman et al. | Effects of variations in precursor concentration on the growth of rutile TiO2 nanorods on Si substrate with fabricated fast-response metal–semiconductor–metal UV detector | |
| Wang et al. | Effects of the concentration of PbI2 and CH3NH3I on the perovskite films and the performance of perovskite solar cells based on ZnO-TiO2 nanorod arrays | |
| Sadhu et al. | Surface chemistry and growth mechanism of highly oriented, single crystalline TiO 2 nanorods on transparent conducting oxide coated glass substrates | |
| Islavath et al. | Spray coated seed layer for scalable synthesis of aligned ZnO nanowire arrays on FTO substrate and their photovoltaic properties | |
| Shet | Zinc oxide (ZnO) nanostructures for photoelectrochemical water splitting application | |
| Cao et al. | Fast growth of well-aligned ZnO nanowire arrays by a microwave heating method and their photocatalytic properties | |
| Choi et al. | Photoelectrochemical properties of hematite thin films grown via a two-step electrochemical deposition method | |
| Yang et al. | Improving the performance of solid-state quantum dot-sensitized solar cells based on TiO 2/CuInS 2 photoelectrodes with annealing treatment | |
| CN109972202B (zh) | 一种三氧化钨单晶纳米线的制备方法 | |
| Singh et al. | Effect of supporting electrolytes on the growth and optical properties of electrochemically deposited ZnO nanorods |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190319 |