CN106920901A - 一种全彩oled微显示器件生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的全彩OLED微显示器件生产方法,包括以下步骤:提供一包含驱动电路的晶圆基板,在晶圆基板上制作阳极像素点,形成阳极层;在阳极层上热蒸镀OLED显示器件;对OLED显示器件进行薄膜封装,形成薄膜封装层;在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片,形成滤光层;在滤光层上贴合玻璃盖板;对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割,形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。本发明公开的全彩OLED微显示器件生产方法,提高了分辨率,降低了器件的制作成本,提升了器件的生产率和良品率。
Description
技术领域
本发明涉及OLED微显示器件生产领域,尤其涉及一种全彩OLED微显示器件生产方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)同时具备全固态、自发光、响应速度块、视角广泛、工作温度范围广等一系列优点,受到越来越多的学界和产业界的关注。经过多年不断的积极探索,器件的结构和工艺的以及相关材料的进一步优化,有机电致发光已经取得了长足进步,目前已经实现了产业化。根据有关研究机构的预测,OLED面板2020年产值将超过600亿美元。OLED 微显示器指的是显示尺寸在1英寸之下,基于硅基CMOS驱动的有机发光器件,像素高达800×600以上,特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等,具有广阔的市场前景和军事价值。
目前,全彩OLED微显示器件的工艺技术还不是特别成熟,成本高、良品率低,无法进行大规模的量产。尤其是,全彩OLED微显示器件的全彩化方案多采用白光OLED上加RGB彩色滤光片的技术。RGB彩色滤光片制作在玻璃盖板之上,通过CCD实现像素定位,贴合在OLED器件上,实现彩色化显示。OLED微显示器件的分辨率高,像素只有几个微米的大小,而CCD定位精度也在1μm左右,所以对位难度高,精度差,容易出现串色的问题,限制了器件分辨率的提升。
另外,传统的OLED微显示器件的制作工艺中,采用的是先机械划片再小片玻璃贴合的技术,工艺复杂。机械划片是机械力直接作用在晶圆表面,在晶圆内部产生应力损伤,热影响范围和残留应力大,易崩边,破碎,产品良率低,不利于大规模生产。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供一种全彩OLED微显示器件生产方法。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:
一种全彩OLED微显示器件生产方法,包括以下步骤:
S1:提供一包含驱动电路的晶圆基板,在晶圆基板上制作阳极像素点,形成阳极层;
S2:在阳极层上热蒸镀OLED显示器件;
S3:对OLED显示器件进行薄膜封装,形成薄膜封装层;
S4:在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片,形成滤光层;
S5:在滤光层上贴合玻璃盖板;
S6:对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割,形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。
进一步地,在S1中,所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成,材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W。
进一步地,在S2中,蒸镀的环境真空度小于10-4Pa。
进一步地,在S2中,所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层,其中,所述阴极层为半透明结构。
进一步地,在S3中,所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成。
进一步地,在S3中,所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂,无机材料选自Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、MgF2、ZrO2。
进一步地,在S4中,在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤,所述前烘和后烘的温度≤90℃。
进一步地,在S6中,采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割,所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。
本发明与现有技术相比较,本发明的实施效果如下:
在OLED显示器件上直接制作RGB彩色滤光片,提高了器件的集成度,利用光刻制程,更加容易的实现了显示器件的高精细化,提高了分辨率。
由于RGB彩色滤光片是直接贴合在OLED显示器件上的,而不是采用
在玻璃盖板上制造RGB彩色滤光片,再进行对位贴合的方法,避免了贴合对位精度差对器件分辨率和良率的影响,也避免了刻制化的彩色滤光片玻璃盖板的定制,降低了器件的制作成本。
切割是在一整块晶圆基板上进行的,并采用激光划片的方式对晶圆基板进行切割,有效避免了切割中产生崩边、破碎、热影响范围以及应力大的问题,有助于提高器件的生产率和良品率。
附图说明
图1是本发明提出的全彩OLED微显示器件生产方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
参照图1,图1是本发明提出的一种全彩OLED微显示器件生产方法的流程示意图。
本发明提出的一种全彩OLED微显示器件生产方法,包括以下步骤:
一种全彩OLED微显示器件生产方法,包括以下步骤:
S1:提供一包含驱动电路的晶圆基板,在晶圆基板上制作阳极像素点,形成阳极层;S2:在阳极层上热蒸镀OLED显示器件;S3:对OLED显示器件进行薄膜封装,形成薄膜封装层;S4:在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片,形成滤光层;S5:在滤光层上贴合玻璃盖板;S6:对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割,形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。
在S1中,所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成,材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W。在S2中,蒸镀的环境真空度小于10-4Pa,所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层,其中,所述阴极层为半透明结构。在S3中,所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成,所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂,无机材料选自Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、MgF2、ZrO2。在S4中,在所述薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤,所述前烘和后烘的温度≤90℃。在S6中,采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割,所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。
上述方案中,在OLED显示器件上直接制作RGB彩色滤光片,提高了器件的集成度,利用光刻制程,更加容易的实现了显示器件的高精细化,提高了分辨率。
由于RGB彩色滤光片是直接贴合在OLED显示器件上的,而不是采用
在玻璃盖板上制造RGB彩色滤光片,再进行对位贴合的方法,避免了贴合对位精度差对器件分辨率和良率的影响,也避免了刻制化的彩色滤光片玻璃盖板的定制,降低了器件的制作成本。
切割是在一整块晶圆基板上进行的,并采用激光划片的方式对晶圆基板进行切割,有效避免了切割中产生崩边、破碎、热影响范围以及应力大的问题,有助于提高器件的生产率和良品率。
密封层采用多层沉积的方式形成,在保证较高的光透射率的同时,能够保护OLED微显示器内的电极,阻挡空气进入OLED微显示器内,延长产品的使用寿命。
实施例1
本实施例中,全彩OLED微显示器件生产方法,包括以下步骤:
提供一包含驱动电路的晶圆基板,在晶圆基板上制作阳极像素点,形成阳极层。所述阳极像素点采用蒸镀的方式形成,环境真空度小于10-4Pa,材料选自Cu。在阳极层上热蒸镀OLED显示器件,所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层,其中,所述阴极层为半透明结构;对OLED显示器件进行薄膜封装,形成薄膜封装层,所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成,所述薄膜封装层的有机材料选自聚丙烯酸,无机材料选自Al2O3;在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片,形成滤光层,在所述薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤,所述前烘和后烘的温度≤90℃;在滤光层上贴合玻璃盖板,采用激光划片的方式对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割,形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片,划片速度在140nm/s。
实施例2
本实施例中,全彩OLED微显示器件生产方法,包括以下步骤:
提供一包含驱动电路的晶圆基板,在晶圆基板上制作阳极像素点,形成阳极层。所述阳极像素点采用蒸镀的方式形成,环境真空度小于10-4Pa,材料选自Al。在阳极层上热蒸镀OLED显示器件,所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层,其中,所述阴极层为半透明结构。对OLED显示器件进行薄膜封装,形成薄膜封装层,所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成,所述薄膜封装层的有机材料选自聚氨酯丙烯酸酯、聚酯,无机材料选自MgF2。在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片,形成滤光层,在所述薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤,所述前烘和后烘的温度≤90℃。在滤光层上贴合玻璃盖板,采用激光划片的方式对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割,形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片,划片速度在150nm/s。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一包含驱动电路的晶圆基板,在晶圆基板上制作阳极像素点,形成阳极层;
S2:在阳极层上热蒸镀OLED显示器件;
S3:对OLED显示器件进行薄膜封装,形成薄膜封装层;
S4:在薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片,形成滤光层;
S5:在滤光层上贴合玻璃盖板;
S6:对集成有驱动电路、OLED显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割,形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。
2.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,在S1中,所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成,材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W。
3.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,在S2中,蒸镀的环境真空度小于10-4Pa。
4.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,在S2中,所述OLED显示器件至少包括发光层和阴极层,其中,所述阴极层为半透明结构。
5.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成。
6.根据权利要求5所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂,无机材料选自Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、MgF2、ZrO2。
7.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,在所述薄膜封装层上制作RGB彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤,所述前烘和后烘的温度≤90℃。
8.根据权利要求1所述的全彩OLED微显示器件量产方法,其特征在于,在S6中,采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割,所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170704 |
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