CN106915908A - 电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法 - Google Patents

电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电熔氧化镁技术领域，具体涉及一种电熔氧化镁的生产方法。电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，包括如下步骤：将菱镁矿石在破碎机中破碎制成0mm～10mm块料。将单质硅在破碎机中破碎。称取单质硅备用。预备圆筒，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作。把小块单质硅分4批，均匀的覆盖在菱镁矿石上。把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与中菱镁矿石合成球状结晶结构。撤出圆筒，露出圆柱形的料体，用人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为电熔氧化镁。本发明得到的球形晶型结构电熔氧化镁，提高粉碎得率，降低生产成本，改善最终产品用户的生产环境。

Description

电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法
技术领域
本发明涉及电熔氧化镁技术领域，具体涉及一种电熔氧化镁的生产方法。
背景技术
目前生产电熔氧化镁晶型结构属于一种无规则的形状，经过锤式粉碎机粉碎后，其形状也是无规则的，直接影响了最终产品的流速、流率和密度，容易使得产品的流速慢、流率慢、密度小等。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，解决以上技术问题。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，包括如下步骤：
步骤一：将菱镁矿石作为电熔氧化镁的原料在破碎机中破碎，制成0mm～10mm块料备用；
步骤二：将单质硅(也称为金属硅)在破碎机中破碎，制成3mm～6mm之间的小块；
步骤三：称取步骤二的小块单质硅，备用；
步骤四：生产前预先准备圆筒，把圆筒搁置在一台轨道车上，圆筒底部放置电熔镁废料，防止在高温下把底部烧穿而报废，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作，电熔氧化镁的原料采用步骤一的菱镁矿石；
步骤五：在步骤四熔炼电熔氧化镁的过程中，把步骤三的小块单质硅在保持熔炼温度2800℃高温下分4批，间隔时间为2小时，均匀的覆盖在步骤四中菱镁矿石上；
步骤六：把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与菱镁矿石合成球状结晶结构；
步骤七：将步骤六在常温下冷却7天，温度降至100℃～200℃之间，于第8天撤出圆筒，露出圆柱形的料体并且将其外表铲除无用的没有完全电熔的物料，人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为本发明制备的球形晶型结构的电熔氧化镁。
本发明在熔炼电熔氧化镁的原料过程中，通过加入单质硅(也称为金属硅)，使得在熔炼的过程中改变电熔氧化镁无规则的晶型结构，而达到规则最好的球形的晶型结构，通过粉碎后使得产品的流速、流率得到改善，密度在基本无细粉的情况下能达到2.37g/㎝3以上，也就是把425目以上的细粉控制在0.2％以下，提高粉碎得率，降低生产成本，改善最终产品用户的生产环境。
步骤一中，电熔氧化镁的原料选用氧化镁含量≥46％(wt％)的菱镁矿石。
步骤一和步骤二中的破碎机均采用鄂式破碎机。
步骤二中，单质硅选用含量在99％(wt％)以上的单质硅。
步骤四中，圆筒优选采用直径为1.8m、高为2m、铁板厚为6mm的圆筒，圆筒底部放置的废料厚为500mm。
氧化镁含量≥46％(wt％)的菱镁矿石与含量在99％(wt％)以上的单质硅重量比成份为：菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg～80kg；
此时，步骤五中，小块单质硅分4批，每批7.5kg～20kg用量。
优选，菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg、55kg或80kg。
有益效果：由于采用以上技术方案，本发明得到的球形晶型结构电熔氧化镁，通过粉碎后使得产品的流速(100g/s)、流率(100g/s)得到改善，密度(g/cm3)在基本无细粉的情况下能达到2.37g/㎝3以上，提高粉碎得率，降低生产成本，改善最终产品用户的生产环境。
附图说明
图1为100倍放大镜下，常规的电熔氧化镁的晶型结构；
图2为100倍放大镜下，加入单质硅后本发明的电熔氧化镁的晶型结构。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合附图进一步阐述本发明。
电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，包括如下步骤：
步骤一：选用氧化镁含量≥46％(wt％)的菱镁矿石20吨作为电熔氧化镁的原料在鄂式破碎机中破碎，制成0mm～10mm块料备用。
步骤二：选用含量在99％(wt％)以上的单质硅(也称为金属硅)在鄂式破碎机中破碎，制成3mm～6mm之间的小块。
步骤三：称取步骤二的小块单质硅30kg～80kg，备用。
步骤四：生产前预先准备直径为1.8m、高为2m、铁板厚为6mm的圆筒，把圆筒搁置在一台轨道车上，圆筒底部放置厚为500mm的电熔镁废料，防止在高温下把底部烧穿而报废，按照常规的熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作，电熔氧化镁的原料采用步骤一的菱镁矿石。
步骤五：在步骤四熔炼菱镁矿石过程中，把步骤三的小块单质硅分4批，每批7.5kg～20kg用量，间隔时间为2小时，均匀的覆盖在步骤四中菱镁矿石上；
步骤六：把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与中菱镁矿石合成球状结晶结构；
步骤七：将步骤六在常温下冷却7天，于第8天撤出圆筒，露出圆柱形的料体并且将其外表铲除无用的没有完全电熔的物料，用人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％(wt％)以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为本发明制备的球形晶型结构的电熔氧化镁。
为了便于比较，采用不加单质硅且与本发明相同的电熔加工方式进行生产电熔氧化镁，与本发明加入单质硅后的电熔氧化镁进行比较，通过100倍放大镜观察如图1和图2所示，加入单质硅后的电容氧化镁晶型结构为完美的球状结晶结构。
两者通过锤式粉碎机粉碎成40～425目之间的粉体进行目数分布、密度、流速对比结果如下：
注：目数筛网采用德国进口标准筛；筛分设备为实验室拍击式振动筛；密度检测采用美国进口密度仪；流速测试采用标准4#福特杯。
根据表格数据表明，通过添加单质硅后得到的电熔氧化镁和不加单质硅的普通电熔氧化镁，在同一条件下测得，由于加了单质硅的电熔镁基本接近球状，密度明显提高，流速也加快，而且由于-425目的含量的降低，减少了粉尘的飞扬，极大的改善了操作环境。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：将菱镁矿石作为电熔氧化镁的原料在破碎机中破碎，制成0mm～10mm块料备用；
步骤二：将单质硅在破碎机中破碎，制成3mm～6mm之间的小块；
步骤三：称取步骤二的小块单质硅，备用；
步骤四：生产前预先准备圆筒，把圆筒搁置在一台轨道车上，圆筒底部放置电熔镁废料，防止在高温下把底部烧穿而报废，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作，电熔氧化镁的原料采用步骤一的菱镁矿石；
步骤五：在步骤四熔炼电熔氧化镁过程中，把步骤三的小块单质硅在保持熔炼温度2800℃高温下分4批，间隔时间为2小时，均匀的覆盖在步骤四中菱镁矿石上；
步骤六：把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与菱镁矿石合成球状结晶结构；
步骤七：将步骤六在常温下冷却7天，温度降至100℃～200℃之间，于第8天撤出圆筒，露出圆柱形的料体并且将其外表铲除无用的没有完全电熔的物料，人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为本发明制备的球形晶型结构的电熔氧化镁。
2.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤一中，电熔氧化镁的原料选用氧化镁含量≥46％(wt％)的菱镁矿石。
3.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤一和步骤二中的破碎机均采用鄂式破碎机。
4.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤二中，单质硅选用含量在99％(wt％)以上的单质硅。
5.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，步骤四中，圆筒采用直径为1.8m、高为2m、铁板厚为6mm的圆筒，圆筒底部放置的废料厚为500mm。
6.根据权利要求1所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，菱镁矿石与单质硅重量比成份为：菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg～80kg；
此时，步骤五中，小块单质硅分4批，每批7.5kg～20kg用量。
7.根据权利要求6所述的电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，菱镁矿石选用20吨时，称取单质硅30kg、55kg或80kg。
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