CN106910799A - 一种发光二极管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上外延生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层等外延层，在外延层上制作金属反射层，将金属反射层粘合到基板上，依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层，制作第一电极，去除位于第一电极在衬底厚度方向上的投影之外的N型欧姆接触层，对第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层和N型电流扩展层进行粗化处理，最终形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，从而可以避免因粗化不均而引起发光二极管亮度不均匀的情况。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的制备方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
为了提高发光二极管的出光率，在制作发光二极管的过程中，通常会对位于出光侧的电流扩展层进行粗化处理，即通过化学腐蚀的方式使电流扩展层表面形成微观的粗糙结构。电流扩展层在进行粗化处理后表面会呈颗粒状，粗糙度增加，可以减少光在电流扩展层中的全反射，从而提高出光率，提高发光二极管的亮度。
电流扩展层中的Al组分的含量会影响到颗粒的大小，较高的Al组分含量可以使得粗化后形成的颗粒小，高度低，但是Al组分含量高会导致芯片漏电，为了避免出现芯片漏电，现有的电流扩展层中Al组分的含量都比较低，这就使得在现有的粗化过程中，常常会出现粗化后形成的颗粒过大、粗化不均匀等问题，从而导致发光二极管亮度不均匀。
发明内容
为了解决电流扩展层粗化后出现发光二极管亮度不均匀的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，在该外延层基础上再制作金属反射层；其中，所述第一N型粗化引导层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P层，所述第二N型粗化引导层为(AlyGa1-y)0.5In0.5P层，且x＞y；
提供一基板；
将所述金属反射层粘合到所述基板上；
依次去除所述衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；
在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；
去除位于所述第一电极在所述衬底厚度方向上的投影之外的所述N型欧姆接触层，以露出所述第一N型粗化引导层；
从所述第一N型粗化引导层远离所述衬底的一侧面向靠近所述衬底的方向进行粗化处理，且所述粗化处理的粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度；
在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。
优选地，从所述对所述第一N型粗化引导层远离所述衬底的一侧面向所述衬底一侧进行粗化处理，包括：
进行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的时间最长。
进一步地，所述第一次粗化的时间为1～3min。
优选地，所述粗化深度为1.2～1.7μm。
优选地，所述第一N型粗化引导层的生长温度为670～685℃。
优选地，所述第二N型粗化引导层的生长温度为670～685℃。
进一步地，所述第一N型粗化引导层的生长厚度为200～600nm。
优选地，所述第二N型粗化引导层的生长厚度为400～800nm。
可选地，所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的载流子浓度均为1E18cm-3～3E18cm-3。
可选地，所述N型电流扩展层的生长温度为670～685℃。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过先在衬底上依次外延生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层和P型电流扩展层，以完成对外延层的制作，再通过在P型电流扩展层上形成的金属反射层将外延层转移到基板上，并依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层，以露出N型欧姆接触层，N型缓冲层可以有利于外延层的生长，N型腐蚀停层可以避免在去除衬底和N型缓冲层时，N型欧姆接触层受到腐蚀。在N型欧姆接触层上制作完成第一电极后，去除位于第一电极在衬底厚度方向上的投影之外的N型欧姆接触层，从而将第一N型粗化引导层露出，以便从第一N型粗化引导层远离衬底的一侧面向靠近衬底的方向进行粗化处理，由于第一N型粗化引导层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P层，第二N型粗化引导层为(AlyGa1-y)0.5In0.5P层，且x＞y，第一N型粗化引导层中Al的组分高于第二N型粗化引导层中Al的组分，在粗化过程中，Al组分越高，则粗化后的表面颗粒越小且高度越低，反之，Al组分越低，粗化后的表面颗粒越大且高度越高，因此，粗化过程中第一N型粗化引导层会被腐蚀成较小的分布均匀的颗粒，颗粒之间的孔隙较小，分布均匀且间距较小，粗化液会优先沿着孔隙对深层进行粗化，随着粗化深度的增加，从而使得第二N型粗化引导层被腐蚀成分布均匀的较大的颗粒，颗粒之间的孔隙较大，分布均匀且间距较大，粗化液优先沿着孔隙进一步对深层进行粗化，随着粗化深度的进一步增加，N型电流扩展层逐渐开始被粗化，由于第二N型粗化引导层上的孔隙分布均匀且间距较大，N型电流扩展层上优先被腐蚀的区域分布均匀且间距较大，使得优先粗化的区域腐蚀的深度较大，从而最终形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了因粗化不均而导致的发光二极管出现亮度不均匀的情况。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程图；
图3～图19是本发明实施例提供的发光二极管制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图，如图1所示，该制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上依次生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层和金属反射层；其中，第一N型粗化引导层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P层，第二N型粗化引导层为(AlyGa1-y)0.5In0.5P层，且x＞y。
S103：提供一基板。
S104：将金属反射层粘合到基板上。
S105：依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层，以露出N型欧姆接触层。
S106：在N型欧姆接触层上制作第一电极。
S107：去除位于第一电极在衬底厚度方向上的投影之外的N型欧姆接触层，以露出第一N型粗化引导层。
S108：从第一N型粗化引导层远离衬底的一侧面向靠近衬底的方向进行粗化处理。
具体地，粗化处理的粗化深度大于第一N型粗化引导层和第二N型粗化引导层的总厚度。
S109：在基板的背向金属反射层的一侧面上制作第二电极。
通过先在衬底上依次外延生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层和P型电流扩展层，以完成对外延层的制作，再通过在P型电流扩展层上形成的金属反射层将外延层转移到基板上，并依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层，以露出N型欧姆接触层，N型缓冲层可以有利于外延层的生长，N型腐蚀停层可以避免在去除衬底和N型缓冲层时，N型欧姆接触层受到腐蚀。在N型欧姆接触层上制作完成第一电极后，去除位于第一电极在衬底厚度方向上的投影之外的N型欧姆接触层，从而将第一N型粗化引导层露出，以便从第一N型粗化引导层远离衬底的一侧面向靠近衬底的方向进行粗化处理，由于第一N型粗化引导层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P层，第二N型粗化引导层为(AlyGa1-y)0.5In0.5P层，且x＞y，第一N型粗化引导层中Al的组分高于第二N型粗化引导层中Al的组分，在粗化过程中，Al组分越高，则粗化后的表面颗粒越小且高度越低，反之，Al组分越低，粗化后的表面颗粒越大且高度越高，因此，粗化过程中第一N型粗化引导层会被腐蚀成较小的分布均匀的颗粒，颗粒之间的孔隙较小，分布均匀且间距较小，粗化液会优先沿着孔隙对深层进行粗化，随着粗化深度的增加，从而使得第二N型粗化引导层被腐蚀成分布均匀的较大的颗粒，颗粒之间的孔隙较大，分布均匀且间距较大，粗化液优先沿着孔隙进一步对深层进行粗化，随着粗化深度的进一步增加，N型电流扩展层逐渐开始被粗化，由于第二N型粗化引导层上的孔隙分布均匀且间距较大，N型电流扩展层上优先被腐蚀的区域分布均匀且间距较大，使得优先粗化的区域腐蚀的深度较大，从而最终形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了发光二极管出现亮度不均匀的情况。
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程图，下面结合附图3～19对图2提供的制备方法进行详细说明：
S201：提供一衬底。
实现时，该衬底可以是GaAs衬底，GaAs衬底是一种常见的衬底，也是红黄光发光二极管常用的衬底。
在步骤S21中，可以对GaAs衬底进行预处理，具体可以包括将GaAs衬底依次在三氯乙烯、丙酮、乙醇中超声清洗10分钟，去除表面有机物，然后在去离子水中超声清洗15分钟后用氮气吹干，最后高温退火去除GaAs衬底表面的氧化薄膜。
S202：在衬底上外延生长N型缓冲层。
如图3所示，在衬底10上生长N型GaAs缓冲层20。
其中，N型GaAs缓冲层20的厚度可以为150nm～300nm，生长的N型GaAs缓冲层20的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若N型GaAs缓冲层20的厚度过薄，则会导致N型GaAs缓冲层20的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着N型GaAs缓冲层20厚度的增加，N型GaAs缓冲层20的表面逐渐变得较为致密和平整，有利于后续结构的生长，但是若N型GaAs缓冲层20的厚度过厚，则会导致N型GaAs缓冲层20的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
具体地，生长N型GaAs缓冲层20时，控制砷烷(AsH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生长温度可以为650～670℃，其中砷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
S203：在N型缓冲层上外延生长N型腐蚀停层。
如图4所示，在N型GaAs缓冲层20上生长N型GaInP腐蚀停层30。
具体地，N型GaInP腐蚀停层30的厚度可以为200nm～300nm。
进一步地，生长N型GaInP腐蚀停层30时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.5～0.6nm/s，生长温度可以为650～670℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
S204：在N型腐蚀停层上外延生长N型欧姆接触层。
如图5所示，在N型GaInP腐蚀停层30上生长N型GaAs欧姆接触层40。
具体地，N型GaAs欧姆接触层40的厚度可以为30nm～60nm。
进一步地，生长N型GaAs欧姆接触层40时，控制砷烷(AsH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生长温度可以为650～670℃，其中砷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，N型GaAs欧姆接触层40中的载流子浓度可以为5E18cm-3～8E18cm-3。
S205：在N型欧姆接触层上外延生长第一N型粗化引导层。
如图6所示，在N型GaAs欧姆接触层40上生长第一N型粗化引导层51。
实现时，第一N型粗化引导层51为(AlxGa1-x)0.5In0.5P层，其中，0.8≤x≤1，较高的Al组分可以使粗化过程中形成较小的颗粒，颗粒的高度也越低。
具体地，第一N型粗化引导层51的厚度可以为200nm～600nm，若厚度过薄，则粗化的时间短，不容易控制粗化深度，若厚度过厚，则会延长粗化时间，增加粗化次数，使生产效率降低。
进一步地，第一N型粗化引导层51的生长温度可以为670～685℃。
可选地，第一N型粗化引导层51中的载流子浓度可以为1E18cm-3～3E18cm-3。
可选地，第一N型粗化引导层51的N型掺杂剂包括SiH4、Si2H6。
S206：在第一N型粗化引导层上外延生长第二N型粗化引导层。
如图7所示，在第一N型粗化引导层51上生长第二N型粗化引导层52。
实现时，第二N型粗化引导层52为(AlyGa1-y)0.5In0.5P层，其中，0.4≤y≤0.6，较低的Al组分可以使粗化过程中形成较大的颗粒，颗粒的高度也越高，若y过小，则会增加对光的吸收，降低出光率，影响发光二极管的亮度。
具体地，第二N型粗化引导层52的厚度可以为400nm～800nm，若厚度过薄，则粗化的时间短，不容易控制粗化深度，若厚度过厚，则会延长粗化时间，增加粗化次数，使生产效率降低。
进一步地，第二N型粗化引导层52的生长温度可以为670～685℃。
可选地，第二N型粗化引导层52中的载流子浓度可以为1E18cm-3～3E18cm-3。
可选地，第二N型粗化引导层52的N型掺杂剂包括SiH4、Si2H6。
S207：在第二N型粗化引导层上外延生长N型电流扩展层。
如图8所示，在第二N型粗化引导层52上生长N型AlGaInP电流扩展层60。
具体地，N型AlGaInP电流扩展层60的厚度可以为1.5μm～2.5μm，若N型AlGaInP电流扩展层60的厚度过薄，会使得N型AlGaInP电流扩展层60的横向的电阻增大，降低电流的扩展能力，若N型AlGaInP电流扩展层60的厚度过厚，则会增加对光的吸收，降低出光率，使发光二极管亮度降低，翘曲变大，碎片率增加。
进一步地，生长N型AlGaInP电流扩展层60时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，N型AlGaInP电流扩展层60中的载流子浓度可以为1E18cm-3～2E18cm-3。
可选地，N型AlGaInP电流扩展层60为(AlzGa1-z)0.5In0.5P层，其中0.6＜z＜0.8。
S208：在N型电流扩展层上外延生长N型限制层。
如图9所示，在N型AlGaInP电流扩展层60上生长N型AlInP限制层70。
具体地，N型AlInP限制层70的厚度可以为250nm～350nm。
进一步地，生长N型AlInP限制层70时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，N型AlInP限制层70中的载流子浓度可以为1E18cm-3～2E18cm-3。
S209：在N型限制层上外延生长多量子阱层。
如图10所示，在N型AlInP限制层70上生长多量子阱层80。
具体地，多量子阱层80的厚度可以为150nm～200nm。
进一步地，生长多量子阱层80时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
S210：在多量子阱层上外延生长P型限制层。
如图11所示，在多量子阱层80上生长P型AlInP限制层90。
具体地，P型AlInP限制层90的厚度可以为250nm～350nm。
进一步地，生长P型AlInP限制层90时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，P型AlInP限制层90中的载流子浓度可以为7E17cm-3～9E17cm-3。
S211：在P型限制层上外延生长P型电流扩展层。
如图12所示，在P型AlInP限制层90上生长P型GaP电流扩展层100。
具体地，P型GaP电流扩展层100的厚度可以为1.5μm～2.5μm。
进一步地，生长P型GaP电流扩展层100时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在2.5～3nm/s，生长温度可以为695～710℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，P型GaP电流扩展层100中的载流子浓度可以为2E18cm-3～5E18cm-3。
S212：在P型电流扩展层上制作金属反射层。
如图13所示，在P型GaP电流扩展层100上制作金属反射层110。
金属反射层110可以将发光二极管发出的光向出光侧反射，从而提高出光率，使发光二极管的亮度得到提升。
S213：提供一基板120。
实现时，该基板120可以是硅基板。
S214：将金属反射层粘合到基板上。
如图14所示，将金属反射层110粘合到基板120上。
通过金属反射层110将外延层转移到基板120上后，从而可以去除GaAs衬底10，避免GaAs材料对光的吸收。
S215：依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层。
如图15所示，依次去除衬底10、N型GaAs缓冲层20和N型GaInP腐蚀停层30，以露出N型GaAs欧姆接触层40。
具体地，可以通过腐蚀液将衬底10、N型GaAs缓冲层20和N型GaInP腐蚀停层30依次腐蚀去除。
实现时，腐蚀液可以为双氧水和盐酸。
S216：制作第一电极。
如图16所示，在N型GaAs欧姆接触层40上制作第一电极131。
具体地，可以先在N型GaAs欧姆接触层40上蒸镀电极材料，再通过刻蚀去除部分电极材料，以形成第一电极131。
S217：去除部分N型欧姆接触层。
如图17所示，去除位于第一电极131在衬底10厚度方向上的投影之外的N型GaAs欧姆接触层40，以露出第一N型粗化引导层51。
具体地，可以通过光刻去除位于第一电极131之外的N型GaAs欧姆接触层40，从而将第一N型粗化引导层51露出，以便于进行粗化处理。
S218：粗化处理。
如图18所示，进行多次粗化，以使粗化深度大于第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52的总厚度，且第一次粗化的时间最长。
具体地，将待粗化处理的待加工件浸入粗化液中，进行第一次粗化，在完成第一次粗化后，将待加工件取出，甩干处理后再次浸入粗化液，进行第二次粗化，在完成第二次粗化后，将待加工件取出，甩干处理后再次浸入粗化液，以进行第三次粗化，如此完成对待加工件的多次粗化。由于粗化过程中，无法确保一次粗化就得到所需要的粗化深度，因此需要通过多次粗化逐渐加深粗化深度，以使粗化深度达到工艺要求，粗化深度大于第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52的总厚度，从而确保N型AlGaInP电流扩展层60的表面被粗化处理(图18中的61即为N型AlGaInP电流扩展层60的表面被粗化的部分)。
实现时，第一次粗化的时间可以为1～3min，若第一次粗化时间太短，则第一次的粗化深度过浅，会增加粗化次数，若第一次粗化时间太长，则可能导致第一次粗化完成后，粗化深度就超过了工艺要求。第一次粗化之后的每次粗化的时间可以为0.2～1min，第一次粗化之后的每次粗化的时间越短，则总的粗化深度越容易控制，但相应地，粗化次数也可能越多。
进一步地，第一次粗化之后的每次粗化的时间可以逐渐缩短，以使总的粗化深度符合工艺要求。
可选地，粗化深度可以为1.2～1.7μm，具体的粗化深度可以根据第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52的总厚度确定，应确保粗化深度大于第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52的总厚度。
可选地，粗化液可以是H3PO4和HCl的混合溶液，其中H3PO4和HCl的物质的量之比为5∶1。
优选地，在执行步骤S218之前，可以先在第一电极131上设置保护层，以避免第一电极131被腐蚀。
需要说明的是，在完成全部的粗化处理后，第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52上位于第一电极131之外的部分可能在粗化过程中被全部腐蚀掉，也可能仍保留有一部分的第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52，为了便于说明，图18～19中显示了完整的第一N型粗化引导层51和第二N型粗化引导层52。
S219：制作第二电极。
如图19所示，在基板120的背向金属反射层110的一侧面上制作第二电极132。
通过完成第二电极132的制作后，即可进行裂片，从而得到多个发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层和金属反射层；其中，所述第一N型粗化引导层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P层，所述第二N型粗化引导层为(AlyGa1-y)0.5In0.5P层，且x＞y；
提供一基板；
将所述金属反射层粘合到所述基板上；
依次去除所述衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；
在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；
去除位于所述第一电极在所述衬底厚度方向上的投影之外的所述N型欧姆接触层，以露出所述第一N型粗化引导层；
从所述第一N型粗化引导层远离所述衬底的一侧面向靠近所述衬底的方向进行粗化处理，且所述粗化处理的粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度；
在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，从所述对所述第一N型粗化引导层远离所述衬底的一侧面向所述衬底一侧进行粗化处理，包括：
进行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的时间最长。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一次粗化的时间为1～3min。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述粗化深度为1.2～1.7μm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一N型粗化引导层的生长温度为670～685℃。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二N型粗化引导层的生长温度为670～685℃。
7.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一N型粗化引导层的生长厚度为200～600nm。
8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二N型粗化引导层的生长厚度为400～800nm。
9.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的载流子浓度均为1E18cm-3～3E18cm-3。
10.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述N型电流扩展层的生长温度为670～685℃。
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