CN106906512A - 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用 - Google Patents

用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN106906512A
CN106906512A CN201710245958.0A CN201710245958A CN106906512A CN 106906512 A CN106906512 A CN 106906512A CN 201710245958 A CN201710245958 A CN 201710245958A CN 106906512 A CN106906512 A CN 106906512A
Authority
CN
China
Prior art keywords
water
cooled
electrode
mounting seat
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710245958.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106906512B (zh
Inventor
吴春生
潘清跃
王程平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Crystal Semiconductor Technology Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Crystal Semiconductor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Crystal Semiconductor Technology Co Ltd filed Critical Nanjing Crystal Semiconductor Technology Co Ltd
Priority to CN201710245958.0A priority Critical patent/CN106906512B/zh
Publication of CN106906512A publication Critical patent/CN106906512A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106906512B publication Critical patent/CN106906512B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管,它由水冷小管、变径环、水冷大管、安装座、分流块组成,其特征在于:水冷小管与变径环、变径环与水冷大管、水冷大管与安装座依次通过安装定位止口配合后焊接相连,由此串联焊接形成水冷芯管主体;水冷小管上端面位置处设置有4个出水槽口,4个分流块分别焊接于4个出水槽口外侧圆周面上;安装座内孔设置有锥形管螺纹进水口,同时设置有4个安装孔,用于与电极底部端面安装;安装座同时设置有密封槽,用于安装O形密封圈,在安装座与电极底部端面之间起密封作用。其优点在于:采用变径式结构,可伸入电极芯部,冷却更加充分;设置分流块,使得冷却效果更为明显。

Description

用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用
技术领域
本发明涉及一种电极的水冷芯管及其应用,尤其是一种用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用。
背景技术
单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,纯度可达到99.9999999%以上,可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位,处于新材料发展的前沿。
半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备,由于半导体级硅单晶体是在高温的条件下缓慢生长而成的,因此与加热器相连接的电极,其真空密封性、导电性和耐热性等极为重要。目前,硅单晶炉所使用的电极大多未设置水冷芯管或只是设置结构简单的水冷直管。一方面,未设置水冷芯管的方案,只是将冷却水的入水口和出水口同时设置于电极上,冷却水未达到循环对流效果,致使电极在通电时因冷却不充分温度过高,使用上存在较大安全隐患。另一方面,设置结构简单的水冷直管的方案,因冷却水进入电极后流速较慢,且不能实现喷射水流,电极仍不能充分冷却。
如何提高半导体级硅单晶炉的电极冷却效果,是本领域密切关注的课题。
发明内容
本发明的目的在于:针对现有硅单晶炉电极工作时因冷却不充分温度过高的问题,提供一种新型可靠的用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管。
本发明的目的是这样实现的:一种用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管,包括水冷芯管,其特征在于:水冷芯管包括水冷小管、变径环、水冷大管、安装座和分流块,安装座的中心为进水口,其中:水冷大管与安装座无缝焊接,进水口位于水冷大管中央,水冷大管与水冷小管之间通过变径环无缝焊接,水冷小管的端部封口,封口上设有均匀分布的出水槽,每个出水槽配有一片分流块。
在本发明中:安装座设有电极密封槽,电极密封槽内设有密封圈,电极密封槽周边设有均匀分布的电极安装孔。
在本发明中:水冷小管的端部封口上设有四个均匀分布的出水槽,所述的密封圈为O形密封圈,电极密封槽周边设有四个均匀分布的电极安装孔。
在本发明中:所述的水冷小管和水冷大管均为无缝不锈钢管,变径环、安装座和分流块的材料均为不锈钢。
一种上述半导体级硅单晶炉电极水冷芯管的应用,其特征在于,对应的半导体级硅单晶炉电极含有中空的腔室,并设有电极出水口,水冷芯管插入中空腔室后,半导体级硅单晶炉电极通过电极安装孔与安装座密封对接。
在所述水冷芯管的应用中,冷媒由安装座的进水口进入水冷大管,经过变径环加压后由水冷小管端部的出水槽喷出,在分流块的作用下冷媒被洒向中空腔室的内壁,吸热汇集后再由电极出水口返回循环使用。
本发明的优点在于:由于采用分段焊接式水冷芯管结构,并通过变径环对冷媒升压,由于水冷小管的端部封口,封口上设有均匀分布的出水槽,每个出水槽配有一片分流块,可以使冷媒直接喷洒到电极中空腔室内壁,提高冷媒的吸热效率,冷却效果更为明显。安装座与水冷大管无缝焊接,同时通过安装孔与电极对接,并由密封圈确保电极中空腔室的密封效果,这些措施都体现了本发明使用方便且结构紧凑。
附图说明
图1是本发明涉及的电极水冷芯管的一种实施例结构示意图;
图2是本发明实施例涉及的含4个分流块的端部示意图;
图3是本发明使用状态结构示意图。
图中:1、水冷小管,2、变径环,3、水冷大管,4、安装座,5、分流块,6、进水口,7、电极密封槽,8、密封圈,9、电极安装孔,10、电极,11、出水口,12、电极安装凸台。
具体实施方式
附图非限制性地公开了本发明涉及的一种实施例的具体结构,下面结合附图对本发明作进一步地描述。
由图1和图2可见:本发明涉及的水冷芯管包括水冷小管1、变径环2、水冷大管3、安装座4和分流块5,安装座4的中心为进水口6,其中:水冷大管3与安装座4无缝焊接,进水口6位于水冷大管3中央,水冷大管3与水冷小管1之间通过变径环2无缝焊接,水冷小管1的端部封口,封口上设有均匀分布的出水槽,每个出水槽配有一片分流块5。
在本实施例中:安装座4设有电极密封槽7,电极密封槽7内设有密封圈8,电极密封槽7周边设有均匀分布的电极安装孔9。
在本实施例中:水冷小管1的端部封口上设有四个均匀分布的出水槽,所述的密封圈8为O形密封圈,电极密封槽7周边设有四个均匀分布的电极安装孔9。
具体实施时,所述的水冷小管1和水冷大管3均为无缝不锈钢管,变径环2、安装座4和分流块5的材料均为不锈钢。
由图3可见,本发明使用中,对应的半导体级硅单晶炉电极10含有中空的腔室,并设有电极10的出水口11,水冷芯管插入中空腔室后,半导体级硅单晶炉电极10通过电极安装孔9与安装座4密封对接。
电极10的外壁上设有常规的电极与单晶炉壁实现绝缘和密封的电极安装凸台12。
实际应用中,冷媒由安装座4的进水口6进入水冷大管3,经过变径环2升压后由水冷小管1端部的出水槽喷出,在分流块5的作用下冷媒被洒向中空腔室的内壁,吸热汇集后再由电极10的出水口11返回循环使用。

Claims (6)

1.一种用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管,包括水冷芯管,其特征在于:水冷芯管包括水冷小管、变径环、水冷大管、安装座和分流块,安装座的中心为进水口,其中:水冷大管与安装座无缝焊接,进水口位于水冷大管中央,水冷大管与水冷小管之间通过变径环无缝焊接,水冷小管的端部封口,封口上设有均匀分布的出水槽,每个出水槽配有一片分流块。
2.根据权利要求1所述的用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管,其特征在于:安装座设有电极密封槽,电极密封槽内设有密封圈,电极密封槽周边设有均匀分布的电极安装孔。
3.根据权利要求2所述的用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管,其特征在于:水冷小管的端部封口上设有四个均匀分布的出水槽,所述的密封圈为O形密封圈,电极密封槽周边设有四个均匀分布的电极安装孔。
4.根据权利要求1-3之一所述的用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管,其特征在于:所述的水冷小管和水冷大管均为无缝不锈钢管,变径环、安装座和分流块的材料均为不锈钢。
5.一种如权利要求4所述用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管的应用,其特征在于,对应的半导体级硅单晶炉电极含有中空的腔室,并设有电极出水口,水冷芯管插入中空腔室后,半导体级硅单晶炉电极通过电极安装孔与安装座密封对接。
6.根据权利要求5所述水冷芯管的应用,其特征在于,冷媒由安装座的进水口进入水冷大管,经过变径环升压后由水冷小管端部的出水槽喷出,在分流块的作用下冷媒被洒向中空腔室的内壁,吸热汇集后再由电极出水口返回循环使用。
CN201710245958.0A 2017-04-14 2017-04-14 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用 Active CN106906512B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710245958.0A CN106906512B (zh) 2017-04-14 2017-04-14 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710245958.0A CN106906512B (zh) 2017-04-14 2017-04-14 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106906512A true CN106906512A (zh) 2017-06-30
CN106906512B CN106906512B (zh) 2023-03-28

Family

ID=59211326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710245958.0A Active CN106906512B (zh) 2017-04-14 2017-04-14 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106906512B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977576A (en) * 1988-09-22 1990-12-11 Great Lakes Carbon Corporation Safety flow stopper for water-cooled electrode
JP3000080B1 (ja) * 1998-11-24 2000-01-17 坂口電熱株式会社 水冷電極
CN2715884Y (zh) * 2004-07-23 2005-08-10 宁波鑫达模具制造有限公司 动模底冷却水管
CN201588009U (zh) * 2010-01-26 2010-09-22 中国电子科技集团公司第二十六研究所 单晶炉同心水冷电极
CN103668454A (zh) * 2013-12-10 2014-03-26 南京晶升能源设备有限公司 蓝宝石单晶炉的水冷电极
CN104390050A (zh) * 2014-12-09 2015-03-04 兰州高压阀门有限公司 1500℃超高温阀门的水冷阀杆结构
CN104862776A (zh) * 2015-05-22 2015-08-26 内蒙古晶环电子材料有限公司 一种新型蓝宝石上轴冷却杆
CN204779723U (zh) * 2015-07-23 2015-11-18 内蒙古中天宏远再制造股份公司 一种炉辊水套变径接头
CN206635457U (zh) * 2017-04-14 2017-11-14 南京晶能半导体科技有限公司 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977576A (en) * 1988-09-22 1990-12-11 Great Lakes Carbon Corporation Safety flow stopper for water-cooled electrode
JP3000080B1 (ja) * 1998-11-24 2000-01-17 坂口電熱株式会社 水冷電極
CN2715884Y (zh) * 2004-07-23 2005-08-10 宁波鑫达模具制造有限公司 动模底冷却水管
CN201588009U (zh) * 2010-01-26 2010-09-22 中国电子科技集团公司第二十六研究所 单晶炉同心水冷电极
CN103668454A (zh) * 2013-12-10 2014-03-26 南京晶升能源设备有限公司 蓝宝石单晶炉的水冷电极
CN104390050A (zh) * 2014-12-09 2015-03-04 兰州高压阀门有限公司 1500℃超高温阀门的水冷阀杆结构
CN104862776A (zh) * 2015-05-22 2015-08-26 内蒙古晶环电子材料有限公司 一种新型蓝宝石上轴冷却杆
CN204779723U (zh) * 2015-07-23 2015-11-18 内蒙古中天宏远再制造股份公司 一种炉辊水套变径接头
CN206635457U (zh) * 2017-04-14 2017-11-14 南京晶能半导体科技有限公司 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管

Also Published As

Publication number Publication date
CN106906512B (zh) 2023-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103545727A (zh) 一种地温恒温循环器
CN206635457U (zh) 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管
CN203256111U (zh) 池炉鼓泡器
CN106906512A (zh) 用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管及其应用
CN212316280U (zh) 一种单晶生产线及水冷装置
CN206019388U (zh) 一种用于自动化机床的喷雾冷却装置
CN204023000U (zh) 一种新型铸锭炉冷却装置
CN206337092U (zh) 地面防垢除垢器
CN210458427U (zh) 一种单晶炉用的水冷热屏钨丝安全保护装置
CN204830896U (zh) 水冷式推钢炉一体化冷却装置
CN209227096U (zh) 单晶炉热屏结构
CN209349959U (zh) 冷却液双系统机床
CN209065734U (zh) 一种导热装置和带有水冷法兰的石英管
CN203569230U (zh) 准单晶铸锭炉的水冷盘接口密封结构
CN208532231U (zh) 一种高温浓硫酸强制循环系统的快速降温装置
CN207713777U (zh) 一种软磁合金在网带炉退火时快速冷却装置
CN207053742U (zh) 一种散热效率高的音响
CN209491158U (zh) 石墨件加热炉及其粉尘吸收装置
CN110468450A (zh) 一种单晶炉用的水冷热屏钨丝安全保护装置
CN204373464U (zh) 一种酯化反应冷却水槽
CN204686262U (zh) 精密焊管用焊接辊的冷却装置
CN204559297U (zh) 一种防止水道结垢的水冷电机机座
CN205035488U (zh) 一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环
CN212431851U (zh) 一种循环水再降温设施
CN218446336U (zh) 一种新型单晶炉相机冷却系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant