CN106900505B - 一种大麻的人工光环境栽培方法 - Google Patents

一种大麻的人工光环境栽培方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种大麻的人工光环境栽培方法，包括如下步骤：(1)将泥炭土和蛭石均匀混合后形成基质，保证透气渗水性良好，用稀释后的多菌灵浇灌以消毒；(2)育苗期培养；(3)生长期培养；(4)生殖期培养。本发明的人工光环境栽培方法能够提供大麻生长所需要的光照强度和光谱，为实现集约化、规模化和标准化种植大麻打下了坚实的基础。

Description

一种大麻的人工光环境栽培方法
技术领域
本发明属于植物栽培技术领域，具体涉及一种大麻的人工光环境栽培方法。
背景技术
工业大麻的应用涉及生态保健食品、纺织、生物工程材料、造纸、军需及其它轻工业领域，近年来国内外发展迅速，在医疗价值上大麻可以被用于癌症病人化疗之后的恶心辅助治疗、脑瘫慢性疼痛，多发性硬化症、镇痛、癫痫及减轻艾滋病综合症状等作用。工业大麻为雌雄异株异花授粉植物，品种内个体间差异较大，对栽培利用和科学试验带来不利影响，易受环境影响而波动。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种大麻的人工光环境栽培方法。
本发明的技术方案如下：
一种大麻的人工光环境栽培方法，包括如下步骤：
(1)将泥炭土和蛭石均匀混合后形成基质，保证透气渗水性良好，用稀释后的多菌灵浇灌以消毒；
(2)育苗期培养：将步骤(1)消毒后的基质装于播种盘中，然后播种，表面覆盖薄膜，然后移入室内，于22～24℃、空气湿度60～70％的条件下培养后，剔除长势较弱的幼苗，得到高16～20cm的幼苗，具体培养条件如下：光照强度200～300umol/m2*s，光照周期20～24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例≤1％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为20～30％，波长为500～599nm的光量子数所占比例15～22％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为50～56％，波长为700～780nm的光量子数所占比例≤2％；
(3)生长期培养：将步骤(2)获得的幼苗移植到培养盆中，于22～24℃、空气湿度60～70％的条件下进行定植培养至植株高度超过1m，同时根据土壤湿度和大麻生长情况定期浇水和营养液，统计株高和节间长度，具体培养条件如下：光照强度400～500umol/m2*s，光照周期20～24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例≤3％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为10～15％，波长为500～599nm的光量子数所占比例为20～30％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为45～55％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为10～16％；
(4)生殖期培养：步骤(3)获得的植株打顶，去掉顶梢1.5～2.5cm，以促进分支生长，然后于22～24℃、空气湿度60～70％的条件下进行培养至开花且超过50％的花苞里的须毛变成橘色或是泛红的紫色，即可采收，具体培养条件如下：光照强度400～500umol/m2*s，光照周期小于12h/d以促进开花，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例≤2％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为10～15％，波长为500～599nm的光量子数所占比例为20～30％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为40～50％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为10～15％。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(1)中的基质由泥炭土和蛭石以1∶1的质量比混合而成。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(2)至(4)中的湿度为70％。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(2)和(3)的光照周期均为24h/d。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(2)中波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为2～3∶1。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(3)中波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为3～13∶1。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(4)中波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为3～13∶1。
本发明的有益效果：本发明的人工光环境栽培方法能够提供大麻生长所需要的光照强度和光谱，为实现集约化、规模化和标准化种植大麻打下了坚实的基础。
附图说明
图1为本发明实施例1的步骤(2)中的光照周期中的光谱能量分布图。
图2为本发明实施例1的步骤(3)中的光照周期中的光谱能量分布图。
图3为本发明实施例1的步骤(4)中的光照周期中的光谱能量分布图。
具体实施方式
以下通过具体实施方式结合附图对本发明的技术方案进行进一步的说明和描述。
实施例1：
(1)将泥炭土和蛭石以1∶1的质量比均匀混合后形成基质，保证透气渗水性良好，用稀释一千倍后的多菌灵浇灌以消毒；
(2)育苗期培养：将步骤(1)消毒后的基质装于播种盘中，然后播种，表面覆盖薄膜，然后移入室内，于22～24℃、空气湿度70％的条件下培养后，剔除长势较弱的幼苗，得到高16～20cm的幼苗，具体培养条件如下：光照强度200～300umol/m2*s，光照周期24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如图1所示：波长为380～399nm的光量子数所占比例为0.2％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为26.9％，波长为500～599nm的光量子数所占比例为17.0％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为54.5％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为1.4％，同时，波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为2.02：1；
(3)生长期培养：将步骤(2)获得的幼苗移植到培养盆中，于22～24℃、空气湿度70％的条件下进行定植培养至植株高度超过1m，同时根据土壤湿度和大麻生长情况定期浇水和营养液，统计株高和节间长度，具体培养条件如图2所示：光照强度400～500umol/m2*s，光照周期24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例为0，波长为400～499nm的光量子数所占比例为11.6％，波长为500～599nm的光量子数所占比例23.8％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为50.3％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为14.3％，同时，波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为4.33∶1；
(4)生殖期培养：步骤(3)获得的植株打顶，去掉顶梢2cm，以促进分支生长，然后于22～24℃、空气湿度70％的条件下进行培养至开花且超过50％的花苞里的须毛变成橘色或是泛红的紫色，即可采收，具体培养条件如下：光照强度400～500umol/m2*s，光照周期小于8h/d以促进开花，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如图3所示：波长为380～399nm的光量子数所占比例为1.9％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为11.5％，波长为500～599nm的光量子数所占比例为23.7％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为48.7％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为14.2％，同时，波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为4.23∶1。
本领域普通技术人员可知，本发明的技术方案在下述范围内变化时，仍然能够得到与上述实施例相同或相近的技术方案，仍然属于本发明的保护范围：
(1)将泥炭土和蛭石均匀混合后形成基质，保证透气渗水性良好，用稀释后的多菌灵浇灌以消毒；
(2)育苗期培养：将步骤(1)消毒后的基质装于播种盘中，然后播种，表面覆盖薄膜，然后移入室内，于22～24℃、空气湿度60～70％的条件下培养后，剔除长势较弱的幼苗，得到高16～20cm的幼苗，具体培养条件如下：光照强度200～300umol/m2*s，光照周期20～24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例≤1％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为20～30％，波长为500～599nm的光量子数所占比例15～22％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为50～56％，波长为700～780nm的光量子数所占比例≤2％，同时，波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为2～3∶1；
(3)生长期培养：将步骤(2)获得的幼苗移植到培养盆中，于22～24℃、空气湿度60～70％的条件下进行定植培养至植株高度超过1m，同时根据土壤湿度和大麻生长情况定期浇水和营养液，统计株高和节间长度，具体培养条件如下：光照强度400～500umol/m2*s，光照周期20～24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例≤3％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为10～15％，波长为500～599nm的光量子数所占比例为20～30％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为45～55％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为10～16％，同时，波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为3～13∶1；
(4)生殖期培养：步骤(3)获得的植株打顶，去掉顶梢1.5～2.5cm，以促进分支生长，然后于22～24℃、空气湿度60～70％的条件下进行培养至开花且超过50％的花苞里的须毛变成橘色或是泛红的紫色，即可采收，具体培养条件如下：光照强度400～500umol/m2*s，光照周期小于12h/d以促进开花，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380～399nm的光量子数所占比例≤2％，波长为400～499nm的光量子数所占比例为10～15％，波长为500～599nm的光量子数所占比例为20～30％，波长为600～699nm的光量子数所占比例为40～50％，波长为700～780nm的光量子数所占比例为10～15％，同时，波长为600～699nm的光量子数与波长为400～499nm的光量子数的比例为3～13∶1。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，故不能依此限定本发明实施的范围，即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖的范围内。

Claims (4)

1.一种大麻的人工光环境栽培方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）将泥炭土和蛭石均匀混合后形成基质，保证透气渗水性良好，用稀释后的多菌灵浇灌以消毒；
（2）育苗期培养：将步骤（1）消毒后的基质装于播种盘中，然后播种，表面覆盖薄膜，然后移入室内，于22~24℃、空气湿度60~70%的条件下培养后，剔除长势较弱的幼苗，得到高16~20cm的幼苗，具体培养条件如下：光照强度200~300umol/m2*s，光照周期20~24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380~399nm的光量子数所占比例为0.2%，波长为400~499nm的光量子数所占比例为26.9%，波长为500~599nm的光量子数所占比例为17.0%，波长为600~699nm的光量子数所占比例为54.5%，波长为700~780nm的光量子数所占比例为1.4%，同时，波长为600~699nm的光量子数与波长为400~499nm的光量子数的比例为2.02:1；
（3）生长期培养：将步骤（2）获得的幼苗移植到培养盆中，于22~24℃、空气湿度60~70%的条件下进行定植培养至植株高度超过1m，同时根据土壤湿度和大麻生长情况定期浇水和营养液，统计株高和节间长度，具体培养条件如下：光照强度400~500umol/m2*s，光照周期20~24h/d，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380~399nm的光量子数所占比例为0，波长为400~499nm的光量子数所占比例为11.6%，波长为500~599nm的光量子数所占比例23.8%，波长为600~699nm的光量子数所占比例为50.3%，波长为700~780nm的光量子数所占比例为14.3%，同时，波长为600~699nm的光量子数与波长为400~499nm的光量子数的比例为4.33:1；
（4）生殖期培养：步骤（3）获得的植株打顶，去掉顶梢1.5~2.5cm，以促进分支生长，然后于22~24℃、空气湿度60~70%的条件下进行培养至开花且超过50%的花苞里的须毛变成橘色或是泛红的紫色，即可采收，具体培养条件如下：光照强度400~500umol/m2*s，光照周期小于12h/d以促进开花，其中，该步骤的光照周期中的光谱能量分布如下：波长为380~399nm的光量子数所占比例为1.9%，波长为400~499nm的光量子数所占比例为11.5%，波长为500~599nm的光量子数所占比例为23.7%，波长为600~699nm的光量子数所占比例为48.7%，波长为700~780nm的光量子数所占比例为14.2%，同时，波长为600~699nm的光量子数与波长为400~499nm的光量子数的比例为4.23:1。
2.如权利要求1所述的人工光环境栽培方法，其特征在于：所述步骤（1）中的基质由泥炭土和蛭石以1:1的质量比混合而成。
3.如权利要求1所述的人工光环境栽培方法，其特征在于：所述步骤（2）至（4）中的湿度为70%。
4.如权利要求1所述的人工光环境栽培方法，其特征在于：所述步骤（2）和（3）的光照周期均为24 h/d。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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CB02 Change of applicant information
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Address after: 362000 Photoelectric Industrial Park of Hengshan Village, Hutou Town, Anxi County, Quanzhou City, Fujian Province

Applicant after: FUJIAN SANAN SINO-SCIENCE PHOTOBIOTECH Co.,Ltd.

Address before: 361000 Yuming Photoelectric Building, 1745 Luling Road, Siming District, Xiamen City, Fujian Province

Applicant before: FUJIAN SANAN SINO-SCIENCE PHOTOBIOTECH Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
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