CN106899199B - 一种开关控制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种开关控制电路，它包括2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5），用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；包括电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；包括2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。本发明开关控制电路具有低待机功耗、无需辅助电源绕组、工作噪音小和短路保护的特点。本发明电压安全可靠性高，本发明成本低，能满足国内外市场对低成本高质量的断信号开关电路的需求。

Description

一种开关控制电路
技术领域
本发明涉及控制电路，具体的说是涉及一种开关控制电路。
背景技术
电源适配器是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，一般由外壳、电源变压器和整流电路组成，按其输出类型可分为交流输出型和直流输出型；按连接方式可分为插墙式和桌面式。广泛配套于电话子母机、游戏机、语言复读机、随身听、笔记本电脑、蜂窝电话等设备中。在传统的电源开关中，由于功率器件工作在开关状态，器件常常在高压下开通，在大电流下关断的时候，会而存在一些问题，比如射频干扰和电磁干扰大、开关损耗大、输出纹波大、器件的安全工作区窄、电路对分布系数比较敏感的缺点。
发明内容
针对现有技术中的不足，本发明要解决的技术问题在于提供了一种开关控制电路。
为解决上述技术问题，本发明通过以下方案来实现：一种开关控制电路，包括：
2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5），用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；
电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；
2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。
进一步的，所述开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）包括第一开关电源晶体管（U3）、第二开关电源晶体管（U5），所述N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）包括第一N沟道晶体管（U4）、第二N沟道晶体管（U6）；
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚同时电连接开关器JP1，并与4引脚之间电连接有电阻R28，所述4引脚与电阻R28之间的线路中节点上电连接有电阻R29，所述电阻R29的另一端电连接于NPN型晶体管Q2的集电极，所述NPN型晶体管Q2的发射极接地，其基极电连接电阻R31，所述电阻R31的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA0引脚，4引脚为零线引脚；
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管（U4）的4引脚、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，该4引脚为零线引脚，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1引脚；
所述第一N沟道晶体管（U4）的输出端与第一开关晶体管（U3）的输出端相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；
所述第一N沟道晶体管（U4）的1-3引脚接地。
进一步的，所述开关器JP1还连接第二开关电源晶体管（U5），所述第二开关电源晶体管（U5）的1-3引脚连接在一起，连接后与4零线引脚之间电连接有电阻R37，所述电阻R37与4零线引脚之间的节点上电连接有电阻R36，所述电阻R36的另一端电连接NPN型晶体管Q5的集电极，所述NPN型晶体管Q5的发射极接地，其基极电连接电阻R43，电阻R43的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA2引脚；
所述第二开关电源晶体管（U5）的1-3引脚还连接电阻R38，所述电阻R38的另一端连接第二N沟道晶体管（U6）的4零线引脚、电阻R41、NPN型晶体管Q4的集电极，所述电阻R41的另一端接地，所述NPN型晶体管Q4的发射极接地，其基极电连接R42，电阻R42的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA3引脚；
所述第二N沟道晶体管（U6）的1-3引脚互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管（U6）的输出端与第二开关电源晶体管（U5）输出端电连接，连接后与开关器JP3的负极连接。
进一步的，所述电感器L1与第一N沟道晶体管（U4）之间的线路节点上连接有电阻R34，所述电阻R34的另一端电连接电阻R35、电源输出调整电路U8的PB3/PWM2引脚上，所述电阻R35的另一端接地。
进一步的，所述JP3的负极端还电连接有电阻R39，电阻R39的另一端电连接电阻R40、电源输出调整电路U8的PA4/Vref引脚上。
进一步的，所述JP3的正极端还电连接有电容C15，所述电容C15的另一端电连接航空插座TN。
进一步的，所述电源输出调整电路U8的VDD引脚连接一正电压稳压器U6、电容C13，所述电容C13为极性电容，其负极端接地。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明开关控制电路具有低待机功耗、无需辅助电源绕组、工作噪音小和短路保护的特点。本发明电压安全可靠性高，本发明成本低，能满足国内外市场对低成本高质量的断信号开关电路的需求。
附图说明
图1为本发明开关控制电路图；
图2为图1的A区域放大图；
图3为图1的B区域放大图；
图4为图1的C区域放大图；
图5为图1的D区域放大图；
图6为图1的E区域放大图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参照附图1-6，本发明的一种开关控制电路，包括：
2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5），用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；
电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；
2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。
所述开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）包括第一开关电源晶体管（U3）、第二开关电源晶体管（U5），所述N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）包括第一N沟道晶体管（U4）、第二N沟道晶体管（U6）；
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚同时电连接开关器JP1，并与4引脚之间电连接有电阻R28，所述4引脚与电阻R28之间的线路中节点上电连接有电阻R29，所述电阻R29的另一端电连接于NPN型晶体管Q2的集电极，所述NPN型晶体管Q2的发射极接地，其基极电连接电阻R31，所述电阻R31的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA0引脚，4引脚为零线引脚；
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管（U4）的4引脚、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，该4引脚为零线引脚，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1引脚；
所述第一N沟道晶体管（U4）的输出端与第一开关晶体管（U3）的输出端相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；
所述第一N沟道晶体管（U4）的1-3引脚接地。
所述开关器JP1还连接第二开关电源晶体管（U5），所述第二开关电源晶体管（U5）的1-3引脚连接在一起，连接后与4零线引脚之间电连接有电阻R37，所述电阻R37与4零线引脚之间的节点上电连接有电阻R36，所述电阻R36的另一端电连接NPN型晶体管Q5的集电极，所述NPN型晶体管Q5的发射极接地，其基极电连接电阻R43，电阻R43的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA2引脚；
所述第二开关电源晶体管（U5）的1-3引脚还连接电阻R38，所述电阻R38的另一端连接第二N沟道晶体管（U6）的4零线引脚、电阻R41、NPN型晶体管Q4的集电极，所述电阻R41的另一端接地，所述NPN型晶体管Q4的发射极接地，其基极电连接R42，电阻R42的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA3引脚；
所述第二N沟道晶体管（U6）的1-3引脚互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管（U6）的输出端与第二开关电源晶体管（U5）输出端电连接，连接后与开关器JP3的负极连接。
：所述电感器L1与第一N沟道晶体管（U4）之间的线路节点上连接有电阻R34，所述电阻R34的另一端电连接电阻R35、电源输出调整电路U8的PB3/PWM2引脚上，所述电阻R35的另一端接地。
所述JP3的负极端还电连接有电阻R39，电阻R39的另一端电连接电阻R40、电源输出调整电路U8的PA4/Vref引脚上。
所述JP3的正极端还电连接有电容C15，所述电容C15的另一端电连接航空插座TN。
所述电源输出调整电路U8的VDD引脚连接一正电压稳压器U6、电容C13，所述电容C13为极性电容，其负极端接地。
本发明开关控制电路具有低待机功耗、无需辅助电源绕组、工作噪音小和短路保护的特点。本发明电压安全可靠性高，本发明成本低，能满足国内外市场对低成本高质量的断信号开关电路的需求。
以上所述仅为本发明的优选实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (2)

1.一种开关控制电路，其特征在于，包括：
2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管(U3、U5)，用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；
电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；
2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(U4、U6)，该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(U4、U6)根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管(U3、U5)所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号；
所述开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管(U3、U5)包括第一开关电源晶体管(U3)、第二开关电源晶体管(U5)，所述N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(U4、U6)包括第一N沟道晶体管(U4)、第二N沟道晶体管(U6)；
所述第一开关晶体管(U3)的第一源极同时电连接开关器JP1，并与第一栅极之间电连接有电阻R28，所述第一栅极与电阻R28之间的线路中节点上电连接有电阻R29，所述电阻R29的另一端电连接于NPN型晶体管Q2的集电极，所述NPN型晶体管Q2的发射极接地，其基极电连接电阻R31，所述电阻R31的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA0连接端；
所述第一开关晶体管(U3)的第一源极还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管(U4)的第二栅极、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1连接端；
所述第一N沟道晶体管(U4)的漏极与第一开关晶体管(U3)的漏极相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；
所述第一N沟道晶体管(U4)的第二源极接地；
所述开关器JP1还连接第二开关电源晶体管(U5)，所述第二开关电源晶体管(U5)的第三源极连接在一起，连接后与第三栅极之间电连接有电阻R37，所述电阻R37与第三栅极之间的节点上电连接有电阻R36，所述电阻R36的另一端电连接NPN型晶体管Q5的集电极，所述NPN型晶体管Q5的发射极接地，其基极电连接电阻R43，电阻R43的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA2连接端；
所述第二开关电源晶体管(U5)的第三源极还连接电阻R38，所述电阻R38的另一端连接第二N沟道晶体管(U6)的第四栅极、电阻R41、NPN型晶体管Q4的集电极，所述电阻R41的另一端接地，所述NPN型晶体管Q4的发射极接地，其基极电连接电阻R42，电阻R42的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA3连接端；
所述第二N沟道晶体管(U6)的第四源极互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管(U6)的漏极与第二开关电源晶体管(U5)的漏极电连接，连接后与开关器JP3的负极连接；
所述电感器L1与第一N沟道晶体管(U4)之间的线路节点上连接有电阻R34，所述电阻R34的另一端电连接电阻R35、电源输出调整电路U8的PB3/PWM2连接端上，所述电阻R35的另一端接地；
所述JP3的负极端还电连接有电阻R39，电阻R39的另一端电连接电阻R40、电源输出调整电路U8的PA4/Vref连接端上；
所述JP3的正极端还电连接有电容C15，所述电容C15的另一端电连接航空插座TN。
2.根据权利要求1所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述电源输出调整电路U8的VDD连接端连接一正电压稳压器U6、电容C13，所述电容C13为极性电容，其负极端接地。
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