CN213208270U - 一种半导体制冷器tec驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体制冷器TEC驱动电路，属于TEC驱动电路技术领域，通过电源VCC端进行供电，然后电流分别通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路并通过第一整流滤波电路和第二整流滤波电路进行高效的整流滤波，使其电流更加稳定，通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路进行输出，进而实现半导体制冷器TEC驱动电路稳定的电流运行，提高半导体制冷器TEC驱动电路的稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种TEC驱动电路，特别是涉及一种半导体制冷器TEC驱动电路，属于TEC驱动电路技术领域。
背景技术
半导体制冷器：利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热-电制冷器，用导体连接两块不同的金属,接通直流电,则一个接点处温度降低，另一个接点处温度升高。
现有技术中针对半导体制冷器TEC驱动电路在对于进行整流处理的时候并不能够起到进行较为稳定的整流，导致其半导体制冷器在制冷的时候并不稳定，为此设计一种半导体制冷器TEC驱动电路来优化上述问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是为了提供一种半导体制冷器TEC驱动电路，通过电源VCC端进行供电，然后电流分别通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路并通过第一整流滤波电路和第二整流滤波电路进行高效的整流滤波，使其电流更加稳定，通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路进行输出，进而实现半导体制冷器TEC驱动电路稳定的电流运行，提高半导体制冷器TEC驱动电路的稳定性。
本实用新型的目的可以通过采用如下技术方案达到：
一种半导体制冷器TEC驱动电路，包括第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路、第第四场效应管电路、半导体制冷器、第一整流滤波电路和第二整流滤波电路，所述第一场效应管电路的S极与所述第二场效应管电路的D极电性连接，所述第一场效应管电路的D极电性连接第三场效应管电路的D极电性连接，所述第四场效应管电路的D极与所述第三场效应管电路的S极电性连接，所述第二场效应管电路的S极与所述第四场效应管电路的S极电性连接，且还联系连接有电阻R5的一端，且电阻R5的另一端接地，所述第一场效应管电路的S极电性连接第一整流滤波电路，且第一整流滤波电路的另一端电性连接半导体制冷器，所述半导体制冷器的另一端电性连接第二整流滤波电路，所述第二整流滤波电路的另一端与所述第三场效应管电路的S极，所述第一场效应管电路的D极电性连接电源VCC端。
优选的，所述第一场效应管电路包括二极管D1和场效应管Q1，所述二极管D1的阴极与所述场效应管Q1的D极电性连接，所述二极管D1的阳极与所述场效应管Q1的S极电性连接，所述场效应管Q1的G极为输出端。
优选的，所述第二场效应管电路包括二极管D2和场效应管Q2，所述二极管D2的阴极与所述场效应管Q2的D极电性连接，所述二极管D2的阳极与所述场效应管Q2的S极电性连接，所述场效应管Q2的G极为输出端。
优选的，所述第三场效应管电路包括二极管D3和场效应管Q3，所述二极管D3的阴极与所述场效应管Q3的D极电性连接，所述二极管D2的阳极与所述场效应管Q3的S极电性连接，所述场效应管Q3的G极为输出端。
优选的，所述第四场效应管电路包括二极管D4和场效应管Q4，所述二极管D4的阴极与所述场效应管Q4的D极电性连接，所述二极管D4的阳极与所述场效应管Q4的S极电性连接，所述场效应管Q4的G极为输出端。
优选的，所述第一整流滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电容C3、电容C1和U1，所述场效应管Q1的S极电性连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端电性连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端电性连接电容C3的一端和U1的阳极，所述电阻R1的另一端电性连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端电性连接U1的输出端，所述电容C3的另一端接地，所述电容C1的另一端还电性连接U1的阴极，且所述U1的输出端电性连接半导体制冷器的一端。
优选的，所述第二整流滤波电路包括电阻R3、电阻R4、电容C4、电容C2和U2，所述半导体制冷器的另一端电性连接电阻R3的一端，所述电阻R3的的另一端电性连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端电性连接U2的阳极和电容C4，所述电容C4的另一端接地，所述电阻R3的另一端接电容C2的一端，电容C2的另一端接所述U2的输出端和U2的阴极，所述U2的输出端还电性连接有场效应管Q4的D极。
本实用新型的有益技术效果：
本实用新型提供的一种半导体制冷器TEC驱动电路，通过电源VCC端进行供电，然后电流分别通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路并通过第一整流滤波电路和第二整流滤波电路进行高效的整流滤波，使其电流更加稳定，通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路进行输出，进而实现半导体制冷器TEC驱动电路稳定的电流运行，提高半导体制冷器TEC驱动电路的稳定性。
附图说明
图1为按照本实用新型的一种半导体制冷器TEC驱动电路的一优选实施例的电路图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更加清楚和明确本实用新型的技术方案，下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示，本实施例提供的一种半导体制冷器TEC驱动电路，包括第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路、第第四场效应管电路、半导体制冷器、第一整流滤波电路和第二整流滤波电路，所述第一场效应管电路的S极与所述第二场效应管电路的D极电性连接，所述第一场效应管电路的D极电性连接第三场效应管电路的D极电性连接，所述第四场效应管电路的D极与所述第三场效应管电路的S极电性连接，所述第二场效应管电路的S极与所述第四场效应管电路的S极电性连接，且还联系连接有电阻R5的一端，且电阻R5的另一端接地，所述第一场效应管电路的S极电性连接第一整流滤波电路，且第一整流滤波电路的另一端电性连接半导体制冷器，所述半导体制冷器的另一端电性连接第二整流滤波电路，所述第二整流滤波电路的另一端与所述第三场效应管电路的S极，所述第一场效应管电路的D极电性连接电源VCC端。
通过电源VCC端进行供电，然后电流分别通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路并通过第一整流滤波电路和第二整流滤波电路进行高效的整流滤波，使其电流更加稳定，通过第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路和第四场效应管电路进行输出，进而实现半导体制冷器TEC驱动电路稳定的电流运行，提高半导体制冷器TEC驱动电路的稳定性。
在本实施例中，所述第一场效应管电路包括二极管D1和场效应管Q1，所述二极管D1的阴极与所述场效应管Q1的D极电性连接，所述二极管D1的阳极与所述场效应管Q1的S极电性连接，所述场效应管Q1的G极为输出端。
在本实施例中，所述第二场效应管电路包括二极管D2和场效应管Q2，所述二极管D2的阴极与所述场效应管Q2的D极电性连接，所述二极管D2的阳极与所述场效应管Q2的S极电性连接，所述场效应管Q2的G极为输出端。
在本实施例中，所述第三场效应管电路包括二极管D3和场效应管Q3，所述二极管D3的阴极与所述场效应管Q3的D极电性连接，所述二极管D2的阳极与所述场效应管Q3的S极电性连接，所述场效应管Q3的G极为输出端。
在本实施例中，所述第四场效应管电路包括二极管D4和场效应管Q4，所述二极管D4的阴极与所述场效应管Q4的D极电性连接，所述二极管D4的阳极与所述场效应管Q4的S极电性连接，所述场效应管Q4的G极为输出端。
在本实施例中，所述第一整流滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电容C3、电容C1和U1，所述场效应管Q1的S极电性连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端电性连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端电性连接电容C3的一端和U1的阳极，所述电阻R1的另一端电性连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端电性连接U1的输出端，所述电容C3的另一端接地，所述电容C1的另一端还电性连接U1的阴极，且所述U1的输出端电性连接半导体制冷器的一端。
在本实施例中，所述第二整流滤波电路包括电阻R3、电阻R4、电容C4、电容C2和U2，所述半导体制冷器的另一端电性连接电阻R3的一端，所述电阻R3的的另一端电性连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端电性连接U2的阳极和电容C4，所述电容C4的另一端接地，所述电阻R3的另一端接电容C2的一端，电容C2的另一端接所述U2的输出端和U2的阴极，所述U2的输出端还电性连接有场效应管Q4的D极。
以上所述，仅为本实用新型进一步的实施例，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型所公开的范围内，根据本实用新型的技术方案及其构思加以等同替换或改变，都属于本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：包括第一场效应管电路、第二场效应管电路、第三场效应管电路、第第四场效应管电路、半导体制冷器、第一整流滤波电路和第二整流滤波电路，所述第一场效应管电路的S极与所述第二场效应管电路的D极电性连接，所述第一场效应管电路的D极电性连接第三场效应管电路的D极电性连接，所述第四场效应管电路的D极与所述第三场效应管电路的S极电性连接，所述第二场效应管电路的S极与所述第四场效应管电路的S极电性连接，且还联系连接有电阻R5的一端，且电阻R5的另一端接地，所述第一场效应管电路的S极电性连接第一整流滤波电路，且第一整流滤波电路的另一端电性连接半导体制冷器，所述半导体制冷器的另一端电性连接第二整流滤波电路，所述第二整流滤波电路的另一端与所述第三场效应管电路的S极，所述第一场效应管电路的D极电性连接电源VCC端。
2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：所述第一场效应管电路包括二极管D1和场效应管Q1，所述二极管D1的阴极与所述场效应管Q1的D极电性连接，所述二极管D1的阳极与所述场效应管Q1的S极电性连接，所述场效应管Q1的G极为输出端。
3.根据权利要求1所述的一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：所述第二场效应管电路包括二极管D2和场效应管Q2，所述二极管D2的阴极与所述场效应管Q2的D极电性连接，所述二极管D2的阳极与所述场效应管Q2的S极电性连接，所述场效应管Q2的G极为输出端。
4.根据权利要求1所述的一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：所述第三场效应管电路包括二极管D3和场效应管Q3，所述二极管D3的阴极与所述场效应管Q3的D极电性连接，所述二极管D2的阳极与所述场效应管Q3的S极电性连接，所述场效应管Q3 的G极为输出端。
5.根据权利要求1所述的一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：所述第四场效应管电路包括二极管D4和场效应管Q4，所述二极管D4的阴极与所述场效应管Q4的D极电性连接，所述二极管D4的阳极与所述场效应管Q4的S极电性连接，所述场效应管Q4的G极为输出端。
6.根据权利要求2所述的一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：所述第一整流滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电容C3、电容C1和U1，所述场效应管Q1的S极电性连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端电性连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端电性连接电容C3的一端和U1的阳极，所述电阻R1的另一端电性连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端电性连接U1的输出端，所述电容C3的另一端接地，所述电容C1的另一端还电性连接U1的阴极，且所述U1的输出端电性连接半导体制冷器的一端。
7.根据权利要求5所述的一种半导体制冷器TEC驱动电路，其特征在于：所述第二整流滤波电路包括电阻R3、电阻R4、电容C4、电容C2和U2，所述半导体制冷器的另一端电性连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端电性连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端电性连接U2的阳极和电容C4，所述电容C4的另一端接地，所述电阻R3的另一端接电容C2的一端，电容C2的另一端接所述U2的输出端和U2的阴极，所述U2的输出端还电性连接有场效应管Q4的D极。
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