CN106853341B - 流体可渗透的阳极氧化膜及用阳极氧化膜的流体可渗透体 - Google Patents

流体可渗透的阳极氧化膜及用阳极氧化膜的流体可渗透体 Download PDF

Info

Publication number
CN106853341B
CN106853341B CN201611125095.5A CN201611125095A CN106853341B CN 106853341 B CN106853341 B CN 106853341B CN 201611125095 A CN201611125095 A CN 201611125095A CN 106853341 B CN106853341 B CN 106853341B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluid
permeable
anodized film
hole
fluid permeable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611125095.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106853341A (zh
Inventor
安范模
朴胜浩
边圣铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Point Engineering Co Ltd
Original Assignee
Point Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150175204A external-priority patent/KR102476588B1/ko
Priority claimed from KR1020150175202A external-priority patent/KR102471588B1/ko
Priority claimed from KR1020150175181A external-priority patent/KR20170068230A/ko
Application filed by Point Engineering Co Ltd filed Critical Point Engineering Co Ltd
Publication of CN106853341A publication Critical patent/CN106853341A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106853341B publication Critical patent/CN106853341B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0002—Organic membrane manufacture
    • B01D67/0023—Organic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
    • B01D67/003—Organic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by selective elimination of components, e.g. by leaching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
    • B01D67/0053—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
    • B01D67/006—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods
    • B01D67/0062—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods by micromachining techniques, e.g. using masking and etching steps, photolithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
    • B01D67/0053—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
    • B01D67/006—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods
    • B01D67/0065—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods by anodic oxidation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02—Inorganic material
    • B01D71/022—Metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02—Inorganic material
    • B01D71/024—Oxides
    • B01D71/025—Aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/24—Chemical after-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
    • B01D2325/02—Details relating to pores or porosity of the membranes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/06—Flat membranes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Fuel Cell (AREA)

Abstract

一种流体可渗透的阳极氧化膜，其包括通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙，以及具有比所述孔隙的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜的多个渗透孔。还提供了利用流体可渗透的阳极氧化膜的流体可渗透体。

Description

流体可渗透的阳极氧化膜及用阳极氧化膜的流体可渗透体
技术领域
本发明涉及具有渗透孔的流体可渗透的阳极氧化膜，以及利用阳极氧化膜的流体可渗透体。
背景技术
一般地，流体可渗透的膜用于流体(气体或液体)的分离、净化、过滤、分析、反应、扩散等目的。特别地，阳极氧化膜可用作为流体可渗透的膜，其制造成本低并且具有多个孔隙。
通过阳极氧化基础金属形成的阳极氧化膜包括具有形成在其表面上的多个孔隙的多孔层。本文所指的基础金属可为铝(Al)、钛、(Ti)、钨(W)、锌(Zn)等。然而，重量轻、容易加工、热导率优异并且没有重金属污染的铝或铝合金被广泛地用作基础金属。
如图1所示，由阳极氧化金属制造的现有技术的流体可渗透阳极氧化膜公开于美国专利No.8,210,360中。
在现有技术的阳极氧化膜中，形成在阳极氧化膜中的孔隙的内部宽度落于约几纳米到300纳米的范围内。由于孔隙的内部宽度太小，所以孔隙容易被包含在渗透过阳极氧化膜的流体中的外来材料堵塞。这造成流体不能够容易地渗透过阳极氧化膜的问题。
为了改善由阳极氧化膜的孔隙的小直径造成的问题，可设想使用扩大阳极氧化膜的孔隙的方法。然而，由于孔隙的内部宽度在纳米的量级，所以难以扩大孔隙。另外，存在由于孔隙的扩大而显著地减小阳极氧化膜的结构强度的缺陷。
流体(气体或液体)可穿过的流体穿过构件用于流体的扩散、分离、净化、过滤、分析、反应等目的。
一般地，多个通孔形成在流体穿过构件中以使得流体可穿过通孔。为了使在穿过流体穿过构件之后流体被均匀地扩散，优选的是增加通孔的数量同时减小通孔的内部宽度。然而，在减小通孔的内部宽度时涉及诸多困难。
作为上面提及的流体穿过构件的示例，存在着这样一种扩散器(喷头)，其用于均匀地将气体朝向容纳在用于制造液晶显示器(LCD)的真空室内的玻璃注射。液晶显示器(LCD)是一种不发光元件，其通过在阵列基板和彩色滤光片基板之间填充液晶而形成并配置成使用液晶的特性获得图像效果。阵列基板和彩色滤光片基板中的每一个通过以下过程制造：在由玻璃等制成的玻璃透明玻璃上反复地沉积膜的过程，和图案化并蚀刻这样地经沉积的膜的过程。当通过将反应剂和原材料在气态下引入到真空室而执行沉积过程时，这样地引入的气体穿过扩散器(喷头)并且沉积在安装在基座的上表面上的玻璃，从而形成膜。
作为流体穿过构件的现有技术的扩散器(喷头)公开于韩国专利注册No.0653442中。
如图8所示，通过引入部18引入的反应气体穿(渗透)过扩散器15。反应气体朝向安装在基座S上的玻璃注射。
然而，存在这样的问题：不能通过形成在现有技术的扩散器中的孔均匀地朝向玻璃注射反应气体。为了改善这个问题，可设想减小孔的内部宽度并且增加孔的数量。然而，在制造现有技术的扩散器方面存在限制。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种流体可渗透的阳极氧化膜和使用能够改善流体的扩散均匀性的阳极氧化膜的流体可渗透体，所述阳极氧化膜能够使得流体能够渗透并均匀扩散、保持结构强度并且促进其制造。
根据本发明的一个方面，提供一种流体可渗透的阳极氧化膜，其包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙；以及具有比所述孔隙的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜的多个渗透孔。
渗透孔的内部宽度从流体可渗透的阳极氧化膜的一端到流体可渗透的阳极氧化膜的另一端可保持恒定。
孔隙可定位在渗透孔之间。
根据本发明的另一个方面，提供一种流体可渗透体，其包括具有让流体穿过的通孔的流体穿过构件；以及与流体穿过构件联接的流体可渗透的阳极氧化膜，其中流体可渗透的阳极氧化膜包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙，以及具有比所述孔隙的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜的多个渗透孔，所述通孔与所述渗透孔连通。
流体穿过构件可包括彼此连接的至少两个流体穿过构件，并且流体可渗透的阳极氧化膜可布置在两个流体穿过构件之间并且与两个流体穿过构件中的至少一个的表面联接。
流体穿过构件可包括具有形成在流体穿过构件的上表面上的停靠凹槽，并且流体可渗透的阳极氧化膜可停靠在停靠部分上。
第一金属部分可形成在流体可渗透的阳极氧化膜的外围部分中，并且可与流体穿过构件联接。
流体可渗透的阳极氧化膜通过阳极氧化基础金属并且然后去除基础金属而形成。
流体可渗透体可进一步包括：形成在流体可渗透的阳极氧化膜的上表面或下表面上的金属部分。
流体穿过构件可为安装在真空室内的扩散器。
根据本发明的另一方面，提供一种流体可渗透体，其包括：具有让流体穿过的通孔的主体；以及与主体的至少一个表面一体形成的阳极氧化膜，其中阳极氧化膜具有与通孔连通的渗透孔。
其上形成有阳极氧化膜的一个表面上的通孔的内部宽度可大于渗透孔的内部宽度，并且渗透孔可与通孔在通孔的内部宽度的范围内连通。
通孔可包括第一通孔和具有比第一通孔的内部宽度小的内部宽度的第二通孔，并且渗透孔定位在第二通孔下方。
通孔可由倾斜地形成为使得其内部宽度朝向渗透孔变小的内壁限定。
阳极氧化膜可包括第一阳极氧化膜和第二阳极氧化膜，并且所述主体可定位在第一阳极氧化膜和第二阳极氧化膜之间。
根据本发明可取得下列效果。
流体可穿过流体可渗透的阳极氧化膜的渗透孔而不堵塞渗透孔，并且流体可均匀地布置。这样，改善了流体的扩散均匀性。另外，可以保持流体可渗透的阳极氧化膜的结构强度，并且可以容易地制造流体可渗透的阳极氧化膜。另外，流体可渗透的阳极氧化膜使得检查在渗透孔中捕获的杂质的量成为可能。另外，流体可渗透的阳极氧化膜是柔韧的，并且因此在流体穿过膜时在流体流动的方向上弯曲。这样，增加了流体的扩散宽度。另外，可通过将流体可渗透的阳极氧化膜与现有的流体穿过构件组合来制造流体可渗透的阳极氧化膜。因此，其制造工艺简单且容易。另外，渗透孔可形成为保持流体可渗透的阳极氧化膜的结构强度。此外，使用通过阳极氧化主体而形成的阳极氧化膜使得简单并且容易地执行制造工艺成为可能。
附图说明
图1是示出现有技术的流体可渗透的阳极氧化膜的截面图。
图2是根据本发明的第一优选实施例的流体可渗透的阳极氧化膜(包括阻挡层)的透视图。
图3是根据本发明的第二优选实施例的流体可渗透的阳极氧化膜(不包括阻挡层)的透视图。
图4是图2所示的流体可渗透的阳极氧化膜的部分截面的透视图。
图5A是图2所示的第一实施例的流体可渗透的阳极氧化膜的部分截面图，而图5B是图3所示的第二优选实施例的流体可渗透的阳极氧化膜的部分截面图。
图6A和6B是示出在流体渗透时流体可渗透的阳极氧化膜处于弯曲的状态的图。
图7是示出流体可渗透的阳极氧化膜制造方法的框图。
图8是包括现有技术的流体穿过构件(扩散器)的真空室的截面图。
图9是利用根据本发明第一优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的截面图。
图10A是图9所示的流体可渗透体的部分放大的截面图，而图10B是图10A所示的流体可渗透体的底视图。
图11A和11B是示出流体可渗透的阳极氧化膜的改型的图。
图12A-12D是示出图9所述的流体可渗透体的改型的图。
图13是利用根据本发明第二优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的截面图。
图14A是图13所示的流体可渗透体的部分放大的截面图，而图14B是图14A所示的流体可渗透体的底视图。
图15A和15B以及图16A-16D是示出流体可渗透的阳极氧化膜和形成在流体可渗透的阳极氧化膜的一个表面上的第一和第二金属部分的不同示例的截面图和底视图。
图17A-17C是示出流体可渗透的阳极氧化膜安装方法的不同示例的截面图。
图18是示出根据本发明第一优选实施例的流体可渗透体安装在真空室内的状态的截面图。
图19是利用根据本发明第三优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的截面图。
图20A是图19所示的流体可渗透体的部分放大的截面图，而图20B是图20A所示的流体可渗透体的底视图。
图21A和21B是示出流体可渗透的阳极氧化膜的改型的图。
图22A-22C是示出利用第三优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的制造顺序。
图23A-23C是示出利用本发明第四优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的制造顺序的部分放大的截面图。
图24A-24C是示出利用本发明第五优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的制造顺序的部分放大的截面图。
图25和26是示出图24A-24C所示的制造顺序的改型的图。
图27是利用根据本发明第六优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体的截面图。
图28是示出根据本发明第三优选实施例的流体可渗透体安装在真空室内的状态的截面图。
图29-31是示出根据本发明优选实施例的阳极氧化膜(流体可渗透的阳极氧化膜)的照片。
具体实施方式
现在将参考附图详细描述本发明的优选实施例。根据结合附图对优选实施例的下列描述，优点、特征和用于实现优选实施例的方法将变得明了。然而，本发明不限于本文描述的实施例而是可以以不同形式实现。不如说，提供本文公开的实施例以确保公开变得详尽和完善并确保将本发明的构思充分传达给本领域普通技术人员。本发明仅由权利要求书来限定。在说明书前后，相同的参考标号指代相同的部件。
本文使用的术语呈现为用于描述实施例，而不意在限制本发明。在本发明中，除非特别地另有所指，否则单数形式包括复数形式。本文的用语“包含”或“包括”的意思是本文所指的部件、步骤、操作或元件不排除一个或多个其他部件、步骤、操作或元件的存在或其的添加。另外，在说明书的顺序呈现的参考标号不必限于指定的顺序。
本文公开的实施例将参考截面图和/或平面图来描述，截面图和/或平面图是示意本发明的理想示例性图示。在附图中，膜或区域的厚度被放大以有效地描述技术内容。因此，依据制造技术或公差可以改变示例性图示的形式。出于这个原因，本发明的实施例不限于附图示意的具体形式而可包括依据制造工艺产生的形式上的改变。因此，附图示意的区域具有一般属性。附图示意的形状仅示意元件区域的具体形式而不限制本发明的范围。
在下面的描述中，将参考图2-7描述流体可渗透的阳极氧化膜及其制造方法。将参考图9-18描述利用根据本发明第一和第二实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体。将参考图19-28描述利用根据本发明第三到第六实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体。图29-31是示出根据本发明优选实施例的阳极氧化膜(流体可渗透的阳极氧化膜)的照片。
下面，将参考图2-7描述流体可渗透的阳极氧化膜及其制造方法。
如图2所示，根据第一优选实施例的流体可渗透的阳极氧化膜200包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙310；以及具有比所述孔隙310的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜200的多个渗透孔350。
如图2所示，根据本发明的流体可渗透的阳极氧化膜200以矩形形状形成。然而，依据流体可渗透的阳极氧化膜200的安装环境可改变流体可渗透的阳极氧化膜200的形状。
流体可渗透的阳极氧化膜200和200’、孔隙310和渗透孔350的尺寸和厚度为了有效地描述技术内容而以放大的比例示出。
如图2-4所示，流体可渗透的阳极氧化膜200通过阳极氧化金属并且然后去除金属而形成。图2和图4所示的根据本发明第一实施例的流体可渗透的阳极氧化膜200可包括具有孔隙310的多孔层300和形成在多孔层300之下并配置为封闭孔隙310的阻挡层380。
如图2、4和5A所示，孔隙310在流体可渗透的阳极氧化膜200中形成为在上下方向上延伸。孔隙310具有形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210的上端和由阻挡层380封闭的下端。孔隙310是流体可渗透的。
如在图3和5B示出的本发明的第二实施例中那样，流体可渗透的阳极氧化膜200’可仅包括具有多个孔隙310的多孔层300。换言之，在阳极氧化金属之后，可去除金属和阻挡层380以形成流体可渗透的阳极氧化膜200’。结果，图3和5B示出的孔隙310垂直延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜200’。换言之，孔隙310形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200’的上表面210和下表面230。
在流体可渗透的阳极氧化膜200和200’中形成的孔隙310可具有落于几纳米到300纳米范围内的内部宽度。
用作流体可渗透的阳极氧化膜200和200’的基础材料的金属包括铝基金属。也就是说，所述金属可优选为铝或铝合金。流体可渗透的阳极氧化膜200和200’可优选由通过阳极氧化铝基金属获得的氧化铝制成。
同时，渗透孔350形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200和200’中每一个的上表面210和下表面230。在图2、4和5A所示的第一实施例中，渗透孔350形成为延伸通过多孔层300和阻挡层380二者。在图3和5B所示的第二实施例中，渗透孔350形成为延伸通过多孔层300。
渗透孔350以复数的数量形成，以穿透流体可渗透的阳极氧化膜200和200’中每个的上表面210和下表面230。
孔隙310定位在渗透孔350之间的间隙中。换言之，多个孔隙310定位在两个渗透孔350之间。如图5A所示，两个相邻孔隙310之间的间隔开的距离d2小于两个相邻渗透孔350之间的间隔开的距离d1(d1>d2)。
如图2-4所示，渗透孔350的内部宽度大于孔隙310的内部宽度。可以从图5A所述的截面图中注意到，渗透孔350的内部宽度d3设置成大于孔隙310的内部宽度d4(d3>d4)。
可通过蚀刻阳极氧化膜200来形成渗透孔350。渗透孔350形成为平行于孔隙310延伸。如图5A所示，渗透孔350具有从流体可渗透的阳极氧化膜200的一端到流体可渗透的阳极氧化膜200的另一端保持恒定的内部宽度(d3＝d5)。换言之，如图5A所示，每个渗透孔350的内部宽度从其上端到到下端保持恒定。渗透孔350具有落于300纳米到几毫米范围内的内部宽度d3。
同时，如图2所示，从在流体穿过期间保持结构稳定性的观点来看，流体可渗透的阳极氧化膜200的厚度t设置为落于0.4微米到200微米的范围内。
流体可渗透的阳极氧化膜200是半透明的。这是有利的，原因是能够检查在渗透孔350中捕获的杂质的量。
如图6A和6B所示，流体可渗透的阳极氧化膜200具有柔韧性以使得流体可渗透的阳极氧化膜200能够在流体流动方向上弯曲。
现在将参考图6A和6B更加详细地描述流体可渗透的阳极氧化膜200的柔韧性。在图6A中，示意了其中流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400的下表面的横截面状态。多个通孔410形成在流体穿过构件400中。
参考图6B，当流体穿过流体穿过构件400的通孔410并且朝向流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210流动时，流体可渗透的阳极氧化膜200的未以与通孔410对应的关系固定到流体穿过构件400的部分以凸出形状向下弯曲。换言之，流体可渗透的阳极氧化膜200的未以与通孔410的下侧对应的关系固定到流体穿过构件400的部分的上表面210和下表面230的曲率半径减小。这提供扩大了邻接流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面230的渗透孔350的下端部分的效果，从而增加了穿过渗透孔350的流体的扩散范围。
如上所述，根据本发明的穿透流体可渗透的阳极氧化膜200和200’中的每个包括具有比孔隙310的内部宽度大的内部宽度的渗透孔350。这使得流体能够穿过渗透孔350而不阻塞渗透孔并且能够被均匀扩散。
另外，不同于其中每个孔隙310被部分扩大的常规方法，限定孔隙310的内壁不被破坏。这使得能够保持流体可渗透的阳极氧化膜200和200’的结构强度。由于通过蚀刻而形成渗透孔350，所以容易制造流体可渗透的阳极氧化膜200和200’。
下面，将参考图7描述制造根据本发明的流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的方法。
制造流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的方法包括：通过阳极氧化金属来在流体可渗透的阳极氧化膜200或200’中形成多个规则布置的孔隙310的步骤(S1)；去除金属的步骤(S2)；以及蚀刻具有孔隙310的流体可渗透的阳极氧化膜200或200’，以形成具有比孔隙310的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的渗透孔350的步骤(S3和S4)。
蚀刻流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的步骤(S3和S4)包括：掩蔽流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的步骤(S3)；和通过蚀刻形成渗透孔350的步骤(S4)。
第一，形成孔隙310的步骤(S1)是在其中通过阳极氧化作为基础材料的金属形成孔隙310的步骤。
第二，去除金属的步骤(S2)是在其中在阳极氧化金属之后去除作为基础材料的金属的步骤。在去除金属时，留下具有孔隙310的多孔层300和阻挡层380，或者仅留下具有垂直延伸通过多孔层300的孔隙310的多孔层300。
第三，掩蔽流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的步骤(S3)是在其中依照要形成的渗透孔350的图案来掩蔽可渗透的阳极氧化膜200或200’的一个表面的步骤。换言之，掩蔽流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的步骤(S3)是在其中覆盖除了流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的渗透孔形成区域之外的区域以便保护该区域不受蚀刻溶液影响的步骤。
第四，蚀刻流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的步骤(S4)是在其中使用蚀刻溶液形成渗透孔350的步骤。仅未掩蔽的区域被蚀刻溶液蚀刻以形成渗透孔350。
如上所述，可容易地通过蚀刻来形成具有比孔隙310的内部宽度大的内部宽度的渗透孔350。此外，能够包括结构稳定性并容易制造流体可渗透的阳极氧化膜200或200’。
下面，将参考图9-18描述利用根据本发明的第一和第二实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体。
参考图9-11，利用根据本发明的第一优选实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体包括：具有流体可穿过的通孔410的流体穿过构件400；以及与流体穿过构件400联接的流体可渗透的阳极氧化膜200，其中流体可渗透的阳极氧化膜200包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙310，以及具有比所述孔隙310的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜200的多个渗透孔350，通孔410与渗透孔350连通。
为了有效地描述技术内容，图9-18所示的流体穿过构件400、通孔410、流体可渗透的阳极氧化膜200或200’、孔隙310和渗透孔350的尺寸和厚度以放大的比例示出。
如图18所示，流体穿过构件400可为安装在真空室600内的扩散器。扩散器用于允许通过引入部610引入的反应气体从其穿过并朝向安装在基座630的上表面上的玻璃620注射反应气体。由于安装在真空室600内的扩散器在包括之前所描述的现有技术的现有技术中是周知的，因此将在此省略对其的详细描述。
该实施例的流体穿过构件400可为安装在用于制造液晶显示器的真空室600中的扩散器。在该情况下，流体穿过构件400可优选具有长方体形状。在半导体制造装置的情况下，扩散器可形成为盘形。不用说，流体穿过构件400的形状可依据安装环境及其条件而改变。
如图9和10所示，多个通孔410形成在流体穿过构件400中。流体可穿过通孔410。如图10A所示，通孔410形成为使得其中间部分比其上和下部分窄。
每个通孔410包括定位在其上部分中并配置为引入反应气体的第一部412、从第一部412的下端向下延伸使得其内部宽度向下变小的第二部414、从第二部414的下端向下垂直延伸的第三部416和从第三部416的下端向下延伸使得其内部宽度向下变大的第四部418。
引导到每个通孔410的第一部412的反应气体顺序地穿过第二部414、第三部416和第四部418，并且然后朝向流体可渗透的阳极氧化膜200流动。
如图10A所示，第一部412由形成为垂直延伸的内壁限定。
第二部414定位在第一部412和第三部416之间，并且由倾斜地形成为使得其内部宽度向下变小的内壁限定。
第三部416定位在第二部414和第四部418之间并且由形成为垂直延伸的内壁限定。第三部416具有比第一部412的上端和第四部418的下端的内部宽度小的内部宽度。第三部416用于减小反应气体的压力并增加反应气体的流速。
第四部418具有连接到第三部416的下端的上端并形成为使得其内部宽度向下变大。穿过第三部416的反应气体被扩散并且通过第四部418朝向流体可渗透的阳极氧化膜200注射。第四部418的下端部分可与流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210接触。流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400的下表面。
在该实施例中，流体可渗透的阳极氧化膜200的形状可优选对应于流体穿过构件400的形状。另外，流体可渗透的阳极氧化膜200的外围的尺寸可近似等于流体穿过构件400的外围的尺寸。
流体可渗透的阳极氧化膜200包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙310；以及具有比所述孔隙310的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜200的多个渗透孔350。
流体可渗透的阳极氧化膜200通过阳极氧化基础金属并且然后去除基础金属而形成。
如图10、11A所示，流体可渗透的阳极氧化膜200可仅包括具有孔隙310的多孔层300。换言之，在阳极氧化金属之后，可不仅去除金属还去除阻挡层380。这样，图10和11A所示的孔隙310垂直延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜200。换言之，孔隙310形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210和下表面230。
替代地，如图11B所示，流体可渗透的阳极氧化膜200’可包括具有孔隙310的多孔层300和形成在多孔层300之下并配置为封闭孔隙310的一个端的阻挡层380。
在图11B所示的流体可渗透的阳极氧化膜200’中，多个孔隙310形成为在上下方向上延伸。孔隙310的上端形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210，即，多孔层300的上表面210。孔隙310的下端由阻挡层380封闭。
在图11A和11B所示的流体可渗透的阳极氧化膜200或200’中，孔隙310具有落于约几纳米到300纳米的范围内的内部宽度d4。
用作流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的基础材料的金属包括铝基金属。铝基金属可优选为铝或铝合金。流体可渗透的阳极氧化膜200或200’可优选由通过阳极氧化铝基金属获得的氧化铝制成。
同时，渗透孔350形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的上表面210和下表面230。图10和11A所示的渗透孔350形成为穿透多孔层300。在图11B中示出的渗透孔350形成为穿透多孔层300和阻挡层380二者。渗透孔350以复数的数量形成为穿透流体可渗透的阳极氧化膜200或200’的上表面210和下表面230。
如图10A、10B、11A和11B所示，多个孔隙310定位在渗透孔350之间的间隙中。换言之，多个孔隙310定位在彼此邻接的两个渗透孔350之间。如图11A所示，两个相邻孔隙310之间的间隔开的距离d2小于两个相邻渗透孔350之间的间隔开的距离d1(d1>d2)。
如图10A、10B、11A和11B所示，渗透孔350的内部宽度大于孔隙310的内部宽度。可以从图11A所述的截面图中注意到，渗透孔350的内部宽度d3设置成变得大于孔隙310的内部宽度d4(d3>d4)。
可通过蚀刻阳极氧化膜200来形成渗透孔350。渗透孔350形成为平行于孔隙310延伸。如图11A所示，渗透孔350具有从流体可渗透的阳极氧化膜200的一端到流体可渗透的阳极氧化膜200的另一端保持恒定的内部宽度(d3＝d5)。换言之，每个渗透孔350的内部宽度从其上端到下端保持恒定。渗透孔350具有落于300纳米到几毫米范围内的内部宽度d3。
同时，如图10A所示，流体可渗透的阳极氧化膜200的厚度t设置为落于0.4微米到200微米的范围内。
流体可渗透的阳极氧化膜200由半透明材料制成。因此能够检查在渗透孔350中捕获的杂质的量。
多个渗透孔350可对应于形成在流体穿过构件400中的一个通孔410并且可与其连通。在图10A的截面图中，两个渗透孔350以一个通孔410的内部宽度的范围布置在一个通孔410下方。替代地，三个或更多个渗透孔350可布置在一个通孔410的内部宽度的范围内并且可与一个通孔410连通。
如上所述，具有渗透孔350的流体可渗透的阳极氧化膜200联接到具有通孔410的流体穿过构件400。这使得能够改善流体的扩散均匀性。
另外，流体可渗透的阳极氧化膜200可联接到现有的流体穿过构件400。这样，制造工艺简单并且易于执行。
下面，将参考图12描述流体可渗透的阳极氧化膜200的安装位置的改型。
如图12A和12B所示，流体可渗透的阳极氧化膜200可联接到流体穿过构件400的下表面和上表面中的任一个。
图12A示出如下状态：如图9所示的第一实施例中一般，流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400的下表面。在图12B中，示出了如下状态：流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400的上表面。
另外，如图12C所示，两个流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400的上表面和下表面。另外，如图12D所示，两个或更多个流体穿过构件400可联接到流体可渗透的阳极氧化膜200。流体可渗透的阳极氧化膜200可固定到至少一个流体穿过构件400的一个表面。在图12D示出的示例中，两个流体穿过构件400在上下方向上彼此间隔开，并且流体可渗透的阳极氧化膜200布置在两个流体穿过构件400之间。流体可渗透的阳极氧化膜200与两个间隔开的流体穿过构件400的相互面对表面接触。
流体可渗透的阳极氧化膜200具有柔韧性，以使得流体可渗透的阳极氧化膜200能够在流体流动方向上弯曲。
当流体可渗透的阳极氧化膜200如图10A和12A所示那样联接到流体穿过构件400的下表面时，如果流体穿过流体穿过构件400的通孔410并且朝向流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210流动，则流体可渗透的阳极氧化膜200的未以与通孔410对应的关系固定到流体穿过构件400的部分以凸出形状向下弯曲。换言之，流体可渗透的阳极氧化膜200的未以与通孔410的下侧对应的关系固定到流体穿过构件400的那部分的上表面210和下表面230的曲率半径减小。这提供扩大了邻接流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面230的渗透孔350的下端部分的效果，从而增加了穿过渗透孔350的流体的扩散范围。
如上所述，流体可渗透的阳极氧化膜200和200’中的每个包括具有比孔隙310的内部宽度大的内部宽度的渗透孔350。这使得流体能够穿过渗透孔350而不阻塞渗透孔并且能够被均匀扩散。另外，不同于其中每个孔隙310被部分扩大的情况，限定孔隙310的内壁不被破坏。这使得能够保持流体可渗透的阳极氧化膜200和200’的结构强度。由于通过蚀刻而形成渗透孔350，所以容易制造流体可渗透的阳极氧化膜200和200’。
金属部分510、520、525或540可布置在流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面210或下表面230上。
根据本发明第二实施例的流体可渗透体(其示出于图13、14A和14B中)包括布置在流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面230上的金属部分。下面，将图13、14A和14B示出的金属部分称为基础金属部分540。
图15A和15B示出的金属部分将称为第一金属部分510。图16A-16D示出的金属部分将称为第二金属部分520a、520b和520c。
在根据图13、14A和14B示出的第二实施例的流体可渗透体中，流体可渗透的阳极氧化膜200与布置在其下表面上的基础金属部分540一体地形成。更具体地，在阳极氧化金属之后，并不去除基础金属。基础金属对应于布置在流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面上的基础金属部分540。
如图13、14A和14B所述，基础金属部分540以与流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面的整体对应的关系布置在流体可渗透的阳极氧化膜200下方。与渗透孔350连通的通孔545形成在基础金属部分540中。
通孔545以复数的数量形成。通孔545的内部宽度设置为比渗透孔350的内部宽度大。另外，通孔545的内部宽度向上变小。换言之，通孔545的内部宽度朝向流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面变小。与流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面接触的每个通孔545的上端的内部宽度设置为比渗透孔350的内部宽度大。可通过在基础金属部分540上方布置阳极氧化膜200、部分蚀刻基础金属部分540以形成通孔545并且然后蚀刻阳极氧化膜200以形成渗透孔350的方式获得该结构。
如图14A和14B所示，通孔545布置在渗透孔350和孔隙310下方。多个渗透孔350可在一个通孔545的内部宽度的范围内与一个通孔545对应并且与其连通。一个或多个渗透孔350布置在每个通孔545上方以对应于每个通孔545并且与其连通。
在穿过通孔410和渗透孔350之后，通过通孔545向下注射反应气体。将不再描述与第一实施例相同的第二实施例的部分。
下面，将参考图15A和15B以及图16A-16D描述第一金属部分510和第二金属部分520a、520b和520c。第一金属部分510及第二金属部分520a、520b和520c用于增强阳极氧化膜200的强度并将阳极氧化膜200联接到其他部件。
如图15A和15B所示，第一金属部分510形成在流体可渗透的阳极氧化膜200的外周部分中。更具体地，第一金属部分510形成在流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面的外周部分中。第一金属部分510可通过阳极氧化金属并且然后去除金属的中央部分(或内部部分)同时留下金属的外周部分而形成。这样，如图15A所示，第一金属部分510从流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面的外周向下突出。流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面的中央部分(内部部分)向下打开。也就是说，可以从图15B的底视图中注意到，流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面的中央部分打开。
如图17B所示，图15A和15B中示出的第一金属部分510可用于将流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400。第一金属部分510可例如通过焊接或其他方法联接到流体穿过构件400。
如图16A-16D所示，第二金属部分520a、520b和520c以复数的数量彼此以间隔开的关系形成。第二金属部分520a、520b和520c借助插入在其间的空间550而彼此间隔开并且可彼此部分连接。
更具体地，如图16D所示，第二金属部分520a、520b和520c包括：形成在流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面的外周部分中的第二金属部分520a、以相互间隔开的平行关系形成在第二金属部分520a内部的多个第二金属部分520b和以相互间隔开的平行关系形成为垂直于第二金属部分520b的多个第二金属部分520c。
第二金属部分520b和第二金属部分520c在其相对端处连接到第二金属部分520a。第二金属部分520b和第二金属部分520c的其余部分与第二金属部分520a间隔开。第二金属部分520b和第二金属部分520c彼此垂直以形成格子图案。空间550由第二金属部分520a、第二金属部分520b和第二金属部分520c限定。空间550定位在流体可渗透的阳极氧化膜200下方，以使得渗透孔350与空间550连通。穿过渗透孔350的反应气体通过空间550向下注射。
现在将参考图16A-16D描述形成第二金属部分520a、520b和520c的方法。
首先，如图16A所示，要被阳极氧化以形成流体可渗透的阳极氧化膜200的基础金属不仅包括第二金属部分520a、第二金属部分520b和第二金属部分520c，还包括配置为封闭空间550的第三金属部分525。
在如图16A所示通过阳极氧化基础金属而形成流体可渗透的阳极氧化膜200之后，如图16B所示，去除第三金属部分525。
此后，如图16所述，渗透孔350形成为垂直穿透流体可渗透的阳极氧化膜200。这样，形成了第二金属部分520a、520b和520c，如图16C和16D所示。
第二金属部分520a、520b和520c配置为支撑流体可渗透的阳极氧化膜200的下表面，从而在流体穿过流体可渗透的阳极氧化膜200时，防止流体可渗透的阳极氧化膜200过度向下弯曲。
现在将参考图17A-17C描述将流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400的方法。
如图17A所示，可在流体穿过构件400的上表面上形成具有停靠凹槽430的停靠部分。流体可渗透的阳极氧化膜200停靠在停靠部分上。停靠部分包括停靠凹槽430和邻接停靠凹槽430的上端的流体穿过构件400的上表面。
更具体地，停靠凹槽430可由矩形边框限定，并且可形成为凹陷形状，以使得流体可渗透的阳极氧化膜200可插入到停靠凹槽430中。这样，如图16A所示，流体可渗透的阳极氧化膜200可整个插入并且停靠到停靠凹槽430中。作为替代示例，流体可渗透的阳极氧化膜200可部分插入并且停靠到停靠凹槽430中。
在图17B所示的示例中，如上所述，第一金属部分510通过焊接或其他方法固定到流体穿过构件400，如图15A和15B所示。然后，将流体可渗透的阳极氧化膜200联接到流体穿过构件400。
如图17C所示，流体可渗透的阳极氧化膜200可布置在一个堆叠在另一个上的两个流体穿过构件400之间。当流体穿过构件400组合在一起时，就可将流体可渗透的阳极氧化膜200固定就位。
将参考图17C更详细地进行描述。使用布置在流体穿过构件400外周部分中的组合构件530将在上下方向上间隔开的流体穿过构件400组合在一起。流体可渗透的阳极氧化膜200固定在彼此间隔开的两个流体穿过构件400之间。通过布置在流体可渗透的阳极氧化膜200的上和下侧处的流体穿过构件400使流体可渗透的阳极氧化膜200的上表面和下表面接触并压缩。
如图18所示，流体穿过构件400可例如为安装在用于制造液晶显示器的真空室600中的扩散器。通过引入部610引入的反应气体穿过流体穿过构件400的通孔410(其为扩散器)，并且然后穿过流体可渗透的阳极氧化膜200的渗透孔。此后，将反应气体均匀地扩散并朝向安装在基座630的上表面上的玻璃620注射。
下面，将参考图19-28描述利用根据本发明的第三到第六实施例的阳极氧化膜的流体可渗透体。
如图19-22所示，利用根据本发明的第三实施例的阳极氧化膜200的流体可渗透体包括：具有流体可穿过的通孔410的主体400；以及与主体400的至少一个表面一体地形成的流体可渗透的阳极氧化膜200，其中，阳极氧化膜200具有与通孔410连通的渗透孔350。
为了有效地描述技术内容，图19-28所示的主体400、通孔410、阳极氧化膜200或200’、孔隙310和渗透孔350的尺寸和厚度以放大的比例示出。
如图28所示，利用阳极氧化膜200的流体可渗透体可为安装在真空室600内的扩散器。扩散器用于允许通过引入部610引入的反应气体从其穿过并朝向安装在基座630的上表面上的玻璃620注射反应气体。由于安装在真空室600内的扩散器在包括之前所描述的现有技术的技术领域中是周知的，因此将在此省略对其的详细描述。
其中主体400和阳极氧化膜200被一体地形成的流体可渗透体可为安装在用于制造液晶显示器的真空室600中的扩散器。在该情况下，流体可渗透体可优选具有长方体形状。在半导体制造装置的情况下，扩散器可形成为盘形。不用说，流体穿过构件400的形状可依据安装环境及其条件而改变。
如图19、20A和20B所示，多个通孔410形成在主体400中。流体可穿过通孔410。
如图20A所示，通孔410形成为使得其下部的内部宽度比其上部的内部宽度小。也就是说，孔410形成为使得邻接渗透孔350的下部的内部宽度比其上部的内部宽度小。
每个通孔410包括定位在上部分中的第一通孔411和具有比第一通孔411的内部宽度小的内部宽度的第二通孔416。阳极氧化膜200的渗透孔350定位在第二通孔416下方。
第一通孔411包括：定位在上部分中并配置为引入反应气体的第一部412，以及从第一部412的下端向下延伸使得其内部宽度向下变小的第二部414。第二通孔416从第二部414的下端向下垂直延伸。
在顺序地通过第二部414和第二通孔416之后，将引入到第一通孔411的第一部412中的反应气体朝向阳极氧化膜200注射。
如图20A所示，第一部412由形成为垂直延伸的内壁限定。
第二部414定位在第一部412和第二通孔416之间，并且由倾斜地形成为使得其内部宽度向下变小的内壁限定。
第二通孔416定位在第二部414和渗透孔350之间并且由形成为垂直延伸的内壁限定。第二通孔416的内部宽度设置为比第一部412的内部宽度小。第二通孔416用于减小反应气体的压力并增加反应气体的流速。第二通孔416的下端部分可与阳极氧化膜200的上表面210接触。
阳极氧化膜200布置在主体400的一个表面(即下表面)上。在主体400的其上布置有阳极氧化膜200的一个表面(即下表面)上，通孔410的内部宽度大于渗透孔350的内部宽度。换言之，第二通孔416的下端部的内部宽度大于渗透孔350的内部宽度。多个渗透孔350与第二通孔416(其为每个通孔410的下部)连通。
在该实施例中，流体可渗透的阳极氧化膜200可优选具有与流体穿过构件400的形状对应的形状。另外，可以以基本与主体400的外围的尺寸相等的尺寸形成阳极氧化膜200的外围。
阳极氧化膜200包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙310；以及具有比所述孔隙310的内部宽度大的内部宽度并延伸通过阳极氧化膜200的多个渗透孔350。要被阳极氧化以形成阳极氧化膜200的金属可以为如上所述的主体400。换言之，可通过阳极氧化主体400来形成阳极氧化膜200。
替代地，可通过阳极氧化基础金属并且然后去除基础金属来形成阳极氧化膜200。此后，可在阳极氧化膜200的至少一个表面上对主体400进行气相沉积，从而形成本发明的流体可渗透体。
如图20A、20B和21A所示，阳极氧化膜200可包括具有孔隙310的多孔层300和形成在多孔层300之上并配置为封闭孔隙310的一个端的阻挡层380。
在上下方向上延伸的多个孔隙310形成在阳极氧化膜200中。每个孔隙310的下端形成为穿透阳极氧化膜200的下表面230，即，多孔层300的下表面230。另外，每个孔隙310的上端由阻挡层380封闭。
替代地，如在图21B所述，阳极氧化膜200’可仅包括具有多个孔隙310的多孔层300。换言之，在阳极氧化金属之后，可去除金属和阻挡层380。结果，图21B示出的孔隙310垂直延伸通过阳极氧化膜200’。换言之，孔隙310形成为穿透阳极氧化膜200’的上表面210和下表面230。
下面，将基于通过阳极氧化主体400而一体地形成在主体400的一个表面上的阳极氧化膜200进行描述。
如图21A所示，阳极氧化膜200的孔隙310具有落于几纳米到300纳米的范围内的内部宽度d4。
阳极氧化膜200或200’的用作基础材料的金属包括铝基金属。也就是说，所述金属可优选为铝或铝合金。阳极氧化膜200和200’可优选由通过阳极氧化铝基金属获得的氧化铝制成。
同时，渗透孔350形成为穿透阳极氧化膜200或200’的上表面210和下表面230。图20A、20B和21A所示的渗透孔350形成为延伸通过多孔层300和阻挡层380二者。图21B中示意的渗透孔350形成为仅延伸通过多孔层300。
渗透孔350以复数的数量形成为穿透阳极氧化膜200或200’的上表面210和下表面230。
如图20A、20B、21A和21B所示，孔隙310定位在渗透孔350之间的间隙中。换言之，多个孔隙310定位在两个渗透孔350之间。如图21A所示，两个相邻孔隙310之间的间隔开的距离d2小于两个相邻渗透孔350之间的间隔开的距离d1(d1>d2)。
如图20A、20B、21A和21B所示，渗透孔350的内部宽度大于孔隙310的内部宽度。可以从图21A所示的截面图中注意到，渗透孔350的内部宽度d3设置成大于孔隙310的内部宽度d4(d3>d4)。
可通过蚀刻阳极氧化膜200来形成渗透孔350。渗透孔350形成为平行于孔隙310垂直延伸。
如图21A所示，渗透孔350具有从流体可渗透的阳极氧化膜200的一端到流体可渗透的阳极氧化膜200的另一端保持恒定的内部宽度(d3＝d5)。换言之，每个渗透孔350的内部宽度从其上端到下端保持恒定。渗透孔350具有落于300纳米到几毫米范围内的内部宽度d3。
同时，如图20A所示，阳极氧化膜200的厚度t设置为落于0.4微米到200微米的范围内。
阳极氧化膜200由半透明材料制成。因此能够检查在渗透孔350中捕获的杂质的量。
多个渗透孔350可对应于形成在流体穿过构件400中的一个通孔410并与其连通。在图20A的截面图中，两个渗透孔350在一个通孔410的内部宽度的范围内布置在一个通孔410下方。替代地，三个或更多个渗透孔350可布置在一个通孔410的内部宽度的范围内并且可与一个通孔410连通。
如上所述，具有渗透孔350的阳极氧化膜200与具有通孔410的主体400一体地形成。这使得能够改善流体的扩散均匀性。
另外，使用了通过阳极氧化主体400而形成在主体400的一个表面上的阳极氧化膜200。这样，制造工艺简单并且易于执行。
下面，将参考图22A-22C描述制造根据本发明第三实施例的流体可渗透体的方法。
第一，如图22A所示，通过阳极氧化主体400而在金属制成的主体400的下表面上形成具有多个规则布置的孔隙310的阳极氧化膜200。
第二，如图22B所示，在主体400中形成每个都包括第一通孔411和第二通孔416的通孔410a。首先，可通过蚀刻形成第一通孔411。之后，可通过蚀刻形成第二通孔416。
第三，如图22C所示，渗透孔350形成为延伸通过阳极氧化膜200。可以通过在以期望图案掩蔽阳极氧化膜200的下表面之后使用蚀刻溶液而形成渗透孔350。
阳极氧化膜200具有柔韧性，以使得阳极氧化膜200能够在流体流动方向上弯曲。当阳极氧化膜200形成在主体400的下表面上时，如果流体穿过流体穿过构件400的通孔410并且朝向阳极氧化膜200的上表面210流动，则阳极氧化膜200的未以与通孔410对应的关系固定到主体400的部分以凸出形状向下弯曲。换言之，阳极氧化膜200的未以与通孔410的下侧对应的关系固定到主体400的那部分的上表面210和下表面230的曲率半径减小。这提供了扩大了邻接阳极氧化膜200的下表面230的渗透孔350的下端部分的效果，从而增加了穿过渗透孔350的流体的扩散范围。
如上所述，阳极氧化膜200和200’每个包括具有比孔隙310的内部宽度大的内部宽度的渗透孔350。这使得流体能够穿过渗透孔350而不阻塞渗透孔350并且能够被均匀扩散。另外，不同于其中每个孔隙310被部分扩大的情形，限定孔隙310的内壁不被破坏。这使得能够保持阳极氧化膜200和200’的结构强度。由于通过蚀刻而形成渗透孔350，所以容易制造阳极氧化膜200和200’。
在图23A、23B和23C中，示出了制造根据本发明第四实施例的流体可渗透体的方法。根据本发明第四实施例的方法针对其中仅通过蚀刻而形成通孔410的情形，原因在于主体400的高度小于根据第三实施例的主体400的高度。
第一，如图23A所示，在主体400的下表面上形成具有多个规则布置的孔隙310的阳极氧化膜200。
第二，如图23B所示，在主体400中形成多个垂直延伸的通孔410a。在第四实施例中，可通过蚀刻形成通孔410a。每个通孔410a由倾斜地形成为使得其内部宽度向下变小的内壁限定。换言之，每个通孔410a的内部宽度朝向渗透孔350变小。
第三，如图23C所示，在阳极氧化膜200中形成垂直延伸通过阳极氧化膜200的渗透孔350。通过上述三个步骤制造根据图23C所示的第四实施例的流体可渗透体。
在图24A、24B和24C中，示出了制造根据本发明第五实施例的流体可渗透体的方法。如图24C所示，根据第五实施例的流体可渗透体包括第一阳极氧化膜200a、第二阳极氧化膜200b及定位在第一阳极氧化膜200a和第二阳极氧化膜200b之间的主体400。
第一，如图24A所示，通过阳极氧化主体400而在金属制成的主体400的相对表面上形成具有多个规则布置的孔隙310的第一阳极氧化膜200a和具有多个规则布置的孔隙310的第二阳极氧化膜200b。如图24A所示，第一阳极氧化膜200a形成在主体400的上表面上。第二阳极氧化膜200b形成在主体400的下表面上。
第二，如图24B所示，渗透孔350形成为垂直延伸通过第一阳极氧化膜200a和第二阳极氧化膜200b。可通过蚀刻而形成渗透孔350。渗透孔350包括形成在第一阳极氧化膜200a中的第一渗透孔350a和形成在第二阳极氧化膜200b中的第二渗透孔350b。
第三，如图24C所示，在主体400中形成通孔410b。通孔410b定位在第一渗透孔350a和第二渗透孔350b之间，以便与第一渗透孔350a和第二渗透孔350b连通。
每个通孔410b由倾斜地形成为使得其内部宽度向下变小的内壁限定。换言之，每个通孔410b的内部宽度朝向第二阳极氧化膜200b变小。可经由通过将蚀刻溶液倒入第一渗透孔350a中的蚀刻工艺来形成通孔410b。
在图25和26中，示出了作为通孔410b的改型的通孔410c和通孔410d。
不同于图24c中示出具有向下变小的内部宽度的通孔410b，图25中示出的通孔410c具有朝向主体400的内部变小的直径(或内部宽度)。换言之，通孔410c具有从上部朝向中部变小并且从下部朝向中部变小的内部直径。经由通过将蚀刻溶液倒入第一渗透孔350a和第二渗透孔350b中的蚀刻工艺来形成图25所示的通孔410c。
图26所示的通孔410d具有向上变小的内部宽度。换言之，图26所示的通孔410d具有朝向第一阳极氧化膜200a变小的内部宽度。可经由通过将蚀刻溶液倒入存在于主体400下面的第二渗透孔350b中的蚀刻工艺来形成图26所示的通孔410d。
在图27中，示出了根据本发明第六实施例的流体可渗透体。根据第六实施例的流体可渗透体不包括主体400，而仅包括多个阳极氧化膜200c、200d和200e。
根据第六实施例的流体可渗透体包括具有让流体穿过的第三渗透孔350c的第三阳极氧化膜200c，以及垂直地与第三阳极氧化膜200c间隔开并具有让流体穿过的第四渗透孔350d的第四阳极氧化膜200d，其中第三渗透孔350c和第四渗透孔350d彼此连通，并且第四渗透孔350d具有比第三渗透孔350c的内部宽度小的内部宽度。根据第六实施例的流体可渗透体进一步包括垂直地与第四阳极氧化膜200d间隔开并具有第五渗透孔350e的第五阳极氧化膜200e。
如图27所示，第三阳极氧化膜200c、第四阳极氧化膜200d和第五阳极氧化膜200e垂直地彼此间隔开。联接构件(未示出)布置在第三阳极氧化膜200c的外围和第四阳极氧化膜200d的外围之间，并且在第四阳极氧化膜200d的外围和第五阳极氧化膜200e的外围之间，以便保持第三阳极氧化膜200c、第四阳极氧化膜200d和第五阳极氧化膜200e彼此间隔开。
另外，如图27所示，多个第四渗透孔350d和多个第五渗透孔350e以与一个第三渗透孔350c的内部宽度的范围对应的关系形成在一个第三渗透孔350c下方。第四渗透孔350d具有比第三渗透孔350c的内部宽度小的内部宽度。第五渗透孔350e具有比第四渗透孔350d的内部宽度小的内部宽度。
通过真空室600的引入部610引入的流体顺序地穿过第三渗透孔350c、第四渗透孔350d和第五渗透孔350e。这样，第三渗透孔350c、第四渗透孔350d和第五渗透孔350e的内部宽度设置成沿流体流动方向从第三渗透孔350c朝着第五渗透孔350e变小。另外，渗透孔350c、350d和350e的数量沿流体流动方向变大。根据第六实施例的流体可渗透体可为安装在真空室600内的扩散器。
参考图28，参考图19-27描述的流体可渗透体可为安装在用于制造液晶显示器的真空室600内的扩散器。通过引入部610引入的反应气体穿过主体400的通孔410和用作扩散器的流体可渗透体的阳极氧化膜200的渗透孔350。此后，反应气体被均匀地扩散并且朝向安装在基座630的上表面上的玻璃620注射。
尽管在上面描述了本发明的优选实施例，但是本发明不限于前述的实施例。自不待言，在不背离限定在权利要求书中的本发明的精神和范围的情况下，本领域技术人员可作出各种变化和修改。

Claims (11)

1.一种流体可渗透体，其包括：
具有让流体穿过的多个通孔(410)的流体穿过构件(400)；以及
与流体穿过构件(400)联接的流体可渗透的阳极氧化膜(200)，
其中，流体可渗透的阳极氧化膜(200)包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙(310)，以及具有比所述孔隙(310)的内部宽度大的内部宽度并延伸通过流体可渗透的阳极氧化膜(200)的多个渗透孔(350)，
其中，在其上形成有所述流体可渗透的阳极氧化膜(200)的所述流体穿过构件(400)的表面上的通孔(410)的内部宽度大于渗透孔(350)的内部宽度，并且所述通孔(410)与多个渗透孔(350)连通。
2.根据权利要求1所述的流体可渗透体，其中，流体穿过构件(400)包括彼此联接的至少两个流体穿过构件，并且流体可渗透的阳极氧化膜(200)布置在两个流体穿过构件之间并且与两个流体穿过构件中的至少一个的表面联接。
3.根据权利要求1所述的流体可渗透体，其中，流体穿过构件(400)包括具有形成在流体穿过构件(400)的上表面上的停靠凹槽(430)的停靠部分，并且流体可渗透的阳极氧化膜(200)停靠在所述停靠部分上。
4.根据权利要求1所述的流体可渗透体，其中，第一金属部分(510)形成在流体可渗透的阳极氧化膜(200)的外围部分中，并且与流体穿过构件(400)联接。
5.根据权利要求1所述的流体可渗透体，其中，流体可渗透的阳极氧化膜(200)通过阳极氧化基础金属并且然后去除所述基础金属而形成。
6.根据权利要求1所述的流体可渗透体，进一步包括：
形成在流体可渗透的阳极氧化膜(200)的上表面或下表面上的金属部分。
7.根据权利要求1所述的流体可渗透体，其中，流体穿过构件(400)为安装在真空室内的扩散器。
8.一种流体可渗透体，其包括：
具有让流体穿过的多个通孔(410)的流体穿过构件(400)；以及
与所述流体穿过构件(400)的至少一个表面一体形成的流体可渗透的阳极氧化膜(200)，所述流体可渗透的阳极氧化膜(200)包括：通过阳极氧化金属而形成的多个规则布置的孔隙(310)，以及具有比所述孔隙(310)的内部宽度大的内部宽度并延伸通过所述流体可渗透的阳极氧化膜(200)的多个渗透孔(350)，
其中，在其上形成有所述流体可渗透的阳极氧化膜(200)的表面上的通孔(410)的内部宽度大于所述渗透孔(350)的内部宽度，并且所述多个渗透孔(350)在所述通孔(410)的内部宽度的范围内与通孔(410)连通。
9.根据权利要求8所述的流体可渗透体，其中，通孔(410)包括第一通孔(411)和具有比第一通孔(411)的内部宽度小的内部宽度的第二通孔(416)，并且渗透孔(350)定位在第二通孔(416)下方。
10.根据权利要求8所述的流体可渗透体，其中，通孔(410)由倾斜地形成为使得其内部宽度朝向渗透孔(350)变小的内壁限定。
11.根据权利要求8所述的流体可渗透体，其中，流体可渗透的阳极氧化膜(200)包括第一阳极氧化膜(200a)和第二阳极氧化膜(200b)，并且所述流体穿过构件(400)定位在第一阳极氧化膜(200a)和第二阳极氧化膜(200b)之间。
CN201611125095.5A 2015-12-09 2016-12-08 流体可渗透的阳极氧化膜及用阳极氧化膜的流体可渗透体 Active CN106853341B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150175204A KR102476588B1 (ko) 2015-12-09 2015-12-09 양극산화막을 이용한 유체투과체
KR1020150175202A KR102471588B1 (ko) 2015-12-09 2015-12-09 유체투과성 양극산화막 및 유체투과성 양극산화막의 제조방법
KR10-2015-0175202 2015-12-09
KR1020150175181A KR20170068230A (ko) 2015-12-09 2015-12-09 양극산화막을 이용한 유체투과체
KR10-2015-0175204 2015-12-09
KR10-2015-0175181 2015-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106853341A CN106853341A (zh) 2017-06-16
CN106853341B true CN106853341B (zh) 2021-02-23

Family

ID=57471739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611125095.5A Active CN106853341B (zh) 2015-12-09 2016-12-08 流体可渗透的阳极氧化膜及用阳极氧化膜的流体可渗透体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10533253B2 (zh)
EP (1) EP3178540A1 (zh)
CN (1) CN106853341B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102652258B1 (ko) * 2016-07-12 2024-03-28 에이비엠 주식회사 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
JP6406480B1 (ja) * 2017-03-01 2018-10-17 株式会社村田製作所 濾過フィルタ
CN109487236A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 普因特工程有限公司 流体可渗透构件
KR20190114330A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사헤드
KR102457191B1 (ko) * 2018-05-16 2022-10-20 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사 시스템
CN110648956A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 普因特工程有限公司 微发光二极管转印头
KR102650163B1 (ko) * 2018-10-29 2024-03-21 (주)포인트엔지니어링 프로브 카드용 가이드 플레이트 및 그 제조방법 및 이를 구비한 프로브 카드
KR20200085507A (ko) * 2019-01-07 2020-07-15 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사헤드
KR20200099019A (ko) * 2019-02-13 2020-08-21 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 흡착체
KR20200104061A (ko) * 2019-02-26 2020-09-03 (주)포인트엔지니어링 프로브 카드용 가이드 플레이트 및 이를 구비한 프로브 카드
KR20200129751A (ko) * 2019-05-10 2020-11-18 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제작 방법 및 마이크로 led 디스플레이
KR20210100372A (ko) * 2020-02-06 2021-08-17 (주)포인트엔지니어링 양극산화막 구조체

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050188617A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Casio Computer Co., Ltd. Reactor and power generator
US20060060138A1 (en) * 2004-09-20 2006-03-23 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20070235137A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Tokyo Electon Limited Gas distribution system for a post-etch treatment system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8922069D0 (en) * 1989-09-29 1989-11-15 Alcan Int Ltd Separation devices incorporating porous anodic films
JP3911902B2 (ja) * 1999-04-16 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び金属部品の表面処理方法
TW466630B (en) * 2000-12-29 2001-12-01 Macronix Int Co Ltd Flexible nozzle system of gas distribution plate
DE102004029959B4 (de) * 2004-06-21 2010-08-19 Infineon Technologies Ag Gasdurchlässige Plasmaelektrode, Verfahren zum Herstellen der gasdurchlässigen Plasmaelektrode und Parallelplatten-Reaktor
WO2006043696A1 (ja) * 2004-10-20 2006-04-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 水素精製フィルタおよびその製造方法
JP4815901B2 (ja) * 2005-07-08 2011-11-16 大日本印刷株式会社 水素精製フィルタおよびその製造方法
KR100653442B1 (ko) 2005-11-28 2006-12-04 주식회사 유진테크 샤워헤드 지지장치
US8210360B2 (en) 2006-05-07 2012-07-03 Synkera Technologies, Inc. Composite membranes and methods for making same
US20080105203A1 (en) * 2006-09-28 2008-05-08 Tokyo Electron Limited Component for substrate processing apparatus and method of forming film on the component

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050188617A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Casio Computer Co., Ltd. Reactor and power generator
US20060060138A1 (en) * 2004-09-20 2006-03-23 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20070235137A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Tokyo Electon Limited Gas distribution system for a post-etch treatment system

Also Published As

Publication number Publication date
US20170167025A1 (en) 2017-06-15
CN106853341A (zh) 2017-06-16
EP3178540A1 (en) 2017-06-14
US10533253B2 (en) 2020-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106853341B (zh) 流体可渗透的阳极氧化膜及用阳极氧化膜的流体可渗透体
KR102471588B1 (ko) 유체투과성 양극산화막 및 유체투과성 양극산화막의 제조방법
US9061248B1 (en) Process for manufacturing a micromechanical structure having a buried area provided with a filter
US20070199877A1 (en) Mems filter module
JP2009236555A (ja) 流体デバイス及びその製造方法
US20130171640A1 (en) Solid reagent dissolving device and method of dissolving solid reagent by using the same
US6613241B1 (en) MEMS elements with integrated porous membranes and method of making the same
US20070068866A1 (en) Internal die filters with multiple passageways which are fluidically in parallel
JP2003175499A (ja) マイクロ流体デバイス
EP2910944A1 (en) Filter device
US9752681B2 (en) Precision formed article and method
US20110127210A1 (en) Filter unit and filter cartridge
JP2004180594A (ja) 細胞培養装置
US20180304206A1 (en) Methods for creating fluidic cavities by transmembrane etching through porous membranes and structures made thereby and uses of such structures
JP2006095515A (ja) 膜デバイスとその利用法
US20140367257A1 (en) Biochip and biodevice using same
JP2008032657A (ja) バイオチップ用フィルター、およびバイオチップ用フィルターの製造方法、ならびにバイオチップ用フィルターを用いたバイオチップ
US20210101117A1 (en) Microfilter, manufacturing method and microfiltration unit
KR20170068230A (ko) 양극산화막을 이용한 유체투과체
JP6332519B2 (ja) 濾過装置
WO2021115047A1 (zh) 一种微流控芯片及基于微流控芯片的全血分离方法
US8518481B2 (en) Interconnect for MEMS device including a viscoelastic septum
JP2006061870A (ja) 膜デバイス
JP2005140511A (ja) 微量流体制御機構及び該機構を有するマイクロチップ
US20210154660A1 (en) Microfluidic device and method for manufacturing a microfluidic device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant