CN106816482B - 用于薄膜太阳能电池的前电极及其制备方法和薄膜太阳能电池 - Google Patents

用于薄膜太阳能电池的前电极及其制备方法和薄膜太阳能电池 Download PDF

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Abstract

本发明公开了用于薄膜太阳能电池的前电极及其制备方法和薄膜太阳能电池。该前电极包括：第一透明导电材料薄膜；金属薄膜，设置在所述第一透明导电材料薄膜上；第二透明导电材料薄膜，设置在所述金属薄膜上；和电池金属栅线，设置在所述第二透明导电材料薄膜上；其中，所述金属薄膜和电池金属栅线具有相同的图案，且所述金属薄膜设置在所述电池金属栅线的正下方，所述电池金属栅线将所述金属薄膜遮挡住。具有降低的方块电阻，且不会显著降低电池的光透过率，从而降低薄膜太阳能电池的串联电阻，提高电池的效率。

Description

用于薄膜太阳能电池的前电极及其制备方法和薄膜太阳能 电池
技术领域
本发明涉及一种用于薄膜太阳能电池的前电极及其制备方法和薄膜太阳能电池。
背景技术
在CIGS薄膜太阳能电池或者不锈钢衬底的非晶硅薄膜太阳能电池中，一般用掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为电池的前电极。要求AZO有高的透过率以增加进入电池的光通量，低的方块电阻以减少电池的电学损耗。
在文献1“用于非晶硅太阳能电池的AZO-Ag-AZO透明电极(AZO-Ag-AZOtransparent electrode for amorphous silicon solar cells，Martin Theuring,Martin Vehse,Karsten von Maydell,Carsten Agert,Thin Solid Films 558(2014)294–297)”中，用AZO-Ag-AZO多层薄膜结构(Oxide-Metal-Oxide,OMO)代替传统非晶硅电池中的AZO。与传统的AZO薄膜相比，相同厚度的AZO-Ag-AZO复合薄膜的方块电阻明显降低，这有助于提高薄膜太阳能电池的效率，最终制作出来的电池的填充因子(Fill Factor,FF)为58％，明显高于用AZO薄膜制作出来的电池(FF为52.4％)。但是，由于OMO结构中增加了Ag薄膜，造成多层膜反射率增加，而且Ag薄膜的光学透过率远低于AZO薄膜，所以OMO多层膜的光学透过率远低于传统AZO薄膜，采用OMO多层膜结构电池的短路电流为6.02mA/cm2，明显低于用AZO薄膜的电池6.78mA/cm2的短路电流。
发明内容
本发明的目的是为了解决如何在降低薄膜太阳能电池的前电极的方块电阻的同时，仍不显著降低前电极的光透过率的问题，提供了一种用于薄膜太阳能电池的前电极及其制备方法和薄膜太阳能电池。
为了实现上述目的，本发明提供一种用于薄膜太阳能电池的前电极，包括：第一透明导电材料薄膜；金属薄膜，设置在所述第一透明导电材料薄膜上；第二透明导电材料薄膜，设置在所述金属薄膜上；和电池金属栅线，设置在所述第二透明导电材料薄膜上；其中，所述金属薄膜和电池金属栅线具有相同的图案，且所述金属薄膜设置在所述电池金属栅线的正下方，所述电池金属栅线将所述金属薄膜遮挡住。
本发明还提供了一种薄膜太阳能电池的前电极的制备方法，包括：(1)形成第一透明导电材料薄膜；(2)以掩膜板覆盖所述第一透明导电材料薄膜，通过所述掩膜板生长金属薄膜，然后撤去所述掩膜板；(3)在所述金属薄膜上形成第二透明导电材料薄膜；(4)以所述掩膜板覆盖所述第二透明导电材料薄膜，通过所述掩膜板生长与所述金属薄膜完全重合的电池金属栅线。
本发明还提供了一种薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池包括的前电极为本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极。
本发明提供的薄膜太阳能电池的前电极，将电池金属栅线遮挡金属薄膜，这样电池可以被覆盖的面积仍然仅为电池金属栅线的面积，可以在几乎不降低光通量的前提下大幅度降低前电极的方块电阻，从而降低电池的串联电阻，最终提高电池的效率。
本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极的示意性结构侧视图；
图2为本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极的示意性结构俯视图。
附图标记说明
1、电池金属栅线 2、第二透明导电材料薄膜 3、金属薄膜
4、第一透明导电材料薄膜
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供一种用于薄膜太阳能电池的前电极，如图1所示，包括：第一透明导电材料薄膜4；金属薄膜3，设置在所述第一透明导电材料薄膜4上；第二透明导电材料薄膜2，设置在所述金属薄膜3上；和电池金属栅线1，设置在所述第二透明导电材料薄膜2上；其中，所述金属薄膜3和电池金属栅线1具有相同的图案，且所述金属薄膜3设置在所述电池金属栅线1的正下方，所述电池金属栅线1将所述金属薄膜3遮挡住。
本发明中，所述金属薄膜3为图形化，且所述金属薄膜3的图案与电池金属栅极1相同。电池金属栅极1设置在第二透明导电材料薄膜2上，电池金属栅极1覆盖的部分将遮挡住光的通过，使光照射不到电池金属栅极1下方的电池，未被覆盖的部分则允许光的照射。所述金属薄膜3设置在电池金属栅极1的正下方，如图2所示，从本发明的前电极的电池金属栅极1一侧俯视该前电极时，看不到所述金属薄膜3遮挡的部分，所述金属薄膜3完全被“隐藏”在电池金属栅极1的下方，从而所述金属薄膜3不增加对电池的遮挡，减少透过前电极照射到电池的光的损失。
本发明中，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜的厚度相同为25-60nm。
优选的，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜各自为掺铝氧化锌薄膜、铟锡氧化物薄膜或掺镓氧化锌薄膜。
本发明中，所述金属薄膜的厚度为5-15nm。
优选的，所述金属薄膜为Ag薄膜、Mo薄膜或Au薄膜。
本发明中，上述薄膜的厚度可以用椭偏仪(型号为HORIBA JOBIN YVON的UVISEL)测量。
本发明中，所述电池金属栅线为Ni-Al或者Ni-Ag，Ni的厚度为45-55nm，Al或Ag的厚度为0.5-5μm。优选地，所述电池金属栅线为Ni-Ag，Ni的厚度为45-55nm，Ag的厚度为0.5-3μm，更优选Ag的厚度为0.5-1μm；或者所述电池金属栅线为Ni-Al，Ni的厚度为45-55nm，Al的厚度为3-5μm。
本发明中，所述电池金属栅线的宽度为50-300μm。
优选的，所述电池金属栅极为多条，不同所述电池金属栅极之间的间距为1-2mm。更优选多条电池金属栅极组成的图案如图2所示为“门”字形。
本发明一种优选实施方式，一种用于薄膜太阳能电池的前电极，包括：第一掺铝氧化锌薄膜；Ag薄膜，设置在所述第一掺铝氧化锌薄膜上；第二掺铝氧化锌薄膜，设置在Ag薄膜上；和电池金属栅线，设置在所述第二掺铝氧化锌薄膜上；其中，Ag薄膜和电池金属栅线具有相同的图案，且Ag薄膜设置在所述电池金属栅线的正下方，所述电池金属栅线将Ag薄膜遮挡住。
本发明还提供了一种薄膜太阳能电池的前电极的制备方法，包括：(1)形成第一透明导电材料薄膜；(2)以掩膜板覆盖所述第一透明导电材料薄膜，通过所述掩膜板生长金属薄膜，然后撤去所述掩膜板；(3)在所述金属薄膜上形成第二透明导电材料薄膜；(4)以所述掩膜板覆盖所述第二透明导电材料薄膜，通过所述掩膜板生长与所述金属薄膜完全重合的电池金属栅线。
本发明中，使用磁控溅射的方法形成所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜。
磁控溅射的方法可以为本领域常规使用的方法，例如射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为150-250W，氩气流量为25-35sccm，溅射气压为0.05-0.15mTorr。
优选的，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜的厚度相同为25-60nm。
优选的，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜各自为掺铝氧化锌薄膜、铟锡氧化物薄膜或掺镓氧化锌薄膜。
本发明中，使用电子束蒸发的方法生长所述金属薄膜和所述电池金属栅线。
电子束蒸发的方法可以为本领域常规使用的方法，例如Ni的蒸发速率可以为Ag的蒸发速率可以为Al的蒸发速率可以为
优选的，所述金属薄膜的厚度为5-15nm。
优选的，所述金属薄膜为Ag薄膜、Mo薄膜或Au薄膜。
本发明中，所述电池金属栅线为Ni-Al或者Ni-Ag，Ni的厚度为45-55nm，Al或Ag的厚度为0.5-5μm。优选地，所述电池金属栅线为Ni-Ag，Ni的厚度为45-55nm，Ag的厚度为0.5-3μm，更优选Ag的厚度为0.5-1μm；或者所述电池金属栅线为Ni-Al，Ni的厚度为45-55nm，Al的厚度为3-5μm。
优选的，所述电池金属栅线的宽度为50-300μm；所述电池金属栅极为多条，不同所述电池金属栅极之间的间距为1-2mm。
本发明提供一种本发明的方法制得的薄膜太阳能电池的前电极。
本发明的方法制备的薄膜太阳能电池的前电极，包括：第一透明导电材料薄膜；金属薄膜，设置在所述第一透明导电材料薄膜上；第二透明导电材料薄膜，设置在所述金属薄膜上；和电池金属栅线，设置在所述第二透明导电材料薄膜上；其中，所述金属薄膜和电池金属栅线具有相同的图案，且所述金属薄膜设置在所述电池金属栅线的正下方，所述电池金属栅线将所述金属薄膜遮挡住。
一种优选实施方式，本发明的方法制得的薄膜太阳能电池的前电极，包括：第一掺铝氧化锌薄膜；Ag薄膜，设置在所述第一掺铝氧化锌薄膜上；第二掺铝氧化锌薄膜，设置在Ag薄膜上；和电池金属栅线，设置在所述第二掺铝氧化锌薄膜上；其中，Ag薄膜和电池金属栅线具有相同的图案，且Ag薄膜设置在所述电池金属栅线的正下方，所述电池金属栅线将Ag薄膜遮挡住。
本发明还提供了一种薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池包括的前电极为本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
以下实施例和对比例中，掺铝氧化锌薄膜和Ag薄膜的厚度用椭偏仪(型号为HORIBA JOBIN YVON的UVISEL)测量；
前电极的方块电阻用四探针测阻仪(型号为Bridge Technology的RM3000)测量；
透过率用紫外-可见-近红外分光光度计(型号为SHIMADZU的UV-3600)测量。
实施例1
本实施例说明本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极的制备方法。
(1)在衬底为厚度3mm的钠钙玻璃上用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，溅射沉积40nm的第一AZO薄膜；
(2)在步骤(1)得到的第一AZO薄膜的表面加上掩膜板，掩膜板采用制作电池栅线的掩膜板，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得Ag薄膜，厚度为10nm；掩膜板遮挡面积为17％，线条宽度为300μm，线条间距为1.25mm，Ag蒸发速率为
(3)用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，在步骤(2)得到的Ag薄膜上生长第二AZO薄膜，厚度为40nm：
测试经步骤(1)、(2)、(3)后得到的产品的方块电阻为53.04Ω/sq；
(4)将掩膜板放置在步骤(3)得到的第二AZO薄膜上，掩膜板上的空隙与步骤(2)得到的Ag薄膜相重合，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得电池金属栅线；电池金属栅线的材料为Ni/Ag，Ni的厚度为50nm，Ag的厚度为0.5μm；Ni的蒸发速率为Ag的蒸发速率为
测试步骤(4)得到的产品的透过率：400～1000nm波长范围内平均透过率为68.20％(连同钠钙玻璃一起测试，其中钠钙玻璃400～1000nm的平均透过率为86.76％)。
实施例2
本实施例说明本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极的制备方法。
(1)在衬底为厚度3mm的钠钙玻璃上用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为150W，氩气流量为35sccm，溅射气压为0.05mTorr，溅射沉积60nm的第一AZO薄膜；
(2)在步骤(1)得到的第一AZO薄膜的表面加上掩膜板，掩膜板采用制作电池栅线的掩膜板，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得Ag薄膜，厚度为10nm；掩膜板遮挡面积为17％，线条宽度为50μm，线条间距为2mm，Ag蒸发速率为
(3)用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为150W，氩气流量为35sccm，溅射气压为0.05mTorr，在步骤(2)得到的Ag薄膜上生长第二AZO薄膜，厚度为60nm：
测试经步骤(1)、(2)、(3)后得到的产品的方块电阻为32.61Ω/sq；
(4)将掩膜板放置在步骤(3)得到的第二AZO薄膜上，掩膜板上的空隙与步骤(2)得到的Ag薄膜相重合，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得电池金属栅线；电池金属栅线的材料为Ni/Al，Ni的厚度为45nm，Al的厚度为3μm；Ni的蒸发速率为Al的蒸发速率为
测试步骤(4)得到的产品的透过率：400～1000nm波长范围内平均透过率为66.63％(连同钠钙玻璃一起测试，其中钠钙玻璃400～1000nm的平均透过率为86.76％)。
实施例3
本实施例说明本发明的用于薄膜太阳能电池的前电极的制备方法。
(1)在衬底为厚度3mm的钠钙玻璃上用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为250W，氩气流量为25sccm，溅射气压为0.15mTorr，溅射沉积40nm的第一AZO薄膜；
(2)在步骤(1)得到的第一AZO薄膜的表面加上掩膜板，掩膜板采用制作电池栅线的掩膜板，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得Ag薄膜，厚度为14nm；掩膜板遮挡面积为17％，线条宽度为150μm，线条间距为1mm，Ag蒸发速率为
(3)用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为250W，氩气流量为25sccm，溅射气压为0.15mTorr，在步骤(2)得到的Ag薄膜上生长第二AZO薄膜，厚度为40nm：
测试经步骤(1)、(2)、(3)后得到的产品的方块电阻为34.56Ω/sq；
(4)将掩膜板放置在步骤(3)得到的第二AZO薄膜上，掩膜板上的空隙与步骤(2)得到的Ag薄膜相重合，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得电池金属栅线；电池金属栅线的材料为Ni/Ag，Ni的厚度为50nm，Ag的厚度为1μm；Ni的蒸发速率为Ag的蒸发速率为
测试步骤(4)得到的产品的透过率：400～1000nm波长范围内平均透过率为68.09％(连同钠钙玻璃一起测试，其中钠钙玻璃400～1000nm的平均透过率为86.76％)。
对比例1
(1)在衬底为厚度3mm的钠钙玻璃上用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，溅射沉积40nm的第一AZO薄膜；
(2)用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，在步骤(1)得到的第一AZO薄膜上生长第二AZO薄膜，厚度为40nm：
测试经步骤(1)和(2)后得到的产品的方块电阻为117.84Ω/sq；
(3)将掩膜板放置在步骤(2)得到的第二AZO薄膜上，掩膜板遮挡面积为17％，线条宽度为30μm，线条间距为1.25mm，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得电池金属栅线；电池金属栅线的材料为Ni/Ag，Ni的厚度为50nm，Ag的厚度为0.5μm；Ni的蒸发速率为Ag的蒸发速率为
测试步骤(3)得到的产品的透过率：400～1000nm波长范围内平均透过率为68.31％(连同钠钙玻璃一起测试，其中钠钙玻璃400～1000nm的平均透过率为86.76％)。
对比例2
(1)在衬底为厚度3mm的钠钙玻璃上用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，溅射沉积40nm的第一AZO薄膜；
(2)在步骤(1)得到的第一层AZO上用电子束蒸发的方法沉积完整的Ag薄膜，厚度为10nm；Ag蒸发速率为
(3)用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，在步骤(1)得到的第一AZO薄膜上生长第二AZO薄膜，厚度为40nm：
测试经步骤(1)、(2)、(3)后得到的产品的方块电阻为5.68Ω/sq；
(4)将掩膜板放置在步骤(3)得到的第二AZO薄膜上，掩膜板遮挡面积为17％，线条宽度为30μm，线条间距为1.25mm，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得电池金属栅线；电池金属栅线的材料为Ni/Ag，Ni的厚度为50nm，Ag的厚度为0.5μm；Ni的蒸发速率为Ag的蒸发速率为
测试步骤(4)得到的产品的透过率：400～1000nm波长范围内平均透过率为52.74％(连同钠钙玻璃一起测试，其中钠钙玻璃400～1000nm的平均透过率为86.76％)。
对比例3
(1)在衬底为厚度3mm的钠钙玻璃上用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，溅射沉积40nm的第一AZO薄膜；
(2)在步骤(1)得到的第一层AZO上用电子束蒸发的方法沉积完整的Ag薄膜，厚度为14nm；Ag蒸发速率为
(3)用射频磁控溅射技术，通入纯度99.995％的氩气，采用Al2O3：ZnO重量比为2：98、纯度为99.995％的靶材，功率为200W，氩气流量为30sccm，溅射气压为0.1mTorr，在步骤(1)得到的第一AZO薄膜上生长第二AZO薄膜，厚度为40nm：
测试由步骤(1)、(2)、(3)得到的产品的方块电阻为4.04Ω/sq；
(4)将掩膜板放置在步骤(3)得到的第二AZO薄膜上，掩膜板遮挡面积为17％，线条宽度为30μm，线条间距为1.25mm，然后送入电子束蒸发设备的腔室，用电子束蒸发的方法在掩膜板上的空隙处蒸发获得电池金属栅线；电池金属栅线的材料为Ni/Ag，Ni的厚度为50nm，Ag的厚度为0.5μm；Ni的蒸发速率为Ag的蒸发速率为
测试步骤(4)得到的产品的透过率：400～1000nm波长范围内平均透过率为42.51％(连同钠钙玻璃一起测试，其中钠钙玻璃400～1000nm的平均透过率为86.76％)。
由实施例1～实施例3和对比例1的结果可以看出，实施例1和2中前电极的方块电阻明显小于对比例1中传统AZO的前电极的方块电阻，但是实施例1和3中前电极的400～1000nm平均透过率分别为68.2％和68.09％，与对比例1中的前电极透过率的差距很小，基本可以认为没有区别。
由对比例1～3的结果可以看出，相比于对比例1的产品，对比例2和3得到的具有Ag薄膜的产品的方块电阻有明显下降，但是同时透过率下降也非常大。而对比例2和3，随着Ag薄膜厚度由10nm增加到14nm时，对比例3的产品的方块电阻相比对比例2的下降了1.64Ω/sq，但是平均透过率也下降了10.23％，可见传统的AZO/Ag/AZO结构会显著降低方块电阻。但是在方块电阻已经足够低的情况下，电池串联电阻的下降不会很明显，这时具有更好的透过率更加重要。实施例1和3采用本发明的方法得到的前电极则显著降低了前电极的方块电阻，而没有降低进入电池的光通量。且Ag薄膜的厚度变化时，实施例1和3得到的产品的结果也没有很大变化。

Claims (17)

1.一种用于薄膜太阳能电池的前电极，包括：
第一透明导电材料薄膜；
金属薄膜，设置在所述第一透明导电材料薄膜上；
第二透明导电材料薄膜，设置在所述金属薄膜上；和
电池金属栅线，设置在所述第二透明导电材料薄膜上；
其特征在于，所述金属薄膜和电池金属栅线具有相同的图案，且所述金属薄膜设置在所述电池金属栅线的正下方，所述电池金属栅线将所述金属薄膜遮挡住；
所述金属薄膜为Ag薄膜、Mo薄膜或Au薄膜。
2.根据权利要求1所述的前电极，其中，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜的厚度相同为25-60nm。
3.根据权利要求2所述的前电极，其中，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜各自为掺铝氧化锌薄膜、铟锡氧化物薄膜或掺镓氧化锌薄膜。
4.根据权利要求1所述的前电极，其中，所述金属薄膜的厚度为5-15nm。
5.根据权利要求1所述的前电极，其中，所述电池金属栅线为Ni-Al或者Ni-Ag，Ni的厚度为45-55nm，Al或Ag的厚度为0.5-5μm。
6.根据权利要求1所述的前电极，其中，所述电池金属栅线的宽度为50-300μm。
7.根据权利要求1所述的前电极，其中，所述电池金属栅极为多条，不同所述电池金属栅极之间的间距为1-2mm。
8.一种薄膜太阳能电池的前电极的制备方法，包括：
(1)形成第一透明导电材料薄膜；
(2)以掩膜板覆盖所述第一透明导电材料薄膜，通过所述掩膜板生长金属薄膜，然后撤去所述掩膜板；
(3)在所述金属薄膜上形成第二透明导电材料薄膜；
(4)以所述掩膜板覆盖所述第二透明导电材料薄膜，通过所述掩膜板生长与所述金属薄膜完全重合的电池金属栅线。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用磁控溅射的方法形成所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜的厚度相同为25-60nm。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一透明导电材料薄膜和所述第二透明导电材料薄膜各自为掺铝氧化锌薄膜、铟锡氧化物薄膜或掺镓氧化锌薄膜。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，使用电子束蒸发的方法生长所述金属薄膜和所述电池金属栅线。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金属薄膜的厚度为5-15nm。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属薄膜为Ag薄膜、Mo薄膜或Au薄膜。
15.根据权利要求8所述的方法，其中，
所述电池金属栅线为Ni-Al或者Ni-Ag，Ni的厚度为45-55nm，Al或Ag的厚度为0.5-5μm。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述电池金属栅线的宽度为50-300μm；所述电池金属栅极为多条，不同所述电池金属栅极之间的间距为1-2mm。
17.一种薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池包括的前电极为权利要求1-7中任意一项所述的用于薄膜太阳能电池的前电极。
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