CN106803537A - 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置 - Google Patents

一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106803537A
CN106803537A CN201710089271.2A CN201710089271A CN106803537A CN 106803537 A CN106803537 A CN 106803537A CN 201710089271 A CN201710089271 A CN 201710089271A CN 106803537 A CN106803537 A CN 106803537A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cover body
local cleaning
protective film
grows
cleaning ambient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710089271.2A
Other languages
English (en)
Inventor
黄振侠
吴广成
杨辉
郑红
骆飞帆
崔光磊
尹杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Normal University
Original Assignee
Anhui Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Normal University filed Critical Anhui Normal University
Priority to CN201710089271.2A priority Critical patent/CN106803537A/zh
Publication of CN106803537A publication Critical patent/CN106803537A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Prevention Of Fouling (AREA)

Abstract

本发明涉及薄膜生产技术领域，特别涉及一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，包括有底座和方形的罩体，罩体与底座可拆卸连接，底座上放置有旋涂仪和加热装置，旋涂仪和加热装置置于罩体内，罩体至少一个侧板上设置有进气孔，进气孔上安装有快速接头，罩体内安装有温湿度传感器，罩体外设有控制器，温湿度传感器和电磁阀均与控制器电性连接，罩体的前侧板为透明材质，前侧板的上端与顶板连接，其下端与底座之间设有敞开的操作窗。本发明装置制作简单，成本较低，但能提供制备活性层CH3NH3PbI3的局部清洁氛围。制备活性层的CH3NH3PbI3局部清洁氛围，对CH3NH3PbI3成膜覆盖率及表面的光滑程度影响较大，实验效果更为明显。

Description

一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置
技术领域
本发明涉及薄膜生产技术领域，特别涉及一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置。
背景技术
低成本基于钙钛矿型晶体的全固态钙钛矿薄膜太阳能电池是当今最有发展前途的光伏技术之一。作为钙钛矿薄膜太阳能电池的关键吸收层CH3NH3PbI3薄膜已获广泛关注，其可通过简单的非真空法：一步溶液旋涂法和两步溶液浸泡法，还有真空法：双源真空蒸发法和蒸发辅助法制备。但是当前钙钛矿太阳能电池制备需要在较为苛刻的环境惰性气体保护的手套箱下完成。主要是因为钙钛矿材料本身容易潮解和氧化，本发明在于为吸收层CH3NH3PbI3薄膜制备构建一个局部的清洁环境氮气的保护氛围，由于氮气的化学惰性，常用作保护气体，半封闭的装置的上半部分封闭保证让吸收层CH3NH3PbI3薄膜旋涂及加热整个过程置于氮气的保护氛围，下半部分不封闭可以方便操作，装置内有温度湿度探头可测量吸收层CH3NH3PbI3薄膜制备过程的温度及湿度、旋涂装置、加热装置，让吸收层CH3NH3PbI3薄膜制备在局部清洁环境下完成。
钙钛矿太阳能电池具有高效率和低成本优势，有望推动钙钛矿太阳能电池在未来跨过商业化门槛，是当今最具潜力的太阳能电池技术之一。在钙钛矿太阳能电池的工作过程中，钙钛矿的光活性层起着至关重要的作用。
目前的处理大部分都是在封闭的手提箱中制备活性层CH3NH3PbI3，这种处理虽然在一定程度上改善了器件的性能，但大型手提箱成本过高。而在空气中制备CH3NH3PbI3薄膜覆盖率不好且表面粗糙，而CH3NH3PbI3旋涂后，加热时氮气保护处理，这种处理虽然在一定程度上改善了器件的性能，但从旋涂机上取下到放到加热板上过程暴露在空气中。本实验室创新的开发的半封闭的局部清洁环境，装置制作简单，成本较低，但能提供制备活性层CH3NH3PbI3的局部清洁氛围。制备活性层的CH3NH3PbI3局部清洁氛围，对CH3NH3PbI3成膜覆盖率及表面的光滑程度影响较大，实验效果更为明显。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置。
为解决上述问题，本发明提供以下技术方案：一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，包括有底座和方形的罩体，该罩体设有顶板、前侧板、左侧板、右侧板和后侧板，所述罩体与底座可拆卸连接，所述底座上放置有旋涂仪和加热装置，所述旋涂仪和加热装置置于罩体内，所述罩体至少一个侧板上设置有进气孔，所述进气孔上安装有快速接头，该快速接头通过气管与气泵连接，所述气管上安装有电磁阀，所述罩体内安装有温湿度传感器，所述罩体外设有控制器，所述温湿度传感器和电磁阀均与控制器电性连接，所述罩体的前侧板为透明材质，所述前侧板的上端与顶板连接，其下端与底座之间设有敞开的操作窗。
进一步地，所述底座上设置有一个用于与罩体的下端对接的连接座，该连接座上设置与罩体下端轮廓相符的槽体。
进一步地，所述前侧板的高度为后侧板高度的1/3～1/2。
进一步地，所述后侧板、左侧板和右侧板上均安装有所述进气孔。
进一步地，所述后侧板、左侧板和右侧板上均设有三个进气孔，该三个进气孔安装在同一个水平高度。
进一步地，所述进气孔点到顶板的距离小于前侧板的高度值。
进一步地，所述温湿度传感器安装在顶板上，并设有向罩体内延伸用于检测罩体内温度值和湿度值的探针。
进一步地，所述温湿度传感器还包括有安装座，该安装座设有插入端和限位板，探针安装在插入端的底部，所述顶板上设有供插入端插入的插孔，在插入端上还套设有密封垫。
进一步地，所述限位板上开设有用于安装螺丝的通孔，在顶板上位于插入孔的周边设有与限位板上通孔对应的螺纹孔。
进一步地，所述控制器上设有用于显示罩体内温度值和湿度值的显示器，该控制器上还设置有用于控制电磁阀和气泵的开关。
有益效果：本发明的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，装置制作简单，成本较低，但能提供制备活性层CH3NH3PbI3的局部清洁氛围。制备活性层的CH3NH3PbI3局部清洁氛围，对CH3NH3PbI3成膜覆盖率及表面的光滑程度影响较大，实验效果更为明显。
附图说明
图1为本发明的立体结构示意图；
图2为本发明的立体分解结构示意图；
图3为本发明中罩体的分解结构示意图；
图4为本发明中传感器组件的立体结构示意图；
附图标记说明：底座1，连接座1a，槽体1b，罩体2，顶板2a，前侧板2b，左侧板2c，右侧板2d，后侧板2e，插入孔2f，操作窗2g，旋涂仪3，加热装置4，快速接头5，温湿度传感器6，探针6a，插入端6b，限位板6c，密封垫6d，控制器7。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例，对本发明的具体实施例做进一步详细描述：
参照图1至图4所示的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，包括有底座1和方形的罩体2，该罩体2设有顶板2a、前侧板2b、左侧板2c、右侧板2d和后侧板2e，所述罩体2与底座1可拆卸连接，所述底座1上放置有旋涂仪3和加热装置4，所述旋涂仪3和加热装置4置于罩体2内，所述罩体2至少一个侧板上设置有进气孔，所述进气孔上安装有快速接头5，该快速接头5通过气管与气泵连接，所述气管上安装有电磁阀，所述罩体2内安装有温湿度传感器6，所述罩体2外设有控制器7，所述温湿度传感器6和电磁阀均与控制器7电性连接，所述罩体2的前侧板2b为透明材质，所述前侧板2b的上端与顶板2a连接，其下端与底座1之间设有敞开的操作窗2g。
所述底座1上设置有一个用于与罩体2的下端对接的连接座1a，该连接座1a上设置与罩体2下端轮廓相符的槽体1b。
所述前侧板2b的高度为后侧板2e高度的1/3～1/2。前侧板2b的高度值根据实际情况下操作窗2g大小而定，以能够满足操作人员上手伸进去进行操作为宜。
所述后侧板2e、左侧板2c和右侧板2d上均安装有所述进气孔。在多个侧板上均设置进气孔已达到快速冲入氮气的目的，缩短准备工作所需时间。
所述后侧板2e、左侧板2c和右侧板2d上均设有三个进气孔，该三个进气孔安装在同一个水平高度。
所述进气孔点到顶板2a的距离小于前侧板2b的高度值。所有进气孔的位置都处于封闭空间范围内，以确保氮气刚开始冲入的时候就处于在上半部分的封闭空间内，避免因为进气孔高度过低，大量氮气直接从操作窗2g处流失到罩体2外部。
所述温湿度传感器6安装在顶板2a上，并设有向罩体2内延伸用于检测罩体2内温度值和湿度值的探针6a。
所述温湿度传感器6还包括有安装座，该安装座设有插入端6b和限位板6c，探针6a安装在插入端6b的底部，所述顶板2a上设有供插入端6b插入的插孔，在插入端6b上还套设有密封垫6d。
所述限位板6c上开设有用于安装螺丝的通孔，在顶板2a上位于插入孔2f的周边设有与限位板6c上通孔对应的螺纹孔。
所述控制器7上设有用于显示罩体2内温度值和湿度值的显示器，该控制器7上还设置有用于控制电磁阀和气泵的开关。
关于局部清洁环境的构建：
本仪器为活性层CH3NH3PbI3提供局部的清洁氛围，使活性层CH3NH3PbI3的制备从旋涂到加热始终处于氮气的保护氛围。半封闭装置的上半部分是封闭的，下半部分是不封闭的，局部清洁保护可以通过进气孔向装置中冲入氮气由于氮气的密度比空气小，氮气会上浮，通一段时间氮气后，旋涂装置和加热装置4处于氮气的保护氛围内。
该装置利用氮气的化学惰性及密度比空气小的特点，构建半封闭局部清洁的制备活性层CH3NH3PbI3的保护氛围。半封闭装置制作简单，成本较低，制备活性层CH3NH3PbI3操作方便，且制备活性层CH3NH3PbI3的温度和湿度可测，实验结果能达到预期要求。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作出任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明的技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：包括有底座(1)和方形的罩体(2)，该罩体(2)设有顶板(2a)、前侧板(2b)、左侧板(2c)、右侧板(2d)和后侧板(2e)，所述罩体(2)与底座(1)可拆卸连接，所述底座(1)上放置有旋涂仪(3)和加热装置(4)，所述旋涂仪(3)和加热装置(4)置于罩体(2)内，所述罩体(2)至少一个侧板上设置有进气孔，所述进气孔上安装有快速接头(5)，该快速接头(5)通过气管与气泵连接，所述气管上安装有电磁阀，所述罩体(2)内安装有温湿度传感器(6)，所述罩体(2)外设有控制器(7)，所述温湿度传感器(6)和电磁阀均与控制器(7)电性连接，所述罩体(2)的前侧板(2b)为透明材质，所述前侧板(2b)的上端与顶板(2a)连接，其下端与底座(1)之间设有敞开的操作窗(2g)。
2.根据权利要求1所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述底座(1)上设置有一个用于与罩体(2)的下端对接的连接座(1a)，该连接座(1a)上设置与罩体(2)下端轮廓相符的槽体(1b)。
3.根据权利要求1所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述前侧板(2b)的高度为后侧板(2e)高度的1/3～1/2。
4.根据权利要求1所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述后侧板(2e)、左侧板(2c)和右侧板(2d)上均安装有所述进气孔。
5.根据权利要求4所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述后侧板(2e)、左侧板(2c)和右侧板(2d)上均设有三个进气孔，该三个进气孔安装在同一个水平高度。
6.根据权利要求5所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述进气孔点到顶板(2a)的距离小于前侧板(2b)的高度值。
7.根据权利要求1所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述温湿度传感器(6)安装在顶板(2a)上，并设有向罩体(2)内延伸用于检测罩体(2)内温度值和湿度值的探针(6a)。
8.根据权利要求1所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述温湿度传感器(6)还包括有安装座，该安装座设有插入端(6b)和限位板(6c)，探针(6a)安装在插入端(6b)的底部，所述顶板(2a)上设有供插入端(6b)插入的插孔，在插入端(6b)上还套设有密封垫(6d)。
9.根据权利要求8所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述限位板(6c)上开设有用于安装螺丝的通孔，在顶板(2a)上位于插入孔(2f)的周边设有与限位板(6c)上通孔对应的螺纹孔。
10.根据权利要求1所述的一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置，其特征在于：所述控制器(7)上设有用于显示罩体(2)内温度值和湿度值的显示器，该控制器(7)上还设置有用于控制电磁阀和气泵的开关。
CN201710089271.2A 2017-02-20 2017-02-20 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置 Pending CN106803537A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710089271.2A CN106803537A (zh) 2017-02-20 2017-02-20 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710089271.2A CN106803537A (zh) 2017-02-20 2017-02-20 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106803537A true CN106803537A (zh) 2017-06-06

Family

ID=58987662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710089271.2A Pending CN106803537A (zh) 2017-02-20 2017-02-20 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106803537A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112794281A (zh) * 2021-02-03 2021-05-14 中企众鑫（天津）工业设计有限公司 连续离子液相制备纳米薄膜的自动沉积方法及自动化设备

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1735300A (zh) * 2004-08-09 2006-02-15 奥博特瑞克斯株式会社 显示装置用的混合溶液及使用其的显示装置的制造方法
JP2007280623A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
CN201532964U (zh) * 2009-09-15 2010-07-21 北京市太阳能研究所有限公司 一种区熔再结晶设备
CN103943777A (zh) * 2014-03-18 2014-07-23 复旦大学 一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法
CN104124295A (zh) * 2014-08-12 2014-10-29 中国乐凯集团有限公司 一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104332320A (zh) * 2014-11-04 2015-02-04 武汉大学深圳研究院 一种以铬的氧化物薄膜作为空穴传输层的钙钛矿光伏电池及其制备方法
US20150348779A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Coating apparatus and method of forming coating film
CN105239054A (zh) * 2015-11-03 2016-01-13 天津理工大学 一种微米粒径有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备装置及方法
CN204978014U (zh) * 2015-07-07 2016-01-20 韩相理 半封闭式活性炭雕刻操作台
CN105731363A (zh) * 2016-02-25 2016-07-06 西安工业大学 制作超光滑聚合物表面的制备方法及其装置
CN105882120A (zh) * 2016-05-11 2016-08-24 武汉理工大学 一种钙钛矿太阳能电池印刷机
CN205628031U (zh) * 2016-03-28 2016-10-12 永城职业学院 一种食品科学实验用操作台
CN106229415A (zh) * 2016-08-11 2016-12-14 佛山千里目科技有限公司 一种制备金属卤化物钙钛矿的方法及其装置
CN206558554U (zh) * 2017-02-20 2017-10-13 安徽师范大学 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1735300A (zh) * 2004-08-09 2006-02-15 奥博特瑞克斯株式会社 显示装置用的混合溶液及使用其的显示装置的制造方法
JP2007280623A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
CN201532964U (zh) * 2009-09-15 2010-07-21 北京市太阳能研究所有限公司 一种区熔再结晶设备
CN103943777A (zh) * 2014-03-18 2014-07-23 复旦大学 一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法
US20150348779A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Coating apparatus and method of forming coating film
CN104124295A (zh) * 2014-08-12 2014-10-29 中国乐凯集团有限公司 一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104332320A (zh) * 2014-11-04 2015-02-04 武汉大学深圳研究院 一种以铬的氧化物薄膜作为空穴传输层的钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN204978014U (zh) * 2015-07-07 2016-01-20 韩相理 半封闭式活性炭雕刻操作台
CN105239054A (zh) * 2015-11-03 2016-01-13 天津理工大学 一种微米粒径有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备装置及方法
CN105731363A (zh) * 2016-02-25 2016-07-06 西安工业大学 制作超光滑聚合物表面的制备方法及其装置
CN205628031U (zh) * 2016-03-28 2016-10-12 永城职业学院 一种食品科学实验用操作台
CN105882120A (zh) * 2016-05-11 2016-08-24 武汉理工大学 一种钙钛矿太阳能电池印刷机
CN106229415A (zh) * 2016-08-11 2016-12-14 佛山千里目科技有限公司 一种制备金属卤化物钙钛矿的方法及其装置
CN206558554U (zh) * 2017-02-20 2017-10-13 安徽师范大学 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112794281A (zh) * 2021-02-03 2021-05-14 中企众鑫（天津）工业设计有限公司 连续离子液相制备纳米薄膜的自动沉积方法及自动化设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106449985B (zh) 一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法
CN105432262B (zh) 自然低温粮仓及其储粮方法
CN102200590B (zh) 自适应空气温湿度测量防辐射罩
CN206558554U (zh) 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置
CN206674477U (zh) 一种超声波水稻育种装置
CN203071192U (zh) 一种锂离子电池热控制系统
CN111319121A (zh) 一种新型多功能一体式混凝土试块养护箱
CN106803537A (zh) 一种构建局部清洁环境保护薄膜生长的装置
CN204359739U (zh) 一种石墨烯纳米墙电阻式湿度传感器
CN110031516B (zh) 一种反应环境可控的三电极原位x射线电解池装置
CN106206954B (zh) 一种倒置体异质结有机太阳能电池
CN209923346U (zh) 一种大豆加工用发酵存放装置
CN212072369U (zh) 一种新型多功能一体式混凝土试块养护箱
CN206235504U (zh) 多位数联动自动判定终点的浓缩装置
CN207243986U (zh) 真空镀膜设备
CN206638464U (zh) 一种野外植被挥发气体自动采集装置
CN208800133U (zh) 一种用于喀斯特地区的除湿防潮实验装置
CN206525188U (zh) 一种食用菌种植专用的智能型培养架
CN106449809A (zh) 基于3d打印纳米金刚石透明薄膜电池的家用玻璃及制备方法
CN103820846A (zh) 一种基于热液法生长纳米材料的多功能装置
CN210445029U (zh) 一种西红柿种植的育苗装置
CN209613011U (zh) 用于尼龙材料的恒温恒湿实验箱
CN203422390U (zh) 一种太阳能电池片测试样品台
CN205180648U (zh) 一种多功能储物箱
CN208046158U (zh) 电缆分接箱及电缆安装系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170606

RJ01 Rejection of invention patent application after publication