CN106783011B - 采用半桥电路的交流电磁铁 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种采用半桥电路的交流电磁铁,包括由动铁芯、静铁芯、复位弹簧、励磁线圈所组成的常规交流电磁铁以及电子单元两部分,所述电子单元由DC电源电路、开关脉冲发生电路、开关电路、增压电路、分压电路、半桥电路、公共端所组成。
Description
技术领域
本发明涉及低压电器领域,尤其涉及一种可以高效节电的采用半桥电路的交流电磁铁。
背景技术
交流电磁铁是一种应用非常广泛的低压电器。例如交流电磁接触器、交流电磁阀、交流电磁牵引器、交流电磁离合器、交流电磁制动器、交流电磁吸盘、交流电磁起重机、交流电磁锁、交流电磁冲床、交流电磁钉枪、交流电磁捣碎机、交流电磁切断机、交流磁悬浮列车等器械中均设有交流电磁铁。
图1为常规交流电磁铁的工作原理图。这种常规的交流电磁铁主要由动铁芯M、静铁芯G、复位弹簧F、励磁线圈L组成。当励磁线圈L的A1端、A2端接通AC220V、AC110V或AC380V电压(以下通称AC220V、AC110V或AC380V为AC电压或励磁电源)时,动铁芯M受励磁线圈L产生的磁力的作用而与静铁芯G闭合;当励磁线圈L上的AC电压断开时,动铁芯M失磁并受复位弹簧F的作用而与静铁芯G分离并复位。
这种常规交流电磁铁的工作过程可分为启动、吸持、复位三个阶段:
1、启动:励磁线圈L与AC电压接通,动铁芯M启动。在此阶段,为克服动铁芯M的惯性和复位弹簧F的弹力,励磁电源必须提供较大的功率(以下称此功率为启动功率),动、静铁芯才能互相吸合。
2、吸持:励磁线圈L继续与AC电压接通,动、静铁芯继续保持吸合的状态。在此阶段,励磁电源只须提供较小的功率(以下称此功率为吸持功率),动、静铁芯也能继续吸合。在此阶段,励磁电源若提供过大的吸持功率,将造成电能浪费并导致交流电磁铁不应有的发热升温。
3、复位:励磁线圈L断开AC电压,动、静铁芯复位分离。
交流电磁铁的用途千差万别,结构也千差万别,但它们的工作原理、工作过程均与图1相同。例如:图2所示的由静铁芯G、励磁线圈L、阀芯(相当于动铁芯)M、复位弹簧F组成的常规交流电磁阀的工作过程为:AC电压接通前,入口与出口隔断;AC电压接通后,阀芯(动铁芯)M与静铁芯G吸合,入口与出口连通。图3所示的由静铁芯G、励磁线圈L、动铁芯M、复位弹簧F组成的常规交流电磁接触器(以下简称交流接触器)的工作过程为:AC电压接通前,动触点与常闭触点连接;AC电压接通后,动铁芯M与静铁芯G吸合、动触点与常开触点连接。
常规交流电磁铁由于启动与吸持阶段,励磁线圈L中均通以相同的AC电压,因此存在以下的严重缺点:
1、无谓的耗电:前已述,在启动和吸持阶段,常规交流电磁铁的励磁线圈L中均通以相同的AC电压,导致吸持功率过大,造成了无谓的电能损耗;
2、发热:无谓的电能损耗所产生的恶果是升温发热,严重时,甚至会烧毁常规交流电磁铁的励磁线圈L;
3、存在烦人的交流噪声。
4、AC电压接通后,励磁线圈L产生的磁力不够强,动铁芯M与静铁芯G吸合的速度较慢。
5、无续流电路,AC电压切断瞬间,易对外电路产生干扰。
针对常规交流电磁铁的现状,本发明要迖到的目标是:应用电子技术,改造传统产业,设计一种可高效节电的采用半桥电路的交流电磁铁。
发明内容
本发明实现上述目标的方法为:一种采用半桥电路的交流电磁铁,包括由动铁芯M、静铁芯G、复位弹簧F、励磁线圈L所组成的常规交流电磁铁以及电子单元100两部分,其特征在于:所述电子单元100由DC电源电路101、开关脉冲发生电路102、开关电路103、增压电路104、分压电路105、半桥电路106、公共端E所组成;其中,所述DC电源电路101的1端与所述半桥电路106相连接;所述开关脉冲发生电路102的3端与所述电源电路101的2端相连接、4端与所述开关电路103的5端相连接;所述开关电路103的6端与半桥电路106的DC2端相连接、7端与增压电路104的8端相连接;所述增压电路104的9端与半桥电路106的DC2端相连接;所述分压电路105的10端也与所述半桥电路106相连接;所述半桥电路106的AC1端与AC电压的P1端相连接、DC1端与所述励磁线圈L的A1端相连接、DC2端与所述励磁线圈L的A2端相连接;所述公共端E与AC电压的P2端相连接;DC电源电路101、开关脉冲发生电路102、开关电路103、增压电路104、分压电路105各自的一端均与所述公共端E相连接(见图4)。
所述电子单元100与常规交流电磁铁按以上所述方式相组合,即可组成本发明所指的采用半桥电路的交流电磁铁。
所述DC电源电路101的1端与所述半桥电路106相连接的方法,可以分别采用以下三种:第一种,DC电源电路101的1端与半桥电路106的AC1端相连接;第二种,DC电源电路101的1端与半桥电路106的DC1端相连接;第三种,DC电源电路101的1端与半桥电路106的DC2端相连接。
所述分压电路105的10端与所述半桥电路106相连接的方法,可以分别采用以下二种:第一种,分压电路105的10端与半桥电路106的DC2端相连接;第二种,分压电路105的10端与半桥电路106的DC1端相连接。
所述DC电源电路101可以采用多种电路结构,本发明优选了以下的电路结构:其由1端、第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2、第二电容C2、2端组成;其中,所述第一电容C1一端与所述1端相连接、另一端与第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极均相连接;第二二极管D2的负极与第二电容C2的正极、2端均相连接;第一二极管D1的正极、第二电容C2的负极均与公共端E相连接。
所述开关脉冲发生电路102可以采用多种电路结构,本发明优选了以下的电路结构:
a、其由3端、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、三极管T1、4端组成;其中:第一电阻R1、第三电阻R3各自的一端均与3端相连接;第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的一端、第三电容C3的一端均与三极管T1的基极相连接;第三电阻R3的另一端、三极管T1的集电极均与4端相连接;第三电容C3的另一端、第二电阻R2的另一端、三极管T1的发射极均与公共端E相连接(见图5)。
b、其由3端、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第六电容C6、集成时基电路IC1、4端组成;其中:第五电阻R5的一端、集成时基电路IC1的8脚和4脚均与3端相连接;集成时基电路IC1的6脚和2脚、第五电阻R5的另一端、第六电阻R6的一端、第六电容C6的一端均互相连接;第七电阻R7的一端与集成时基电路IC1的3脚相连接、另一端与4端相连接;第六电容C6的另一端、第六电阻R6的另一端、集成时基电路IC1的1脚均与公共端E相连接(见图6)。
所述集成时基电路IC1可以选用多种集成电路,本发明优选555集成时基电路。
C、其由3端、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第七电容C7、集成运算放大器IC2、4端组成;其中:第八电阻R8的一端、第十电阻R10的一端、第十二电阻R12的一端、集成运算放大器IC2的8脚均与3端相连接;第八电阻R8的另一端、第七电容C7的一端、第九电阻R9的一端均与集成运算放大器IC2的2脚相连接;第十电阻R10的另一端、第十一电阻R11的一端均与集成运算放大器IC2的3脚相连接;第十二电阻R12的另一端、4端均与集成运算放大器IC2的1脚相连接;第七电容C7的另一端、第九电阻R9的另一端、第十一电阻R11的另一端、集成运算放大器IC2的4脚均与公共端E相连接(见图7)。
所述开关电路103可以采用多种电路结构,本发明优选了以下的电路结构:其由第五二极管D5、单向晶体闸流管SCR(Silicon Controlled Rectifier)、5端、6端、7端组成;其中:所述第五二极管D5的正极与6端相连接,负极与所述单向晶体闸流管SCR的阳极、7端相连接;单向晶体闸流管SCR的阴极与所述与公共端E相连接、门极与5端相连接(见图5、图6、图7)。
所述单向晶体闸流管SCR可以用其他开关器件例如场效应管(Field EffectTransistor,FET)、双向晶体闸流管(Triode AC Switch,TRIAC)、绝缘栅双极型晶体管(Insulatend Gate Bipolar Transistor,IGBT)、电子注入增强栅晶体管(InjectionEnhanced Gate Tansistor,IEGT)、静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor,SITH)或开关三极管代替。
所述增压电路104可以采用多种电路结构,本发明优选了以下的电路结构:其由8端、第四电容C4、第六二极管D6、9端、其中:第四电容C4的正极与8端相连接、负极与9端相连接;第六二极管D6的负极也与8端相连接、正极与公共端相连接(见图5、图6、图7)。
所述增压电路104的特征在于:其具有增强启动电压、滤除干扰电压的双重功能。
所述分压电路104可以采用多种电路结构,本发明优选了以下的电路结构:其由10端、第五电容C5组成,其中:第五电容C5的一端接10端、另一端接公共端E。
所述半桥电路106可以采用多种电路结构,本发明优选了以下的电路结构:其由第三二极管D3、第四二极管D4、AC1端、DC1端、DC2端组成,其中:第三二极管D3的负极、第四二极管D4的正极均与AC1端相连接;第三二极管D3的正极与DC2端相连接;第四二极管D4的负极与DC1端相连接(见图5、图6、图7)。
所述半桥电路106的特征在于:其具有整流、转化干扰电压为励磁电流、抑制内部干扰电压的三重功能。
应用本发明,可以取得以下有益效果:
1、高效节电:实测结果表明,与常规件相比较,应用本发明的创新件的节电效率高达96%。
2、低热运行:本发明具有高效节电的功能,节约了电能,运行时必然低热。
3、寂静无噪:
本发明所指的采用半桥电路的交流电磁铁,AC电压经半桥电路106整流后,为直流运行,故运行时寂静无可闻噪声。
而常规交流电磁铁为交流运行,必然存在烦人的交流噪声。
4、抗干扰性能强:
在AC电压正半周,半桥电路106可将外部干扰整流转化为励磁电流;在AC电压负半周,增压电路可吸收或滤除外部干扰;在AC电压关断时,半桥电路106设有续流器件。因此,本发明抗干扰性能强,既可消除外部干扰,同时也不干扰外部电路。
综上所述,由于本发明具有高效节电、低热运行、寂静无噪、抗干扰性能强等优点,因此,可以在内部设有交流电磁铁的器械,例如交流电磁接触器、交流电磁阀、交流电磁牵引器、交流电磁离合器、交流电磁制动器、交流电磁吸盘、交流电磁起重机、交流电磁锁、交流电磁冲床、交流电磁钉枪、交流电磁捣碎机、交流电磁切断机、交流磁悬浮列车等器械中得到应用。
附图说明
图1为常规交流电磁铁的工作原理图;
图2为常规交流电磁阀之交流电磁铁的工作原理图;
图3为常规交流电磁接触器之交流电磁铁的工作原理图;
图4为本发明的原理方框图;
图5为实施例1的电路原理图;
图6为实施例2的电路原理图;
图7为实施例3的电路原理图;
图8为开关脉冲发生电路103输出的脉冲波形图;
图9为AC电压波形图——初相角φ=0时的AC电压波形图。
具体实施方式
下面结合附图,说明本发明的实施方式。
图4为本发明的原理方框图,图5为实施例1的电路原理图。图4中:L为常规交流电磁铁中的励磁线圈,A1、A2为其之两个连接端口;虚线方框100表示本发明的电子单元100。
结合图4:一种采用半桥电路的交流电磁铁,包括由动铁芯M、静铁芯G、复位弹簧F、励磁线圈L所组成的常规交流电磁铁及电子单元100两部分,其特征在于:所述电子单元100由DC电源电路101、开关脉冲发生电路102、开关电路103、增压电路104、分压电路105、半桥电路106、公共端E所组成;其中,所述DC电源电路101的1端与所述半桥电路106相连接;所述开关脉冲发生电路102的3端与所述电源电路101的2端相连接、4端与所述开关电路103的5端相连接;所述开关电路103的6端与半桥电路106的DC2端相连接、7端与增压电路104的8端相连接;所述增压电路104的9端与半桥电路106的DC2端相连接;所述分压电路105的10端也与所述半桥电路106相连接;所述半桥电路106的AC1端与AC电压的P1端相连接、DC1端与所述励磁线圈L的A1端相连接、DC2端与所述励磁线圈L的A2端相连接;所述公共端E与AC电压的P2端相连接;DC电源电路101、开关脉冲发生电路102、开关电路103、增压电路104、分压电路105各自的一端均与所述公共端E相连接。
所述电子单元100与常规交流电磁铁按以上所述方式相组合,即可组成本发明所指的采用半桥电路的交流电磁铁。
图5为实施例1的电路原理图,本实施例1中:
1端、第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2、第二电容C2、2端组成为DC电源电路101;其中,所述1端与半桥电路106的DC2端相连接;所述第一电容C1一端与所述1端相连接、另一端与第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极均相连接;第二二极管D2的负极与第二电容C2的正极、2端均相连接;第一二极管D1的正极、第二电容C2的负极均与公共端E相连接。
所述DC电源电路101输出的DC电压为Vcc,2端为其正端、公共端E为其负端。
3端、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、三极管T1、4端组成为开关脉冲发生电路102;其中:第一电阻R1、第三电阻R3各自的一端均与3端相连接;第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的一端、第三电容C3的一端均与三极管T1的基极相连接;第三电阻R3的另一端、三极管T1的集电极均与4端相连接;第三电容C3的另一端、第二电阻R2的另一端、三极管T1的发射极均与公共端E相连接。
第五二极管D5、单向晶体闸流管SCR、5端、6端、7端组成为开关电路103;其中:所述第五二极管D5的正极与6端相连接,负极与所述单向晶体闸流管SCR的阳极、7端相连接;单向晶体闸流管SCR的阴极与所述与公共端E相连接、门极与5端相连接(见图5、图6、图7)。
所述单向晶体闸流管SCR可以用其他开关器件例如场效应管、双向晶体闸流管、绝缘栅双极型晶体管、电子注入增强栅晶体管、静电感应晶闸管或开关三极管代替。
8端、第四电容C4、第六二极管D6、9端组成为增压电路104,其中:第四电容C4的正极与8端相连接、负极与9端相连接;第六二极管D6的负极也与8端相连接、正极与公共端E相连接。
10端、第五电容C5组成为分压电路104,其中:所述10端与半桥电路106的DC2端相连接;所述第五电容C5的一端接10端、另一端接公共端E。
第三二极管D3、第四二极管D4、AC1端、DC1端、DC2端组成为半桥电路106,其中:第三二极管D3的负极、第四二极管D4的正极均与AC1端相连接;第三二极管D3的正极与DC2端相连接;第四二极管D4的负极与DC1端相连接。
下面,结合附图,阐述本实施例1的工作过程:
一、启动:
结合图4、图5、图8、图9:
t=t1时,AC电压接通,AC电压沿着P2—D6—C4—D3—P1的路径对增压电路104中的第四电容C4充电,第四电容C4充电储能。
t=t2时,AC电压进入P1为高电平、P2为低电平的正半周。第二二极管D2导通,电流ic1(实线剪头所示)沿着P1—D4—励磁线圈L—C1—D2—Vcc(多路径)—P2的路径流通,DC电源电路101输出的DC电压Vcc迅速建立。
DC电压Vcc通过第一电阻R1对第三电容C3充电。
在t3~t5时域,第三电容C3上的电压,即三极管T1基极电压Vb<0.7V,三极管T1为截止状态(三极管T1选用硅三极管),开关脉冲发生电路102输出的幅度为Vg=Vgt的控制脉冲;
随着充电进程,t=t5时,第三电容C3上的电压,即三极管T1基极电压
Vb≥0.7V,三极管T1由截止状态转变为导通状态,所述Vg≈0。
综上所述,再结合图8,在本发明启动—吸持—复位的工作周期内,所述开关脉冲发生电路102输出单个电压幅度为Vg=Vgt的控制脉冲,其波形由图8表示,图中Vgt为单向晶体闸流管SCR的门极触发电压。
再结合图5,Vg=Vgt时,单向晶体闸流管SCR触发导通。
单向晶体闸流管SCR触发导通之后,增压电路104中的第四电容C4通过单向晶体闸流管SCR放电释能,其放电释能的过程可分为二个阶段:
1、第五二极管D5截止阶段:若忽略第四二极管D4、晶体闸流管SCR之上的电压,则励磁线圈L两端的电压U=Uc+u
上式中:Uc为第四电容C4上的电压、u为AC电压正半周时的瞬时值:u=UmSin(ωt+φ),其中Um为AC电压的的振幅值、ω为AC电压的角频率、φ为AC电压的初相角。
由上式可知,励磁线圈L两端的电压U为第四电容C4上的电压Uc、AC电压正半周时的瞬时值u之和。换言之:在AC电压正半周,所述电磁铁启动过程中,等效为相串联的双电源启动,一个电源为AC电压、另一个电源为已充电储能的增压电路104中的第四电容C4。简言之:增压电路104具有增强启动电压的功能。
在相串联的双电源驱动下,励磁线圈L中的启动励磁电流I沿着P1—D4—励磁线圈L—C4—单向晶体闸流管SCR—P2的路径流通。
随着励磁电流I的流通,第四电容C4放电释能。
只要调整第四电容C4的值,本发明就可获得足够强的启动励磁电流I,使动铁芯M、静铁芯G吸合动作强劲有力。
2、第五二极管D5导通阶段:
随着放电释能的进程,第四电容C4上的电压Uc不断降低,Uc=0以后,AC电压对其反向充电。当Uc=-0.7V时,第五二极管D5导通(第五二极管D5选用硅二极管)。
第五二极管D5导通后,第四电容C4上的电压Uc被钳制为Uc=-0.7V,其就获得了第五二极管D5的保护而不会因反向电压过高而损坏。
简言之:第五二极管D5兼有保护第四电容C4不受损坏的功能。
第五二极管D5导通后,启动励磁电流I改由下述路径流动:P1—D4—励磁线圈L—D5—单向晶体闸流管SCR—P2,AC电压继续为所述采用半桥电路的交流电磁铁提供启动功率。
t=t4时,动铁芯M与静铁芯G吸合,所述采用半桥电路的交流电磁铁完成启动过程并进入吸持阶段。
二、吸持:
再结合图8,图9,在t4~t5时域,开关脉冲发生电路102输出的脉冲电压仍为Vg=Vgt,单向晶体闸流管SCR仍为导通状态。
t=t5时,开关脉冲发生电路102输出的脉冲电压Vg≈0,根据晶体闸流管工作原理,已处于导通状态的单向晶体闸流管SCR继续导通,启动励磁电流I继续流通。
在t=t6时,单向晶体闸流管SCR因其阳极电流小于其最小维持电流而关断,启动励磁电流I切断。
前已述,t=t4时,动铁芯M与静铁芯G已吸合,本发明已完成启动过程;但在t4~t6时域,单向晶体闸流管SCR仍导通,启动励磁电流I仍流通。此t4~t6时域中,启动励磁电流I起到了巩固启动成果的作用,本发明称此t4~t6时域为启动巩固时域。
单向晶体闸流管SCR关断后,AC电压通过第一电容C1上的电流ic1、第五电容C5上的电流ic3为本发明提供吸持功率,使已吸合的动铁芯M与静铁芯G继续保持吸合状态。其过程为:
结合图5,在P1为高电平、P2为低电平的AC电压正半周:
第一电容C1上的电流ic1沿着P1—D4—励磁线圈L—C1(充电)—D2—Vcc(多路径)—P2的路径流通;
第五电容C5上的电流ic3沿着P1—D4—励磁线圈L—C5(充电)—P2的路径流通;
在P1为低电平、P2为高电平的AC电压负半周:
第一电容C1上的电流ic2(虚线箭头所示)沿着P2—D1—C1(放电)—D3—P1的路径流通;
第五电容C5上的电流ic4(虚线箭头所示)沿着P2—C5(放电)—D3—P1的路径流通;
图5中,第一电容C1上实线箭头表示的电流ic1、虚线箭头表示的电流ic2,存在互生共存的关系,没有前者对第一电容C1充电,就没有后者对第一电容C1放电,反之亦然。
第五电容C5上实线箭头表示的电流ic3、虚线箭头表示的电流ic4,也同样存在互生共存的关系。
综上所述,简言之:电流ic1、电流ic3共同维持本发明的吸持状态。
本专业人员应该清楚:当电磁铁要求的吸持功率较小时,所述第五电容C5可以省略。
三、复位
t=t7时,AC电压关断,由于励磁线圈L中的电流不能突变,因此,励磁线圈L中的电流将沿着A1—励磁线圈L—A2—D3—D4—A1路径续流并逐渐减小至零,所述采用半桥电路的交流电磁铁复位。
综上所述可知:所述半桥电路106在本发明中兼具二种功能,第一,整流功能:将流入励磁线圈L中的电流整流成为直流;第二,续流功能:为励磁线圈L中的电流提供续流路径。简言之:电桥电路105兼具整流、续流二种功能。
t=t8时,AC电压重新接通,所述采用半桥电路的交流电磁铁再次通电,重新进入启动、吸持、复位的工作周期中。
图6为实施例2的电路原理图,本实施例2的电路结构与实施例1相同,不同之处为:
1、在实施例1中,DC电源电路101的1端与半桥电路106的DC2端相连接,而本实施例2中,DC电源电路101的1端与半桥电路106的DC1端相连接;
2、在实施例1中,开关脉冲发生电路102由三极管T1及其外围器件组成;而本实施例2中,所述开关脉冲发生电路102由集成时基电路IC1及其外围器件组成:其由3端、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第六电容C6、集成时基电路IC1、4端组成;其中:第五电阻R5的一端、集成时基电路IC1的8脚和4脚均与3端相连接;集成时基电路IC1的6脚和2脚、第五电阻R5的另一端、第六电阻R6的一端、第六电容C6的一端均互相连接;第七电阻R7的一端与集成时基电路IC1的3脚相连接、另一端与4端相连接;第六电容C6的另一端、第六电阻R6的另一端、集成时基电路IC1的1脚均与公共端E相连接。
本实施例2中的开关脉冲发生电路102产生开关脉冲之工作过程为:
结合图6、图8、图9:
t=t3时,第六电容C6两端的电压即集成时基电路IC1的2脚、6脚上的电压Vi<1/3Vcc<2/3Vcc,集成时基电路IC1的3脚上的电压Vo为高电平,即Vo≈Vcc,经第七电阻R7分压以后,所述开关脉冲发生电路102之输出电压Vg=Vgt。
从t=t2时刻开始,DC电压Vcc通过第五电阻R5对第六电容C6充电,第六电容C6上的电压Vi不断地上升。
至t=t5时,第六电容C6上的电压即集成时基电路IC1的6脚、2脚上的电压Vi>2/3Vcc>1/3Vcc,集成时基电路IC1的3脚上的电压Vo变为低电平,即Vo≈0,所述开关脉冲发生电路102之输出电压亦随之下降为零,即Vg=0。
综上分析可知:本实施例4中的开关脉冲发生电路102输出的开关脉冲波形可用图8表示。
本实施例2启动、吸持、复位的工作过程与实施例1相同。
图7为实施例3的电路原理图,与实施例1相比较,本实施例3有三处与实施例1不同:
第一处,在实施例1中,DC电源电路101的1端与半桥电路106的DC2端相连接,而本实施例3中,DC电源电路101的1端与半桥电路106的AC1端相连接;
第二处,在实施例1中,分压电路105的10端与半桥电路106的DC2端相连接,而本实施例3中,分压电路105的10端与半桥电路106的DC1端相连接;
第三处,开关脉冲发生电路102与实施例1不相同。在本实施例3中,所述开关脉冲发生电路102由3端、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第七电容C7、集成运算放大器IC2、4端组成;其中:第八电阻R8的一端、第十电阻R10的一端、第十二电阻R12的一端、集成运算放大器IC2的8脚均与3端相连接;第八电阻R8的另一端、第七电容C7的一端、第九电阻R9的一端均与集成运算放大器IC2的2脚相连接;第十电阻R10的另一端、第十一电阻R11的一端均与集成运算放大器IC2的3脚相连接;第十二电阻R12的另一端、4端均与集成运算放大器IC2的1脚相连接;第七电容C7的另一端、第九电阻R9的另一端、第十一电阻R11的另一端、集成运算放大器IC2的4脚均与公共端E相连接。
本实施例3中的开关脉冲发生电路102产生开关脉冲之工作过程为:
DC电压Vcc通过第八电阻R8对第七电容C7充电,随着充电的进程,该第七电容C7上的电压即集成运算放大器IC2之2脚上的电压V2逐渐上升。
结合图8,在t3~t5时域,集成运算放大器IC2之3脚上电压V3大于其2脚上电压V2,即V3>V2,集成运算放大器IC2输出的电压即其之1脚上的电压Vg为高电平Vgt。
随着充电的进程,第七电容C7上的电压即集成运算放大器IC2之2脚上的电压V2逐步上升,至t=t5时,集成运算放大器IC2之2脚上电压V2已上升为大于集成运算放大器IC2之3脚上电压V3,即V2>V3,集成运算放大器IC2输出的电压即其之1脚上的电压Vg变为低电平,即Vg=0
综上所述,本实施例3中的开关脉冲发生电路102输出的开关脉冲波形可用图8表示。
本实施例3启动、吸持、复位的工作过程与实施例1相同。
结合图4、图5、图6、图7,本发明具有以下重要的抗干扰特征:
1、在P1为低电平、P2为高电平的AC电压负半周,第三二极管D3、第六二极管D6均导通,增压电路104中的第四电容C4等效与AC电压相并联,因此,由AC电压引入的干扰电压被第四电容C4滤除。简言之:增压电路104兼有滤除干扰电压的功能。
综合先前所述:增压电路104具有增强启动电压、滤除干扰电压的双重功能。
2、在P1为低电平、P2为高电平的AC电压正半周,励磁电感L中的励磁电流按P1—D4—励磁电感L—D5—SCR—P2(启动过程)的路径或P1—D4—励磁电感L—C5—P2(吸持过程)路径流通,由AC电压引入的干扰电压经半桥电路106中的第四二极管D4整流后,转化为励磁电感L中的励磁电流。简言之:半桥电路106兼有转化干扰电压为励磁电流的功能。
3、如前已述,AC电压关断时,励磁电感L中电流通过半桥电路106中的第三二极管D3、第四二极管D4续流并逐渐减小至零,因此,可防止本发明内部产生干扰电压。简言之:半桥电路106兼有抑制内部干扰电压的功能。
综合先前所述:半桥电路106具有整流、转化干扰电压为励磁电流、抑制内部干扰电压的三重功能。
以上阐述了本发明的技术方案,一切不脱离本发明的技术方案之实质的替代,都应在本发明的权利要求的范围内。
Claims (1)
1.一种采用半桥电路的交流电磁铁,包括由动铁芯(M)、静铁芯(G)、复位弹簧(F)、励磁线圈(L)所组成的常规交流电磁铁以及电子单元(100)两部分,其特征在于:所述电子单元(100)由DC电源电路(101)、开关脉冲发生电路(102)、开关电路(103)、增压电路(104)、分压电路(105)、半桥电路(106)、公共端(E)所组成;其中,所述DC电源电路(101)的第一端(1)与所述半桥电路(106)相连接;所述开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)与所述电源电路(101)的第二端(2)相连接、开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)与所述开关电路(103)的第一端(5)相连接;所述开关电路(103)的第二端(6)与半桥电路(106)的第二端(DC2)相连接、开关电路(103)的第三端(7)与增压电路(104)的第一端(8)相连接;所述增压电路(104)的第二端(9)与半桥电路(106)的第二端(DC2)相连接;所述分压电路(105)的第一端(10)也与所述半桥电路(106)相连接;所述半桥电路(106)的第三端(AC1)与AC电压的第一端(P1)相连接、半桥电路(106)的第一端(DC1)与所述励磁线圈(L)的第一端(A1)相连接、半桥电路(106)的第二端(DC2)与所述励磁线圈(L)的第二端(A2)相连接;所述公共端(E)与AC电压的第二端(P2)相连接;DC电源电路(101)、开关脉冲发生电路(102)、开关电路(103)、增压电路(104)、分压电路(105)各自的一端均与所述公共端(E)相连接;
其中,所述DC电源电路(101)的第一端(1)与所述半桥电路(106)相连接的方法采用以下三种之一:第一种,DC电源电路(101)的第一端(1)端与半桥电路(106)的第三端(AC1)相连接;第二种,DC电源电路(101)的第一端(1)与半桥电路(106)的第一端(DC1)相连接;第三种,DC电源电路(101)的第一端(1)与半桥电路(106)的第二端(DC2)相连接;
所述分压电路(105)的第一端(10)与所述半桥电路(106)相连接的方法采用以下二种之一:第一种,分压电路(105)的第一端(10)与半桥电路(106)的第二端(DC2)相连接;第二种,分压电路(105)的第一端(10)与半桥电路(106)的第一端(DC1)相连接;
其中,所述DC电源电路(101)由DC电源电路(101)的第一端(1)、第一电容(C1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第二电容(C2)、DC电源电路(101)的第二端(2)组成;其中,所述第一电容(C1)一端与所述DC电源电路(101)的第一端(1)相连接、另一端与第一二极管(D1)的负极、第二二极管(D2)的正极均相连接;第二二极管(D2)的负极与第二电容(C2)的正极、DC电源电路(101)的第二端(2)均相连接;第一二极管(D1)的正极、第二电容(C2)的负极均与公共端(E)相连接;
所述开关脉冲发生电路(102)的电路结构为以下三种结构之一:
第一种:所述开关脉冲发生电路(102)由开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)、第三电容(C3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、三极管(T1)、开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)组成;其中:第一电阻(R1)、第三电阻(R3)各自的一端均与开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)相连接;第一电阻(R1)的另一端、第二电阻(R2)的一端、第三电容(C3)的一端均与三极管(T1)的基极相连接;第三电阻(R3)的另一端、三极管(T1)的集电极均与开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)相连接;第三电容(C3)的另一端、第二电阻(R2)的另一端、三极管(T1)的发射极均与公共端(E)相连接;
第二种:所述开关脉冲发生电路(102)由开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第六电容(C6)、集成时基电路(IC1)、开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)组成;其中:第五电阻(R5)的一端、集成时基电路(IC1)的第八脚和第四脚均与开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)相连接;集成时基电路(IC1)的第六脚和第二脚、第五电阻(R5)的另一端、第六电阻(R6)的一端、第六电容(C6)的一端均互相连接;第七电阻(R7)的一端与集成时基电路(IC1)的第三脚相连接、另一端与开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)相连接;第六电容(C6)的另一端、第六电阻(R6)的另一端、集成时基电路(IC1)的第一脚均与公共端(E)相连接;
第三种:所述开关脉冲发生电路(102)由开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)、第七电容(C7)、集成运算放大器(IC2)、开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)组成;其中:第八电阻(R8)的一端、第十电阻(R10)的一端、第十二电阻(R12)的一端、集成运算放大器(IC2)的第八脚均与开关脉冲发生电路(102)的第一端(3)相连接;第八电阻(R8)的另一端、第七电容(C7)的一端、第九电阻(R9)的一端均与集成运算放大器(IC2)的第二脚相连接;第十电阻(R10)的另一端、第十一电阻(R11)的一端均与集成运算放大器(IC2)的第三脚相连接;第十二电阻(R12)的另一端、开关脉冲发生电路(102)的第二端(4)均与集成运算放大器(IC2)的第一脚相连接;第七电容(C7)的另一端、第九电阻(R9)的另一端、第十一电阻(R11)的另一端、集成运算放大器(IC2)的第四脚均与公共端(E)相连接;
其中,所述开关电路(103)由第五二极管(D5)、单向晶体闸流管、开关电路(103)的第一端(5)、开关电路(103)的第二端(6)、开关电路(103)的第三端(7)组成;其中:所述第五二极管(D5)的正极与开关电路(103)的第二端(6)相连接,负极与所述单向晶体闸流管的阳极、开关电路(103)的第三端(7)相连接;单向晶体闸流管的阴极与所述与公共端(E)相连接、门极与开关电路(103)第一端(5)相连接;
其中,所述增压电路(104)由增压电路(104)的第一端(8)、第四电容(C4)、第六二极管(D6)、增压电路(104)的第二端(9)、其中:第四电容(C4)的正极与增压电路(104)的第一端(8)相连接、负极与增压电路(104)的第二端(9)相连接;第六二极管(D6)的负极也与增压电路(104)的第二端(8)相连接、正极与公共端相连接;
其中,所述半桥电路(106)由第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、半桥电路(106)的第三端(AC1)、半桥电路(106)的第一端(DC1)、半桥电路(106)的第二端(DC2)组成,其中:第三二极管(D3)的负极、第四二极管(D4)的正极均与半桥电路(106)的第三端(AC1)相连接;第三二极管(D3)的正极与半桥电路(106)的第二端(DC2)相连接;第四二极管(D4)的负极与半桥电路(106)的第一端(DC1)相连接。
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