CN106756836A - 一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法 - Google Patents

一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106756836A
CN106756836A CN201710010630.0A CN201710010630A CN106756836A CN 106756836 A CN106756836 A CN 106756836A CN 201710010630 A CN201710010630 A CN 201710010630A CN 106756836 A CN106756836 A CN 106756836A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
lanthanides
matrix
circuit board
weight percentage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710010630.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李天奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Qi Hong Electronic Science And Technology Co Ltd
Original Assignee
Guangzhou Qi Hong Electronic Science And Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Qi Hong Electronic Science And Technology Co Ltd filed Critical Guangzhou Qi Hong Electronic Science And Technology Co Ltd
Priority to CN201710010630.0A priority Critical patent/CN106756836A/zh
Publication of CN106756836A publication Critical patent/CN106756836A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
    • C22C1/03—Making non-ferrous alloys by melting using master alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种透明电路板用镧系靶材，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质，还公开了其制造方法。本发明通过在靶材基质中增加镧系金属，与同类型未添加靶材相比，导电性能增加，电阻率下降5～18％；靶材作用于玻璃基板时，附着力明显增强，与玻璃表面溅射的其他附着层互融性明显增强，附着力提高2～5％表面焊接电子器件时，每平方厘米可以承受2KG以上的推力。

Description

一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法
技术领域
本发明涉及靶材制造领域，特别涉及一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法。
背景技术
传统的ITO作为一种成熟的透明导电薄膜技术发展在手机触摸屏以及显示面板等领域得到了广泛的应用，然而在≤30欧姆领域的应用，由于成本的问题，而未能够大规模进行推广。另外，在制作透明电路板的过程中，传统的ITO以及金属材料所形成的电路阻值会比较高，一般采取加厚电路镀层来降低电阻的方案。然而，该方案的使用一方面会使得成本增加，另一方面也会降低效率。
目前，虽然已有关于在靶材中添加其他金属来降低电阻，改善导电性能的方法，但效果一直不理想。
因此，亟需一种能提高导电性能，并且能有效地降低电路阻值的靶材。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种透明电路板用镧系靶材，该靶材在基质上形成电路镀层时，可降低电路阻值，提高电路的导电性能，同时还能提高镀层与基质的附着力，增强电路的稳定性。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为
一种透明电路板用镧系金属，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质。
优选地，靶材基质选自ITO、Cu、Ni、Ag、Ti中任一种。
优选地，以重量百分比计，包括0.03～0.06％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.05％的Yb。
优选地，以重量百分比计，包括0.05～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.01～0.03％的Yb、0.02～0.05％Gd、0.01～0.03％Lu。
优选地，以重量百分比计，包括0.1～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.02～0.06％的Yb、0.02～0.05％的Gd、0.01～0.03％的Lu、0.01～0.03％的Tb。
一种透明电路板用镧系靶材的制造方法，其制造步骤为：首先，以La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分靶材基质在真空、高温下熔融形成中间体，中间体再与余量靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
优选地，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分靶材基质熔融后与靶材的比例按重量比为1：20～50。
采用上述技术方案，通过在靶材基质中添加镧系金属，可以达到以下效果：
1、与同类型未添加靶材相比，导电性能增加，阻值有明显的降低，电阻率下降5～18％；
2、靶材作用于基质时，附着力明显增强，与玻璃表面溅射的其他附着层互融性明显增强，附着力提高2～5％，电路稳定性高，而在表面焊接电子器件时，每平方厘米可以承受2KG以上的推力。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
以下实施例均以最终形成的添加镧系金属的靶材1Kg为例，同时靶材基质均以Cu为例，但本发明并不局限于Cu，也可以包括其他市售的靶材基质，如ITO、Cu、Ni、Ag、Ti等，由于不同靶材基质的熔点不同，下述实施例中的高温是以每个实施例中的熔点最高的金属为准，等于或略大于靶材中最高熔点金属的熔点温度即可，即下述实施例中的高温或权利要求中的高温为确定温度，并非不确定用语，另外在熔融时容器的选择上有所区别，一般采用钨坩埚，需承受更高温度时可采用石墨坩埚，而制造方法中先通过形成中间体的方式，有利于镧系金属与靶材基质的均匀融合，更利于保护靶材性能的稳定性。
实施例1
本实施例以重量百分比计，包括0.3g的La、0.8g的Ce、0.4g的Yb，余量为靶材基质Cu998.5g，La、Ce、Yb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例2
本实施例以重量百分比计，包括0.6g的La、0.4g的Ce、0.5g的Yb，余量为靶材基质Cu998.5g，La、Ce、Yb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例3
本实施例以重量百分比计，包括0.5g的La、0.5g的Ce、0.2g的Yb，余量为靶材基质Cu998.8g，La、Ce、Yb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例4
本实施例以重量百分比计，包括0.5g的La、0.5g的Ce、0.2g的Yb、0.3g的Gd、0.1g的Lu，余量为靶材基质Cu998.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例5
本实施例以重量百分比计，包括1g的La、0.6g的Ce、0.2g的Yb、0.5g的Gd、0.2g的Lu，余量为靶材基质Cu997.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例6
本实施例以重量百分比计，包括2g的La、0.8g的Ce、0.3g的Yb、0.2g的Gd、0.3g的Lu，余量为靶材基质Cu996.4g，La、Ce、Yb、Gd、Lu与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例7
本实施例以重量百分比计，包括1g的La、0.8g的Ce、0.2g的Yb、0.2g的Gd、0.2g的Lu、0.1g的Tb，余量为靶材基质Cu997.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例8
本实施例以重量百分比计，包括1.5g的La、0.5g的Ce、0.5g的Yb、0.5g的Gd、0.3g的Lu、0.2g的Tb，余量为靶材基质Cu996.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
实施例9
本实施例以重量百分比计，包括2g的La、0.6g的Ce、0.6g的Yb、0.4g的Gd、0.1g的Lu、0.3g的Tb，余量为靶材基质Cu996g，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
在以上实施例中，所有镧系金属+3价离子颜色均为透明，熔融中以颗粒状悬浮于熔体之中，形成结晶核基底，增加了小微轴晶的生成，从而细化晶粒。另一方面，镧原子半径大于靶材基质的原子半径，进入靶材基质相晶格内引起较大的晶格畸变，产生畸变能，使系统能量增加，稀土原子只能向高能量的晶界富集，使系统保持最低的自由能。所以铸态组织中镧原子大部分沿晶界分布，而且阻滞单质金属晶粒的长大，靶材基质的晶粒被细化。
以上实施例在基质靶材(不限于Cu靶材)中添加镧系金属，相较于之前没有添加镧系金属的靶材来说，具有以下优点：
1、制成新的靶材可用于透明电路板透明导电材料，同样厚度的膜层，电阻率下降5～18％；
2、制成新的靶材作用于玻璃表面，与玻璃表面溅射的其他附着层互融性明显增强，附着力也提高2～5％，玻璃表面金属电极的可焊接性增强，以添加镧系金属的靶材溅射后玻璃上每平方厘米可以承受2KG以上的推力。
本发明适合不同重量、不同材质的靶材。
以上对本发明的实施方式作了详细说明，但本发明不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本发明原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种透明电路板用镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质。
2.根据权利要求1所述的镧系靶材，其特征在于，靶材基质选自ITO、Cu、Ni、Ag、Ti中任一种。
3.根据权利要求1或2所述的镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.03～0.06％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.05％的Yb。
4.根据权利要求1或2所述的镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.05～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.01～0.03％的Yb、0.02～0.05％的Gd、0.01～0.03％的Lu。
5.根据权利要求1或2所述的镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.1～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.02～0.06％的Yb、0.02～0.05％的Gd、0.01～0.03％的Lu、0.01～0.03％的Tb。
6.一种权利要求1所述的透明电路板用镧系靶材的制造方法，其特征在于，制造步骤为：以La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分靶材基质在真空、高温下熔融形成中间体，中间体再与余量靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分靶材基质熔融后与靶材的比例按重量比为1：20～50。
CN201710010630.0A 2017-01-06 2017-01-06 一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法 Pending CN106756836A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710010630.0A CN106756836A (zh) 2017-01-06 2017-01-06 一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710010630.0A CN106756836A (zh) 2017-01-06 2017-01-06 一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106756836A true CN106756836A (zh) 2017-05-31

Family

ID=58951053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710010630.0A Pending CN106756836A (zh) 2017-01-06 2017-01-06 一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106756836A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1243171A (zh) * 1999-08-06 2000-02-02 上海交通大学 含混合稀土元素高阻溅射靶材
CN1446941A (zh) * 2002-03-25 2003-10-08 日立金属株式会社 Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材
CN101299461A (zh) * 2008-07-03 2008-11-05 昆明贵金属研究所 铂钌掺杂La系稀土元素多相催化剂的制备方法
CN102943221A (zh) * 2012-11-14 2013-02-27 仝泽彬 具有高导电率和耐电化学腐蚀的银合金反射薄膜及其制备方法
CN104093865A (zh) * 2012-02-02 2014-10-08 株式会社神户制钢所 用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的Ag合金膜、以及Ag合金溅射靶及Ag合金填料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1243171A (zh) * 1999-08-06 2000-02-02 上海交通大学 含混合稀土元素高阻溅射靶材
CN1446941A (zh) * 2002-03-25 2003-10-08 日立金属株式会社 Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材
CN101299461A (zh) * 2008-07-03 2008-11-05 昆明贵金属研究所 铂钌掺杂La系稀土元素多相催化剂的制备方法
CN104093865A (zh) * 2012-02-02 2014-10-08 株式会社神户制钢所 用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的Ag合金膜、以及Ag合金溅射靶及Ag合金填料
CN102943221A (zh) * 2012-11-14 2013-02-27 仝泽彬 具有高导电率和耐电化学腐蚀的银合金反射薄膜及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5420328B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用配線膜形成用スパッタリングターゲット
JP5975186B1 (ja) Ａｇ合金スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜の製造方法
CN107709584B (zh) Ag合金膜及其制造方法、Ag合金溅射靶以及层叠膜
JP2010103331A (ja) 薄膜トランジスター用配線膜形成用スパッタリングターゲット
JP5798482B2 (ja) 第１の相および第２の相を含む酸化物スパッタターゲットの製造方法
CN104995329A (zh) 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法
KR101804660B1 (ko) 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재
CN109306414A (zh) 银合金靶材、薄膜及其制备方法
JP2016040411A (ja) 積層膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法
JP5339830B2 (ja) 密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット
WO2012137461A1 (ja) 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN106796885A (zh) 透明导电配线及透明导电配线的制造方法
CN105473760B (zh) 保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜
JP6274026B2 (ja) 銅合金スパッタリングターゲット及び銅合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP6011700B2 (ja) Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、この製造方法
CN106756836A (zh) 一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法
JP6380837B2 (ja) 被覆層形成用スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP2012219308A (ja) 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP6228631B1 (ja) Ａｌ合金スパッタリングターゲット
CN106834863B (zh) 一种镧系金属催化剂
CN105023627A (zh) 一种具有高导电和抗氧化性的薄膜及其制备方法
JP5099504B2 (ja) 密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極
CN100451161C (zh) 导电薄膜或其保护层用的合金靶材及其制造方法
CN104919081A (zh) Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜
JP6507848B2 (ja) スパッタリング用合金ターゲット、及びスパッタリング用合金ターゲットの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170531