CN106756803B - 一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料，及包裹在所述待蒸镀材料表面的保护材料，其中：所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数，当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。由于这种蒸镀用材料在功函数较低的待蒸镀材料表面包裹了功函数较高的保护材料，使得待蒸镀材料在添加到蒸镀腔室进行蒸镀的过程中不会因为与空气接触而部分被氧化腐蚀，进而有效提高使用这种待蒸镀材料蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。

Description

一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法
技术领域
本发明涉及真空蒸镀领域，尤其涉及一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)不仅具有自发光特性，而且结构简单、轻薄、响应速度快、可视角度大、发光效率高以及可实现柔性显示，是一种极具发展前景的平板显示技术。
在OLED中，阴极产生的电子经过电子注入层注入到电子传输层，然后经过电子传输层传输到达有机发光层，阳极产生的空穴经过空穴注入层注入空穴传输层，然后经过空穴传输层传输到达有机发光层，电子和空穴在有机发光层中复合释放能量，激发有机发光层中的发光单元发光。
在OLED制造工艺中，主要通过真空蒸镀的方法将蒸镀用的电子注入材料沉积在有机发光层之上，形成电子注入层。电子注入材料的功函数越低，蒸镀形成的电子注入层的电子注入性能越高，因此，电子注入材料通常采用功函数较低的材料，例如：功函数为2.87ev的钙(Ca)，功函数为3.66ev的镁(Mg)、功函数为2.7ev的钐(Sm)以及功函数为2.7ev的镱(Yb)等。
功函数较低的电子注入材料的化学性质较活泼，接触空气容易被氧化，需要保存在充满惰性气体(例如：氩气或氮气)的手套箱中。但是，在真空蒸镀电子注入层时，需要将功函数较低的电子注入材料从手套箱中添加到蒸镀腔室中，这个材料添加过程是在空气中进行的，使得功函数较低的电子注入材料在添加过程中被部分氧化变质，降低蒸镀得到的电子注入层的电子注入性能。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种蒸镀用材料、制备方法和蒸镀方法，用以解决现有技术中功函数较低的电子注入材料易被氧化腐蚀，降低蒸镀得到的电子注入层的电子注入性能的问题
本发明实施例提供一种蒸镀用材料，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料，及包裹在所述待蒸镀材料表面的保护材料；其中：
所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；
当达到相同的蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。
优选地，所述待蒸镀材料的结构为球状颗粒。
优选地，所述待蒸镀材料为用于蒸镀得到OLED中的电子注入层的材料。
优选地，所述保护材料为升华性的材料。
本发明实施例还提供一种蒸镀用镱材料，所述蒸镀用镱材料包括：待蒸镀镱材料，及包裹在所述待蒸镀镱材料表面的保护锌材料；其中：
所述保护锌材料的功函数大于所述待蒸镀镱材料的功函数；
当达到相同的蒸镀速率时，所述保护锌材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀镱材料所需要的蒸镀温度。
本发明实施例还提供一种蒸镀用材料的制备方法，所述制备方法用于制备得到如上所述的蒸镀用材料，包括：
制备待蒸镀材料；
在所述待蒸镀材料表面包裹保护材料，其中：
所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；
当达到相同的蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。
优选地，所述待蒸镀材料的结构为球状颗粒。
本发明实施例还提供一种蒸镀方法，所述蒸镀方法对如上所述的蒸镀用材料进行蒸镀，包括：
在第一温度下进行蒸镀，使得所述蒸镀用材料中的保护材料升华；
当所述蒸镀用材料在所述第一温度下的蒸镀时长为第一预设时长时，将温度调整为第二温度，所述第二温度高于所述第一温度；
当检测到蒸镀速率达到预设蒸镀速率时，打开用于隔离蒸镀基板的挡板，使得所述蒸镀用材料中的待蒸镀材料沉积在所述蒸镀基板上形成沉积膜层。
优选地，在打开所述挡板之后，在所述第二温度下进行蒸镀，且蒸镀时长为第二预设时长，所述第二预设时长是根据所述沉积膜层的预设厚度以及所述预设蒸镀速率确定的。
优选地，所述第一温度为按照所述预设蒸镀速率蒸镀时所述保护材料的蒸镀温度；
所述第二温度为按照所述预设蒸镀速率蒸镀时所述待蒸镀材料的蒸镀温度。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种蒸镀用材料，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料，及包裹在所述待蒸镀材料表面的保护材料；其中：所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。由于这种蒸镀用材料在功函数较低的待蒸镀材料表面包裹了功函数较高的保护材料，使得待蒸镀材料在添加到蒸镀腔室进行蒸镀的过程中不会因为与空气接触而部分被氧化腐蚀，能够有效提高使用这种待蒸镀材料蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。
在使用如上所述的蒸镀用材料进行蒸镀的过程中，首先将这种蒸镀用材料在第一温度下进行蒸镀，使得构成升华性的保护材料被气化，脱离待蒸镀材料，然后在第二温度下进行蒸镀，使得待蒸镀材料沉积在蒸镀基板上形成电子注入层，有效提高蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种蒸镀用材料的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种蒸镀用镱材料的结构示意图；
图3(a)为本发明实施例提供的保护锌材料的蒸镀工艺参数的示意图；
图3(b)为本发明实施例提供的待蒸镀镱材料的蒸镀工艺参数的示意图；
图4(a)为本发明实施例提供的使用待蒸镀镱金属球和使用蒸镀用Yb@Zn金属球蒸镀得到的OLED器件的性能对比示意图；
图4(b)为本发明实施例提供的使用待蒸镀镱金属球和使用蒸镀用Yb@Zn金属球蒸镀得到的OLED器件的性能对比示意图；
图5为本发明实施例提供的一种蒸镀用材料的制备方法的流程示意图；
图6为本发明实施例提供的一种蒸镀方法的流程示意图。
具体实施方式
在实际应用中，功函数较低的电子注入材料通常需要保存在充满惰性气体的手套箱中。但是，由于在OLED电子注入层的蒸镀过程中，需要将功函数较低的电子注入材料从手套箱中添加到蒸镀腔室中，这个材料添加过程是在空气中进行的，使得电子注入材料在添加过程中容易被部分氧化腐蚀，降低蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。
为了减缓功函数较低的电子注入材料的氧化腐蚀程度，需要缩短所述电子注入材料与空气接触的时间，将所述电子注入材料快速从手套箱中添加到蒸镀腔室内，并迅速对所述蒸镀腔室进行抽真空操作。
当电子注入材料是Mg这种功函数略高的材料时，采用上述方法可以有效减缓Mg的氧化腐蚀程度。
但是，当电子注入材料是Ca或Yb等功函数很低的材料时，这些材料与空气接触后表面会迅速被氧化腐蚀，因此，采用上述方法无法减缓Ca或Yb等电子注入材料的氧化腐蚀程度。
目前，对于减缓电子注入材料的氧化腐蚀程度，还可以采用将蒸镀腔室的入口内置于手套箱中，并使用机械手将手套箱中存放的电子注入材料添加到蒸镀腔室内，使得所述电子注入材料在添加过程中不与空气发生接触，不会发生氧化腐蚀现象。但是，采用该方法的设备比较复杂，维护比较困难，并且成本较高，不适用OLED器件量产过程中电子注入层的蒸镀。
为了实现本发明的目的，本发明实施例提供了一种蒸镀用材料，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料，及包裹在所述待蒸镀材料表面的保护材料；其中：所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。由于这种蒸镀用材料在功函数较低的待蒸镀材料表面包裹了功函数较高的保护材料，使得待蒸镀材料在添加到蒸镀腔室进行蒸镀的过程中不会因为与空气接触而部分被氧化腐蚀，能够有效提高使用这种待蒸镀材料蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
图1为本发明实施例提供的一种蒸镀用材料的结构示意图，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料11，及包裹在所述待蒸镀材料11表面的保护材料12；其中：
所述保护材料12的功函数大于所述待蒸镀材料11的功函数。
所述保护材料12的功函数较大，在空气中不易被氧化腐蚀；即使所述保护材料12在空气中部分被氧化腐蚀，也能够保护其内部的所述待蒸镀材料11不与空气接触，不被氧化腐蚀。
当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料12所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料11所需要的蒸镀温度。
其中，蒸镀速率指的是单位时间内蒸镀材料的沉积膜层的厚度。
采用本发明实施例记载的所述蒸镀用材料进行蒸镀时，设定蒸镀速率不变。首先，在所述保护材料12对应的较低的蒸镀温度下进行蒸镀，使得所述保护材料12升华脱离所述待蒸镀材料11。
然后，将蒸镀温度调整为所述待蒸镀材料11对应的较高的蒸镀温度，对所述待蒸镀材料进行蒸镀。
因此，所述保护材料12仅仅对所述待蒸镀材料11起到保护作用，不会影响对所述待蒸镀材料的蒸镀。
优选地，所述待蒸镀材料11的结构为球状颗粒。
球状结构的比表面积(平方米/克)较小，对于同样重量的待蒸镀材料，制备为球状结构得到的球状颗粒表面积较小，占用空间较小；在球状结构的待蒸镀材料表面包裹保护材料时，所述保护材料表面容易形成空隙，使得所述保护材料在蒸镀过程中易于升华，脱离所述待蒸镀材料，因此，优选地，所述待蒸镀材料11的结构为球状颗粒。
但是，在实际应用中，所述待蒸镀材料11的结构除了是球状颗粒之外，也可以是多面体结构，例如：五面体结构等，还可以是其他的形状，这里不做具体限定。
优选地，所述待蒸镀材料11为用于蒸镀得到OLED中的电子注入层的材料。
需要说明的是，所述待蒸镀材料11为用于蒸镀得到OLED中的电子注入层的电子注入材料，可以是Ca，可以是Yb，可以是Sm，还可以是其他的电子注入材料，这里不做具体限定。
需要说明的是，所述保护材料12是根据所述待蒸镀材料11的功函数、达到指定蒸镀速率时所述保护材料12需要的蒸镀温度以及所述保护材料12的力学加工难度等因素确定的，这里不做具体限定。
优选地，所述保护材料12为升华性的材料。
所述保护材料12为升华性的材料，使得在对所述保护材料12进行蒸镀时，所述保护材料12可以直接从固态变为气态，脱离所述待蒸镀材料11表面，而不会从固态变为液体，附着于所述待蒸镀材料11的表面，对所述待蒸镀材料造成污染。
例如：表1为常用待蒸镀材料的参数表，表2为常用保护镀层材料的参数表。
表1
表2
由表1和表2可知，当所述待蒸镀材料11为Yb、Sm、Ca时，能够作为所述保护材料12的为Zn，即构成蒸镀用Yb@Zn材料、蒸镀用Sm@Zn材料和蒸镀用Ca@Zn材料。
而常用保护镀层材料Al，由于蒸镀温度较高，并且蒸镀状态为熔融状态，因此，无法作为本申请实施例中所记载的所述保护材料12。
本发明实施例提供的一种蒸镀用材料，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料，及包裹在所述待蒸镀材料表面的保护材料；其中：所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。由于这种蒸镀用材料在功函数较低的待蒸镀材料表面包裹了功函数较高的保护材料，使得待蒸镀材料在添加到蒸镀腔室进行蒸镀的过程中不会因为与空气接触而部分被氧化腐蚀，能够有效提高使用这种待蒸镀材料蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。
实施例2
图2为本发明实施例提供的一种蒸镀用镱材料的结构示意图，所述蒸镀用镱材料包括：待蒸镀镱材料21，及包裹在所述待蒸镀镱材料21表面的保护锌材料22，其中：
所述保护锌材料22的功函数大于所述待蒸镀镱材料21的功函数。
为了描述方便，以下将图2中的蒸镀用镱材料简称为蒸镀用Yb@Zn金属球。
所述蒸镀用Yb@Zn金属球中的所述待蒸镀镱材料的功函数为2.7ev，所述保护锌材料的功函数为3.7ev。
所述保护锌材料与空气接触，在表面形成一层致密的氧化锌膜，能够保护其内部的所述待蒸镀镱材料不被空气氧化腐蚀。
当达到相同蒸镀速率时，所述保护锌材料22所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀镱材料21所需要的蒸镀温度。
在使用所述蒸镀用Yb@Zn金属球进行蒸镀时，得到所述待蒸镀镱材料和所述保护锌材料的蒸镀工艺参数。
图3(a)为本发明实施例提供的保护锌材料的蒸镀工艺参数的示意图。
由图3(a)可知，当蒸镀速率达到时，所述保护锌材料所需要的蒸镀温度约为370℃。
图3(b)为本发明实施例提供的待蒸镀镱材料的蒸镀工艺参数的示意图。
由图3(b)可知，当蒸镀速率达到时，所述待蒸镀镱材料所需要的蒸镀温度约为630℃。
优选地，所述待蒸镀镱材料21的结构为球状颗粒。
所述待蒸镀镱材料21是用于蒸镀得到OLED中的电子注入层的材料。
优选地，所述保护锌材料22为升华性的材料。
所述保护锌材料22为升华性的材料，使得在对所述保护锌材料22进行蒸镀时，所述保护锌材料22可以直接从固态变为气态，脱离所述待蒸镀镱材料21表面，而不会从固态变为液体，附着于所述待蒸镀镱材料21的表面，对所述待蒸镀镱材料21造成污染。
为了确保使用本发明实施例所记载的所述蒸镀用Yb@Zn金属球蒸镀得到OLED中的电子注入层不会影响OLED的性能，分别对使用待蒸镀镱金属球以及使用图2所示的所述蒸镀用Yb@Zn金属球蒸镀得到的OLED器件进行了性能测试。
图4(a)为本发明实施例提供的使用待蒸镀镱金属球和使用蒸镀用Yb@Zn金属球蒸镀得到的OLED器件的性能对比示意图。
图4(b)为本发明实施例提供的使用待蒸镀镱金属球和使用蒸镀用Yb@Zn金属球蒸镀得到的OLED器件的性能对比示意图。
由图4(a)和图4(b)可知，使用所述蒸镀用Yb@Zn金属球不会影响蒸镀得到的OLED器件的性能。
实施例3
图5为本发明实施例提供的一种蒸镀用材料的制备方法的流程示意图。所述制备方法用于制备得到上述实施例1和/或上述实施例2所记载的蒸镀用材料，所述制备方法可以如下所示。
步骤51：制备待蒸镀材料。
所述待蒸镀材料为用于蒸镀得到OLED中的电子注入层的电子注入材料，可以是Sm，可以是Ca，可以是Yb，还可以是其他的电子注入材料，这里不做具体限定。
优选地，所述待蒸镀材料的结构为球状颗粒。
需要说明的是，将所述待蒸镀材料制备为球状颗粒的过程需要在隔绝空气的环境中进行，确保所述待蒸镀材料不会被空气氧化腐蚀。
优选地，所述球状颗粒的大小根据蒸镀坩埚的尺寸和/或蒸镀速率确定。
在实际应用中，需要将球状颗粒的所述待蒸镀材料放置在蒸镀坩埚中，然后再将蒸镀坩埚置于蒸镀腔室内，对球状颗粒的所述待蒸镀材料进行蒸镀。
因此，所述球状颗粒的大小需要根据所述蒸镀坩埚的尺寸确定，当所述蒸镀坩埚的尺寸较大时，所述球状颗粒的大小可以较大；当所述蒸镀坩埚的尺寸较小时，所述球状颗粒的大小需要较小，使得所述球状颗粒能够放置在所述蒸镀坩埚内。
球状颗粒的比表面积(平方米/克)会影响蒸镀过程中的蒸镀速率，在同样的蒸镀温度下，尺寸较大的球状颗粒的蒸镀速率较大，尺寸较小的球状颗粒的蒸镀速率较小。因此，所述球状颗粒的大小需要根据预设的蒸镀速率的大小来确定。
需要说明的是，所述待蒸镀材料11的结构除了是球状颗粒之外，也可以是多面体结构，例如：五面体结构等，还可以是其他的形状，这里不做具体限定。
步骤52：在所述待蒸镀材料表面包裹保护材料。
其中，所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度。
在步骤52中，在步骤51制备完成的所述待蒸镀材料的表面包裹一层保护材料，使得所述待蒸镀材料不与空气接触，所述保护材料对所述待蒸镀材料起到保护作用。
优选地，所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数。
需要说明的是，所述保护材料的厚度可以根据实际情况确定，这里不做具体限定。
采用本实施例所记载的制备方法能够制备得到上述实施例2中所记载的蒸镀用Yb@Zn金属球。
所述蒸镀用Yb@Zn金属球中的待蒸镀镱材料是直径为10mm的球状颗粒，镱的功函数为2.7ev；所述蒸镀用Yb@Zn金属球中的保护锌材料的厚度为0.1mm，锌的功函数为3.7ev。
所述保护锌材料与空气接触，在表面形成一层致密的氧化锌膜，能够保护其内部的待蒸镀镱材料不被空气氧化腐蚀。
实施例4
图6为本发明实施例提供的一种蒸镀方法的流程示意图。所述蒸镀方法对上述实施例1和/或上述实施例2所记载的蒸镀用材料进行蒸镀，所述蒸镀方法可以如下所示。
步骤61：在第一温度下进行蒸镀，使得所述蒸镀用材料中的保护材料升华。
在步骤61中，将所述蒸镀用材料放置在蒸镀坩埚中，并将所述蒸镀坩埚置于蒸镀腔室中，将所述蒸镀用材料在第一温度下进行蒸镀。
优选地，所述第一温度为按照预设蒸镀速率蒸镀时所述保护材料的蒸镀温度。
将所述蒸镀用材料在第一温度下进行蒸镀，使得所述保护材料升华，脱离所述蒸镀用材料中的待蒸镀材料。
以上述实施例2中所记载的蒸镀用Yb@Zn金属球为例，将所述蒸镀用Yb@Zn金属球放置在蒸镀坩埚中，进而将所述蒸镀坩埚置于蒸镀腔室中，将蒸镀腔室内的预设蒸镀速率设置为
由图3(a)可知，当蒸镀速率达到时，所述保护锌材料的蒸镀温度约为370℃。
因此，所述第一温度为370℃，将所述蒸镀用Yb@Zn金属球在370℃下进行蒸镀，使得所述保护锌材料升华，脱离所述待蒸镀镱材料。
步骤62：当所述蒸镀用材料在所述第一温度下的蒸镀时长为第一预设时长时，将温度调整为第二温度。
其中，所述第二温度高于所述第一温度。
在步骤62中，当所述蒸镀用材料在所述第一温度下进行蒸镀，且蒸镀时长达到第一预设时长时，能够确定所述蒸镀用材料中的所述保护材料已经完全升华，即所述蒸镀用材料此时仅剩下所述待蒸镀材料。
需要说明的是，所述第一预设时长可以根据所述外壳的厚度和所述预设蒸镀速率确定，这里不做具体限定。
优选地，所述第二温度为按照预设蒸镀速率蒸镀时所述待蒸镀材料的蒸镀温度。
确定按照所述预设蒸镀速率蒸镀时所述待蒸镀材料的蒸镀温度为第二温度，将温度由所述第一温度调整为所述第二温度，对所述待蒸镀材料进行蒸镀。
仍以上述实施例2中所记载的蒸镀用Yb@Zn金属球为例，当所述蒸镀用Yb@Zn金属球在第一温度370℃下在蒸镀腔室内进行蒸镀，达到第一预设时长10分钟时，检测到所述蒸镀腔室内的蒸镀速率已经接近于0，能够确定所述保护Zn材料已经完全升华，此时，调整所述蒸镀腔室内的温度。
由图3(b)可知，当蒸镀速率达到时，所述待蒸镀镱材料的蒸镀温度约为630℃。
将所述蒸镀腔室内的温度由所述第一温度370℃调整为第二温度630℃，对所述待蒸镀镱材料进行蒸镀。
步骤63：当检测到蒸镀速率达到预设蒸镀速率时，打开用于隔离蒸镀基板的挡板，使得所述蒸镀用材料中的待蒸镀材料沉积在所述蒸镀基板上形成沉积膜层。
在步骤63中，当检测到所述蒸镀腔室内的蒸镀速率达到所述预设蒸镀速率时，能够确定所述待蒸镀材料的蒸镀速率平稳，此时，打开用于隔离蒸镀基板的挡板，使得所述待蒸镀材料沉积在所述蒸镀基板上，形成待蒸镀沉积膜层。
优选地，在打开所述挡板之后，在所述第二温度下进行蒸镀，且蒸镀时长为第二预设时长。
其中，所述第二预设时长是根据所述沉积膜层的预设厚度以及所述预设蒸镀速率确定的。
在步骤61和62中，所述蒸镀基板位于所述蒸镀腔室内与所述蒸镀用材料隔离开的空间中，使得在对所述保护材料进行蒸镀时，确保所述保护材料不会沉积在所述蒸镀基板上，对所述蒸镀基板造成污染。
仍以上述实施例2中所记载的蒸镀用Yb@Zn金属球为例，当所述蒸镀用Yb@Zn金属球在所述蒸镀腔室内执行步骤61和步骤62时，蒸镀基板位于所述蒸镀腔室中与所述蒸镀用Yb@Zn金属球隔离的空间中。
当检测到所述蒸镀腔室中的蒸镀速率达到了预设蒸镀速率时，能够确定所述待蒸镀镱材料的蒸镀速率趋于平稳。
根据需要得到的镱膜层的预设厚度以及预设蒸镀速率，确定打开所述挡板后需要的第二预设时长。
打开所述挡板，在所述第二温度下进行蒸镀，且蒸镀时长为所述第二预设时长，使得所述待蒸镀镱材料沉积在所述蒸镀基板上，形成预设厚度的镱膜层。
本发明实施例提供的一种蒸镀方法，在使用蒸镀用材料蒸镀OLED中的电子注入层的过程中，首先将这种蒸镀用材料在第一温度下进行蒸镀，使得升华性的保护材料被气化，脱离待蒸镀材料，然后在第二温度下进行蒸镀，使得待蒸镀材料沉积在蒸镀基板上形成OLED中的电子注入层，使得待蒸镀材料在蒸镀沉积成膜之前不会被氧化腐蚀，有效提高蒸镀得到的OLED电子注入层的电子注入性能。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置(设备)的流程图和/或方框图来描述的。尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种蒸镀用材料，其特征在于，所述蒸镀用材料包括：待蒸镀材料，及包裹在所述待蒸镀材料表面的保护材料；其中：
所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；
当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度；
所述保护材料为升华性的材料。
2.如权利要求1所述的蒸镀用材料，其特征在于，所述待蒸镀材料的结构为球状颗粒。
3.如权利要求1或2所述的蒸镀用材料，其特征在于，所述待蒸镀材料为用于蒸镀得到有机发光二极管中的电子注入层的材料。
4.一种蒸镀用镱材料，其特征在于，所述蒸镀用镱材料包括：待蒸镀镱材料，及包裹在所述待蒸镀镱材料表面的保护锌材料；其中：
所述保护锌材料的功函数大于所述待蒸镀镱材料的功函数；
当达到相同蒸镀速率时，所述保护锌材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀镱材料所需要的蒸镀温度；
所述保护锌材料为升华性的材料。
5.一种蒸镀用材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备得到如权利要求1至3任一项所述的蒸镀用材料，包括：
制备待蒸镀材料；
在所述待蒸镀材料表面包裹保护材料，其中：
所述保护材料的功函数大于所述待蒸镀材料的功函数；
当达到相同蒸镀速率时，所述保护材料所需要的蒸镀温度低于所述待蒸镀材料所需要的蒸镀温度；
所述保护材料为升华性的材料。
6.如权利要求5所述的蒸镀用材料的制备方法，其特征在于，所述待蒸镀材料的结构为球状颗粒。
7.一种蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀方法对如权利要求1至4任一项的蒸镀用材料进行蒸镀，包括：
在第一温度下进行蒸镀，使得所述蒸镀用材料中的保护材料升华；
当所述蒸镀用材料在所述第一温度下的蒸镀时长为第一预设时长时，将温度调整为第二温度，所述第二温度高于所述第一温度；
当检测到蒸镀速率达到预设蒸镀速率时，打开用于隔离蒸镀基板的挡板，使得所述蒸镀用材料中的待蒸镀材料沉积在所述蒸镀基板上形成沉积膜层。
8.如权利要求7所述的蒸镀方法，其特征在于，在打开所述挡板之后，在所述第二温度下进行蒸镀，且蒸镀时长为第二预设时长，所述第二预设时长是根据所述沉积膜层的预设厚度以及所述预设蒸镀速率确定的。
9.如权利要求7所述的蒸镀方法，其特征在于，所述第一温度为按照所述预设蒸镀速率蒸镀时所述保护材料的蒸镀温度；
所述第二温度为按照所述预设蒸镀速率蒸镀时所述待蒸镀材料的蒸镀温度。
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