CN106711340B - 有机发光显示设备 - Google Patents
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- CN106711340B CN106711340B CN201610417291.3A CN201610417291A CN106711340B CN 106711340 B CN106711340 B CN 106711340B CN 201610417291 A CN201610417291 A CN 201610417291A CN 106711340 B CN106711340 B CN 106711340B
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- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 25
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10K59/805—Electrodes
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Abstract
讨论了一种有机发光显示(OLED)设备,其有助于防止OLED设备的白色的色差增大,因而有助于改善白色光的色坐标的颜色变化率的属性。所述OLED设备可包括用于发射不同颜色的光的多个发光装置,其中当从OLED设备发射白色光时,从所述多个发光装置的每一发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽之和为75nm或更大。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年11月17日提交的韩国专利申请No.10-2015-0161112的优先权,在此援引这些专利申请作为参考,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光显示设备(OLED设备),尤其涉及一种通过控制从多个发光装置的每一个发射的光的主峰波长的半峰全宽(full width at half maximum,FWHM)来帮助改善白色光的色坐标的颜色变化率的属性的OLED设备。
背景技术
OLED设备是具有自发光属性的下一代显示设备。更详细地说,OLED设备是通过从阳极和阴极注入的空穴和电子的结合在发光层中产生激子、并且通过所产生的激子的能量发射产生具有特定波长的光来显示图像的显示设备。
与液晶显示设备(LCD设备)不同,OLED设备不需要额外的光源。因而,OLED设备具有轻重量和薄外形。与LCD设备相比,OLED设备具有宽视角、优良的对比度、快速响应速度和低功耗的各种优点,由此OLED设备作为下一代显示设备而深受关注。
OLED设备可包括发射具有不同颜色的光的多个发光装置。所述多个发光装置的每一个包括阳极、阴极、以及设置在阳极与阴极之间的图案化的发光层。图案化的发光层可分离地设置在每一子像素上,从而在每一子像素处发射不同颜色的光。例如,如果OLED设备包括红色发光装置、绿色发光装置和蓝色发光装置,则红色发光装置包括分离地设置在红色子像素上的图案化的红色发光层,绿色发光装置包括分离地设置在绿色子像素上的图案化的绿色发光层,并且蓝色发光装置包括分离地设置在蓝色子像素上的图案化的蓝色发光层。
发明内容
考虑到分离地设置在每一子像素上的每个图案化的发光层的属性,例如材料或者所发射的光的波长,多个发光装置可具有不同的叠层结构。更详细地说,多个发光装置的每一个可具有根据从每个图案化的发光层发射的光的波长、考虑到两个电极之间的微腔(micro-cavity)距离而确定的结构和厚度。其中,所述微腔表明通过两个电极之间的重复反射和再反射,对从图案化的发光层发射的光进行放大和相长干涉,由此提高发光效率。例如,如果OLED设备包括红色发光装置、绿色发光装置和蓝色发光装置,则根据分离地设置在每一子像素中或上的图案化的红色发光层、图案化的绿色发光层和图案化的蓝色发光层中的每一种发光层的属性,可在各个红色发光装置、绿色发光装置和蓝色发光装置中不同地设置叠层结构和厚度。
如果多个发光装置的每一个具有针对每个图案化的发光层而优化的叠层结构,则OLED设备的发光效率能够通过前述微腔效应而得到大大提高。换句话说,从每个发光装置发射的光的强度通过微腔效应在特定波长处被放大,由此提高了OLED设备的亮度。
然而,随着从每个发光装置发射的光的强度通过微腔效应而增大,OLED设备的视角的属性可以大大降低。将详细对此进行说明。如果从每个发光装置发射的光的强度通过微腔效应而增大,则基于OLED设备的视角的色偏(color shift)也增大,由此用户看到的颜色根据视角而变化。例如,如果通过混合从多个发光装置发射的具有不同颜色的光来获得OLED设备的白色光,则由于从多个发光装置的每一个分别发射的光的色偏,导致基于视角的白色光的色差(color deviation)也增大,由此劣化了OLED设备的显示质量。
为了克服或解决与基于视角的白色光的色差相关的问题和局限性,本发明人认识到必须优化从多个发光装置发射的每一种光的主峰波长之间的特定关系。通过各种实验,本发明人提出了一种通过优化从多个发光装置的每一个分别发射的光的主峰波长的半峰全宽(FWHM),有助于改善白色光的色坐标的颜色变化率的属性的OLED设备。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的实施方式的意图,如在此具体化和概括描述的,提供了一种通过控制从多个发光装置的每一个发射的光的主峰波长的半峰全宽(FWHM),有助于减小基于视角的白色光的色差的OLED设备。
本发明的实施方式的一个方面旨在提供一种通过控制从多个发光装置的每一发光装置发射的光的主峰波长的FWHM,有助于减小基于视角的白色光的色差的OLED设备。
应当理解,关于本发明的实施方式的前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的,意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
给本发明的实施方式提供进一步理解并并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的实施方式的原理。在附图中:
图1是图解根据本发明的一个实施方式的OLED设备的剖面图;
图2是图解根据本发明的一个实施方式的OLED设备的某些组件的剖面图;
图3A到3C是图解在比较例中,红色光、绿色光和蓝色光每一个的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表;
图4是图解在比较例中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表;
图5A到5C是图解在本发明的实施方式1中,红色光、绿色光和蓝色光每一个的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表;
图6是图解在本发明的实施方式1中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表;
图7A到7C是图解在本发明的实施方式2中,红色光、绿色光和蓝色光每一个的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表;
图8是图解在本发明的实施方式2中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表;
图9A到9C是图解在本发明的实施方式3中,红色光、绿色光和蓝色光每一个的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表;
图10是图解在本发明的实施方式3中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表;
图11是图解在比较例和本发明的实施方式1到3中,亮度根据视角的变化而变化的图表。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的典型实施方式,在附图中图示了这些实施方式的一些例子。尽可能地在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征以及其实现方法。然而,本发明可以以不同的形式实施,不应解释为限于在此列出的实施方式。而是,提供这些实施方式是为了使本发明全面和完整,并将本发明的范围充分地传递给本领域技术人员。此外,本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例,因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中,当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时,将省略该详细描述。
在本说明书中使用“包括”、“具有”和“包含”的情况下,可添加其他部件,除非使用了“仅”。单数形式的术语可包括复数形式,除非有相反指示。
在解释一要素时,尽管没有明确说明,但该要素应解释为包含误差范围。
在本发明的实施方式的描述中,当一结构(例如,电极、线、配线、层或接触部)被描述为形成在另一结构的上部/下部处或者形成在其他结构上/下时,这种描述应当解释为包括这些结构彼此接触的情形,而且还包括在它们之间设置第三结构的情形。
在描述时间关系时,例如,当时间顺序描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时,可包括不连续的情况,除非使用了“正好”或“直接”。
在本发明的实施方式的描述中,如果两个元件彼此重叠,则这两个元件可彼此至少部分地重叠,不管是否在之间插入其他元件,并且它们可称作各种名称。
将理解到,尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来彼此区分元件。例如,在不背离本发明的范围的情况下,第一元件可能被称为第二元件,相似地,第二元件可能被称为第一元件。
为便于解释,可能在附图中作为示例显示了每个元件的尺寸和厚度,但并不限于示出的尺寸和厚度。
本领域技术人员能够充分理解,本发明的各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合,且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此单独实施,或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中,将参照附图详细描述根据本发明的实施方式的有机发光显示设备(OLED设备)。
图1是图解根据本发明的一个实施方式的OLED设备1000的剖面图。根据本发明的所有实施方式的OLED设备的所有组件都是可操作地连接和配置的。参照图1,OLED设备1000可包括基板100、薄膜晶体管300和多个发光装置ED。
OLED设备1000可包括多个子像素SP。子像素SP表示用于发射光的最小单元,被称为子像素区域。此外,多个子像素RSP、GSP和BSP可构成用于呈现白色光的一个像素。例如,如图1中所示,红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP可构成一个像素。然而,不限于该结构,即各种像素设计都是可行的。
参照图1,OLED设备1000可包括设置在每一子像素SP中的薄膜晶体管300和发光装置ED。薄膜晶体管300设置在基板100上,其中薄膜晶体管300给发光装置ED提供信号。图1中所示的薄膜晶体管300可以是与发光装置ED的阳极400连接的驱动薄膜晶体管。在每个子像素SP中,可存在额外设置的开关薄膜晶体管或用于驱动发光装置ED的电容器。
基板100可由绝缘材料形成,例如玻璃柔性膜或基于聚酰亚胺的材料。
薄膜晶体管300可包括栅极电极310、有源层320、源极电极330和漏极电极340。参照图1,栅极电极310设置在基板100上,栅极绝缘层210覆盖栅极电极310。有源层320设置在栅极绝缘层210上并且与栅极电极310重叠。源极电极330和漏极电极340设置在有源层320上,其中源极电极330和漏极电极340彼此分隔开。
栅极电极310、源极电极330和漏极电极340由导电材料形成,例如包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金的至少之一的单层结构或多层结构,但并不限于这些材料。
有源层320可由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物和有机材料中的任意一种形成,但并不限于这些材料。
栅极绝缘层210可以以无机材料的单层结构或多层结构形成,所述无机材料例如包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等的至少之一。
图1显示了具有交错结构(staggered structure)的薄膜晶体管300,但并不限于该结构。代替交错结构,薄膜晶体管300可具有共平面结构。
然后,在薄膜晶体管300上设置平坦化层220。平坦化层220暴露源极电极330的预定部分。平坦化层220可具有单层结构或多层结构,平坦化层220可由有机材料形成。例如,平坦化层220可由聚酰亚胺、压克力等形成。
图1中所示的OLED设备1000是顶部发光型。在该情形中,从发光单元500R、500G和500B发射的光R、G和B穿过阴极600,然后光朝着向上的方向发射。在顶部发光型OLED设备1000的情形中,从发光单元500R、500G和500B发射的光R、G和B不朝着向下的方向(或穿过基板100的方向)行进,从而能够提供与发光装置ED重叠、并且设置在发光装置ED与基板100之间的薄膜晶体管300。因此,与底部发光型OLED设备的开口率相比,顶部发光型OLED设备1000的开口率可提高更多,从而能够在OLED设备1000中实现高分辨率。
可在平坦化层220上设置用于发射不同颜色的光R、G和B的多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED。详细地说,如图1中所示,在红色子像素RSP中设置用于发射红色光R的红色发光装置R_ED,红色发光装置R_ED包括阳极400R、红色发光单元500R和阴极600。此外,在绿色子像素GSP中设置用于发射绿色光G的绿色发光装置G_ED,绿色发光装置G_ED包括阳极400G、绿色发光单元500G和阴极600。此外,在蓝色子像素BSP中设置用于发射蓝色光B的蓝色发光装置B_ED,蓝色发光装置B_ED包括阳极400B、蓝色发光单元500B和阴极600。通过混合从多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED发射的光R、G和B,获得白色光。
设置堤部230来划分子像素SP,并且堤部230覆盖阳极400的端部。参照图1,堤部230暴露阳极400的上表面的预定部分。堤部230可以由有机材料形成,例如聚酰亚胺和光学压克力中的任意一种,但并不限于这些材料。
图2是图解根据本发明的一个实施方式的OLED设备1000的主要组成部分的剖面图,该图是用于描述图1中所示的OLED设备1000的多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED的叠层结构的剖面图。
OLED设备1000中包括的多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED中的每一发光装置包括阳极400、阴极600和设置在阳极400与阴极600之间的发光单元500。发光单元500表示设置在阳极400与阴极600之间的所有层,或者设置在阳极400与阴极600之间的所有层的叠层结构。
参照图1和图2,设置在红色子像素RSP中的红色发光装置R_ED包括阳极400R、阴极600和红色发光单元500R,红色发光单元500R具有空穴传输层510、图案化的空穴传输层520R、图案化的红色发光层530R、以及电子传输层540。设置在绿色子像素GSP中的绿色发光装置G_ED包括阳极400G、阴极600和绿色发光单元500G,绿色发光单元500G具有空穴传输层510、图案化的空穴传输层520G、图案化的绿色发光层530G、以及电子传输层540。设置在蓝色子像素BSP中的蓝色发光装置B_ED包括阳极400B、阴极600和蓝色发光单元500B,蓝色发光单元500B具有空穴传输层510、图案化的蓝色发光层530B、以及电子传输层540。
多个阳极400R、400G和400B分别与红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP重叠,其中多个阳极400R、400G和400B的每一个被分离地设置在每一子像素RSP、GSP和BSP上。多个阳极400是用于给图案化的发光层530R、530G和530B提供空穴或传输空穴的电极,并且多个阳极400与每个薄膜晶体管300的源极电极330连接,但并不限于该结构。根据薄膜晶体管300的种类,阳极400可与漏极电极340连接。阳极400分离地设置在每一子像素上,由此阳极400可称为图案化的电极。
多个阳极400R、400G和400B的每一个可包括反射层,所述反射层用于将从发光单元500R、500G和500B发射的光R、G和B平滑地朝着向上的方向(或穿过阴极600的方向)反射。例如,阳极400可以由透明层和反射层的双层结构形成。所述透明层给发光单元500提供空穴或传输空穴,所述反射层反射从发光单元500发射的光R、G和B。根据另一个例子,阳极400可以由透明层、反射层和另一透明层的三层结构形成。在该情形中,所述透明层可由诸如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)之类的TCO(透明导电氧化物)材料形成,所述反射层可由诸如铜(Cu)、银(Ag)和钯(Pd)之类的金属材料形成。根据另一个例子,阳极400可由具有用于向发光单元500提供或传输空穴并且反射从发光单元500发射的光R、G和B的属性的材料或结构的单层结构形成。
阴极600公共地设置在多个子像素RSP、GSP和BSP中。阴极600是用于给发光单元500R、500G和500B的图案化的发光层530R、530G和530B提供电子或传输电子的电极。阴极600具有使发光单元500R、500G和500B的光R、G和B穿过的透明属性。例如,阴极600可由薄金属材料、诸如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)之类的TCO(透明导电氧化物)材料形成。阴极600被多个子像素RSP、GSP和BSP公共地享用,由此阴极600可称为公共电极。
空穴传输层510是遍布多个子像素RSP、GSP和BSP而设置在多个阳极400R、400G和400B上的。空穴传输层510将来自阳极400的空穴传输给图案化的发光层530R、530G和530B。空穴传输层510可由TPD(N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-二-苯基-4,4’-胺)或NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺)形成,但并不限于这些材料。
空穴传输层510可在分别与红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP重叠的多个阳极400R、400G和400B上延伸。可通过使用具有与所有子像素RSP、GSP和BSP对应的开口区域的公共掩模形成空穴传输层510。空穴传输层510可对于所有子像素RSP、GSP和BSP以相同的结构沉积,而不是在每一子像素RSP、GSP和BSP上具有分离的图案。就是说,从一个子像素到相邻子像素,空穴传输层510是连接的,或者说是没有断开地延伸设置的,使得空穴传输层510被多个子像素共享。
根据本发明的一个实施方式的OLED设备1000的多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED可具有图案化的发光层结构。详细地说,多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED中的每一发光装置包括位于阳极400R、400G和400B的每一个与阴极600之间的图案化的发光层530R、530G和530B的每一个。图案化的发光层530R、530G和530B分离地设置在每一子像素RSP、GSP和BSP上。参照图2,红色发光装置R_ED包括位于空穴传输层510与阴极600之间的图案化的红色发光层530R,绿色发光装置G_ED包括位于空穴传输层510与阴极600之间的图案化的绿色发光层530G,蓝色发光装置B_ED包括位于空穴传输层510与阴极600之间的图案化的蓝色发光层530B。
图案化的发光层530R、530G和530B是发射不同颜色的光的发光层,并且在每一子像素RSP、GSP和BSP上划分出图案化的发光层530R、530G和530B。图案化的发光层530R、530G和530B可具有与每个子像素RSP、GSP和BSP相同的尺寸,或者尽管它们可能不具有相同的尺寸,但图案化的发光层530R、530G和530B可在每个相邻的子像素RSP、GSP和BSP之间断开。在该情形中,可称为设置在每一子像素RSP、GSP和BSP上的图案化的发光层530R、530G和530B,或者分离地设置在每一子像素RSP、GSP和BSP上的图案化的发光层530R、530G和530B。例如,如图1中所示,发光装置R_ED、G_ED和B_ED每一个中包括的图案化的发光层530R、530G和530B中的每一个图案化的发光层可延伸至每个子像素RSP、GSP和BSP外的堤部230的上表面,相邻的两个图案化的发光层可在堤部230上彼此分隔开。根据掩模设计,相邻的两个图案化的发光层的至少预定部分可在堤部230的上表面上重叠。
可利用考虑到分别设置在每一子像素RSP、GSP和BSP上的图案化的发光层530R、530G和530B的属性(例如发射光的波长或材料等)而具有不同叠层结构的发光单元500R、500G和500B,形成多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED。更详细地说,红色发光装置R_ED的发光单元500R可具有考虑到从图案化的红色发光层530R发射的光的波长、并且考虑到阳极400R与阴极600之间的微腔距离而确定的结构和厚度。其中,所述微腔表明通过两个电极400和600之间的重复反射和再反射,对从图案化的发光层530R、530G和530B发射的光进行放大和相长干涉,由此提高发光效率。
参照图2,从图案化的红色发光层530R发射的光的波长的值大于从图案化的绿色发光层530G或图案化的蓝色发光层530B发射的光的波长的值。因此,红色发光装置R_ED的发光单元500R包括位于图案化的红色发光层530R与空穴传输层510之间的、与红色子像素RSP重叠的图案化的空穴传输层520R,使得可优化两个电极400R和600之间的微腔距离。以同样的方式,从图案化的绿色发光层530G发射的光的波长的值大于从图案化的蓝色发光层530B发射的光的波长的值。因此,绿色发光装置G_ED的发光单元500G包括位于图案化的绿色发光层530G与空穴传输层510之间的、与绿色子像素GSP重叠的图案化的空穴传输层520G,使得可优化两个电极400G和600之间的微腔距离。
图案化的空穴传输层520R和520G优化红色发光装置R_ED和绿色发光装置G_ED的微腔距离,并且还将来自阳极400R和400G的空穴平滑地传输到各个图案化的发光层530R和530G。图案化的空穴传输层520R和520G可以由TPD(N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-二-苯基-4,4’-胺)或NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺)形成,但并不限于这些材料。根据设计,空穴传输层510和图案化的空穴传输层520R和520G可由相同的材料形成。
电子传输层540是遍布多个子像素RSP、GSP和BSP而设置在图案化的发光层530R、530G和530B上。电子传输层540将来自阴极600的电子传输到图案化的发光层530R、530G和530B。例如,电子传输层540可由PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑)、Liq(8-羟基喹啉-锂)、BALq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、TPBi(2,2',2”-(1,3,5-benzinetriyl)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)等形成,但并不限于这些材料。
电子传输层540可在分别与红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP重叠的图案化的发光层530R、530G和530B上延伸。可通过使用具有与所有子像素RSP、GSP和BSP对应的开口区域的公共掩模形成电子传输层540。电子传输层540可对于所有子像素RSP、GSP和BSP以相同的结构沉积,而不是在每一子像素RSP、GSP和BSP上具有分离的图案。就是说,从一个子像素到相邻子像素,电子传输层540是连接的,或者是没有断开地延伸设置的,使得电子传输层540被多个子像素共享。
根据设计,红色发光装置R_ED、绿色发光装置G_ED和蓝色发光装置B_ED的每一个可进一步包括空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层和电子阻挡层之中的至少一个。以与图案化的发光层530R、530G和530B相同的方式,根据设计,空穴传输层510和电子传输层540可分离地设置在每一子像素RSP、GSP和BSP上。
通过混合从红色发光装置R_ED、绿色发光装置G_ED和蓝色发光装置B_ED发射的光R、G和B,获得白色光。在该情形中,从红色发光装置R_ED发射的红色光R或从OLED设备1000发射的红色光R的主峰波长可以在600nm到650nm的范围内。从绿色发光装置G_ED发射的绿色光G或从OLED设备1000发射的绿色光G的主峰波长可以在520nm到560nm的范围内。此外,从蓝色发光装置B_ED发射的蓝色光B或从OLED设备1000发射的蓝色光B的主峰波长可以在430nm到480nm的范围内。
如上所述,OLED设备1000的多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED具有针对各个图案化的发光层530R、530G和530B而优化的叠层结构,由此从每个发光装置R_ED、G_ED和B_ED发射的光的强度通过微腔效应而在特定波长处被放大,从而提高OLED设备1000的亮度。然而,随着从每个发光装置R_ED、G_ED和B_ED发射的光的强度通过微腔效应而增大,则根据OLED设备1000的视角,色偏也增大,由此用户看到的颜色根据视角而变化。尤其是,如果通过混合从红色发光装置R_ED、绿色发光装置G_ED和蓝色发光装置B_ED发射的光R、G和B获得白色光,则由于从多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED的每一个分别发射的光的色偏,白色光的色差根据视角而变大,由此劣化了OLED设备1000的画面质量。
在根据本发明的一个实施方式的OLED设备1000中,通过优化从多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED中的每一发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽(FWHM),减小OLED设备1000的基于视角的白色光的色差。
详细地说,在包括用于发射不同颜色的光的多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED的OLED设备1000的情形中,如果从多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED中的每一发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)之和为75nm或更大,则可改善OLED设备1000的白色光的色坐标的颜色变化率的属性。这将参照图3到11进行详细描述。
图3A到3C是图解在比较例中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图5A到5C是图解在本发明的实施方式1中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图7A到7C是图解在本发明的实施方式2中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图9A到9C是图解在本发明的实施方式3中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。
在比较例和实施方式1、2和3中,OLED设备的结构可以与图1和2中所示的OLED设备1000的结构相同。然而,在阴极600的厚度方面不同。就是说,在比较例和实施方式1、2和3中,阴极600的厚度不同,使得可控制红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)。
图3A到3C是图解在比较例中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图4是图解在比较例中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表。
比较例的OLED设备具有与图1和2中所示的根据本发明的OLED设备相同的结构。此时,比较例中的OLED设备的阴极600由金属材料形成,阴极600的厚度大于并且等于或小于换句话说,考虑到工艺变化差异,尽管阴极600的厚度在红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的整个区域中不是等同的,但阴极600的厚度在大约到的范围内。在该情形中,阴极600的透射率对于460nm来说具有50%的值,对于530nm来说具有43%的值,并且对于620nm来说具有34%的值。
图3A到3C中所示的图表显示了当从根据比较例的OLED设备发射白色光时红色光、绿色光和蓝色光的主峰波长。换句话说,图3A到3C中所示的图表显示了从根据比较例的OLED设备中包括的红色发光装置发射的光、从绿色发光装置发射的光和从蓝色发光装置发射的光中的每一种光的主峰波长。
参照图3A,从红色发光装置R_ED发射的红色光R的主峰波长R-peak为大约625nm,红色光R的相应主峰波长R-peak的半峰全宽R-FWHM为26.8nm。在该情形中,半峰全宽(FWHM)表示在主峰波长的强度为相对于主峰波长的最大强度的1/2的点处的波长的宽度。
参照图3B,从绿色发光装置G_ED发射的绿色光G的主峰波长G-peak为大约540nm,绿色光G的相应主峰波长G-peak的半峰全宽G-FWHM为25.1nm。
参照图3C,从蓝色发光装置B_ED发射的蓝色光B的主峰波长B-peak为大约450nm,蓝色光B的相应主峰波长B-peak的半峰全宽B-FWHM为22nm。
参照图3A到3C,当从根据比较例的OLED设备发射白色光时,红色光R、绿色光G和蓝色光B中的每一种光的主峰波长的半峰全宽R-FWHM、G-FWHM和B-FWHM之和为73.9nm。
如图4中所示,在0°到60°的视角范围内,根据比较例的OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)具有0.034或更小的值。其中,视角表示用户观看图像的角度。如果用户从OLED设备的前方观看图像,则视角为0°。从前方到侧面,视角逐渐增加。详细地说,从前方到下侧、上侧、左侧和右侧,视角逐渐增加。此外,基于视角的色偏变得越小,则色坐标的颜色变化率(Δu’v’)的值变得越小。
参照图4,当视角处于0°到25°的范围内时,比较例中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.190和0.460的值。当视角处于30°到40°的范围内时,比较例中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.180和0.450的值。当视角处于45°到60°的范围内时,比较例中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.173和0.438的值。就是说,随着视角从0°增加到60°,白色光的色坐标(u’v’)逐渐变化,由此在0°到60°的视角范围内白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为大约0.034。
图5A到5C是图解在本发明的实施方式1中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图6是图解在本发明的实施方式1中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表。
本发明的实施方式1的OLED设备具有与图1和2中所示的OLED设备1000相同的结构。此时,实施方式1中的OLED设备的阴极600由与比较例的阴极相同的金属材料形成,阴极600的厚度大于并且等于或小于换句话说,尽管阴极600的厚度在红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的整个区域中不是等同的,但阴极600的厚度在大约到的范围内。在该情形中,阴极600的透射率对于460nm来说具有55%的值,对于530nm来说具有48%的值,并且对于620nm来说具有39%的值。
图5A到5C中所示的图表显示了当从根据本发明的实施方式1的OLED设备发射白色光时红色光、绿色光和蓝色光的主峰波长。换句话说,图5A到5C中所示的图表显示了从根据实施方式1的OLED设备中包括的红色发光装置发射的光、从绿色发光装置发射的光和从蓝色发光装置发射的光中的每一种光的主峰波长。
参照图5A,从根据实施方式1的红色发光装置R_ED发射的红色光R的主峰波长R-peak为大约625nm,红色光R的相应主峰波长R-peak的半峰全宽R-FWHM为28.7nm。
参照图5B,从根据实施方式1的绿色发光装置G_ED发射的绿色光G的主峰波长G-peak为大约540nm,绿色光G的相应主峰波长G-peak的半峰全宽G-FWHM为27.2nm。
参照图5C,从根据实施方式1的蓝色发光装置B_ED发射的蓝色光B的主峰波长B-peak为大约450nm,蓝色光B的相应主峰波长B-peak的半峰全宽B-FWHM为23.9nm。
参照图5A到5C,当从根据实施方式1的OLED设备发射白色光时,红色光R、绿色光G和蓝色光B中的每一种光的主峰波长的半峰全宽R-FWHM、G-FWHM和B-FWHM之和为79.8nm。
如图6中所示,在0°到60°的视角范围内,根据实施方式1的OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)具有0.026或更小的值。
参照图6,当视角处于0°到25°的范围内时,实施方式1中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.198和0.465的值。当视角处于30°到40°的范围内时,实施方式1中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.192和0.453的值。当视角处于45°到60°的范围内时,实施方式1中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.187和0.440的值。就是说,随着视角从0°增加到60°,白色光的色坐标(u’v’)逐渐变化,由此在0°到60°的视角范围内白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为大约0.026。
图7A到7C是图解在本发明的实施方式2中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图8是图解在本发明的实施方式2中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表。
实施方式2的OLED设备具有与图1和2中所示的OLED设备1000相同的结构。此时,实施方式2中的OLED设备的阴极600由与比较例和实施方式1每一个的阴极相同的金属材料形成,阴极600的厚度大于并且等于或小于换句话说,考虑到工艺变化差异,尽管阴极600的厚度在红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的整个区域中不是等同的,但阴极600的厚度在大约到的范围内。在该情形中,阴极600的透射率对于460nm来说具有61%的值,对于530nm来说具有55%的值,并且对于620nm来说具有46%的值。
图7A到7C中所示的图表显示了当从根据实施方式2的OLED设备发射白色光时红色光、绿色光和蓝色光的主峰波长。换句话说,图7A到7C中所示的图表显示了从根据实施方式2的OLED设备中包括的红色发光装置发射的光、从绿色发光装置发射的光和从蓝色发光装置发射的光中的每一种光的主峰波长。
参照图7A,从根据实施方式2的红色发光装置R_ED发射的红色光R的主峰波长R-peak为大约625nm,红色光R的相应主峰波长R-peak的半峰全宽R-FWHM为31.4nm。
参照图7B,从根据实施方式2的绿色发光装置G_ED发射的绿色光G的主峰波长G-peak为大约540nm,绿色光G的相应主峰波长G-peak的半峰全宽G-FWHM为29.5nm。
参照图7C,从根据实施方式2的蓝色发光装置B_ED发射的蓝色光B的主峰波长B-peak为大约450nm,蓝色光B的相应主峰波长B-peak的半峰全宽B-FWHM为25.8nm。
参照图7A到7C,当从根据实施方式2的OLED设备发射白色光时,红色光R、绿色光G和蓝色光B中的每一种光的主峰波长的半峰全宽R-FWHM、G-FWHM和B-FWHM之和为86.7nm。
如图8中所示,在0°到60°的视角范围内,根据实施方式2的OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)具有0.021或更小的值。
参照图8,当视角处于0°到25°的范围内时,实施方式2中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.198和0.463的值。当视角处于30°到40°的范围内时,实施方式2中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.194和0.457的值。当视角处于45°到60°的范围内时,实施方式2中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.189和0.443的值。就是说,随着视角从0°增加到60°,白色光的色坐标(u’v’)逐渐变化,由此在0°到60°的视角范围内白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为大约0.021。
图9A到9C是图解在本发明的实施方式3中,红色光、绿色光和蓝色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽(FWHM)的图表。图10是图解在本发明的实施方式3中,基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的图表。
实施方式3的OLED设备具有与图1和2中所示的OLED设备1000相同的结构。此时,实施方式3中的OLED设备的阴极600由与比较例、实施方式1和实施方式2每一个的阴极相同的金属材料形成,阴极600的厚度大于并且等于或小于换句话说,尽管阴极600的厚度在红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的整个区域中不是等同的,但阴极600的厚度在大约到的范围内。在该情形中,阴极600的透射率对于460nm来说具有68%的值,对于530nm来说具有62%的值,并且对于620nm来说具有54%的值。
图9A到9C中所示的图表显示了当从根据实施方式3的OLED设备发射白色光时红色光、绿色光和蓝色光的主峰波长。换句话说,图9A到9C中所示的图表显示了从根据实施方式3的OLED设备中包括的红色发光装置发射的光、从绿色发光装置发射的光和从蓝色发光装置发射的光中的每一种光的主峰波长。
参照图9A,从根据实施方式3的红色发光装置R_ED发射的红色光R的主峰波长R-peak为大约625nm,红色光R的相应主峰波长R-peak的半峰全宽R-FWHM为32.2nm。
参照图9B,从根据实施方式3的绿色发光装置G_ED发射的绿色光G的主峰波长G-peak为大约540nm,绿色光G的相应主峰波长G-peak的半峰全宽G-FWHM为31.1nm。
参照图9C,从根据实施方式3的蓝色发光装置B_ED发射的蓝色光B的主峰波长B-peak为大约450nm,蓝色光B的相应主峰波长B-peak的半峰全宽B-FWHM为27.1nm。
参照图9A到9C,当从根据实施方式3的OLED设备发射白色光时,红色光R、绿色光G和蓝色光B的每一种光的主峰波长的半峰全宽R-FWHM、G-FWHM和B-FWHM之和为90.4nm。
如图10中所示,在0°到60°的视角范围内,根据实施方式3的OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)具有0.012或更小的值。
参照图10,当视角处于0°到25°的范围内时,实施方式3中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.198和0.463的值。当视角处于30°到40°的范围内时,实施方式3中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.200和0.460的值。当视角处于45°到60°的范围内时,实施方式3中的白色光的色坐标(u’v’)具有大约0.192和0.458的值。就是说,随着视角从0°增加到60°,白色光的色坐标(u’v’)逐渐变化,由此在0°到60°的视角范围内白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为大约0.012。
参照比较例和本发明的实施方式1到3,当从OLED设备发射白色光时,从多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED中的每一发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽之和为75nm或更大,由此在0°到60°的视角范围内,OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为0.030或更小。
如果OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)超过0.030,则用户可能感觉到白色光的色差,就是说,用户可能根据视角的变化而感觉到色偏。因此,当OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率超过0.030时,根据视角的变化,可导致OLED设备的白色光的显示质量劣化。然而,如果OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为大约0.030或更小,则根据视角的变化,用户感觉不到色偏,由此可防止OLED设备的白色光的显示质量根据视角的变化而劣化。更优选地,当从OLED设备发射白色光时,从多个发光装置R_ED、G_ED和B_ED的每一个发射的光的主峰波长的半峰全宽之和为79nm或更大,由此OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为0.026或更小。在该情形中,根据视角的变化,用户感觉不到色偏,使得可克服OLED设备的白色光的显示质量根据视角的变化而劣化的问题。
为此,OLED设备的阴极600的透射率对于460nm来说可具有55%或更大的值,对于530nm来说可具有48%或更大的值,并且对于620nm来说可具有39%或更大的值。如果阴极600由金属材料形成,则阴极600的厚度为或更小的值。
参照本发明的实施方式1到3,红色光R的主峰波长R-peak的半峰全宽R-FWHM的值大于蓝色光B的主峰波长B-peak的半峰全宽B-FWHM的值,并且绿色光G的主峰波长G-peak的半峰全宽G-FWHM的值也大于蓝色光B的主峰波长B-peak的半峰全宽B-FWHM的值。当OLED设备通过混合红色光、绿色光和蓝色光发射白色光时,可以按照大约30%的红色光、大约65%的绿色光和大约5%的蓝色光的比率形成白色光的色坐标(u’v’)。因此,如果与蓝色光的半峰全宽B-FWHM的值相比而言对白色光影响相对较大的红色光和绿色光的每个半峰全宽R-FWHM和G-FWHM具有较大值,则红色光和绿色光的基于视角的色偏减小更多,使得基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)也减小更多。此外,根据阴极600的厚度从逐渐减小到色坐标的颜色变化率(Δu’v’)减小。并且,根据阴极600的厚度从逐渐减小到从红色发光装置R_ED、绿色发光装置G_ED和蓝色发光装置B_ED分别发射的光R、G和B的主峰波长的半峰全宽R-FWHM、G-FWHM和B-FWHM之和增加。
图11是图解在比较例和本发明的实施方式1到3中,亮度根据视角的变化而变化的图表。
在比较例的情形中,将参照图11描述OLED设备中的白色光的亮度变化。假设当视角为0°时亮度为100%。对于视角从0°变到60°的过程,白色光的亮度减小了大约84%。在相同的条件下,在实施方式1的情形中,对于视角从0°变到60°的过程,OLED设备的白色光的亮度减小了大约83%。在相同的条件下,在实施方式2的情形中,对于视角从0°变到60°的过程,OLED设备的白色光的亮度减小了大约82%。在相同的条件下,在实施方式3的情形中,对于视角从0°变到60°的过程,OLED设备的白色光的亮度减小了大约80%。
如图11中所示,在根据本发明的实施方式1到3的OLED设备的情形中,在视角从0°变到60°时亮度减小的变化与比较例中亮度减小的变化相似。
当从根据本发明的OLED设备发射白色光时,从红色发光装置发射的光、从绿色发光装置发射的光和从蓝色发光装置发射的光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽R-FWHM、G-FWHM和B-FWHM之和为75nm或更大,使得可改善OLED设备的白色光的色坐标的颜色变化率的属性。在该情形中,当OLED设备的基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率为0.030或更小时,基于视角的变化的白色光的色差减小,由此提高了OLED设备的白色光的显示质量。根据实施方式1到3的OLED设备中的根据视角的亮度变化与根据比较例的OLED设备中的根据视角的亮度变化相似。因此,根据本发明的实施方式的OLED设备有助于使亮度的变化最小,并且还有助于改善基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的属性。
如上所述,在根据本发明的实施方式的OLED设备的情形中,通过控制从多个发光装置的每一个发射的光的主峰波长的半峰全宽(FWHM),可改善基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率的属性。
此外,在根据本发明的实施方式的OLED设备的情形中,通过优化从根据本发明的实施方式的OLED设备发射的红色光、绿色光和蓝色光每一个的主峰波长的半峰全宽(FWHM),减小了基于视角的白色光的色坐标的颜色变化率,使得可减小基于视角的白色光的色差,由此提高了OLED设备的白色光的显示质量。
下面将描述各种实例。
实例1是一种有机发光显示(OLED)设备,该有机发光显示(OLED)设可以包括多个发光装置,所述多个发光装置用于发射不同颜色的光。所述不同颜色的光被混合以获得白色光。从所述多个发光装置中的每一发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽之和可以为75nm或更大。
在实例2中,根据实例1所述的方案能够可选地包括:所述多个发光装置包括红色发光装置、绿色发光装置和蓝色发光装置。
在实例3中,根据实例2所述的方案能够可选地包括:从所述红色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值大于从所述蓝色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值,并且从所述绿色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值也大于从所述蓝色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值。
在实例4中,根据实例2或3中任一实例所述的方案能够可选地包括:从所述红色发光装置发射的光的主峰波长在600nm到650nm的范围内,从所述绿色发光装置发射的光的主峰波长在520nm到560nm的范围内,并且从所述蓝色发光装置发射的光的主峰波长在430nm到480nm的范围内。
在实例5中,根据实例2至4中任一实例所述的方案能够可选地包括:在0°到60°的视角范围内,所述有机发光显示设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为0.030或更小。
在实例6中,根据实例5所述的方案能够可选地包括:所述红色发光装置、所述绿色发光装置和所述蓝色发光装置的每一个包括阴极,所述阴极的透射率对于460nm来说具有55%或更大的值,对于530nm来说具有48%或更大的值,并且对于620nm来说具有39%或更大的值。
实例10是一种有机发光显示(OLED)设备,包括图案化的发光层结构。从所述OLED设备分别发射的红色光、绿色光和蓝色光的主峰波长的半峰全宽具有如下值,所述值使得当从所述OLED设备发射白色光的时候,根据从0°到60°的视角,白色光的色坐标的颜色变化率能够是0.030或更小。
在实例11中,根据实例10所述的方案能够可选地包括:从所述OLED设备分别发射的红色光、绿色光和蓝色光中每一种光的主峰波长的半峰全宽之和可以为75nm或更大
在实例12中,根据实例11所述的方案能够可选地包括:所述红色光和所述绿色光中的每一种光的主峰波长的半峰全宽的值大于所述蓝色光的主峰波长的半峰全宽的值。
在实例13中,根据实例11或12中任一实例所述的方案能够可选地包括:所述红色光的主峰波长在600nm到650nm的范围内,所述绿色光的主峰波长在520nm到560nm的范围内,并且所述蓝色光的主峰波长在430nm到480nm的范围内。
在实例14中,根据实例11到13中任一实例所述的方案能够可选地包括:所述OLED设备进一步包括用于发射红色光的红色发光装置、用于发射绿色光的绿色发光装置和用于发射蓝色光的蓝色发光装置。
在实例15中,根据实例14所述的方案能够可选地包括:所述红色发光装置、所述绿色发光装置和所述蓝色发光装置的每一个包括阴极,所述阴极的透射率对于460nm来说具有55%或更大的值,对于530nm来说具有48%或更大的值,并且对于620nm来说具有39%或更大的值。
在不背离本发明的精神或范围的情况下,本发明可进行各种修改和变化,这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而,本发明意在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的本发明的修改和变化。
Claims (9)
1.一种有机发光显示(OLED)设备,包括:
多个发光装置,所述多个发光装置用于发射不同颜色的光,所述不同颜色的光被混合以获得白色光,
其中当所述有机发光显示设备发射白色光时,从所述多个发光装置中的每一发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽之和为75nm或更大,
其中有机发光显示装置包括阴极,所述阴极的透射率对于460nm来说具有55%或更大的值,对于530nm来说具有48%或更大的值,并且对于620nm来说具有39%或更大的值。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述多个发光装置包括红色发光装置、绿色发光装置和蓝色发光装置。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备,其中从所述红色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值大于从所述蓝色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值,并且从所述绿色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值也大于从所述蓝色发光装置发射的光的主峰波长的半峰全宽的值。
4.根据权利要求2或3中任一项所述的有机发光显示设备,其中
从所述红色发光装置发射的光的主峰波长在600nm到650nm的范围内,
从所述绿色发光装置发射的光的主峰波长在520nm到560nm的范围内,并且
从所述蓝色发光装置发射的光的主峰波长在430nm到480nm的范围内。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示设备,其中在0°到60°的视角范围内,所述有机发光显示设备的白色光的色坐标的颜色变化率(Δu’v’)为0.030或更小。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示设备,其中所述红色发光装置、所述绿色发光装置和所述蓝色发光装置的每一个包括阴极,所述阴极的透射率对于460nm来说具有55%或更大的值,对于530nm来说具有48%或更大的值,并且对于620nm来说具有39%或更大的值。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备,其中所述阴极由金属材料形成,并且所述阴极的厚度为180Å或更小。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备,其中根据所述阴极的厚度从180Å逐渐减小到120Å,色坐标的颜色变化率(Δu’v’)减小。
9.根据权利要求7或8中任一项所述的有机发光显示设备,其中根据所述阴极的厚度从180Å逐渐减小到120Å,从所述红色发光装置、所述绿色发光装置和所述蓝色发光装置分别发射的光的主峰波长的半峰全宽之和增加。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0161112 | 2015-11-17 | ||
KR1020150161112A KR102465177B1 (ko) | 2015-11-17 | 2015-11-17 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106711340A CN106711340A (zh) | 2017-05-24 |
CN106711340B true CN106711340B (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=56026749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610417291.3A Active CN106711340B (zh) | 2015-11-17 | 2016-06-14 | 有机发光显示设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9997735B2 (zh) |
EP (1) | EP3171422B1 (zh) |
KR (1) | KR102465177B1 (zh) |
CN (1) | CN106711340B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10418585B2 (en) * | 2016-05-12 | 2019-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Cover unit and display device having the same |
CN107359279B (zh) * | 2017-06-28 | 2019-02-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
US10879500B2 (en) * | 2017-06-28 | 2020-12-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and fabrication method thereof |
CN107611159A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-19 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制造方法与显示装置 |
KR102490978B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
US11264584B2 (en) * | 2018-04-10 | 2022-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing same |
CN112424969A (zh) | 2018-05-18 | 2021-02-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
WO2020136849A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US12068293B2 (en) * | 2019-08-29 | 2024-08-20 | 3M Innovative Properties Company | Micro LED display |
US20220271254A1 (en) * | 2021-02-25 | 2022-08-25 | Apple Inc. | Organic Light-Emitting Diode Display with Single Anti-Node Optical Cavities |
US20240260411A1 (en) * | 2022-06-21 | 2024-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light Emitting Substrate, Display Panel and Display Apparatus |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7023013B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-04-04 | Eastman Kodak Company | Array of light-emitting OLED microcavity pixels |
US20090015141A1 (en) * | 2004-12-30 | 2009-01-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic Device Having An Optical Resonator |
TW200803606A (en) * | 2006-06-13 | 2008-01-01 | Itc Inc Ltd | The fabrication of full color OLED panel using micro-cavity structure |
JP2010287524A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Sony Corp | 表示素子および表示装置 |
KR101084243B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2012054091A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Canon Inc | 多色表示装置 |
US10240749B2 (en) * | 2013-01-29 | 2019-03-26 | Philips Lighting Holding B.V. | Light source, luminaire and surgical illumination unit |
KR20140142417A (ko) * | 2013-06-03 | 2014-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN105322096A (zh) | 2014-07-30 | 2016-02-10 | 财团法人工业技术研究院 | 有机发光元件 |
-
2015
- 2015-11-17 KR KR1020150161112A patent/KR102465177B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-05-20 EP EP16170570.2A patent/EP3171422B1/en active Active
- 2016-05-23 US US15/161,841 patent/US9997735B2/en active Active
- 2016-06-14 CN CN201610417291.3A patent/CN106711340B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3171422A1 (en) | 2017-05-24 |
KR20170057694A (ko) | 2017-05-25 |
KR102465177B1 (ko) | 2022-11-08 |
EP3171422B1 (en) | 2022-04-13 |
KR20220155558A (ko) | 2022-11-23 |
US9997735B2 (en) | 2018-06-12 |
US20170141345A1 (en) | 2017-05-18 |
CN106711340A (zh) | 2017-05-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |