CN106711010B - 一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路 - Google Patents

一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,通过CPLD信号源电路输出频率和幅度可调的高频方波信号;然后由驱动电路对高频方波信号进行放大,生成驱动信号;再由射频变压电路根据驱动信号和反馈电路输出的反馈信号,生成正弦波射频信号,并输出至导引杆;反馈信号为正弦波射频信号超过预设范围时,对正弦波射频信号进行反向调节的信号。也即,质谱仪的四极导引杆射频电源电路,可以通过软件设定高频方波信号的频率和幅度,并通过反馈信号调节正弦波射频信号,从而控制正弦波射频信号的频率和电压,以适用于不同质量范围的离子。

Description

一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路
技术领域
本发明涉及电子仪器技术领域,尤其涉及一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路。
背景技术
质谱仪是一种化学分析仪器,用于分离和检测不同的同位素;四极导引杆射频电源电路是质谱仪的四极杆离子导引部分的驱动电源,用于输出高频的交流信号,在质谱仪四级杆周围产生交变电场,将离子聚焦成离子束,使之朝一个方向运动,以减少离子在传输过程中的损失,进而实现样品的高灵敏度分析。
由于四极导引杆对工作稳定性的要求非常高,导致对驱动四极导引杆的射频电源有很高的要求;因此,传统的射频电源一般比较复杂,使用较多的射频电源都是采用触发器、电感电容震荡产生高频信号,输出单一频率和幅度固定的高频电压信号,因此,这种射频电源用于质谱仪中只能适用于较小质量范围内的离子;如果需要测试其他范围内的离子,则需要更换射频电源组件,流程繁琐并且增加了实验成本,浪费大量的时间。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,以解决现有技术由于输出的高频电压信号频率单一且幅度固定而导致的适用离子的质量范围小的问题。
为实现上述目的,本申请提供的技术方案如下:
一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,包括:
CPLD信号源电路,用于输出频率和幅度可调的高频方波信号;
驱动电路,所述驱动电路的输入端与所述CPLD信号源电路的输出端相连;所述驱动电路用于对所述高频方波信号进行放大,生成驱动信号;
射频变压电路,所述射频变压电路的输入端与所述驱动电路的输出端相连;所述射频变压电路用于根据所述驱动信号和反馈信号,生成正弦波射频信号,并输出至导引杆;
反馈电路,所述反馈电路的输入端与所述射频变压电路的输出端相连,所述反馈电路的输出端与所述射频变压电路的反馈端相连;所述反馈电路用于根据所述正弦波射频信号,生成所述反馈信号;所述反馈信号为所述正弦波射频信号超过预设范围时,对所述正弦波射频信号进行反向调节的信号。
优选的,所述射频变压电路中的升压变压器为采用锰锌铁氧体材质的磁环绕制而成的升压变压器。
优选的,所述驱动电路包括:第一电阻、加速电路、驱动芯片及其外围电路;其中:
所述第一电阻的一端为所述驱动电路的输入端;
所述第一电阻的另一端与所述驱动芯片的输入端相连;
所述驱动芯片的输出端与所述加速电路的一端相连;
所述加速电路的另一端为所述驱动电路的输出端。
优选的,所述加速电路包括:并联连接的第二电阻、第一电容及第二电容。
优选的,所述射频变压电路包括:第一MOS管、第二MOS管、第三电阻、第四电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电感及所述升压变压器;其中:
所述第一MOS管的栅极为所述射频变压电路的输入端;
所述第一MOS管的源级通过所述第三电阻接地;
所述第一电感与所述第四电容串联连接的支路与所述第三电容及所述第四电阻,均与所述第三电阻并联;
所述第一MOS管的漏极与所述第五电容的一端、所述第六电容的一端及所述升压变压器初级线圈的一端相连;
所述第五电容的另一端、所述第六电容的另一端及所述升压变压器初级线圈的另一端与所述第八电容的一端及所述第二MOS管的源级相连;
所述第八电容的另一端接地;
所述第二MOS管的栅极为所述射频变压电路的反馈端;
所述第二MOS管的漏极接收第一电源电压,并通过所述第七电容接地;
所述升压变压器次级线圈的两端为所述射频变压电路的输出端。
优选的,所述反馈电路包括:
阻抗变化电路,所述阻抗变化电路的输入端为所述反馈电路的输入端,所述阻抗变化电路用于对所述正弦波射频信号进行整流滤波,生成低压直流信号;
差分放大电路,所述差分放大电路的输入端与所述阻抗变化电路的输出端相连,所述差分放大电路的输出端为所述反馈电路的输出端;所述差分放大电路用于在所述低压直流信号与参考信号存在偏差时,生成所述反馈信号。
优选的,所述阻抗变化电路包括:第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第二电感及整流器;其中:
所述第九电容的一端与所述第二电感的一端相连,连接点为所述阻抗变化电路的输出端;
所述第二电感的另一端与所述第十电容的一端及所述整流器的直流端正极相连;
所述整流器的一个交流端通过所述第十一电容与所述第十二电容的一端相连,连接点为所述阻抗变化电路的一个输入端;
所述整流器的另一交流端通过所述第十三电容与所述第十四电容的一端相连,连接点为所述阻抗变化电路的另一输入端;
所述第九电容的另一端、所述第十电容的另一端、所述第十二电容的另一端、所述第十四电容的另一端及所述整流器的直流端负极接地。
优选的,所述差分放大电路包括:运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻及第三电感;其中:
所述第七电阻的一端为所述差分放大电路的输入端;
所述第七电阻的另一端与所述差分放大器的反相输入端相连;
所述第五电阻连接于所述差分放大器的反相输入端及输出端之间;
所述差分放大器的输出端与所述第三电感的一端相连;
所述第三电感的另一端为所述差分放大电路的输出端;
所述差分放大器的同相输入端依次通过所述第六电阻和所述第九电阻接地;
所述第六电阻与所述第九电阻的连接点通过所述第八电阻接收第二电源电压。
优选的,还包括:电压源电路;
所述电压源电路用于为所述反馈电路和所述驱动电路供电。
优选的,所述电压源电路包括:第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一二极管、第二二极管、第十五电容、第十六电容、第十七电容、第四电感、保险丝及开关稳压器;其中:
所述保险丝的一端接收第一电源电压;
所述保险丝的另一端分别与所述第十六电容的一端、所述第十七电容的一端及所述开关稳压器的VIN接口相连;
所述开关稳压器的OUT接口与所述第二二极管的阴极及所述第四电感的一端相连;
所述第四电感的另一端与所述第十五电容的一端、所述第十一电阻的一端及所述第十电阻的一端相连;
所述第十一电阻的另一端与所述开关稳压器的FB接口及所述第十二电阻的一端相连;
所述第十电阻的另一端与所述第一二极管的阳极相连;
所述第十六电容的另一端、所述第十七电容的另一端、所述开关稳压器的ON/OFF接口和GND接口、所述第二二极管的阳极、所述第十五电容的另一端、所述第十二电阻的另一端及所述第一二极管的阴极均接地。
由上述方案可知,本发明提供了一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,通过CPLD信号源电路输出频率和幅度可调的高频方波信号;然后由驱动电路对所述高频方波信号进行放大,生成驱动信号;再由射频变压电路根据所述驱动信号和反馈电路输出的反馈信号,生成正弦波射频信号,并输出至导引杆;所述反馈信号为所述正弦波射频信号超过预设范围时,对所述正弦波射频信号进行反向调节的信号。也即,所述质谱仪的四极导引杆射频电源电路,可以通过软件设定所述高频方波信号的频率和幅度,并通过所述反馈信号调节所述正弦波射频信号,从而控制所述正弦波射频信号的频率和电压,以适用于不同质量范围的离子。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的质谱仪的四极导引杆射频电源电路的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的质谱仪的四极导引杆射频电源电路的电路图;
图3为本发明实施例提供的质谱仪的四极导引杆射频电源电路的另一结构示意图;
图4为本发明实施例提供的电压源电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,以解决现有技术由于输出的高频电压信号频率单一且幅度固定而导致的适用离子的质量范围小的问题。
具体的,该质谱仪的四极导引杆射频电源电路,参见图1,包括:CPLD(ComplexProgrammable Logic Device,复杂可编程逻辑器件)信号源电路101、驱动电路102、射频变压电路103及反馈电路104;其中:
CPLD信号源电路101的输出端与驱动电路102的输入端相连;
射频变压电路103的输入端与驱动电路102的输出端相连;
反馈电路104的输入端与射频变压电路103的输出端相连,反馈电路104的输出端与射频变压电路103的反馈端相连。
具体的工作原理为:
CPLD信号源电路101用于输出频率和幅度可调的高频方波信号;
驱动电路102用于对高频方波信号进行放大,生成驱动信号;
射频变压电路103用于根据驱动信号和反馈信号,生成正弦波射频信号,并输出至导引杆;
反馈电路104用于根据正弦波射频信号,生成反馈信号;反馈信号为正弦波射频信号超过预设范围时,对正弦波射频信号进行反向调节的信号。
本实施例提供的该质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其中的CPLD信号源电路101为复杂可编程逻辑器件,可以通过软件设定高频方波信号的频率和幅度,进而输出频率和脉宽可调的高频方波信号,以精准适用于不同质量范围的离子。并且,反馈电路104通过反馈信号调节射频变压电路103输出的正弦波射频信号,从而调节正弦波射频信号的电压处于预设范围内,比如想要得到的具体输出电压值,此处不做具体限定,均在本申请的保护范围内。
值得说明的是,随着电子技术的不断进步,用于驱动四极导引杆的射频电源电路有越来越简单的趋势,但现有技术中此类射频电源的升压变压器却很难缩小,其主要原因是必须保证变压器的初、次级都有比较高的Q值,和一定的电感量;而传统的升压变压器一般采用空气介质来绕制线圈,因此,其线圈的体积和圈线都比较大。
本实施例提供了另外一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,在上述实施例及图1的基础之上,射频变压电路103中的升压变压器为:采用锰锌铁氧体材质的磁环绕制而成的升压变压器。
射频变压电路103采用铁氧体磁芯制作升压变压器,其初级线圈绕在铁氧体磁芯一侧,次级线圈绕在铁氧体磁芯的另一侧。这样制作的高频磁芯升压变压器具有较高的Q值,能大大减小线圈的圈数和体积。和传统的升压变压器相比,在性能相同的情况下,该升压变压器的体积可以只有传统升压变压器的几十分之一,且其结构也更为简单,成本更低;并且使得该质谱仪的四极导引杆射频电源电路整体结构紧凑、体积小、稳定性好,有利于质谱仪的小型化设计。
本发明另一实施例提供了一种具体的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,在上述实施例及图1的基础之上,参见图2,其中的驱动电路102包括:第一电阻R1、加速电路201、驱动芯片202及其外围电路;其中:
第一电阻R1的一端为驱动电路102的输入端;
第一电阻R1的另一端与驱动芯片202的输入端相连;
驱动芯片202的输出端与加速电路201的一端相连;
加速电路201的另一端为驱动电路102的输出端。
具体的,参见图2,加速电路201包括:并联连接的第二电阻R2、第一电容C1及第二电容C2。
具体的,驱动芯片202为高频MOS管驱动芯片FAN3100T。
优选的,参见图2,射频变压电路103包括:第一MOS管U1、第二MOS管U2、第三电阻R3、第四电阻R4、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第一电感L1及升压变压器T1;其中:
第一MOS管U1的栅极为射频变压电路103的输入端;
第一MOS管U1的源级通过第三电阻R3接地;
第一电感L1与第四电容C4串联连接的支路与第三电容C3及第四电阻R4,均与第三电阻R3并联;
第一MOS管U1的漏极与第五电容C5的一端、第六电容C6的一端及升压变压器T1初级线圈的一端相连;
第五电容C5的另一端、第六电容C6的另一端及升压变压器T1初级线圈的另一端与第八电容C8的一端及第二MOS管U2的源级相连;
第八电容C8的另一端接地;
第二MOS管U2的栅极为射频变压电路的反馈端;
第二MOS管U2的漏极接收第一电源电压,并通过第七电容C7接地;
升压变压器T1次级线圈的两端为射频变压电路103的输出端。
优选的,第一MOS管U1为高频MOS管FDD7N20。
优选的,参见图2,反馈电路104包括:阻抗变化电路401和差分放大电路402;其中:
阻抗变化电路401的输入端为反馈电路104的输入端;
差分放大电路402的输入端与阻抗变化电路401的输出端相连,差分放大电路402的输出端为反馈电路104的输出端。
阻抗变化电路401用于对正弦波射频信号进行整流滤波,生成低压直流信号;差分放大电路402用于在低压直流信号与参考信号存在偏差时,生成反馈信号。
优选的,参见图2,阻抗变化电路401包括:第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第十四电容C14、第二电感L2及整流器;其中:
第九电容C9的一端与第二电感L2的一端相连,连接点为阻抗变化电路401的输出端;
第二电感L2的另一端与第十电容C10的一端及整流器的直流端正极相连;
整流器的一个交流端通过第十一电容C11与第十二电容C12的一端相连,连接点为阻抗变化电路401的一个输入端;
整流器的另一交流端通过第十三电容C13与第十四电容C14的一端相连,连接点为阻抗变化电路401的另一输入端;
第九电容C9的另一端、第十电容C10的另一端、第十二电容C12的另一端、第十四电容C14的另一端及整流器的直流端负极接地。
优选的,参见图2,差分放大电路402包括:运算放大器U3、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9及第三电感L3;其中:
第七电阻R7的一端为差分放大电路402的输入端;
第七电阻R7的另一端与差分放大器U3的反相输入端相连;
第五电阻R5连接于差分放大器U3的反相输入端及输出端之间;
差分放大器U3的输出端与第三电感L3的一端相连;
第三电感L3的另一端为差分放大电路402的输出端;
差分放大器U3的同相输入端依次通过第六电阻R6和第九电阻R9接地;
第六电阻R6与第九电阻R9的连接点通过第八电阻R8接收第二电源电压。
另外,在上述实施例及图1和图2的基础之上,优选的,参见图3,该质谱仪的四极导引杆射频电源电路还包括:电压源电路105;
电压源电路105用于为反馈电路和驱动电路供电。
优选的,参见图4,电压源电路105包括:第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第一二极管D1、第二二极管D2、第十五电容C15、第十六电容C16、第十七电容C17、第四电感L4、保险丝Fulse及开关稳压器U4;其中:
保险丝Fulse的一端接收第一电源电压;
保险丝Fulse的另一端分别与第十六电容C16的一端、第十七电容C17的一端及开关稳压器U4的VIN接口相连;
开关稳压器U4的OUT接口与第二二极管D2的阴极及第四电感L4的一端相连;
第四电感L4的另一端与第十五电容C15的一端、第十一电阻R11的一端及第十电阻R10的一端相连;
第十一电阻R11的另一端与开关稳压器U4的FB接口及第十二电阻R12的一端相连;
第十电阻R10的另一端与第一二极管的阳极相连;
第十六电容C16的另一端、第十七电容C17的另一端、开关稳压器U4的ON/OFF接口和GND接口、第二二极管D2的阳极、第十五电容C15的另一端、第十二电阻R12的另一端及第一二极管D1的阴极均接地。
在具体的实际应用中,第一电源电压可以为24V,第二电源电压可以为5V,此处仅为一种示例,并不一定限定于此。且驱动电路102和反馈电路104均可以由电压源电路105供电。
具体的工作原理为:
CPLD信号源电路101由CPLD及其外围电路组成,通过软件对CPLD编程,可以使其输出200KHz~2MHz的高频方波信号。
由于CPLD信号源电路101输出的高频方波信号的高电平电压为3.3V,无法直接驱动第一MOS管U1,因此,通过高频MOS管驱动芯片FAN3100T(即图2中的驱动芯片202)对该高频方波信号的电流和幅度同时进行放大,从而驱动第一MOS管U1。另外,第一电容C1、第二电容C2和第二电阻R2构成加速电路,可以使射频变压电路103中的第一MOS管U1迅速导通和关闭。
射频变压电路103中,第一MOS管U1采用高频MOS管FDD7N20,工作在开关模式,驱动升压变压器T1,即第一MOS管U1的通断会使与之相连的升压变压器T1初级线圈产生周期性的电流变化,该变化的电流经升压变压器T1耦合至其次级线圈输出,进而将高频直流信号转化成高频高压交流信号输出到负载(四极导引杆)。当第一MOS管U1截止时,第二MOS管U2为升压变压器T1的初级线圈提供放电回路,保护第一MOS管U1。
优选的,升压变压器T1采用锰锌铁氧体材质的磁环绕制而成,可将升压变压器的T1初级电压耦合至次级,输出800V频率为2MHz的信号。
射频变压电路103输出正弦波射频信号至负载的同时,该正弦波射频信号还发送至反馈电路104中的阻抗变换401。阻抗变换电路401将高频高压交流信号转换成具有较强驱动能力的低压直流信号,并送至射频变压电路103的反馈端。
具体的,反馈电路104中的阻抗变化电路401将滤波升压变压器T1输出的正弦波射频信号,经过高压电容C11、C12、C13、C14和整流桥D3的整流,再经过由C9、C10、L2构成的π型滤波器滤波后得到该低压直流信号,经过差分放大电路402反馈到射频变压电路103的反馈端,对正弦波射频信号的电压值进行阻抗匹配。该低压直流信号输入到以运算放大器LM358为核心的差分放大电路402中,当差分放大电路402负输入端有偏差存在时,其输出端将输出一个经过放大的偏差电压给射频变压电路103的反馈端,对输入偏差进一步调节,同时可有效抑制共模干扰电压的影响。
由此,当负载上的电压高于一定值,反馈电路104反馈给射频变压电路103中第二MOS管的栅极的反馈信号,该反馈信号的电平值将使射频变压电路103输出的电压降低;而当负载上的电压低于一定值,反馈电路104反馈给射频变压电路103中第二MOS管的栅极的反馈信号,此时该反馈信号为另一个电平值,将使射频变压电路103输出的电压增加。也即,反馈电路104通过调节射频变压电路103供电电压(第二电源电压)的占空比,从而调节质谱仪的四极导引杆射频电源电路的输出电压,使其输出保持稳定。
电压源电路105是以开关稳压器LM2576为核心,起到稳压和调压的作用。具体的,电压源电路105的输出电压接到阻抗变换模块401和驱动芯片202的电源输入端。
本实施例提供的该质谱仪的四极导引杆射频电源电路,相对于传统射频电源,利用CPLD实现了正弦波射频信号的频率调节,利用以阻抗变换电路401和差分放大电路402为核心的反馈电路104来实现正弦波射频信号的可调稳压输出。
并且,本实施例提供的该质谱仪的四极导引杆射频电源电路,采用高速MOS管驱动芯片,驱动射频变压电路103的MOS管,增强了MOS管的驱动能力,输出信号稳定,简化了电路。
其他具体的工作原理与上述实施例相同,此处不再一一赘述。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处,各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,包括:
CPLD信号源电路,用于输出频率和幅度可调的高频方波信号;
驱动电路,所述驱动电路的输入端与所述CPLD信号源电路的输出端相连;所述驱动电路用于对所述高频方波信号进行放大,生成驱动信号;
射频变压电路,所述射频变压电路的输入端与所述驱动电路的输出端相连;所述射频变压电路用于根据所述驱动信号和反馈信号,生成正弦波射频信号,并输出至导引杆;
反馈电路,所述反馈电路的输入端与所述射频变压电路的输出端相连,所述反馈电路的输出端与所述射频变压电路的反馈端相连;所述反馈电路用于根据所述正弦波射频信号,生成所述反馈信号;所述反馈信号为所述正弦波射频信号超过预设范围时,对所述正弦波射频信号进行反向调节的信号;
所述射频变压电路包括:第一MOS管、第二MOS管、第三电阻、第四电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电感及升压变压器;其中:
所述第一MOS管的栅极为所述射频变压电路的输入端;
所述第一MOS管的源级通过所述第三电阻接地;
所述第一电感与所述第四电容串联连接的支路与所述第三电容及所述第四电阻,均与所述第三电阻并联;
所述第一MOS管的漏极与所述第五电容的一端、所述第六电容的一端及所述升压变压器初级线圈的一端相连;
所述第五电容的另一端、所述第六电容的另一端及所述升压变压器初级线圈的另一端与所述第八电容的一端及所述第二MOS管的源级相连;
所述第八电容的另一端接地;
所述第二MOS管的栅极为所述射频变压电路的反馈端;
所述第二MOS管的漏极接收第一电源电压,并通过所述第七电容接地;
所述升压变压器次级线圈的两端为所述射频变压电路的输出端;
所述第二MOS管用于当所述第一MOS管截止时,为所述升压变压器的初级线圈提供放电回路。
2.根据权利要求1所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述射频变压电路中的升压变压器为采用锰锌铁氧体材质的磁环绕制而成的升压变压器。
3.根据权利要求1或2所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述驱动电路包括:第一电阻、加速电路、驱动芯片及其外围电路;其中:
所述第一电阻的一端为所述驱动电路的输入端;
所述第一电阻的另一端与所述驱动芯片的输入端相连;
所述驱动芯片的输出端与所述加速电路的一端相连;
所述加速电路的另一端为所述驱动电路的输出端。
4.根据权利要求3所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述加速电路包括:并联连接的第二电阻、第一电容及第二电容。
5.根据权利要求1或2所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述反馈电路包括:
阻抗变化电路,所述阻抗变化电路的输入端为所述反馈电路的输入端,所述阻抗变化电路用于对所述正弦波射频信号进行整流滤波,生成低压直流信号;
差分放大电路,所述差分放大电路的输入端与所述阻抗变化电路的输出端相连,所述差分放大电路的输出端为所述反馈电路的输出端;所述差分放大电路用于在所述低压直流信号与参考信号存在偏差时,生成所述反馈信号。
6.根据权利要求5所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述阻抗变化电路包括:第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第二电感及整流器;其中:
所述第九电容的一端与所述第二电感的一端相连,连接点为所述阻抗变化电路的输出端;
所述第二电感的另一端与所述第十电容的一端及所述整流器的直流端正极相连;
所述整流器的一个交流端通过所述第十一电容与所述第十二电容的一端相连,连接点为所述阻抗变化电路的一个输入端;
所述整流器的另一交流端通过所述第十三电容与所述第十四电容的一端相连,连接点为所述阻抗变化电路的另一输入端;
所述第九电容的另一端、所述第十电容的另一端、所述第十二电容的另一端、所述第十四电容的另一端及所述整流器的直流端负极接地。
7.根据权利要求5所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述差分放大电路包括:运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻及第三电感;其中:
所述第七电阻的一端为所述差分放大电路的输入端;
所述第七电阻的另一端与所述差分放大器的反相输入端相连;
所述第五电阻连接于所述差分放大器的反相输入端及输出端之间;
所述差分放大器的输出端与所述第三电感的一端相连;
所述第三电感的另一端为所述差分放大电路的输出端;
所述差分放大器的同相输入端依次通过所述第六电阻和所述第九电阻接地;
所述第六电阻与所述第九电阻的连接点通过所述第八电阻接收第二电源电压。
8.根据权利要求1所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,还包括:电压源电路;
所述电压源电路用于为所述反馈电路和所述驱动电路供电。
9.根据权利要求8所述的质谱仪的四极导引杆射频电源电路,其特征在于,所述电压源电路包括:第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一二极管、第二二极管、第十五电容、第十六电容、第十七电容、第四电感、保险丝及开关稳压器;其中:
所述保险丝的一端接收第一电源电压;
所述保险丝的另一端分别与所述第十六电容的一端、所述第十七电容的一端及所述开关稳压器的VIN接口相连;
所述开关稳压器的OUT接口与所述第二二极管的阴极及所述第四电感的一端相连;
所述第四电感的另一端与所述第十五电容的一端、所述第十一电阻的一端及所述第十电阻的一端相连;
所述第十一电阻的另一端与所述开关稳压器的FB接口及所述第十二电阻的一端相连;
所述第十电阻的另一端与所述第一二极管的阳极相连;
所述第十六电容的另一端、所述第十七电容的另一端、所述开关稳压器的ON/OFF接口和GND接口、所述第二二极管的阳极、所述第十五电容的另一端、所述第十二电阻的另一端及所述第一二极管的阴极均接地。
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