CN106684161A - 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106684161A
CN106684161A CN201710063887.2A CN201710063887A CN106684161A CN 106684161 A CN106684161 A CN 106684161A CN 201710063887 A CN201710063887 A CN 201710063887A CN 106684161 A CN106684161 A CN 106684161A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film layer
film
transparency conducting
intrinsic amorphous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710063887.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106684161B (zh
Inventor
李艺明
邓国云
李�浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Kexin New Energy Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Kexin New Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Kexin New Energy Co Ltd filed Critical Jiangsu Kexin New Energy Co Ltd
Priority to CN201710063887.2A priority Critical patent/CN106684161B/zh
Publication of CN106684161A publication Critical patent/CN106684161A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106684161B publication Critical patent/CN106684161B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及太阳能电池领域。本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括：晶硅基片、第一金属硫族化合物膜层、第二金属硫族化合物膜层、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层分别设置在晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间以及晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间。本发明通过在晶硅基片表面形成所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层可以提高硅基异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。

Description

一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳能电池领域，具体地涉及一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池能够将太阳光直接转换为电力，因此作为新的能量源受到越来越多国家的重视。
Heterojunction with Intrinsic Thin layer 太阳能电池简称HIT太阳能电池，其最早是由三洋公司发明的，其是非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池，是一种利用晶硅基片和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。由于HIT太阳能电池具有高的光电转换效率，低的温度系数和在相对低温条件下的制备技术，在近几年来成为光伏行业研究和开发的重点方向之一。目前日本的三洋公司产业化的HIT太阳能电池的效率已超过23%，其实验室效率已超过了25%。
图1A和图1B所示为现有的HIT太阳能电池的结构示意图。在图1A和图1B中，在由单晶硅、多晶硅等的结晶类半导体构成的n型结晶类硅基板1的一个主面上，本征非晶硅层2、p型非晶硅层3依次叠层，进而在其上形成ITO透明导电氧化物层4和由银构成的梳型形状的栅电极9；在结晶类硅基板1的另一个主面上依次叠层本征非晶硅层5、n型非晶硅层6，进而在其上形成ITO透明导电氧化物层7和由银构成的梳型形状的栅电极9，汇流条电极8将栅电极9的电流汇集起来。
这种HIT太阳能电池按照以下的顺序制造。首先，使用等离子体CVD法，在结晶类基板1的一个主面上连续形成本征非晶硅层2、p型非晶硅层3，在另一个主面上连续形成本征非晶硅层5、n型非晶硅层6。接着使用溅射法在p型非晶硅层3和n型非晶硅层6上分别形成ITO透明导电层4和7，进而通过丝网印刷，在ITO透明导电氧化物层4和7上形成梳型形状的栅电极9。所使用的等离子体增强CVD法、溅射法、丝网印刷法等的方法全部能够在250℃以下的温度形成上述各膜层，因此能够防止基板的翘曲，能够实现制造成本的降低。
传统的做法是将本征非晶硅膜层直接沉积在具有绒面结构的晶硅基片的表面上，本征非晶硅膜层在这里是起到钝化硅片表面的作用，当非晶硅膜层太薄时其不能很好的覆盖具有绒面结构的硅片表面，其不能起到很好的钝化效果，这就会造成电池的开路电压的下降；当非晶硅膜层太厚时，其虽然可以较好的覆盖具有绒面结构的硅片表面，但是由于非晶硅膜层对光具有很高的吸收系数，因此会减少到达硅片的入射光的量，从而造成电池短路电流的降低。因此传统的做法不但对非晶硅膜层的厚度有严格的限制，而且对制作硅片表面的绒面结构有着严格的要求，这就使工艺操作的窗口变窄，同时使硅片的制绒工序变得更加的复杂。
发明内容
本发明的目的在于为解决上述的现有HIT太阳能电池技术中存在的问题，提供一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，本发明通过在所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间设置有第一金属硫族化合物膜层和/或在所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间设置有第二金属硫族化合物膜层，这样既能使晶硅基片的表面得到很好的钝化，又可使用较薄的非晶硅膜层来覆盖晶硅基片，从而使更多的太阳光入射到晶硅基片上，因而可提高电池的短路电流和开路电压，从而增强了太阳能电池的性能，使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层，所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。
进一步的，所述第二透明导电层上设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层与第二透明导电层直接接触；所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
本发明还公开了另一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面设置有第一本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有一减反射层，所述基片的背面设置有第二本征非晶层，所述第二本征非晶层的表面区域内交错设置有第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。
进一步的，所述第一本征非晶层与减反射层之间设置有一层掺杂层，所述掺杂层的导电类型与晶硅基片的一致。当晶硅基片为n型晶硅基片时，所述掺杂层为n型非晶硅膜层；当晶硅基片为p型晶硅基片时，所述掺杂层为p型非晶硅膜层。
进一步的，所述第一透明导电层和第二透明导电层上分别设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层分别与第一透明导电层和第二透明导电层直接接触；所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
进一步的，所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉和硫化镉锌中的一种或两种以上。
进一步的，所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层中含有氧。
进一步的，所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层的厚度为1-100nm，优选第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层的厚度为2-50nm，更优选第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层的厚度为5-30nm。
进一步的，所述第一本征非晶层和第二本征非晶层为本征非晶硅膜层，所述晶硅基片为N型单晶硅片、P型单晶硅片、N型多晶硅片、P型多晶硅片。
进一步的，所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为p型非晶硅膜层和n型非晶硅膜层，或所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为n型非晶硅膜层和p型非晶硅膜层。
进一步的，所述第一掺杂层与第一透明导电层之间设置有第一掺杂氧化钛膜层和/或所述第二掺杂层与第二透明导电层之间设置有第二掺杂氧化钛膜层，所述第一掺杂氧化钛膜层和/或第二掺杂氧化钛膜层为TiO2掺杂有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Ce和Al中的一种或两种以上。选用CVD（化学气相沉积法）、RPD（反应等离子沉积法）、ALD（原子层沉积法）、PVD（物理气相沉积法）等方法来沉积第一掺杂氧化钛膜层和/或第二掺杂氧化钛膜层。
进一步的，所述第一透明导电层和第二透明导电层上分别设置有栅电极。
本发明还公开了一种光伏发电系统，由上述的硅基异质结太阳能电池组成发电系统。
本发明还公开了一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，包括
准备晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层；
在所述晶硅基片的背面沉积第二金属硫族化合物膜层；
在所述第一金属硫族化合物膜层上沉积第一本征非晶层；
在所述第二金属硫族化合物膜层上沉积第二本征非晶层；
在所述第一本征非晶层上沉积第一掺杂层；
在所述第二本征非晶层上沉积第二掺杂层；
在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；
在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；
在所述第一透明导电层和第二透明导电层上形成栅电极。
本发明还公开了另一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，包括
准备晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层；
在所述第一金属硫族化合物膜层上沉积第一本征非晶层；
在所述第一本征非晶层上沉积一减反射层；
在所述晶硅基片的背面沉积第二金属硫族化合物膜层；
在所述第二金属硫族化合物膜层上沉积第二本征非晶层；
在所述第二本征非晶层的表面区域内交错沉积形成第一掺杂层和第二掺杂层；
在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；
在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；
在所述第一透明导电层和第二透明导电层上形成栅电极。
进一步的，所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉、硫化镉锌中的一种或两种以上，所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层中可含有氧，选用CVD（化学气相沉积法）、RPD（反应等离子沉积法）、ALD（原子层沉积法）、CBD（化学水浴沉积法）、PVD（物理气相沉积法）等方法来沉积第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层。
进一步的，采用PECVD（等离子增强化学气相沉积）来沉积第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层和第二掺杂层。
进一步的，所述第一透明导电层和/或第二透明导电层为ITO、AZO、IWO、BZO、GZO、IGZO、IZO、IMO、氧化锡基透明导电材料或它们的任一组合中的一种。采用CVD（化学气相沉积法）、RPD（反应等离子沉积法）、ALD（原子层沉积法）、PVD（物理气相沉积法）等方法来沉积第一透明导电层和/或第二透明导电层。
本发明的有益技术效果：
1、本发明通过在晶硅基片表面形成一层金属硫族化合物膜层，因而可以使用更薄的非晶硅膜层覆盖晶硅基片表面，可使更多的太阳光入射到晶硅基片，从而提高了电池的短路电流。
2、本发明通过在晶硅基片表面形成一层金属硫族化合物膜层，因而对晶硅基片表面的绒面结构的要求降低，从而可使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。
3、本发明通过在晶硅基片表面形成一层金属硫族化合物膜层，因而可以使晶硅基片的表面得到很好的钝化，从而提高了电池的开路电压。
附图说明
图1A为现有的一种HIT太阳能电池的结构示意图；
图1B为现有的一种HIT太阳能电池的背面的俯视图；
图2A是本发明的一种硅基异质结太阳能电池的结构示意图；
图2B是本发明的一种硅基异质结太阳能电池的背面的俯视图；
图3A是本发明的另一种硅基异质结太阳能电池的结构示意图；
图3B是本发明的另一种硅基异质结太阳能电池的背面的俯视图；
图4是本发明的另一种硅基异质结太阳能电池的结构示意图；
图5是本发明的另一种硅基异质结太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
在此先说明，本发明中的氧化锡基透明导电材料为氧化锡掺杂氟的透明导电材料、氧化锡掺碘的透明导电材料、氧化锡掺杂锑的透明导电材料或它们的任一组合；本发明中的ITO是指氧化铟掺杂锡的透明导电材料、AZO是指氧化锌掺杂铝的透明导电材料、IWO是指氧化铟掺杂钨的透明导电材料、BZO是指氧化锌掺杂硼的透明导电材料、GZO是指氧化锌掺杂镓的透明导电材料、IGZO是指氧化锌掺杂铟镓的透明导电材料、IZO是指氧化锌掺杂铟的透明导电材料、IMO是指氧化铟掺杂钼的透明导电材料；所述第一非晶层、第二非晶层、第一掺杂层和第二掺杂层中都含有氢。
如图2A和图2B所示，一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片1，所述晶硅基片1的受光面和背面分别设置有第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11，所述第一金属硫族化合物膜层10上设置有第一本征非晶层2，所述第二金属硫族化合物膜层11上设置有第二本征非晶层5，所述第一本征非晶层2上设置有第一掺杂层3，所述第二本征非晶层5上设置有第二掺杂层6，所述第一掺杂层3上设置有第一透明导电层4，所述第二掺杂层6上设置有第二透明导电层7，所述第一透明导电层4和第二透明导电层7上设置有栅电极9，栅电极9上设置有汇流条电极8，将栅电极9的电流汇流在一起。
具体的，所述第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉和硫化镉锌中的一种或两种以上。所述第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11中可含有氧。所述第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11的厚度为1-100nm，优选第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11的厚度为2-50nm，更优选第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11的厚度为5-30nm。所述第一本征非晶层2和第二本征非晶层5为本征非晶硅膜层，所述晶硅基片1为N型单晶硅片、P型单晶硅片、N型多晶硅片、P型多晶硅片。所述第一掺杂层3和第二掺杂层6分别为p型非晶硅膜层和n型非晶硅膜层，或所述第一掺杂层3和第二掺杂层6分别为n型非晶硅膜层和p型非晶硅膜层。第一透明导电4和/或第二透明导电层7为ITO、AZO、IWO、BZO、GZO、IZO、IMO、氧化锡基透明导电材料或它们的任一组合中的一种，栅电极9为现有技术的栅电极结构，此不再细说。
进一步的，在其它实施例中，可以在第二透明导电层7上设置有一叠层结构（图中未示出），所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层与第二透明导电层7直接接触.
具体的，所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
当然，在其它实施例中，也可以只在晶硅基片1的受光面与第一本征非晶层2之间设置有第一金属硫族化合物膜层10，如图4所示，或只在晶硅基片1的背面与第二本征非晶层5之间设置有第二金属硫族化合物膜层11。
其制备方法包括：准备晶硅基片1；在所述晶硅基片1的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层10；在所述晶硅基片1的背面沉积第二金属硫族化合物膜层11；在所述第一金属硫族化合物膜层10上沉积第一本征非晶层2；在所述第二金属硫族化合物膜层11上沉积第二本征非晶层5；在所述第一本征非晶层2上沉积第一掺杂层3；在所述第二本征非晶层5上沉积第二掺杂层6；在所述第一掺杂层3上沉积第一透明导电层4；在所述第二掺杂层6上沉积第二透明导电层7；在所述第一透明导电层4和第二透明导电层7上形成栅电极9。
具体的，采用CVD（化学气相沉积法）、RPD（反应等离子沉积法）、ALD（原子层沉积法）、CBD（化学水浴沉积法）、PVD（物理气相沉积法）等方法来沉积第一金属硫族化合物膜层10和/或第二金属硫族化合物膜层11，采用PECVD（等离子增强化学气相沉积）来沉积第一本征非晶层2、第二本征非晶层5、第一掺杂层3和第二掺杂层6。采用CVD（化学气相沉积法）、RPD（反应等离子沉积法）、ALD（原子层沉积法）、PVD（物理气相沉积法）等方法来沉积第一透明导电层4和/或第二透明导电层7。
图3A和图3B所示为另一种硅基异质结太阳能电池，其与图2A和图2B所示的硅基异质结太阳能电池的区别在于：所述第一本征非晶层2上设置有一减反射层12，所述第二本征非晶层5的表面区域内交错设置有第一掺杂层3和第二掺杂层6，所述第一掺杂层3上设置有第一透明导电层4，所述第二掺杂层6上设置有第二透明导电层7，所述第一透明导电层4和第二透明导电层7上设置有栅电极9，栅电极9上设置有汇流条电极8，将栅电极9的电流汇流在一起。具体的，减反射层12优选为氮化硅膜层。
其制备方法包括：准备晶硅基片1；在所述晶硅基片1的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层10；在所述第一金属硫族化合物膜层10上沉积第一本征非晶层2；在所述第一本征非晶层2上沉积一减反射层12；在所述晶硅基片1的背面沉积第二金属硫族化合物膜层11；在所述第二金属硫族化合物膜层11上沉积第二本征非晶层5；在所述第二本征非晶层5的表面区域内交错沉积形成第一掺杂层3和第二掺杂层6；在所述第一掺杂层3上沉积第一透明导电层4；在所述第二掺杂层6上沉积第二透明导电层7；在所述第一透明导电层4和第二透明导电层7上形成栅电极9。
进一步的，在其它实施例中，还可以在第一透明导电层4和第二透明导电层7上分别设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层分别与第一透明导电层4和第二透明导电层7直接接触，栅电极9设置在第二金属氮化物膜层上，栅电极9上设置有汇流条电极8，将栅电极9的电流汇流在一起。
当然，在其它实施例中，也可以只在晶硅基片1的受光面与第一本征非晶层2之间设置有第一金属硫族化合物膜层10，或只在晶硅基片1的背面与第二本征非晶层5之间设置有第二金属硫族化合物膜层11，如图5所示。
在其它实施例中，还可以在第一掺杂层3与第一透明导电层4之间设置有第一掺杂氧化钛膜层和/或在第二掺杂层6与第二透明导电层7之间设置有第二掺杂氧化钛膜层.
具体的，第一掺杂氧化钛膜层和/或第二掺杂氧化钛膜层为TiO2掺杂有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Ce和Al中的一种或两种以上。可选用CVD（化学气相沉积法）、RPD（反应等离子沉积法）、ALD（原子层沉积法）、PVD（物理气相沉积法）等方法来沉积第一掺杂氧化钛膜层和/或第二掺杂氧化钛膜层。
在本发明中，第一金属硫族化合物膜层10和第二金属硫族化合物膜层11可以全部或部分覆盖晶硅基片1的表面。
下面将通过几个具体实施例来说明本发明的硅基异质结太阳能电池及其制备方法。以下实施例中，均是在制绒后干净的晶硅基片表面上依次沉积上各膜层。
实施例1
准备N型单晶硅片1，厚度为200um，接着在N型单晶硅片1的受光面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌膜层作为第一金属硫族化合物膜层10；接着采用PECVD法在第一金属硫族化合物膜层10上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和15nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3；接着在N型单晶硅片1的背面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌作为第二金属硫族化合物膜层11；接着采用PECVD法在第二金属硫族化合物膜层11上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和20nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积80nm的ITO膜层作为第一透明导电层4；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积80nm的ITO膜层作为第二透明导电层7；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，在第一透明导电层4上的栅电极9的间距为2mm，在第二透明导电层7上的栅电极9的间距为1mm，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为729mV，短路电流为35.6mA/cm2。
实施例2
准备N型单晶硅片1，厚度为200um，接着采用CVD方法在N型单晶硅片1的受光面上沉积20nm的硫化锌膜层作为第一金属硫族化合物膜层10；接着采用PECVD法在第一金属硫族化合物膜层10上依次沉积6nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和70nm的氮化硅膜层作为减反射层12；接着在N型单晶硅片1的背面采用CVD方法沉积20nm的硫化锌膜层作为第二金属硫族化合物膜层11；接着在第二金属硫族化合物膜层11上采用PECVD法沉积8nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5；接着在第二本征非晶层5的一部分上覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积15nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6，接着再去除掩膜；接着在n型非晶硅膜层6的表面覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积30nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3，接着再去除掩膜；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积100nm的IWO膜层作为第二透明导电层7；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积100nm的IWO膜层作为第一透明导电层4；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为733mV，短路电流为35.9mA/cm2。
实施例3
准备N型单晶硅片1，厚度为200um，接着在N型单晶硅片1的受光面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌膜层作为第一金属硫族化合物膜层10；接着采用PECVD法在第一金属硫族化合物膜层10上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和10nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3；接着在N型单晶硅片1的背面上采用PECVD法依次沉积8nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和15nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积80nm的ITO膜层作为第一透明导电层4；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积80nm的ITO膜层作为第二透明导电层7；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，在第一透明导电层4上的栅电极9的间距为2mm，在第二透明导电层7上的栅电极9的间距为1mm，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为731mV，短路电流为35.1mA/cm2。
实施例4
准备N型单晶硅片1，厚度为180um，在N型单晶硅片1的受光面上采用PECVD法依次沉积12nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和75nm的氮化硅膜层作为减反射层12；接着在N型单晶硅片1的背面采用CVD方法沉积20nm的硫化锌膜层作为第二金属硫族化合物膜层11；接着在第二金属硫族化合物膜层11上采用PECVD法沉积8nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5；接着在第二本征非晶层5的一部分上覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积20nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6，接着再去除掩膜；接着在n型非晶硅膜层6的表面覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积20nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3，接着再去除掩膜；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积100nm的IWO膜层作为第二透明导电层7；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积100nm的IWO膜层作为第一透明导电层4；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为738mV，短路电流为34.8mA/cm2。
实施例5
准备N型单晶硅片1，厚度为180um，在N型单晶硅片1的受光面上采用PECVD法依次沉积8nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2、10nm的n型非晶硅膜层和75nm的氮化硅膜层作为减反射层12；接着在N型单晶硅片1的背面采用CVD方法沉积20nm的硫化锌膜层作为第二金属硫族化合物膜层11；接着在第二金属硫族化合物膜层11上采用PECVD法沉积8nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5；接着在第二本征非晶层5的一部分上覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积20nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6，接着再去除掩膜；接着在n型非晶硅膜层6的表面覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积20nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3，接着再去除掩膜；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积100nm的IWO膜层作为第二透明导电层7；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积100nm的IWO膜层作为第一透明导电层4；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为734mV，短路电流为35.8mA/cm2。
实施例6
准备P型单晶硅片1，厚度为200um，接着在P型单晶硅片1的受光面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌膜层作为第一金属硫族化合物膜层10；接着采用PECVD法在第一金属硫族化合物膜层10上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和15nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层3；接着在P型单晶硅片1的背面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌作为第二金属硫族化合物膜层11；接着采用PECVD法在第二金属硫族化合物膜层11上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和25nm的p型非晶硅膜层作为第二掺杂层6；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层3上沉积100nm的ITO膜层作为第一透明导电层4；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层6上沉积100nm的ITO膜层作为第二透明导电层7；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，在第一透明导电层4上的栅电极9的间距为2mm，在第二透明导电层7上的栅电极9的间距为1mm，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为725mV，短路电流为34.1mA/cm2。
实施例7
准备N型单晶硅片1，厚度为180um，接着在N型单晶硅片1的受光面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌膜层作为第一金属硫族化合物膜层10；接着采用PECVD法在第一金属硫族化合物膜层10上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和15nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3；接着在N型单晶硅片1的背面上采用CVD法沉积15nm的硫化锌作为第二金属硫族化合物膜层11；接着采用PECVD法在第二金属硫族化合物膜层11上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和15nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积10nm的TiO2：Nb膜层；接着采用磁控溅射法在TiO2：Nb膜层上沉积80nm的ITO膜层作为第一透明导电层4；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积10nm的TiO2：Nb膜层；接着采用磁控溅射法在TiO2：Nb膜层上沉积40nm的ITO膜层作为第二透明导电层7；接着采用磁控溅射法在第二透明导电层7上依次沉积10nm氮化锆膜层、30nm银膜层、15nm氮化锆膜层作为一叠层结构；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和叠层结构上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，在第一透明导电层4上的栅电极9的间距为2mm，在第二透明导电层7上的栅电极9的间距为1mm，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为735mV，短路电流为36.1mA/cm2。
实施例8
准备N型单晶硅片1，厚度为180um，接着采用CVD方法在N型单晶硅片1的受光面上沉积20nm的硫化锌膜层作为第一金属硫族化合物膜层10；接着采用PECVD法在第一金属硫族化合物膜层10上依次沉积5nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和70nm的氮化硅膜层作为减反射层12；接着在N型单晶硅片1的背面采用CVD方法沉积20nm的硫化锌膜层作为第二金属硫族化合物膜层11；接着在第二金属硫族化合物膜层11上采用PECVD法沉积8nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5；接着在第二本征非晶层5的一部分上覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积20nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6，接着再去除掩膜；接着在n型非晶硅膜层6的表面覆盖掩膜，接着在没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法沉积20nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3，接着再去除掩膜；接着采用RPD法在n型非晶硅膜层6上沉积10nm的TiO2：W膜层，接着采用RPD法在TiO2：W膜层上沉积40nm的IWO膜层作为第二透明导电层7；接着采用RPD法在p型非晶硅膜层3上沉积10nm的TiO2：W膜层，接着采用RPD法在TiO2：W膜层上沉积40nm的IWO膜层作为第一透明导电层4；接着采用磁控溅射法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上都依次沉积10nm氮化锆膜层、30nm银膜层、15nm氮化锆膜层作为一叠层结构；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和叠层结构上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为732mV，短路电流为36.3mA/cm2。
对比例1
准备N型单晶硅片1，厚度为200um，接着在N型单晶硅片1的受光面上采用PECVD法依次沉积12nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和20nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3；接着在N型单晶硅片1的背面上采用PECVD法依次沉积12nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和20nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6；接着采用磁控溅射法在p型非晶硅膜层3上沉积80nm的ITO膜层作为第一透明导电层4，接着采用磁控溅射法在n型非晶硅膜层6上沉积80nm的ITO膜层作为第二透明导电层7；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，在第一透明导电层4上的栅电极9的间距为2mm，在第二透明导电层7上的栅电极9的间距为1mm，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为717mV，短路电流为32.3mA/cm2。本实施例的硅基异质结太阳能电池的结构如图1A和图1B所示。
对比例2
准备N型单晶硅片1，厚度为200um，接着在N型单晶硅片1的受光面上采用PECVD法依次沉积12nm的本征非晶硅膜层作为第一本征非晶层2和70nm的氮化硅膜层作为减反射层12；接着在N型单晶硅片1的背面的一部分上覆盖掩膜，接着在N型单晶硅片1的背面没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法依次沉积12nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和20nm的n型非晶硅膜层作为第二掺杂层6，接着再去除掩膜；接着在n型非晶硅膜层6的表面覆盖掩膜，接着在N型单晶硅片1的背面没有覆盖掩膜的区域上采用PECVD法依次沉积12nm的本征非晶硅膜层作为第二本征非晶层5和20nm的p型非晶硅膜层作为第一掺杂层3，接着再去除掩膜；接着采用磁控溅射法在n型非晶硅膜层6上沉积80nm的IWO膜层作为第二透明导电层7；接着采用磁控溅射法在p型非晶硅膜层3上沉积80nm的IWO膜层作为第一透明导电层4；接着采用丝网印刷法在第一透明导电层4和第二透明导电层7上印刷栅电极9和汇流条电极8，印刷电极的材料采用的是银浆，接着将电池片置于200℃的环境下对印刷的栅电极9和汇流条电极8进行退火处理，由此制得硅基异质结太阳能电池。最后对硅基异质结太阳能电池进行测试，测得其开路电压为721mV，短路电流为33.1mA/cm2。
从上述实施例与对比例的比较可以看出，本发明可提升硅基异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，因而可提高硅基异质结太阳能电池的性能，且，使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。
本发明还公开了一种光伏发电系统，由上述的硅基异质结太阳能电池组成发电系统。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层，所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。
2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第二透明导电层上设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层与第二透明导电层直接接触；所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
3.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面设置有第一本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有一减反射层，所述晶硅基片的背面设置有第二本征非晶层，所述第二本征非晶层的表面区域内交错设置有第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。
4.根据权利要求3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一透明导电层和第二透明导电层上分别设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层分别与第一透明导电层和第二透明导电层直接接触；所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
5.根据权利要求3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶层与减反射层之间设置有一层掺杂层，所述掺杂层的导电类型与晶硅基片的一致。
6.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉和硫化镉锌中的一种或两种以上。
7.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层的厚度为1-100nm。
8.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶层和第二本征非晶层为本征非晶硅膜层。
9.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为p型非晶硅膜层和n型非晶硅膜层，或所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为n型非晶硅膜层和p型非晶硅膜层。
10.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层与第一透明导电层之间设置有第一掺杂氧化钛膜层和/或所述第二掺杂层与第二透明导电层之间设置有第二掺杂氧化钛膜层，所述第一掺杂氧化钛膜层和/或第二掺杂氧化钛膜层为TiO2掺杂有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Ce和Al中的一种或两种以上。
11.一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括
准备晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层；
在所述晶硅基片的背面沉积第二金属硫族化合物膜层；
在所述第一金属硫族化合物膜层上沉积第一本征非晶层；
在所述第二金属硫族化合物膜层上沉积第二本征非晶层；
在所述第一本征非晶层上沉积第一掺杂层；
在所述第二本征非晶层上沉积第二掺杂层；
在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；
在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；
在所述第一透明导电层和第二透明导电层上形成栅电极。
12.一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括
准备晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层；
在所述第一金属硫族化合物膜层上沉积第一本征非晶层；
在所述第一本征非晶层上沉积一减反射层；
在所述晶硅基片的背面沉积第二金属硫族化合物膜层；
在所述第二金属硫族化合物膜层上沉积第二本征非晶层；
在所述第二本征非晶层的表面区域内交错沉积形成第一掺杂层和第二掺杂层；
在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；
在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；
在所述第一透明导电层和第二透明导电层上形成栅电极。
13.根据权利要求11或12所述的硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉、硫化镉锌中的一种或两种以上。
CN201710063887.2A 2017-02-04 2017-02-04 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 Active CN106684161B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710063887.2A CN106684161B (zh) 2017-02-04 2017-02-04 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710063887.2A CN106684161B (zh) 2017-02-04 2017-02-04 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106684161A true CN106684161A (zh) 2017-05-17
CN106684161B CN106684161B (zh) 2018-08-31

Family

ID=58860393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710063887.2A Active CN106684161B (zh) 2017-02-04 2017-02-04 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106684161B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107086321A (zh) * 2017-05-25 2017-08-22 莆田学院 一种锂电池
CN107819052A (zh) * 2017-12-11 2018-03-20 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法
CN108538937A (zh) * 2018-06-15 2018-09-14 中山大学 一种太阳电池及其制备方法
CN110634962A (zh) * 2018-06-01 2019-12-31 君泰创新（北京）科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN113707737A (zh) * 2021-07-22 2021-11-26 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751369A (zh) * 2012-06-20 2012-10-24 常州天合光能有限公司 具有n型/p型硅基异质结太阳能电池
CN103560155A (zh) * 2013-11-08 2014-02-05 南开大学 一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池
US20140360571A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Lg Electronics Inc Solar cell and manufacturing method thereof
WO2016079123A1 (en) * 2014-11-17 2016-05-26 Total Marketing Services Solar cell and method of manufacturing thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751369A (zh) * 2012-06-20 2012-10-24 常州天合光能有限公司 具有n型/p型硅基异质结太阳能电池
US20140360571A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Lg Electronics Inc Solar cell and manufacturing method thereof
CN103560155A (zh) * 2013-11-08 2014-02-05 南开大学 一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池
WO2016079123A1 (en) * 2014-11-17 2016-05-26 Total Marketing Services Solar cell and method of manufacturing thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107086321A (zh) * 2017-05-25 2017-08-22 莆田学院 一种锂电池
CN107819052A (zh) * 2017-12-11 2018-03-20 晋能光伏技术有限责任公司 一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法
CN110634962A (zh) * 2018-06-01 2019-12-31 君泰创新（北京）科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN108538937A (zh) * 2018-06-15 2018-09-14 中山大学 一种太阳电池及其制备方法
CN108538937B (zh) * 2018-06-15 2024-03-15 中山大学 一种太阳电池及其制备方法
CN113707737A (zh) * 2021-07-22 2021-11-26 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106684161B (zh) 2018-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106298988A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN106684161B (zh) 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
CN106784041A (zh) 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
CN106057919B (zh) 具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
US20190131472A1 (en) Solar cell
CN211376648U (zh) 具有双层tco导电膜的异质结太阳能电池结构
CN104269452A (zh) 硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法
US20140076392A1 (en) Solar cell
JP2011205098A (ja) 薄膜太陽電池
CN103199143B (zh) N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件
CN106098801A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN102938429A (zh) 一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法
CN104025308A (zh) 太阳能电池装置及其制造方法
CN106784113A (zh) 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
CN106024937A (zh) 一种cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法
CN217280794U (zh) 一种光伏电池
US9202943B2 (en) Niobium thin film stress relieving layer for thin-film solar cells
CN104851935A (zh) 一种电场调控的石墨烯/磷化铟太阳电池及其制备方法
CN104115283B (zh) 太阳能电池模块及其制造方法
CN112103366A (zh) 硅基异质结太阳电池、光伏组件及制备方法
CN103730532A (zh) 掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池
CN105870212A (zh) 一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法
CN103339741B (zh) 太阳能电池设备及其制造方法
CN205595351U (zh) 一种CIGS-CdS双结薄膜太阳能电池
CN115148838A (zh) 太阳电池及生产方法、光伏组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant