CN106682379A - 一种cl-20/dnb共晶基复合物的模拟方法 - Google Patents
一种cl-20/dnb共晶基复合物的模拟方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106682379A CN106682379A CN201510752516.6A CN201510752516A CN106682379A CN 106682379 A CN106682379 A CN 106682379A CN 201510752516 A CN201510752516 A CN 201510752516A CN 106682379 A CN106682379 A CN 106682379A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- model
- foreign
- dnb
- peg
- eutectics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
本发明公开了一种CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，包括如下步骤：用材料工作站打开CL-20/DNB共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双键苯环；建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度处切割超包模型，得到切割模型；建立PEG分子链，控制粘结剂PEG的含量为4％～5％，将构建好的PEG分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至PEG分子链的密度达到理论值；在所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的PEG分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟。本发明研究同一晶面的不同切割位置所得模型的界面性能，方法简单安全、效果好、成本低。
Description
技术领域
本发明属于分子模拟计算领域，特别是一种CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法。
背景技术
在含能材料领域，能量高、感度低的炸药一直是研究者的追求，其重要的解决途径是采用高能顿感的含能材料。而现有的单质含能材料在能量和安全性方面存在着突出的矛盾，严重制约其发展应用。于是，研究者尝试了很多途径对现有的单质含能材料进行了改性研究，现在常见的方法有重结晶、高聚物包覆和复合以及共晶改性等方法。
近几年，研究者们尝试通过制备含CL-20共晶的方法来降低其感度以提高应用范围，其中除了CL-20/HMX共晶外，典型的还有CL-20/TNT共晶，不仅具有CL-20组分的高能量性质，而且兼具TNT组分的钝感、低成本特点。为进一步改善CL-20的安全性，王玉平等选择比TNT更廉价、钝感的1,3-二硝基苯(DNB)，制备出摩尔比1:1的CL-20/DNB共晶含能材料，其能量与上述CL-20/TNT共晶材料相当，但较之更加钝感，表明CL-20/DNB将是含CL-20含能材料配方中潜在的优异目标物。
因共晶基高聚物复合材料(PBXs)具有安全性高、力学性能好和易于加工成型等优势，故添加少量高聚物可能有助于共晶含能材料的实际使用。孙婷等人向CL-20/DNB共晶含能材料中添加少量高聚物粘结剂构成共晶基高聚物复合材料PBXs，通过分子动力学模拟研究PBXs的力学性能等性能，结果表明添加少量高聚物有助于共晶含能材料的实际使用。但，其对CL-20/DNB共晶(001)晶面的研究不够具体透彻。而且目前对CL-20/DNB共晶的CL-20和DNB分子层交替堆积的平行结构进行分层切割模拟研究的方法未见报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种简单安全、效果好、成本低的CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法。
实现本发明目的的技术解决方案是：一种CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，包括如下步骤：
步骤1，用材料工作站打开CL-20/DNB共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双键苯环；
步骤2，建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度处切割超包模型，得到切割模型；
步骤3，建立PEG分子链，控制粘结剂PEG的含量为4.4％，将构建好的PEG分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至PEG分子链的密度达到理论值；
步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的PEG分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；
步骤5，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟。
优选地，所述材料工作站采用软件Materials Studio，晶体信息文件是以X-ray衍射晶体数据为依据的CL-20/DNB共晶的cif文件。
优选地，所述的建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度处切割超包模型，得到切割模型，具体为：建立3a×2b×1c超包模型，其中a、b、c为CL-20/DNB共晶的晶包参数，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，设置top的Angstrom值，点击Cleave建立切割模型。
优选地，所述对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟，具体为：在MS的Discover模块，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行2ns的分子动力学模拟，其中的后1ns用于收集轨迹，并对收集的轨迹数据进行分析。
优选地，所述top的Angstrom值分别设置为和
本发明与现有技术相比，其显著优点在于：(1)对于具有平行结构的共晶材料CL-20/DNB，变换不同切割位置，研究同一晶面的不同切割模型的界面性能，更深入细致；(2)切割模型使用Materials Studio建立，方法简单，可视化效果好；(3)不同切割位置的共晶基高聚物粘结复合物的模拟研究，本方法简单安全、效果好、成本低。
附图说明
图1是四种切割模型及对应PBXs模型建立的流程示意图。
图2是超包模型及PBXs模型的结构示意图，其中(a)是CL-20/DNB共晶(3×2×1)超胞结构图，(b)是(001)_III/PEG结构图。
图3是切割位置为的切割模型(001)_I结构图。
图4是切割位置为的切割模型(001)II结构图。
图5是切割位置为的切割模型(001)_III结构图。
图6是切割位置为的切割模型(001)_IV结构图。
具体实施方式
下面结合附图和附表对本发明作进一步描述。
本发明CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，包括如下步骤：
步骤1，用材料工作站打开CL-20/DNB共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双键苯环；所述材料工作站采用软件MaterialsStudio，晶体信息文件是以X-ray衍射晶体数据为依据的CL-20/DNB共晶的cif文件。
步骤2，建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度处切割超包模型，得到切割模型；具体为：建立3a×2b×1c超包模型，其中a、b、c为CL-20/DNB共晶的晶包参数，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，设置top的Angstrom值，所述top的Angstrom值分别设置为和点击Cleave建立切割模型。
步骤3，建立PEG分子链，控制粘结剂PEG的含量为4.4％，将构建好的PEG分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至PEG分子链的密度达到理论值；
步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的PEG分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；
步骤5，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟，具体为：在MS的Discover模块，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行2ns的分子动力学模拟，其中的后1ns用于收集轨迹，并对收集的轨迹数据进行分析。
结合图1，本发明CL-20/DNB共晶基高聚物粘结复合物的模拟方法，复合材料为CL-20/DNB共晶基的PEG(聚乙二醇)粘结复合物，包括如下步骤：使用Materials Studio建立CL-20/DNB超包(3×2×1)模型，然后沿着CL-20/DNB(001)晶面切割，并建立切割模型。由于CL-20/DNB共晶中CL-20和DNB分子层都与(001)晶面平行，为了研究更细致，本方法中选择四种不同切割位置，建立四种不同的切割模型。四种对应的CL-20/DNB共晶基PBXs模型，均是将已经优化和平衡到理论密度的PEG分子链添加到切割模型上分别建立的。接着，对四种切割模型和四种PBXs模型分别跑2ns的平衡，后1ns用于收集轨迹并分析。
上述步骤中，四种切割模型的切割位置分别是操作过程为，打开Materials Studio，Build中选择Surfaces，再选中Cleave Surface；在Position部分，top的Angstrom值分别填入建立切割模型；切割模型及其对应的PBXs模型分别命名为(001)_I、(001)_II、(001)_III、(001)_IV、(001)_I/PEG、(001)_II/PEG、(001)_III/PEG和(001)_IV/PEG。
实施实1
切割模型及对应PBXs模型的建立
第一步：用Materials Studio打开CL-20/DNB共晶的cif文件，把所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双线苯环；
第二步：建立3a×2b×1c超包模型，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，top的Angstrom值填入点击Cleave建立切割模型；
第三步：建立PEG(聚乙二醇)的分子链，选择30个链节，控制粘结剂PEG的含量为4.4％。
将构建好的PEG分子链置于周期箱中，逐步进行压缩和MD模拟，直至接近PEG的理论密度。在切割模型的上部留出合适高度的真空层，放入PEG分子链，这样就建立了相应的PBXs模型；
第四步：在MS的Discover模块，对切割模型和其PBXs模型进行2ns的MD模拟，后1ns用于收集轨迹，并分析；
图2是超包模型及PBXs模型的结构示意图，其中(a)是CL-20/DNB共晶(3×2×1)超胞结构图，(b)是(001)_III/PEG结构图。图3为切割位置为的切割模型(001)_I，切割模型与原超包结构相同。表1是四种PBXs模型中，PEG与共晶界面层的结合能。从表1可以得到PEG分子链与共晶的结合能为959.6KJ/mol，单位接触面积的结合能为1.25KJ/mol；
表1
注：E″bind＝Ebind/S，结合能单位为KJ/mol，标准偏差列于括号中。
另外，表2是四种PBXs模型中，界面层炸药分子的扩散系数。从表2可知，PBXs模型界面层中，接触面整层炸药分子的平均扩散系数大于切割模型，其中界面层中的DNB分子的平均扩散系数增大，CL-20分子减小。已知共晶中CL-20分子更为敏感，而CL-20分子的平均扩散系数减小，说明添加少量高聚物有助于减小共晶炸药的感度。
表2
实施例2
切割模型及对应PBXs模型的建立
第一步：用Materials Studio打开CL-20/DNB共晶的cif文件，把所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双线苯环；
第二步：建立3a×2b×1c超包模型，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，top的Angstrom值填入点击Cleave建立切割模型；
第三步：建立PEG(聚乙二醇)的分子链，选择30个链节，控制粘结剂PEG的含量为4.4％。
将构建好的PEG分子链置于周期箱中，逐步进行压缩和MD模拟，直至接近PEG的理论密度。在切割模型的上部留出合适高度的真空层，放入PEG分子链，这样就建立了相应的PBXs模型；
第四步：在MS的Discover模块，对切割模型和其PBXs模型进行2ns的MD模拟，后1ns用于收集轨迹，并分析；
图4为切割位置为的切割模型(001)_II，切割模型与原超包结构相同。附表1可以得到PEG分子链与共晶的结合能为920.6KJ/mol，单位接触面积的结合能为1.20KJ/mol；另外，从附表2可知，PBXs模型界面层中，接触面整层炸药分子的平均扩散系数大于切割模型，其中界面层只有DNB分子且平均扩散系数增大。已知共晶中CL-20分子更为敏感，而CL-20分子处于内层，其扩散系数变化不会太大，说明添加少量高聚物有助于减小共晶炸药的感度。
实施例3
切割模型及对应PBXs模型的建立
第一步：用Materials Studio打开CL-20/DNB共晶的cif文件，把所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双线苯环；
第二步：建立3a×2b×1c超包模型，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，top的Angstrom值填入点击Cleave建立切割模型；
第三步：建立PEG(聚乙二醇)的分子链，选择30个链节，控制粘结剂PEG的含量为4.4％。
将构建好的PEG分子链置于周期箱中，逐步进行压缩和MD模拟，直至接近PEG的理论密度。在切割模型的上部留出合适高度的真空层，放入PEG分子链，这样就建立了相应的PBXs模型；
第四步：在MS的Discover模块，对切割模型和其PBXs模型进行2ns的MD模拟，后1ns用于收集轨迹，并分析；
图5为切割位置为的切割模型(001)_III，切割模型与原超包结构相同。附表1可以得到PEG分子链与共晶的结合能为1057.4KJ/mol，单位接触面积的结合能为1.38KJ/mol；另外，PBXs模型界面层中，接触面整层炸药分子的平均扩散系数小于切割模型，其中界面层只含有CL-20分子。已知共晶中CL-20分子更为敏感，而CL-20分子的平均扩散系数减小，说明添加少量高聚物有助于减小共晶炸药的感度。且四种PBXs模型中，(001)_III/PEG中PEG分子链对CL-20分子的阻碍作用最好，结论与结合能表格相同。
实施例4
切割模型及对应PBXs模型的建立
第一步：用Materials Studio打开CL-20/DNB共晶的cif文件，把所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双线苯环；
第二步：建立3a×2b×1c超包模型，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，top的Angstrom值填入点击Cleave建立切割模型；
第三步：建立PEG(聚乙二醇)的分子链，选择30个链节，控制粘结剂PEG的含量为4.4％。
将构建好的PEG分子链置于周期箱中，逐步进行压缩和MD模拟，直至接近PEG的理论密度。在切割模型的上部留出合适高度的真空层，放入PEG分子链，这样就建立了相应的PBXs模型；
第四步：在MS的Discover模块，对切割模型和其PBXs模型进行2ns的MD模拟，后1ns用于收集轨迹，并分析；
图6为切割位置为的切割模型(001)_IV，切割模型与原超包结构相同。附表1可以得到PEG分子链与共晶的结合能为923.5KJ/mol，单位接触面积的结合能为1.21KJ/mol；另外，PBXs模型界面层中，接触面整层炸药分子的平均扩散系数大于切割模型，其中界面层只含有CL-20分子，CL-20分子的平均扩散系数增大，说明此种PBXs结构不稳定；对比结合能表格可知，此种结构的PBXs在制备过程中也不易形成。
本发明对于具有平行结构的共晶材料CL-20/DNB，变换不同切割位置，更深入细致地研究同一晶面的不同切割位置所得模型的界面性能，其切割模型使用材料工作站建立，方法简单安全、可视化效果好，且省去大量成本。
Claims (5)
1.一种CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，用材料工作站打开CL-20/DNB共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N-O单键改为虚双键，苯环改为谐振式的虚双键苯环；
步骤2，建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度处切割超包模型，得到切割模型；
步骤3，建立PEG分子链，控制粘结剂PEG的含量为4.4％，将构建好的PEG分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至PEG分子链的密度达到理论值；
步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的PEG分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；
步骤5，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟。
2.根据权利要求1所述的CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，步骤1所述材料工作站采用软件Materials Studio，晶体信息文件是以X-ray衍射晶体数据为依据的CL-20/DNB共晶的cif文件。
3.根据权利要求2所述的CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，步骤2所述的建立超包模型，沿(001)晶面在不同高度处切割超包模型，得到切割模型，具体为：建立3a×2b×1c超包模型，其中a、b、c为CL-20/DNB共晶的晶包参数，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，设置top的Angstrom值，点击Cleave建立切割模型。
4.根据权利要求2所述的CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，步骤5所述对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟，具体为：在MS的Discover模块，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行2ns的分子动力学模拟，其中的后1ns用于收集轨迹，并对收集的轨迹数据进行分析。
5.根据权利要求3所述的CL-20/DNB共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，所述top的Angstrom值分别设置为和
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510752516.6A CN106682379A (zh) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 一种cl-20/dnb共晶基复合物的模拟方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510752516.6A CN106682379A (zh) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 一种cl-20/dnb共晶基复合物的模拟方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106682379A true CN106682379A (zh) | 2017-05-17 |
Family
ID=58863020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510752516.6A Pending CN106682379A (zh) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 一种cl-20/dnb共晶基复合物的模拟方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106682379A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107798212A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-13 | 南京理工大学 | Cl‑20/tnt共晶基复合物的模拟方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103488806A (zh) * | 2012-06-08 | 2014-01-01 | 住友橡胶工业株式会社 | 用于模拟填料在高聚物材料中的分散性的方法 |
| CN103745028A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-04-23 | 温州大学 | 一种微纳器件材料界面热疲劳性能模拟测试方法 |
| CN104077457A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用计算机模拟纳米物质在水环境中聚集的界面相互作用的方法 |
| CN104112042A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-10-22 | 同济大学 | 一种基于分子动力学的金刚石涂层膜基界面结合强度测量方法 |
-
2015
- 2015-11-06 CN CN201510752516.6A patent/CN106682379A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103488806A (zh) * | 2012-06-08 | 2014-01-01 | 住友橡胶工业株式会社 | 用于模拟填料在高聚物材料中的分散性的方法 |
| CN103745028A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-04-23 | 温州大学 | 一种微纳器件材料界面热疲劳性能模拟测试方法 |
| CN104077457A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用计算机模拟纳米物质在水环境中聚集的界面相互作用的方法 |
| CN104112042A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-10-22 | 同济大学 | 一种基于分子动力学的金刚石涂层膜基界面结合强度测量方法 |
Non-Patent Citations (8)
| Title |
|---|
| XIAO JIJUN等: "Molecular dynamics simulation of mechanical properties of TATB/fluorine-polymer PBXs along different surfaces", 《SCIENCE IN CHINA SERIES B: CHEMISTRY》 * |
| YUPING WANG等: "A Novel Cocrystal Explosive of HNIW with Good Comprehensive Properties", 《PROPELLANTS, EXPLOSIVES, PYROTECHNICS》 * |
| 刘冬梅等: "不同模型下HMX 晶体结构和性能的MD 研究", 《含能材料》 * |
| 孙婷等: "CL-20/DNB共晶基PBXs相容性、界面作用和力学性能的MD模拟", 《含能材料》 * |
| 文国等: "CL-20/TATB共晶的分子动力学模拟", 《山西化工》 * |
| 王玉平等: "CL-20/DNB共晶炸药的制备、结构与性能研究", 《第二届全国危险物质与安全应急技术研讨会论文集》 * |
| 章丽娜: "煤分子结构与外界环境对煤层气生成及运移的影响", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 * |
| 谭鑫等: "钨锰矿(010)表面电子结构及性质第一性原理计算", 《金属矿山》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107798212A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-13 | 南京理工大学 | Cl‑20/tnt共晶基复合物的模拟方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106950744A (zh) | 一种全息聚合物分散液晶光栅及其制备方法 | |
| Quane et al. | Time scales of compaction in volcanic systems | |
| CN101545299A (zh) | 再生混凝土单排孔承重砌块及其制备方法 | |
| Liu et al. | Adsorption mechanisms of lithium polysulfides on graphene-based interlayers in lithium sulfur batteries | |
| Jiang et al. | Potential application of bamboo powder in PBS bamboo plastic composites | |
| CN101924164B (zh) | 一种光伏组件及其制备方法 | |
| CN106682379A (zh) | 一种cl-20/dnb共晶基复合物的模拟方法 | |
| CN103848605B (zh) | 水泥稳定再生砂砾方法及其制品 | |
| CN108978623A (zh) | 掺杂建筑垃圾和废旧轮胎的复合加筋砂砾垫层及施工方法 | |
| CN110556170A (zh) | 一种ZrBeO3超硬材料物性的预测方法 | |
| CN108258322A (zh) | 一种可自愈合柔性电池及其制备方法 | |
| CN104030866A (zh) | 利用废弃丁羟固体推进剂药浆制备的震源药柱及其应用 | |
| CN107798212A (zh) | Cl‑20/tnt共晶基复合物的模拟方法 | |
| CN203125727U (zh) | 再生骨料固定式设备 | |
| CN106886615B (zh) | 一种rdx基多组分含能复合物的模拟方法 | |
| CN107727348A (zh) | 涉及库水作用的大型振动台试验消波装置及其试验方法 | |
| CN101747477B (zh) | 采用电子束辐照法制备PC-g-PMMA接枝共聚物的方法 | |
| CN107480415A (zh) | 一种cl-20/hmx共晶及其复合物的模拟方法 | |
| CN101492428A (zh) | 以三苯胺为核的星型分子受体材料及其制备方法和用途 | |
| CN110304978A (zh) | 高力学性能低阻抗高聚物粘结炸药及其制备方法 | |
| CN102416716A (zh) | 带有泡沫夹芯梁的金字塔型点阵芯材及其制备工艺 | |
| CN103012667B (zh) | 一种油井控水防砂选择性堵水剂的合成方法 | |
| CN107597337A (zh) | 一种高效的氯酸钾加工用粉碎机 | |
| CN102731537A (zh) | 一种具有穿插结构的呋喃二甲酸锌金属有机骨架材料及制备方法 | |
| CN108414311B (zh) | 考虑过渡带的煤系产层组压裂物模试样的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170517 |